UNIVERSIDADE FEDERAL DE CAMPINA GRANDE

CENTRO DE CINCIAS E TECNOLOGIA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA LABORATRIO DE ALTA TENSO

Materiais Eltricos

Captulo 1 - Campos Em Meios Materiais Propriedades Eltricas

Washington Neves
Junho, 2001

Captulo 1 Campos Em Meios Materiais - Propriedades Eltricas

1.1 Introduo O estudo das propriedades dos materiais tem contribudo para a introduo de novos dispositivos usados em engenharia eltrica. O desenvolvimento tecnolgico da indstria eletro-eletrnica est fortemente ligado ao avano da cincia dos materiais. Para evidenciar o desenvolvimento dessa rea, podemos citar: diodos lasers e fibras ticas utilizados na transmisso e recepo de sinais; as ligas amorfas - usadas em ncleos de transformadores de alto rendimento; varistores base de xido de zinco utilizados em pra-raios de subestaes; materiais polimricos utilizados em cadeias de isoladores, etc. Para o entendimento das propriedades dos materiais necessrio o estudo de tpicos como: fsica do estado slido; fsica de gases e fsica moderna. Pretende-se neste captulo, fazer uma breve reviso sobre campos eltricos em meios materiais e uma breve introduo a perdas em dieltricos. Deve-se enfatizar que muitas vezes conveniente a utilizao de modelos, em escala atmica, que justifiquem as grandezas reais medidas. 1.2 Modelos O comportamento fsico de um material pode ser caracterizado por grandezas macroscpicas, quantidades mensurveis, como condutividade eltrica, condutividade trmica, permeabilidade magntica, permissividade eltrica, etc. Em geral, essas grandezas so funes de parmetros externos como temperatura, presso e freqncia do campo aplicado. O estudo das grandezas macroscpicas tem levado a concluses importantes a respeito da microestrutura do material (estrutura atmica do material). Os materiais so compostos por tomos e os tomos de ncleos e eltrons. No estudo de materiais muitas vezes torna-se conveniente adoo de modelos apropriados, em escala atmica, que representem o comportamento do material em escala macroscpica. A introduo de modelos teve grande desenvolvimento atravs dos trabalhos de Faraday, Lord Kelvin, Maxwell e J. J. Thomson no sculo passado. Em tese, os modelos no precisam corresponder realidade em termos microscpicos, mas sua utilizao est condicionada a uma eficiente aproximao da realidade macroscpica, sendo uma ferramenta muito importante para o entendimento dos fenmenos que ocorrem na natureza. Por exemplo, em eletricidade no existe carga esttica, porm modelos adotados em eletrosttica tm contribudo muito para o entendimento de campos eltricos em meios materiais ao longo dos anos. Alm disso, modelos diferentes podem reproduzir a mesma realidade. 1.3 Conceitos Bsicos de Eletrosttica Existem cinco grandezas em fsica, que servem de ponto de partida para a definio de todas as outras grandezas utilizadas em fsica e engenharia: massa, comprimento, tempo, carga, temperatura. Essas cinco grandezas so intuitivas e portanto consideradas indefinveis. Por exemplo, a temperatura associada com a sensao de quente ou frio sem a preocupao de dar uma definio precisa desses termos. As cargas eltricas so as fontes de todos os campos eletromagnticos. A unidade de carga o Coulomb (C). O eltron tem carga negativa de aproximadamente e = -1.6 x 10-19 C, conhecida como carga elementar. A carga quantizada e se conserva, ou seja, o excesso de 1

cargas num objeto mltiplo da carga elementar e a carga lquida de um sistema isolado se mantem constante. Em alguns materiais, a carga flui facilmente, em outros no. Quanto conduo de eletricidade, costuma-se dividir os materiais em trs categorias:

Condutores ex. prata, cobre, alumnio, ferro, metais em geral. semi-condutores ex. silcio e germnio (utilizados na indstria eletro-eletrnica na fabricao de diodos, transistores, tiristores, etc.), SiC e ZnO (utilizados em dispositivos de proteo de equipamentos contra surtos atmosfricos). dieltricos ex. ar nas condies normais de temperatura e presso (CNTP), ar comprimido, vcuo, SF6, papel, tntalo, borracha, leo mineral, madeira, porcelana, vidro, plsticos, etc.

