PRACTICA UNO DIODO DE UNION, LED OBJETIVOS Observar y analizar la relacin voltajecorriente en un diodo de unin.

in. Observar y analizar la relacin voltajecorriente en un led. Determinar las caractersticas del diodo rectificador y de los leds.

MATERIALES Y EQUIPO Osciloscopio. Multmetro digital. Fuente variable de DC. 2 puntas para osciloscopio.

PARA CONSEGUIR POR GRUPO: 1 Protoboard. 2 Diodos 1N4004 o similares, 1 LED Rojo, 1 LED Verde. 2 Resistencias de 270 a W. 2 Microinterruptores.

PREINFORME Describir un mtodo para verificar el estado de los diodos con multmetro. Dibujar el equivalente circuital para un diodo ideal, de Silicio y Germanio en polarizacin directa e inversa. Estudiar el fundamento terico de este documento.

NORMA DE SEGURIDAD Recuerde que no debe ingresar al laboratorio, bajo el efecto del alcohol o drogas, si observa algn compaero en estas condiciones por favor informe al docente respectivo, para evitar posibles accidentes
En las siguientes direcciones de Internet podr encontrar informacin pertinente http://usuarios.lycos.es/oscargomezf/utilidades_electronica/diodo.htm http://www.cucweb.uqroo.mx/usuarios/computo/rglz/electronica/tem4_3_.htm

FUNDAMENTO TERICO DIODO DE UNIN El diodo es un dispositivo electrnico cuya relacin corriente - voltaje no es lineal. Esta propiedad es utilizada para realizar diferentes circuitos en los que especialmente se desea dejar pasar corriente en un sentido y en otro no. Inicialmente los tubos de vaco hacan esta funcin, pero fueron reemplazados a partir de la dcada de los cuarenta por los diodos construidos con materiales semiconductores. Sin embargo las condiciones de potencia de los tubos y la calidad con que manejan las seales, hacen que muchos sistemas de comunicaciones, como algunos transmisores de INRAVISION sigan utilizando este tipo de elementos. DIODOS DE UNIN PN Los diodos de unin PN son los dispositivos semiconductores ms representativos de su gnero, sin embargo existe una gran variedad de diferentes tipos de diodos con caractersticas particulares que permiten la realizacin de circuitos electrnicos especficos. Algunos de estos diodos son el diodo Tnel, diodo Schottky, diodo varactor, fotodiodo y otros ms, entre los que encontramos al diodo Zener y al diodo emisor de luz, LED. TEORIA DEL SEMICONDUCTOR El silicio y el germanio son los dos elementos utilizados en la electrnica para sus desarrollos. Ambos tienen en su ltimo nivel de energa cuatro electrones denominados de Valencia, por ello se llaman elementos tetravalentes. CRISTALES Es la combinacin delos tomos de silicio o de germanio para formar un slido de configuracin ordenada, de modo que en su rbita de valencia logren formar el nivel completo es decir 8 electrones (en el caso del silicio). A la fuerza que une los tomos unidos entre s se le llama enlace covalente. Para que esto se cumpla a un tomo de silicio se asocia con otros cuatro tomos de silicio, logrando la estabilidad requerida en su nivel de valencia, pero compartiendo sus electrones. BANDAS DE ENERGIA

La combinacin de los tomos en un cristal origina que la rbita de un electrn quede influida por las cargas de muchos tomos adyacentes. Es as que los electrones de la primera orbita tendr cada uno un nivel de energa. Todos los niveles de energa de los electrones de la primera orbita forman una banda, igual ocurrir con la segunda y la de valencia. HUECOS Y ELECTRONES DE VALENCIA Cuando se produce una energa externa un electrn de valencia es lanzado a un nivel superior de energa. En el sitio donde se encontraba este electrn queda un espacio al que se le llama hueco. Estos huecos se consideran positivos y producen su propia corriente. CONDUCCION EN CRISTALES En los alambres de cobre existen electrones libres que viajen en orbitas extremadamente grandes, los electrones libres pertenecen a una banda llamada de conduccin. En el semiconductor pueden existir electrones libres, pero a -273 0C (cero absoluto), la banda de conduccin no tiene electrones, es decir, no existen electrones libres. No existe corriente. Al aumentar la temperatura arriba del cero absoluto, la energa que est en forma de calor rompe algunos enlaces covalentes, enviando algunos electrones de valencia hacia la banda de conduccin generndose as, una corriente producida por los electrones libres, pero tambin por los huecos que quedan en la banda de valencia que van a ser llenados por otros electrones de valencia. A mayor temperatura mayor ser la corriente. A 25 0C la corriente es muy pequea para ser til. PARES DE ELECTRON-HUECO Siempre que los electrones de la banda de valencia se desplazan hacia la derecha llenando un hueco, se observa que el hueco se desplaza hacia la izquierda (efecto Hall).

