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O DIAC basicamente uma combinao paralela inversa de camadas semicondutoras com dois terminais, permitindo disparo em qualquer direo caractersticas do As dispositivo mostram a existncia de tenses de ruptura em ambas as direes (VBR1 e VBR1) Essa possibilidade de uma condio ligado em qualquer direo pode ser usada com grandes vantagens em aplicaes CA
DIAC
As tenses de ruptura so muito prximas em amplitude, mas podem variar de um mnimo de 28 V a um mximo de 42 V Esto relacionadas pela seguinte equao fornecida pelas folhas de especificao
DIAC
Configurao Bsica das Camadas Semicondutoras Os terminais so chamados de Anodo 1 e Anodo 2 Quando o Anodo 1 positivo em relao ao Anodo 2, as camadas semicondutoras de interesse particular so p1n2p2
e n3
Quando o Anodo 2 positivo em relao ao Anodo 1, as camadas semicondutoras de interesse particular so p2n2p1
e n1
DIAC
Estrutura Bsica
Simbologias
TRIAC
O TRIAC basicamente um DIAC com terminal de porta para controlar as condies de conduo do dispositivo bilateral em qualquer direo Qualquer que seja a direo, a corrente de porta pode controlar a ao do dispositivo de uma forma muito semelhante quela demonstrada para um SCR As caractersticas do TRIAC no primeiro e terceiro quadrantes so um pouco diferentes do DIAC. A corrente de reteno est ausente no DIAC
TRIAC
Quando necessrio controlar a potncia em uma carga AC, com corrente nos dois sentidos, pode ser usado o circuito visto com dois SCRs em antiparalelo ou usar um TRIAC O TRIAC desta forma pode ser entendido como sendo equivalente a dois SCRs ligados em anti-paralelo(paralelo inverso).
Smbolo
TRIAC
Curva Caracterstica
Simbologia
TRIAC
Curva Caracterstica
Simbologia
Quando a resistncia de P menor, os capacitores carregam mais rpidos, o DIAC aciona o TRIAC mais rpido e este mantm a lmpada mais tempo ligada O brilho que enxergamos agora muito mais forte.
Smbolo do UJT
RBB = (RB1 + RB 2 ) I E =0
RBB est normalmente dentro da faixa de 4 k a 10 k
VRB1
I E =0
RB1 = (RB1 + RB 2 )
I E =0
RB1 = RBB
VP = VBB + VD
Observe que IEO (A) no aparece, pois a escala horizontal est em mA A interseco de cada curva com o eixo vertical o valor correspondente de VP Para valores fixos de e VD a amplitude VP varia de acordo com VBB, ou seja:
V VE V I R1 R1 = VE R1 = I R1 V VP R1 = IP
V VP R1 IP
No ponto de vale, IE = IV e VE = VV, tal que:
V I R1 R1 = VE V IV R1 = VV
Torna-se:
V VV R1 = IV
V VV R1 IV
A faixa de R1 , portanto, limitada por:
V VV V VP R1 IV IP
I E =0 A
vC = VV + (V VV ) 1 e t / R1C
A equao geral para o perodo de descarga :
vC VP e
t / ( RB 1 + R2 )C
T = t1 + t 2
Com o circuito equivalente reduzido para a fase de descarga resulta na aproximao para o valor de pico de VR2
f osc
1 = T
V VV T t1 = R1C log e V VP
Como sabe-se que = VP / V se ignorarmos os efeitos de VD na equao VP = VBB + VD e o perodo T e a frequncia f so dados por
RB1 = (RB1 + RB 2 )
I E =0
RB 2 = RBB RB1 = 5k 3k = 2k
VP = 0,7V + VP
(RB1 + R2 )12V
V VV 12V 1V = 5,05ms t1 = R1C log e = (50k )(0,1 pF ) log e 12V 8V V VP VP 8V t 2 = (RB1 + R2 )C log e = (0,1k + 0,1k )(0,1 pF ) log e = 41,6 s VV 1V T = t1 + t 2 = 5,05ms + 0,0416ms = 5,092ms