A maioria dos materiais ou condutor ou dieltrico. Nos condutores, os eltrons mais distantes do ncleo de cada tomo so fracamente ligados a seus tomos particulares e esto praticamente livres para percorrer o material. Nos materiais dieltricos, os eltrons esto fortemente ligados a seus tomos, e a conduo s possvel na presena de campos eltricos elevados. Os semicondutores esto numa categoria intermediria, no so to bons condutores como os metais, mas so melhores condutores que os materiais dieltricos. A condutividade dos semicondutores pode ser controlada pela adio de impurezas em concentraes apropriadas. Existem vrias formas em que objetos podem adquirir carga lquida. Por exemplo: 1. Atrito entre objetos Ao se esfregar dois objetos, os eltrons de maior energia fluiro do objeto em que estavam para o outro. Esse efeito pode ser verificado no cotidiano. Aps pentear o cabelo, a pessoa pode verificar que o pente atrai pequenos pedaos de papel, indicando que o pente, ao ser friccionado com o cabelo, adquiriu uma carga lquida. Outros exemplos: atritando vidro com sda, o vidro fica com carga positiva; atritando um basto de PVC com uma pea de l, o basto adquire carga negativa. 2. Contato de um objeto carregado com um objeto condutor neutro Se um objeto carregado tocar um condutor, uma parte da carga transferida entre objeto e condutor, carregando o condutor com carga de mesmo sinal da carga do objeto.

3. Carga obtida por induo Considere a situao em que um objeto com carga lquida positiva colocado prximo a um condutor, sem toc-lo. Se o condutor for aterrado1, cargas negativas fluiro da terra para o condutor. Quando a conexo para a terra removida, o condutor ter carga de sinal oposto a do objeto. 4. Carga obtida por radiao (efeito fotoeltrico) Condutores podem ficar carregados ao receberem luz de uma fonte luminosa. Se ftons do feixe luminoso tiverem energia suficiente, podem arrancar eltrons do condutor deixando-o com carga lquida positiva. Este fenmeno conhecido como efeito fotoeltrico.

Quando um objeto conectado a terra por um fio condutor, diz-se que o bjeto est aterrado. A conexo feita proporciona o fluxo de cargas livres do objeto conectado para a terra ou da terra para o objeto conectado.

A seguir sero estudados campos produzidos por distribuies de cargas estacionrias comeando pela lei de Coulomb, definio de campo eltrico, lei de Gauss, potencial escalar eltrico e capacitncia. 1.3.1 Lei de Coulomb Embora tenha sido estabelecido que a carga eltrica uma grandeza fundamental, indefinvel, pode-se dar uma definio precisa da quantidade de carga em termos dos conceitos da fora que age entre corpos carregados. Em 1785, um engenheiro francs, Charles Coulomb, conseguiu medir foras que atuam entre duas cargas separadas por uma distncia R12 no vcuo (Figura 1.1). Q1 [x1, y1, z1] R1 [0,0,0] Figura 1.1: Lei de Coulomb para cargas puntuais. O resultado conhecido como lei de Coulomb e dada por: F= Q1 Q2 2 4 0 R12 N

R12

Q2 R2

F [x2, y2, z2]

em que 0 a permissividade do vcuo e 0 8.854 x 10-12 F/m. Na forma vetorial, a equao acima pode ser reescrita como: Q1 Q2 F= a R12 2 4 0 R12 O vetor unitrio

(1.1)

a R12 pode ser facilmente determinado no sistema de coordenadas

retangulares. Por exemplo, se Q1 estiver localizado em [x1, y1, z1] e Q2 em [x2, y2, z2], o vetor que aponta na direo de Q1 para Q2 ser dado por: R12 = R2 R1 = ( x 2 x1 ) a x + ( y 2 y1 ) a y + ( z2 z1 ) a z . Onde
ax

(1.2)

, a y e a z so vetores unitrios na direo dos eixos x, y e z respectivamente. O

vetor unitrio a R12 pode ser obtido normalizando-se R 12 para o comprimento unitrio: a R12 Onde