RECOMBINACION

Es la fusin de un hueco con un electrn. CONTAMINACION CON IMPUREZAS Un semiconductor intrnseco, es decir, puro no tiene suficientes electrones libres ni huecos para producir una corriente til. Por ello se contaminan para formar semiconductores donantes o negativos (tipo n) o aceptantes o positivos (tipo p). SEMICONDUCTOR TIPO n Para obtener electrones adicionales en la banda de conduccin se agregan tomos Pentavalentes (arsnico, antimonio, fosforo) a un tomo de silicio o germanio, obtenindose los 8 electrones de la banda de valencia y uno en la de conduccin. As, se le llamar a los electrones portadores mayoritarios y los huecos que se produzcan por efectos trmicos sern los portadores minoritarios. SEMICONDUCTOR TIPO p Para obtener exceso de huecos las impurezas a agregar deben ser trivalentes (aluminio, boro, galio). En este caso los portadores mayoritarios sern los huecos y los minoritarios sern los electrones de la banda de conduccin sern los portadores minoritarios. EL DIODO SIN POLARIZAR Al unir el cristal tipo P con el tipo N se forma el diodo o cristal PN. CAPA DE AGOTAMIENTO Debido as u mutua repulsin, todos los electrones libres en el lado n tienden a esparcirse en todas direcciones. Al salir de la regin n deja un ion positivo, y al entrar en la p, se convierte en un portador minoritario de sta. Como se encuentra con tantos huecos, cae en uno de ellos y se forma un ion negativo. Cada vez que un electrn se difunde a travs de la juntura se crea un par de iones. Estos iones estn fijos en el cristal pues forman la estructura de los enlaces covalentes, por lo que no pueden moverse como los electrones libres y los huecos. A medida que el nmero de iones crece, la regin cerca de la unin se agota de electrones libres y huecos. A esta regin se le llama capa de agotamiento. POTENCIAL DE BARRERA

Despus de cierto punto, la capa de agotamiento acta como una barrera para la posterior difusin de electrones libres a travs dela unin. Este potencial de barrera, a temperatura de 25 0C , es aproximadamente de 0,7 voltios para el silicio y de 0,3 voltios para el germanio. POLARIZACIN DIRECTA Se considera que el diodo est polarizado directamente si el terminal positivo de la fuente de CC est conectado al cristal P (nodo) y el terminal negativo de la misma se conecta al cristal N (ctodo). La polarizacin directa produce una corriente elevada. Ya que el terminal negativo repele los electrones libres en la regin N hacia la unin. Estos electrones energizados deben cruzar la unin y caer en los huecos. La recombinacin ocurre a diferentes distancias de la unin. A medida que los electrones libres caen en los huecos se convierten en electrones de valencia. Luego viajando como electrones de valencia viajan hasta el fin del cristal y buscan el positivo de la fuente. POLARIZACION INVERSA Si se invirtiera la fuente anterior. Qu sucede con la capa de agotamiento?

PROCEDIMIENTO

1. Verificacin del Diodo. Identifique el nodo y ctodo del diodo. Luego con la ayuda del multmetro en la opcin de probador de diodos, conecte el diodo a las puntas del multmetro como se muestra a continuacin:

Anote sus observaciones. 2. Medicin del voltaje de ruptura. Tome el valor ledo en la pantalla del multmetro en la opcin de probador de diodo y en polarizacin directa. Este valor ser el voltaje de Umbral del diodo. Anote el voltaje de umbral para el diodo 1N4004 y verifique en la hoja de datos. 3. Curva caracterstica del Diodo. Monte el siguiente circuito: R=270 Circuito No. 1
R 1

0V 1 N 4004 2

Vd

FIGURA 1.1

Coloque en cero la fuente de continua, luego empiece a incrementar muy lentamente su valor hasta alcanzar un voltaje mximo de 10V; para cada valor de la fuente tome con el multmetro digital el valor del voltaje y corriente en el diodo. Tabule los valores obtenidos, luego haga una grfica de corriente contra voltaje con los datos obtenidos anteriormente. 4. Tome el osciloscopio y en el modo x-y observe la relacin (corriente Vs voltaje), If vs VAK en el diodo. Anote sus observaciones.

5. Monte los siguientes circuitos Circuito No. 2

A B 5V 1N400 4 1N400 4 270 270

FIGURA 1.3 Circuito No. 3

A 5V 270 Q 270 B

FIGURA 1.4 Realice una tabla donde se especifique el valor de la salida para los diferentes valores que pueden tomar las variables A y B. Identifique que tipo de funcin lgica realiza cada circuito. 6. Realice las respectivas simulaciones de cada uno de los circuitos montados, compare los valores obtenidos con los reales, comprelos y concluya.

INFORME. El informe se debe presentar a mano, a lapicero, en hoja cuadriculado anotando el nombre completo de todos los integrantes del grupo de la prctica. Utilizar lapicero de colores para diferenciar ttulos de contenidos y curvas de grficas.

Debe entregar un informe con las observaciones, anotaciones, graficas, esquemas y dems, segun cada uno de los puntos del procedimiento de la prctica. Conclusiones.

Recuerden que ustedes son profesionales en formacin. Del esfuerzo y el amor con que hagan las cosas dependen los resultados de las mismas. XITO.
BIBLIOGRAFA: Principios de electrnica de A. Malvino. Manual ECG de reemplazos de Philips-Sylvania. Boylestad, Robert L. Nashelsky, Louis. Electrnica, teora de circuitos. Malvino, Albert paul. Principios de Electrnica. Manuales de los equipos disponibles en el laboratorio (Osciloscopio, fuente de DC, generador de seales, multmetro), los cuales son prestados por el laboratorista. Millman, Jacob y Halkias, Cristos. Electrnica, Fundamentos y aplicaciones