TALLER DE FETS UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSE DE CALDAS TECNOLOGIA EN ELECTRICIDAD DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES EDWARD ANTONIO HERNANDEZ CORREDOR

20072072038

1)

VENTAJAS DEL FET

Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012 ). Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes. Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT, pues necesitan menos pasos y permiten integrar ms dispositivos en un circuito integrado. Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.

DESVENTAJAS DE LOS FET.

Los FET se pueden daar debido a la esttica que genera los humanos. Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. Los FET presentan una capacidad una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.

2) CLASIFICACION DE LOS FET.

TIPOS DE FET JFET
EL FET, es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador, Fuente y compuerta. La regin que existe entre el Drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama canal. La corriente circula de drenaje (D) a fuente (S). Existen los FETS de canal p y canal n.

MOSFET EMPOBRECIMIENTO

DE

MOSFET ENRIQUESIMIENTO

DE

Existe el MOSFET de empobrecimiento de canal n y de canal p.

Existe el MOSFET de enriquecimiento de canal n y de canal p.

El desempeo del MOSFET de empobrecimiento. Es similar al JFET, porque se controla por la unin pn entre la compuerta y el extremo del drenaje. Para el MOSFET de canal N una VGS negativa saca los electrones de la regin del canal, empobrecindolo. Cuando VGS alcanza VP el canal se estrangula, los valores positivos aumentan el tamao del canal dando por resultado un aumento en la corriente de drenaje. El MOSFET de empobrecimiento opera tanto para valores positivos como negativos de la VGS.

UNSIONAMIENTO

Este difiere del MOSFET de empobrecimiento en que no tiene la capa delgada del material n, si no que requiere una tensin positiva entre la compuerta y la fuente para establecer una canal. Este canal se forma por la accin de una tensin positiva compuerta a fuente VGS, que atrae electrones de la regin del substrato ubicada entre el drenaje y la compuerta contaminados de tipo n. Una VGS positiva provoca que los electrones se acumulen en la superficie inferior de la capa de xido, cuando la tensin alcanza el valor umbral VT, han sido atrados a esta regin los electrones suficientes para que se comporte como canal n conductor. No habr una corriente ID hasta que VGS excede VT. IDSS es cero para VGS=0

CURVA CARACTERISTICA

SIMBOLO

ECUACIONES QUE LOS RIGEN

La frmula es : ID=IDSS(1-[Vgs/Vgs(off)]) donde: -IDSS es el valor de corriente cuando la VGS =0. -VGS(off) es el voltaje cuando ya no hay paso de corriente entre drenaje y fuente (ID=0). -VGS es el voltaje entre la compuerta y la fuente para la que se desea saber ID frmula para la resistencia: RDS=VDS/ID.

La corriente de drenaje en saturacin se puede calcular: ( ( ) Si vGS<Vt )

3) MOSFET son las siglas de Metal oxide semiconductor field Effect transistor . Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica prcticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial estn basados en transistores MOSFET. Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal n y el PNP es llamado MOSFET de canal p. Una delgada capa de material aislante formada de dixido de silicio (SiO 2) (tambin llamada slice o silica) es colocada del lado del semiconductor y una capa de metal es colocada de lado de la compuerta (GATE). En el MOSFET de canal N la parte N est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain). En el MOSFET de canal P la parte P est conectada a la fuente (source) y al drenaje (drain).

4)

FUENTE COMUN

PUERTA COMUN

FUENTE COMUN CON RESISTENCIA DE FUENTE

5)

DRENADOR COMUN

Drenador comn

Puerta Comn

Fuente comn con resistencia de fuente Si ( )

Fuente comn

( (

Zi=RG

) )

( )