R = 12 . R12

(1.3) (1.4)

R12 = ( x2 x1 ) 2 + ( y2 y1 ) 2 + ( z2 z1 ) 2

Exemplo 1 - Fora entre cargas puntuais Considere um par de cargas puntuais no espao livre (Figura 1.2). Q1 , de -300C , est localizada em [ 2,4,5] m. A carga Q2 , de 10 C , est localizada em [1,1,3] m. Determine a fora em Q1 exercida por Q2 . F 21 [x1, y1, z1]

Q1 R1

R21 R2

Q2 [x2, y2, z2]

[0,0,0] Figura 1.2: Par de cargas puntuais. Soluo: R21 = R1 R2 = ( x1 x 2 ) a x + ( y1 y 2 ) a y + ( z1 z 2 ) a z = a x + 3 a y + 2 a z e R21 = ( x1 x 2 ) 2 + ( y1 y 2 ) 2 + ( z1 z 2 ) 2 = 12 + 32 + 2 2 = 14 . Logo, a R 21
ax + 3a y + 2 az R = 21 = 0,27 a x + 0,80 a y + 0,53 a z . R21 14

Assim, F21 ser dado por:

Q1 Q2 ( 300x10 6 ).(10x10 6 ) . a R21 = 0,52 a x 1,55 a y 1,03 a z F21 = a R21 = 2 4 0 .14 4 0 R12

N.

Para um sistema de cargas (Figura 1.3), pode-se determinar a fora que atua em cada uma delas. Q1 Q2 Q3 R1 R2 R3 R4 Q4

RN

QN Figura 1.3: Superposio de foras. A superposio de foras atuando numa carga q devido a vrias cargas puntuais Q1, Q2,..., QN dada por: N qQi F= . a Ri (1.5) 2 i =1 4 0 Ri 4

Onde Ri a distncia entre as cargas Qi e q, e a Ri o vetor unitrio apontando de Qi para q. A fora eletrosttica talvez a fora mais importante da natureza, ela a fora que mantm juntas as molculas das substncias. 1.3.2 Campo Eltrico Considere uma carga Q imvel no espao vazio. O campo eltrico produzido pela carga Q em um ponto do espao definido em termos da fora eltrica que age numa carga de prova Qp colocada naquele ponto (Figura 1.4). Assim, um campo eltrico existe se uma carga de prova em repouso, colocada no ponto desejado, sofrer a ao de uma fora eltrica. Q Rp

Qp

Figura 1.4: Campo eltrico gerado por Q. F=

QQ p
2 4 0 R p

aRp

Na Figura 1.4, diz-se que a carga Qp est dentro de um campo de foras gerado por Q. Define-se ento o vetor campo eltrico, devido a carga puntual Q, como a fora exercida em uma carga de prova positiva por unidade de carga de acordo com a equao abaixo: F . E= Qp

Na forma vetorial, tem-se: E=

Q a Rp 2 4 0 R p

N V kV , , . C m cm

(1.6)

De uma maneira geral, o vetor campo eltrico produzido por uma distribuio de cargas qualquer dado por: F E = lim Q p 0 . Qp Qp deve ser infinitamente pequena de modo que sua presena no afete a distribuio original de cargas. Faraday e Maxwell melhoraram o significado fsico do campo eltrico atravs da representao grfica de linhas de foras, ou linhas de fluxo eltrico.Em qualquer ponto, o vetor campo eltrico tangente a linha de fluxo que passa no ponto considerado. A densidade de linhas de fluxo uma indicao da amplitude do campo na regio. O campo eltrico devido a uma carga puntual tem direo radial. Para uma carga positiva Q, pode-se imaginar linhas de fluxo na direo radial partindo da carga (Figura 1.5). Para uma carga negativa, as linhas de fluxo eltrico terminariam na carga.

Figura 1.5: Linhas de fluxo eltrico geradas por uma carga puntual. As regras para o esboo de linhas de fluxo para qualquer distribuio de cargas so as seguintes: 1. As linhas devem comear nas cargas positivas e terminar nas cargas negativas, ou no infinito no caso da carga lquida no espao ser diferente de zero; 2. O nmero de linhas que parte de uma carga positiva ou chega a uma carga negativa proporcional a amplitude da carga. 3. No h cruzamento de linhas de fluxo, elas se interceptam apenas em cargas puntuais. 4. Em um condutor, a carga lquida se concentra em sua superfcie. No equilbrio eletrosttico, o campo eltrico mdio no interior de um condutor ou casca condutora de superfcie fechada, nulo. Assim, do ponto de vista macroscpico, no h linhas de fluxo no interior de condutores, i.e., as linhas de fluxo no atravessam condutores. Como as linhas de fluxo comeam e terminam em cargas eltricas, as cargas positivas esto localizadas na superfcie em que as linhas saem enquanto que as cargas negativas esto localizadas na face do condutor em que as linhas de fluxo chegam. 5. Em um condutor, quando o equilbrio eletrosttico atingido, as linhas de fluxo so normais sua superfcie. Se no fosse assim haveria o deslocamento de cargas ao longo da superfcie do condutor. 1.3.3 Lei de Gauss - Fluxo e Densidade de Fluxo Eltrico Foi mostrado anteriormente que o campo eltrico devido a uma carga puntual no vcuo : E=
Q a . 2 Rp 4 0 R p

Se o meio em que a carga est localizada no for o vcuo, 0 dever ser substitudo por , a permissividade do meio: = 0 r .

 r a permissividade relativa ou constante dieltrica relativa do meio. Ela tem valor unitrio paro o vcuo, cerca de 80 para a gua e em alguns dieltricos pode atingir valores acima de 1000. Devido permissividade relativa, o campo eltrico depende do meio para qualquer distribuio de cargas. Se o campo eltrico for multiplicado pela permissividade, tem-se como resultado um novo campo vetorial, denominado de densidade de fluxo eltrico, que depende apenas das cargas livres. D= E . Para uma carga puntual localizada no vcuo: D=

Q a . 2 R 4 R p p

O fluxo eltrico uma medida do nmero de linhas de fluxo que atravessam uma superfcie. O fluxo total que atravessa uma superfcie fechada que envolve uma carga lquida Q pode ser obtido pela lei de Gauss: = D .d s = Q .
s

(1.7)

A superfcie S chamada de superfcie gaussiana. ds um elemento de rea de S e ds um vetor normal essa superfcie. No caso de uma carga puntual, para uma esfera imaginria de raio R, centrada na carga Q tem-se: D= Q = . 2 4R 4R 2 (1.8)

A lei de Gauss bastante aplicada para resolver problemas de campos em situaes onde existe simetria. O interesse normalmente determinar D ou E partindo da expresso Q = sD. d s . No entanto, para retirar D do interior da integral conveniente escolher uma superfcie gaussiana que satisfaa as condies abaixo: 1 - D em qualquer ponto ou normal ou tangencial superfcie gaussiana D . d s = Dds ou D . d s = 0. 2 - Na poro da superfcie onde D . d s no for zero, D deve ser constante. Exemplo 2 - Campo devido a uma distribuio linear de cargas. O condutor filamentar da figura abaixo tem densidade linear uniforme l C/m. Determine a densidade de fluxo e o campo eltrico no espao.

D ds r L

D ds l ( C / m)

Figura 1.6: Campo devido a uma distribuio linear de cargas. Soluo: Note que se a superfcie gaussiana for um cilindro fictcio de raio r e comprimento L (linha tracejada) com centro na linha de cargas, a densidade de fluxo e o campo eltrico podem ser facilmente determinados pela lei de Gauss. Assim, Q = = ou D= O campo eltrico ser ento: E= 1.3.4 - Potencial Eltrico Considere uma carga de prova Qp deslocando-se de uma distncia dl, contra o campo eltrico E da Figura 1.7. E

D . d s = D . ds = D .2rL
s

Q = l 2rL 2r

C / m2

D l = N /C 0 2 0r

dl

Qp

Figura 1.7: Carga deslocando-se dentro de um campo eltrico. O trabalho realizado por Qp ao percorrer uma distncia dl, no sentido contrrio ao campo, dado por: d W = F . dl = Qp E . dl Para a carga Qp deslocando-se de um ponto B para um ponto A, tem-se: W =

A B

F . dl

ou

W = Q p E . dl .
B

A diferena de potencial entre os pontos A e B definida como o trabalho realizado por uma fonte externa para trazer uma carga unitria de B at A, dentro do campo eltrico E . Assim, A W = E . dl (1.9) V AB = V A V B = B Qp Exemplo 3 - Potencial eltrico devido a uma esfera uniformemente carregada Considere uma esfera condutora com carga total Q uniformemente distribuda em sua superfcie, como mostrado na Figura 1.8. Determine o campo eltrico dentro e fora da esfera. Determine tambm a diferena de potencial entre os pontos A e B.

R ra

A rb

Figura 1.8: Casca esfrica uniformemente carregada. Soluo: o campo eltrico poder ser obtido facilmente atravs da utilizao da lei de Gauss. Assim, traando-se uma superfcie gaussiana concntrica esfera e no seu interior, v-se que o campo eltrico para r<R nulo2; para r R , tem-se: D= e E= Q . 4 0 r 2 Q = 2 4 r 4 r 2

Note que o campo eltrico na regio fora da esfera idntico ao campo produzido por uma carga puntual de mesmo valor localizada no centro da esfera. Mais ainda, qualquer distribuio simtrica de carga, cuja carga total seja Q, colocada dentro de uma esfera fictcia, produzir o mesmo campo eltrico fora da esfera. Ou seja, para um observador fora da esfera, todas essas fontes de carga so equivalentes.
Se as cargas tiverem liberdade de movimento e houver campo no interior do condutor, haver acelerao das cargas para a superfcie. Quando o equilbrio eletrosttico for atingido, o campo eltrico no interior do condutor ser nulo. O potencial no interior da esfera ser constante.
2

O potencial eltrico VAB pode ser obtido por: V AB = E . dl =

B A

E . dl

ou

V AB =

ra

rb

Q Q Q dr = . 2 4 0 ra 4 0 rb 4 0 r

1.3.5 Capacitncia Todo condutor eltrico pode ser carregado, adquirindo um potencial que logicamente depender da carga no condutor, como foi mostrado na seo anterior. A relao entre a carga no condutor e o potencial eltrico adquirido por ele conhecido como capacitncia. Considere a Figura 1.9. Condutor A (carga +Q) Meio de permissividade 0 E

Condutor B (carga -Q) Figura 1.9: Capacitncia entre condutores. De uma forma geral, a capacitncia entre os condutores A e B dada por: Q C= , V AB ou

D . ds C= . E . dl
S A B

(1.10)

1.3.6 Capacitores com Dieltricos - Polarizao (Viso Macroscpica) Um dieltrico um material no condutor como papel, borracha, ou vidro. Quando um material dieltrico inserido entre as placas de um capacitor, sua capacitncia aumenta. Se o dieltrico preencher completamente o espao entre as placas, a capacitncia cresce por um fator r, chamado de permissividade relativa ou constante dieltrica. O seguinte experimento pode ser feito para ilustrar o efeito de um dieltrico em um capacitor (Figura 1.10).

10

+Q0

-Q0

+Q0

-Q0

dieltrico V0 a) capacitor sem dieltrico entre as placas. V b) capacitor com dieltrico.

Figura 1.10: Mudana na capacitncia de um capacitor de placas paralelas. Considere um capacitor de placas paralelas de carga Q0 e capacitncia C0 na ausncia de um dieltrico. A diferena de potencial, medida por um voltmetro ideal conectado entre as placas do capacitor V0= Q0/ C0 (Figura 1.10a) . Se um dieltrico for colocado entre as placas, a indicao do voltmetro decresce de um fator r para um valor Vd =V0/r. Como Vd <V0, tem-se que r>1. A mudana do potencial nas placas se deve presena de cargas induzidas na superfcie do dieltrico, como explicado mais tarde. Como a carga nas placas do capacitor no mudou, conclui-se que a capacitncia deve ter um novo valor Q Q0 (1.11) Cd = 0 = = r C0 . Vd V0 / r entre as placas. Embora a anlise tenha sido feita para um capacitor de placas paralelas, a equao (1.11) tambm se aplica a um capacitor qualquer contendo dieltricos lineares, homogneos e isotrpicos. Para esses capacitores, a capacitncia depende apenas da geometria dos condutores e do meio dieltrico. A capacitncia de um capacitor de placas paralelas preenchido com um dieltrico pode ser expressa por: A Cd = r 0 , (1.12) d onde A a rea das placas e d a distncia entre as placas. Na prtica, o menor valor de d limitado por descargas eltricas que poderiam ocorrer atravs do dieltrico. Para qualquer separao d, a mxima tenso que pode ser aplicada no capacitor sem provocar descargas depende da rigidez dieltrica (valor mximo da intensidade de campo eltrico suportvel pelo dieltrico sem a ocorrncia de ruptura) do material entre as placas, que para o ar nas condies normais de temperatura e presso, de aproximadamente 30 kV/cm. Se o campo aplicado exceder a rigidez dieltrica do material, surgiro descargas que levaro perfurao do dieltrico. A maioria dos materiais isolantes tm rigidez dieltrica e permissividade relativa superiores s do ar, como mostrado na Tabela 1. A utilizao de dieltricos em capacitores apresenta as seguintes vantagens: o aumento da capacitncia do capacitor; o aumento da mxima tenso de operao do capacitor; serve de suporte mecnico entre as placas condutoras.

11

Tabela 1 - Constante dieltrica e rigidez dieltrica de alguns materiais temperatura ambiente Material ou meio Constante dieltrica Rigidez dieltrica (kV/cm) (Permissividade relativa) r Vcuo 1.00000 Ar seco 1,00059 30 Baquelite 4,90000 240 Quartzo 3,78000 80 Vidro pirex 5,60000 140 Papel 3,70000 160 gua 80,00000 80 Teflon 2,10000 600 leo isolante 2,50000 150 Para o capacitor de placas paralelas com dieltrico entre as placas tem-se: Ed < Eo indicando a presena de cargas induzidas na superfcie do dieltrico. O campo no dieltrico pode ser calculado levando em conta a contribuio da carga nas placas e as cargas induzidas na superfcie do dieltrico. Logo, E d = E 0 + Ei

(1.13)

Em que E 0 o campo devido apenas carga nas placas e E i o campo gerado pelas cargas induzidas na superfcie do dieltrico. De (1.11), tem-se: Q Q0 . d Vd = 0 = . Cd r 0 A Como Ed =Vd/d e E0=V0/d, tem-se: Q0 Q0 Ed = e E0 = . r 0A 0A Pode-se escrever (1.13) na forma: Q q (1.14) Ed = 0 i , 0A 0A onde qi representa as cargas induzidas na superfcie do dieltrico como mostrado na Figura 1.11. +qi -qi +++ +Q0 ++ - -Q0 + ++Figura 1.11: Cargas induzidas na superfcie do dieltrico. Q0/A a densidade de fluxo D devido carga nas placas se desprezarmos o efeito das bordas e qi/A a densidade de fluxo P devido ao efeito de polarizao do dieltrico. Para o capacitor de placas paralelas, a equao 1.14 pode ser reescrita como: D = 0 Ed + P . De uma maneira geral, para um dieltrico linear e isotrpico, pode-se relacionar a densidade de fluxo nas placas de um capacitor com o campo macroscpico no dieltrico na forma

12

D=

E+ P.

(1.15)

A densidade de fluxo uma funo linear do campo eltrico D= 0 r E De 1.15 e 1.16, tem-se

(1.16)

P = 0 ( r 1) E

(C / m2 )

(1.17)

P definido como Polarizao e conhecido tambm como momento de dipolo por unidade de volume. Para dieltricos lineares, a polarizao proporcional ao campo eltrico aplicado ao dieltrico. Na deduo da equao 1.17 nada foi dito a respeito do estado fsico do dieltrico, assim ela vlida para slidos, lquidos e gases. Se tornar evidente que r uma grandeza macroscpica que depende da estrutura atmica do material. 1.3.7 Permissividade Relativa Complexa - Perdas em Dieltricos em Campos Alternados Considere um capacitor ideal, cujo dieltrico o vcuo, alimentado por uma fonte de freqncia (Figura 1.12). i(t) v(t) Cd

Figura 1.12: Fonte senoidal alimentando capacitor ideal. A carga q(t) nas placas do capacitor pode ser expressa como funo do potencial nas placas. Assim,
q (t ) = C0 v(t ) .

Para uma fonte v(t ) = Vm cos t , a corrente no capacitor :

i (t ) = dq dv = C0 = C0 Vm sen t . dt dt

Os fasores de corrente I e tenso V esto relacionados de acordo com a equao:

I = j C0 V .

Imagine agora que o capacitor seja preenchido por um dieltrico ideal (sem perdas). Sua capacitncia aumentar para C=C0. r, onde r a permissividade relativa do meio e um real puro. A representao fasorial da tenso e corrente no capacitor ideal mostrado na Figura 1.13, em que
I = j C0 r V

(1.18)

V Figura 1.13: Diagrama fasorial para tenso e corrente no capacitor ideal. 13

Porm, capacitores reais apresentam perdas quando submetidos a uma diferena de potencial de forma de onda qualquer. Para a forma de onda senoidal, a corrente no capacitor real est adiantada da tenso por um ngulo um pouco menor que 900, ou seja, a corrente apresenta uma parte real alm da corrente de carga do capacitor (parte imaginria). A parte real da corrente se deve conduo no dieltrico, perdas devido ao movimento de dipolos e ons, e perdas causadas por microdescargas internas (descargas parciais). I componente de perdas - ngulo de perdas V Figura 1.13: Diagrama fasorial para tenso e corrente no capacitor real. Para incluir o efeito das perdas no dieltrico quando submetido a campos alternados introduzse a permissividade relativa complexa r* . A relao entre os fasores de tenso e corrente pode ser expressa de forma similar a equao 1.18: I = j C 0 r* V . Como o ngulo entre I e V menor que 900 conveniente escrever ' ' * = r j r , r (1.19) (1.20)

em que r e r so grandezas reais e positivas. r conhecida como permissividade relativa esttica do meio dieltrico. Substituido 1.20 em 1.21 tem-se: I = j C 0 r' j r' V , ou ainda I = C 0 r' + j C 0 r' V ,

(1.21)

(1.22)

Para uma avaliao das perdas dieltricas muito comum se fazer uma anlise simplificada representando capacitores reais, em cada freqncia, por um circuito equivalente srie ou paralelo contendo um capacitor ideal e um resistor (Figura 1.14)3.

Note que para um sinal senoidal, em cada freqncia existe um circuito serie que reproduz a mesma impedncia equivalente do circuito paralelo. Os circuito no so equivalentes para f=0 ou quando f: para f=0, o circuito paralelo se reduz a uma resistncia pura e o srie a uma capacitncia; quando f o circuito paralelo se reduz a uma capacitncia e o srie a uma resistncia.

14

capacitor real

i(t) v(t) Rp Cp v(t)

i(t) Rs Cs

(a)

(b)

Figura 1.14: Circuitos equivalentes de um capacitor real. Note que no circuito da Figura 1.14a, os fasores de corrente I relacionados pela equao: 1 + j C p V I = R p que tem a mesma forma da equao 1.22 em que Rp = 1 C 0 r' e C p =C 0 r' . e tenso V esto

(1.23)

Pode-se mostrar que para o circuito paralelo tan = Note ainda que tan = 'r 'r . (1.24) V / Rp C p V = 1 . R pC p

Em qualquer dos circuitos usados para representar um capacitor real linear, a potncia total dissipada no capacitor (perdas) pode ser obtida por: Perdas = V I cos (1.25) em que o ngulo entre os fasores de tenso V e de corrente I , segundo a Figura 1.13. Isto equivalente a dizer que: Perdas = V I sen Como um ngulo bastante pequeno, podemos escrever: Perdas = V I sen V I V I tan (1.27) e portanto tan uma indicao de perdas no dieltrico. Os parmetros dos circuitos srie so diferentes dos parmetros do circuito paralelo. Observe que tan independente do circuito circuito equivalente utilizado. (1.26)

15

Exerccios
1. Uma carga de Q coulombs est distribuda uniformemente sobre a superfcie de uma esfera de raio R metros, no vcuo. Encontre a densidade de fluxo D, o campo eltrico E e o potencial eltrico V como uma funo da distncia r do centro da esfera para 0 r ; assumir V()=0. 2. Uma carga de Q coulombs est distribuda uniformemente no volume de uma esfera de raio R metros, no vcuo. Encontre a densidade de fluxo D, o campo eltrico E e o potencial eltrico V como uma funo da distncia r do centro da esfera para 0 r ; assumir V()=0. 3. Considere um cabo coaxial de raio interno R1 e externo R2. O espao entre eles preenchido com um dieltrico de permissividade relativa r. A diferena de potencial aplicada entre os condutores V volts. Encontre a capacitncia por unidade de comprimento do cabo. Se o potencial for aumentado indefinidamente, em que local do dieltrico provavelmente se iniciaria o processo de ruptura. Qual dever ser a relao R2/R1 para que o campo eltrico no condutor interno seja mnimo. Justifique. 4. Encontre a capacitncia C de uma esfera condutora isolada de R metros. A esfera tem carga de Q Coulombs e est localizada no vcuo. Assumir V()=0. 5. Dois dieltricos de permissividades 1=50 e 2=40 so colocados dentro de um capacitor de placas paralelas submetido a 10 V entre seus terminais, conforme a Figura 1. Admita que os dieltricos tenham a mesma rigidez dieltrica. a) Obtenha o campo eltrico em cada dieltrico; b) Ao se aumentar indefinidamente a tenso entre as placas, que dieltrico provavelmente ser perfurado primeiro? 6. Repetir o problema 5 considerando o arranjo da Figura 2.

1 2

1 mm 1 1 mm 2 1 mm

Figura 1

Figura 2

7- Uma amostra de dieltrico slido de constante dieltrica r = 4.0, mostrada na Figura 3 a seguir, apresenta uma cavidade de espessura 0.1 mm, comprimento 1 mm e largura 10 mm. A amostra tem espessura de 1mm, largura de 10 mm e 10 cm de comprimento. As partes superior e inferior da amostra so submetidas a uma diferena de potencial com taxa de crescimento muito baixa (quase DC). Admita que a cavidade seja preenchida por ar com rigidez dieltrica de 30 kV/cm. Encontre a tenso entre as partes superior e inferior da amostra em que uma descarga interna possa ocorrer (admita que o campo eltrico dentro e fora da cavidade seja uniforme).

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10 m m

1 mm 1 mm 0 .1 m m .

Figura 3 8 - Um capacitor operando em 60 Hz, pode ser representado por um circuito RC paralelo onde R=400 M e C=13.26 F. A parte real da constante dieltrica do material entre as placas e 2.1. Obtenha a tangente de perdas do dieltrico e a parte imaginria da constande dieltrica. 9 - Para um capacitor operando em 60 Hz, o valor de pico da corrente 1 mA quando o valor rms da tenso senoidal nos terminais de 100V. A parte real da constante dieltrica do material entre placas e 2.1 e sua tangente de perdas tan = 5x10-4. Apresente dois circuitos equivalentes para o capacitor com perdas, determine o valor de cada componente assim como a potncia dissipada no volume do dieltrico. 10 - Aplica-se uma tenso V(t)=V0 cos t volts a um condensador de placas paralelas contendo um dieltrico entre elas. A uma frequncia angular , o dieltrico caracterizado por uma constante dieltrica complexa r* = r' j r'' A rea das placas 10 cm2 e a distancia entre elas 1 mm. Despreze o efeito de bordas. a) Obtenha analiticamente a corrente no capacitor; b) Mostre que o capacitor pode ser representado por um circuito R-C paralelo e determine os componentes do circuito; c) Os parmetros do circuito so independentes da frequncia ? d) Esboar curva de tangente de perdas do dieltrico versus frequncia.

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