Nota: Lea todo.

Se revisar las hojas impresas antes de iniciar la prctica;

quienes no presenten al inicio, tendrn automticamente nota 0/20, salvo
casos debidamente justificados. Los 10 primeros estudiantes de la lista
ingresan de 11 y 40 a 13:00 y los siguientes 10 de 13:00 a 14: 20. Todas las
hojas debern engramparse y entregarse luego de 1 hora de finalizada la
prctica; por lo cual se recomienda, dejar el espacio suficiente y distribuir
adecuadamente la informacin y los grficos.
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
PRCTICA 1. CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO DE SI Y
COMPUERTAS LGICAS
OBJETIVO: TRAZAR LA CURVA CARACTERSTICA DE UN DIODO DE SI E
IMPLEMENTAR COMPUERTAS AND Y OR CON DIODOS.
INTEGRANTES:

..
MATERIALES:
-

Una fuente variable de DC

Un ampermetro

Un voltmetro

Una resistencia de 1Kohm, watt (traer)

2 Diodos 1N4001 o /1N4007 (TRAER IGUALES)

Cables para conexin en el tablero o protoboard (traer)

TRABAJO PREPARATORIO:
1. Consulte las caractersticas tcnicas (datasheet) del diodo 1N4007 en
cuanto a:
-

Cada de voltaje en polarizacin directa (valores mnimo y mximo)

Mxima corriente en polarizacin directa no repetitiva

Corriente rectificada promedio

Mxima disipacin de potencia

Corriente inversa

Tiempo de recuperacin (trr)

2. Indique, que representa cada caracterstica del diodo consultado

3. Simule en Multisim(u otro) el circuito de la figura 1, para un diodo

virtual y anote los valores de voltajes y corrientes del diodo para los
siguientes valores del voltaje de entrada (vi).

Fig.1 : Circuito para trazar la curva del diodo ideal

Tabla 1: Datos de voltajes y corrientes medidos en el diodo, empleando

multisim u otro simulador
V diodo
(Vo) [V]
Ventrada
(Vi) [V]

0V

1V

2V

3V

4V

5V

6V

7V

8V

10V

15V

20V

ID [mA]

4. Obtener por simulacin la tabla de verdad de los siguientes circuitos,

asumiendo que los diodos son virtuales.

Fig.2. a) Compuerta OR con diodos b) Compuerta AND con diodos

Tabla 2: Compuerta OR
A

0V

0V

0V

5V

Vo

5V

0V

5V

5V

Tabla 3: Compuerta AND

A

Vo

0V

0V

0V

5V

5V

0V

5V

5V

WEBGRAFA EMPLEADA:

PROCEDIMIENTO:
1. Verificar el correcto estado de operacin del diodo, identificando nodo
y ctodo con el voltmetro. El valor medido en PD es ..
[V]
2. Arme el circuito de la figura 1, empleando el diodo de Si y registre los
valores de voltaje y corriente en el diodo, emplee los valores de tensin
mostrados en la tabla 4.
Tabla 4: Voltajes y corrientes medidos en el Diodo de Si
V diodo
(Vo) [V]
Ventrada
(Vi) [V]

0V

0.5V

1V

2V

3V

5V

6V

7V

8V

10V

15V

20V

ID [mA]

3. Invierta el diodo y repita las mediciones anteriores

Tabla 5: Voltajes y corrientes medidos en el Diodo de Si en polarizacin
inversa
V diodo
(Vo) [V]
Ventrada
(Vi) [V]

1V

2V

3V

5V

10V

15V

20V

25V

ID [uA]

4. Represente los resultados obtenidos en las tablas 4 y 5 en un solo

grfico, donde la I del diodo est en el eje Y, y el V diodo en el eje X.
(Puede usa papel milimetrado o imprimir los datos empleando algn
programa; adjunte la hoja)
5. Armar los circuitos de la fig.2.
6. Medir los voltajes de salida, en funcin de la siguiente tabla:
Tabla 6: Compuerta OR
A

0V

0V

0V

5V

Vo

5V

0V

5V

5V

Tabla 7: Compuerta AND

A

Vo

0V

0V

0V

5V

5V

0V

5V

5V

ANLISIS DE RESULTADOS:
1. Compare los resultados de este experimento, con los datos simulados;
y describa las principales diferencias.

2. Segn el grfico obtenido en el punto 4, explique la operacin real de

un diodo de Si.

3. Explique la influencia de la tensin de umbral del diodo, respecto a la

salida de las compuertas.

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES: