Tema 5 Dopado

TEMA 5
Tecnologa y fabricacin de CIs E. Procesos de dopado en Semiconductores: Difusin e Implantacin inica
Tema 5. Tecnologa y Fabricacin de CIs

I. Introduccin: Procesos de dopado
La impurificacin de cristales es de total necesidad en Electrnica.
En muchos casos el dopaje se realiza a la vez del crecimiento (del lingote o crecimiento epitaxial) impurificacin uniforme de la oblea (aunque no del lingote). Adems, en el curso de la fabricacin de dispositivos es necesario introducir nuevas impurezas para modificar las propiedades electrnicas. Los PROCESOS para dopar una capa SC:
Difusin de impurezas (se utiliza desde los aos 70)
Las impurezas se introducen a T elevada en regiones seleccionadas del semiconductor. La concentracin de dopantes disminuye desde la superficie.
Implantacin inica los iones se implantan mediante un haz de iones altamente energtico.
Esta tcnica se usa tanto en Si como en GaAs. Es un proceso ms moderno, complejo y costoso que la difusin
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Comparacin entre tcnicas de difusin (superior) y de implantacin inica (inferior) para la introduccin selectiva de dopantes en un substrato semiconductor.

II. Procesos de dopado: Difusin
Definicin: Redistribucin de tomos desde regiones de alta concentracin de especies mviles hacia regiones de baja concentracin. las impurezas, previamente depositadas sobre la superficie del cristal, penetran en el interior. Este fenmeno tiene lugar a todas las temperaturas, sin embargo, la difusividad tiene una dependencia exponencial con la temperatura.
C (x)
x
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Comparativa uso de difusin en Si vs GaAs:

En la tecnologa de Si es la tcnica ms empleada utilizando la capacidad del xido de Si (SiO2) para actuar como mscara.
Permite la formacin de la fuente y el drenador de MOS y regiones activas de transistores bipolares. Pueden manejarse muchas obleas en cada proceso.
En GaAs, la difusin es menos controlable, adems las estructuras avanzadas de diferentes capas requieren en su mayora procesos epitaxiales.
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DIFUSION:
Vamos a estudiar: Naturaleza de la difusin Teora de la difusin: Modelo 1D de Fick
Fuente de impurezas ilimitada o constante Fuente de impurezas limitada Ejemplos de resolucin
Efectos reales en la difusin

Efectos de difusin lateral Segregacin de impurezas
Hornos de Difusin: Sistemas fsicos para la realizacin de procesos de difusin
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Naturaleza Microscpica de la difusin: La difusin de tomos en una red cristalina depende de los diferentes tipos de mecanismos de difusin que se pueden producir en la red. Tipos de mecanismos de difusin:
1. Intersticial: La impureza penetra en el cristal de forma intersticial y se mueve o salta a otra posicin intersticial. 2. Substitucional: Un tomo salta desde un punto de la red cristalina a otro adyacente que es necesario que est vacante. Este mecanismo ocurre con menor velocidad que la difusin intersticial. Muchos de los dopantes de Si son substitucionales. 3. Mecanismo kick-out o patada: Un tomo de impureza pasa de un lugar intersticial a un lugar de la red desplazando un tomo: se forma una intersticial de tomo de la red que puede difundirse como una impureza.
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TEORIA de la difusin: (Teora 1D de Fick) Las constantes de difusin representan la facilidad de penetracin de las impurezas en el slido. Hiptesis simplificadoras
Sistema unidimensional que ignorar los efectos de fronteras de granos Supone dispositivos plano-paralelos. Supone difusin substitucional (se aplica lo mismo en difusin intersticial) en la red del Si o GaAs (Zinc- Blenda).
Considera una seccin transversal de rea A, el espacio entre planos es d/(3)0.5 donde d es la distancia entre los lugares de las redes del tetraedro. En la difusin los tomos de una capa (de impurezas o de la red) deben pasar a la capa vecina. Se calcula el flujo de tomos (F ) neto a lo lago del plano P en la direccin x probabilidad temporal de cambio de concentracin de impurezas: C, por unidad de rea como:
F = D
C x
1 Ley de Fick de la difusin.
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TEORIA de la difusin: (Teora 1D de Fick)
Primera ley de Fick de la Difusin:
La redistribucin de dopantes macroscpicos viene determinada por la primera Ley de Fick que describe como el flujo de dopantes ( F: tomos/cm2 s) depende el gradiente de la concentracin:
F = D
C x
Es similar a otras leyes en las cuales la causa es proporcional al efecto (Ley de Ohm, de Fourier). El signo negativo el flujo produce la reduccin del gradiente de concentracin. D = Difusividad o Coeficiente de Difusin D (cm2/s) (est relacionada con la dependencia de la frecuencia del salto de los tomos a la capa vecina).
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1 Ley de Fick de la difusin:

Primera ley de Fick de la Difusin: Coeficiente de difusin:
E D(T ) = D0 exp A K T B
El coeficiente de difusin depende de la temperatura de la manera de manera exponencial: EA: la energa de activacin de la impureza
Difusividades medias de dopantes substitucionales en Si
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Existe un lmite para la difusin: Supongamos que establecemos un depsito en la superficie de impurezas en exceso. La concentracin en superficie (Cs) es constante a lo largo del tiempo e igual al limite de solubilidad del slido es la concentracin mxima que, para cada temperatura, puede ser introducida en el slido. Para mayores valores de impurezas, stas precipitan en otra fase.
Observar la solubilidad de impurezas como el fsforo (P), Arsnico (As) y Boro (B).
Solubilidad del slido en Silicio

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Segunda ley de Fick de la Difusin: Esta ley describe como el cambil en concentracin en un elemento de volumen viene determinado por el cambio en los flujos dentro y fuera del volumen.
C F C = = D t x x x
CASO PARTICULAR: D=cte: coeficiente de difusin no depende de la concentracin (ocurre as en muchas aplicaciones). 2 Segunda ley de Fick se reduce a:
2 =D 2 t x
NOTA: N=C (concentracin de dopantes)
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2 Ley de Fick de la difusin:

RESOLUCION de la 2 LEY DE FICK de la Difusin 1er CASO: Difusin desde una fuente ILIMITADA o constante
La oblea se expone a una cantidad de impurezas en el proceso de difusin La solucin que satisface 2 Ley de Fick: Funcin Error
( x, t ) =
x erfc 0 2 Dt
La concentracin en la superficie se mantiene cte en el tiempo e igual al lmite de solubilidad, N0. La anchura de difusin aumenta con el tiempo (determinada por la funcin error).
APLICACIONES: regiones de fuente y drenador de MOSFET, as como en el emisor del BJT de Si y en la mayora de las difusiones de GaAs
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Perfiles de difusin de fuente constante. Concentracin de impurezas para diferentes tiempos de difusin

RESOLUCION de la 2 LEY DE FICK de la Difusin
2 CASO: Difusin desde una fuente LIMITADA
En este caso poseemos una cantidad finita de tomos de impureza para su difusin. La solucin que satisface la 2 Ley de Fick GAUSSIANA
x2 Q0 ( x, t ) = exp 4 Dt Dt
Q0 es una constante La concentracin en x=0 decrece como
1/ t
La distancia de difusin desde el origen aumenta como:
2 Dt
APLICACIONES: dopajes muy profundos pero con valores bajos de la concentracin en la superficie:
Dopaje de la base de un BJT.
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Perfiles de difusin de fuente Limitada. Concentracin de impurezas para diferentes tiempos de difusin

2 CASO: Difusin desde una fuente LIMITADA
Concentracin de impurezas: evolucin temporal de la funcin Gaussiana

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Comparativa matemtica de Gaussiana y Funcin Error
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EJERCICIO 1:
Se realiza la difusin de aluminio en una capa gruesa de silicio sin contenido previo de aluminio a una temperatura de 1100C durante 6 horas. a qu profundidad habr una concentracin de 1016tomos/cm3 si la concentracin en la superficie es 1018tomos/cm3?. NOTA: A esa temperatura el coeficiente de difusin de aluminio en silicio es 2 10-12cm2/s.
( x, t ) =
x erfc 0 2 Dt
SOLUCIN: buscamos la profundidad en la que la concentracin cae hasta el 1 % del valor en la superficie Impurity conc/surface conc= 10-2. Grficamente obtenemos: Despejamos el valor de x:
x z = = 1.75 2 Dt
x = 1.75 2 Dt
Sustituyendo D y t, ambos conocidos profundidad x= 106.5 nm=0.11 m.

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Obtenemos para la

RESOLUCION de la 2 LEY DE FICK de la Difusin EJERCICIO 2:
Se difunde arsnico en una capa gruesa de silicio sin contenido previo de As a 1100C. Si la concentracin de ese elemento en la superficie es 5x1018tomos/cm3 y a 1,2m de la superficie es 1,5 1016tomos/cm3 cul habr sido el tiempo de difusin?. NOTA: D=3 10-14 cm2/s para As en Si a esa temperatura.
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Efectos reales en la difusin: Efectos de difusin lateral
En la prctica, la difusin en microcircuitos se lleva a cabo a travs de ventanas abiertas en una mscara que se coloca en la oblea El modelo 1D representa una manera satisfactoria de describir este proceso excepto en el lmite de la mscara. En el lmite, la fuente dopante proporciona impurezas que se difunden:
Principalmente en un ngulo perpendicular a la superficie del semiconductor Tambin de manera lateral
Podemos ilustrar los contornos de concentracin de dopaje constante en los que se observa la difusin lateral.
La penetracin lateral es del orden del 75-80 % de la penetracin en la direccin vertical para concentraciones que son ms de dos rdenes de magnitud bajo la concentracin superficial
Contornos de difusin al lmite de una ventana de difusin

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HORNOS de difusin:
Los requerimientos bsicos que debe cumplir un sistema de difusin son:
Un mtodo para atraer las impurezas difusoras hacia la oblea Mantenerlas all durante un tiempo y una T especfica
Los requerimientos adicionales del proceso de difusin son:

El proceso de difusin no debe daar la superficie de la oblea Tras la difusin, el material restante en la superficie debe ser eliminado (grabado) fcilmente para realizar otros procesos posteriores: formacin de contactos u otras difusiones Es necesario que los resultados sean altamente reproducibles de un run al siguiente proceso de fabricacin Sera rentable poder realizar el proceso de difusin en el mayor nmero de obleas al mismo tiempo.
Hornos de difusin:
Se realizan normalmente en tubos abiertos (los hornos de difusin) en los que las obleas se colocan en una barquilla dentro de un tubo horizontal de cuarzo de alta pureza. El horno se calienta (mediante arrollamientos resistivos se controla la T electrnicamente en la zona central del horno: entre T entre 600 C y 1200 C.
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HORNOS de difusin:
El primer horno de difusin fue patentado en 1957:
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III. Procesos de dopado: Implantacin Inica
La implantacin inica es un mtodo de impurificacin tanto de Silicio como de GaAs.
Es el mtodo dominante de dopaje utilizado hoy da a pesar de sus desventajas. Es un proceso ms costoso y complejo que la difusin y una alternativa a la misma.
Comparacin entre tcnicas de difusin (superior) y de implantacin inica (inferior) para la introduccin selectiva de dopantes en un substrato semiconductor.
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Haz del equipo implantador incidiendo en la oblea

Vamos a estudiar:
Procesos microscpicos en la implantacin inica
Principio bsico de la implantacin inica

Ventajas e inconvenientes de la implantacin inica
Distribucin de iones implantados: definicin de parmetros

Sistema fsico de implantacin: implantador inico Comparacin de los perfiles de dopantes obtenidos mediante difusin e implantacin inica Efectos reales de la implantacin inica: Acanalamiento.
Daado de la red cristalina

Recocido : RTA
Implantacin inica a travs del xido (SiO2)
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Proceso de Implantacin Inica
Principios bsicos:
Se dopa un substrato mediante un flujo de iones energticos de la impureza (obtenidos de un plasma de la misma) que se proyectan contra la oblea (blanco). Los iones de impurezas penetran en el substrato con una alta energa (velocidad) y pierden su energa mediante colisiones con los ncleos y los electrones que acaban deteniendolos. Los iones quedan parados a una determinada distancia de la superficie de la oblea formado un perfil de implantacin.
La profundidad a la que se localiza la impureza depende en la energa (o velocidad) de los iones. Las colisiones con los ncleos del blanco hacen que se modifique la situacin de los iones de la red cristalina daando el substrato:
Si el tomo del semiconductor recibe en una colisin una energa mayor que su energa umbral de desplazamiento provoca la formacin de defectos (tpicamente defectos puntuales como vacantes e intersticiales). Proceso microscpico de la implantacin inica
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La implantacin inica, presenta importantes ventajas:
Posibilita la introduccin controlada de grandes dosis de impurezas en una regin del semiconductor proceso de NO EQUILIBRIO: es posible introducir dopantes a concentraciones mayores que su solubilidad slida de equilibrio. Permite realizar un control independiente del dopaje y de la profundidad (salvo en algunos casos de acanalamiento) Los perfiles de impurificacin obtenidos por implantacin inica son mucho ms precisos (errores de 1 %) y ms superficiales (< 1mm) que los obtenidos por difusin Aplicaciones en procesos de fabricacin delicados:
Ajuste del potencial umbral VT de conduccin de los MOSFET. Autoalineamiento de puerta de los mismos. Posibilidad de formacin de capas enterradas de colector en los BJTs.
Proceso de baja T al poder realizarse a T ambiente, es posible una gran flexibilidad a la hora de elegir las mscaras (Si3N4, Al, Silica)(incluso fotoresinas). Es posible realizar la implantacin inica a travs del xido de Si: SiO2 como mscara.
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La implantacin inica muestra ciertas desventajas o inconvenientes :
Los dopantes no son elctricamente activos dado que estn situados en lugares intersticiales Aparece una reduccin en la movilidad debido al dao producido en el substrato
Debido a los choques internos en el semiconductor al realizar la implantacin produce un dao en la superficie del cristal semiconductor.
Es necesario un posterior recocido (anneal) (a T elevada) para reparar este efecto Re-cristaliza. Re-activa los dopantes. Este recocido es delicado en GaAs.
Tambin es un inconveniente la sofisticacin y el coste del Equipo Implantador que a estudiaremos ms tarde.
Esquema (resumen) de las ventajas/desventajas de la implantacin inica, as como de los parmetros de una implantacin-inica tpica
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Distribucin de iones implantados: definicin de parmetros tpicos
Se definen los siguientes trminos para caracterizar los perfiles (la distribucin de dopantes) de la implantacin inica:
Rango (R): Distancia recorrida por unin en el slido. Rango proyectado (Rp): Profundidad de penetracin media bajo la superficie. Desviacin transversal (RT): Desviacin standard en el plano perpendicular a la superficie. Rp (desviacin estndar o straggle).
Definicin de los parmetros tpicos de una implantacin inica

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Simulacin de implantacin de Boro

La distribucin de iones (cualitativamente):
Los iones pesados (como el Sb) se frenan ms rpidamente que iones ligeros (como el B) En media, la distribucin de iones muestra un mximo en una profundidad bajo la superficie. Este pico define el parmetro de rango proyectado: Rp) IMPORTANTE: Debido a la trayectoria aleatoria de los iones, algunos iones separan ms rpido y otros iones tienen un viaje ms largo originan una distribucin de rangos proyectados que presenta una cierta desviacin estndar: Rp. En 1 aproximacin, el perfil de implantaciones puede ser descrito mediante un distribucin Gaussiana con un mximo en Rp y una desviacin estndar : Rp La distribucin Gaussiana es matemticamente sencilla, aunque en la realidad solamente se ajusta en la regin del mximo.
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Perfiles de distribucin (Gaussiana) de diferentes dopantes en Si (Energa implantacin= 200keV)

La distribucin de iones (de manera cualitativa):
Rp depende de la energa de implantacin mayores energas dan lugar a rangos proyectados ms profundos Para obtener una distribucin de impurezas con un perfil profundo, se requieren: Iones ligeros Energas de implantacin elevadas
Distribucin de iones de Boro en Si para diferentes energas de implantacin

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Rango de los dopantes ms comunes en Si en funcin de la energa de la implantacin

Rango proyectado en Si y SiO2.

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Desviaciones del rango.

II. Procesos de dopado: Implantacin inica
EJERCICIO 1:
Dibujar aproximadamente los perfiles de impurezas si:
Se implantan impurezas de arsnico, boro y fsforo, con energa de 300 keV y dosis adecuadas para que la mxima concentracin que se obtenga sea 1020 cm-3.
SOLUCION: De las grficas obtenemos los valores de la situacin de los mximos de la concentracin (Rango proyectado): Arsenico= 0.15 m. Fsforo= 0.4 m Boro= 0.8 m Tambin obtenemos los valores de las desviaciones del Rango: Arsenico= 0.055 m. Fsforo= 0.1 m Boro= 0.1 m
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Sistema fsico de implantacin: implantador inico
El implantador, cuyo esquema aparece en la figura consiste bsicamente de los siguientes bloques: Una fuente de iones, en la que se produce el plasma de la impureza, normalmente a partir de una fuente gaseosa de la misma (BF3, AsH3, PH3, SiH4) aunque puede producirse por evaporacin o por sputtering de una fuente slida.
Mediante un ligero potencial extractor y un diafragma, el flujo deseado de iones son encaminados al espectrgrafo de masas.
Espectrgrafo de masas, que desva los iones por la aplicacin de un campo magntico producido por las bobinas del espectrgrafo. Ajustando este campo se puede seleccionar el ion que atraviesa el diafragma de salida Columna de aceleracin. Los iones seleccionados en el espectrgrafo de masas son acelerados al atravesar diversos diafragmas de potenciales crecientemente negativos. (hasta unas energas mximas y tpicas de 300 KeV (algunas aplicaciones se alcanzar algunos MeV).
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Diafragma Seleccin
Placas aceleradoras
Placas deflectoras Oblea
Espectrgrafo de masas
Haz de iones
Lentes electrnicas
Fuente de iones

Zona de focalizacin: El haz de iones seleccionado y acelerado es focalizado mediante las correspondientes lentes electromagnticas, que diminuyen su divergencia a valores en torno al grado sexagesimal. Zona de deflexin y barrido. Est formada, esencialmente, por placas de desviacin electrosttica. Permiten: Separar aquellos iones que han perdido energa en su camino por colisiones con residuos de gas o las paredes del implantador Realizar irradiacin uniforme de la oblea mediante un barrido de la misma por el haz. Cmara del blanco. En ella se aloja la oblea u obleas a implantar y se puede orientar adecuadamente la muestra con relacin al haz y, en muchos casos, hacer un control de temperatura. Adems se puede medir (mediante un culombmetro) la carga aportada por los iones y deducir, de ella, la dosis de implantacin, que oscila, usualmente, entre 1011 y 1016 iones cm-2.
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Parte final mjmm@usal.es
del equipo implantador

Espectrgrafo de masas
Diafragma Seleccin
Va
Lentes electrnicas
Vaco
Haz de iones
Placas aceleradoras
Placas deflectoras
Oblea Medidor de flujo A
Fuente de iones
Fotografa del Implantador de alta energa, Eaton HE3, mostrando el haz de iones impactando en la estacin de obleas de 300 mm.
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Comparacin de Perfiles de Dopantes: Difusin e Implantacin Inica
En la difusin, vimos que normalmente se realiza en dos fases:
Debemos recordar que en el proceso de difusin, el mximo de concentracin se localizaba justo en la superficie
La implantacin inica
Una dosis se distribuye justo bajo la superficie. Sin embargo, el mximo de concentracin aparece en una distancia: Rp Posteriormente, (si se desea) los dopantes se redistribuyen mediante una fase de recocido:
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Efectos reales de la implantacin inica: acanalamiento
El acanalamiento o channeling ocurre cuando:
Un in incidente encuentra una entrada hacia un espacio entre filas de tomos. Ocurre si la velocidad del in es paralela a una orientacin principal del cristal.
Una vez que el in entra, es guiado a lo largo del canal hacia distancias considerables la distancia de penetracin de un in acanalado es mucho mayor que la de un blanco amorfo. Se producen de manera inesperada perfiles de impurificacin muy profundos en la componente de concentracin aparece una cola debido a la componente de acanalamiento
Efecto del acanalamiento en una direccin privilegiada de la red cristalina

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Esquema de un recorrido inico en un monocristal mostrando el comportamiento acanalado y el no acanalado y sus consecuencias en la concentracin de dopantes

Efectos reales de la implantacin inica: acanalamiento
Para evitar este efecto, se realiza una inclinacin de la oblea 7 en la direccin [110] y una rotacin de 30
(110)
(111)
Simulacin virtual del channeling en Si en diferentes orientaciones
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(100)
(100 con rotacin e inclinacin)

Recocido
Dependiendo del tipo de iones tendremos diferentes daos:
Iones pesados (As, Sb, In) se frenan mediante colisiones nucleares el dao es importante. Iones ligeros como B y P Se frenan principalmente mediante interacciones electrnicas La mayor parte del dao ocurre al final de la trayectoria.
Temperaturas del recocido: T> 400C:

se eliminan defectos puntuales y comienzan a activarse las impurezas. Se eliminan defectos en la interfase SiSiO2, de los dispositivos MOS.
Dao producido dependiendo del tipo de in de impureza
External chamber Process Gas Esquema de un sistema de recocido rpido (RTA: Rapid Thermal Annealing) Tungsten-Halogen Lamps Pyrometer
T> 1000C, se activan impurezas de iones ligeros y pesados implantadas. Si es necesarias T elevadas se recurre entonces al recocido trmico rpido: RTA (Rapid Thermal Annealing):
elevaciones/descensos/mantenimientos sbitos de temperatura hornos especiales RTA. mjmm@usal.es
Quartz Chamber
Wafer

Implantacin inica a travs del xido (SiO2)
Ventajas del Si en la fabricacin de CIs una capa gruesa de SiO2. la superficie del Si puede cubrirse por
La superficie de proteccin se mantiene mientras se realiza la implantacin a travs del xido de este modo la superficie del Si no es expuesta durante el proceso.
La implantacin puede realizarse a travs del xido de diferentes maneras:

El Perfil A: la capa del SiO2 en este caso sirve como mscara en la prctica se utilizara un grosor de xido mayor para impedir la penetracin de Boro El perfil B : deposita una gran dosis de Boro dentro del Si til en el dopado del semiconductor mientras a la vez se mantiene su superficie cubierta por una capa de pasivacin. En este caso la capa de xido sirve como ventana de implantacin El perfil C: la mitad de la distribucin de iones se deposita en Si, mientras que el resto se mantiene en el xido. Idealmente, de esta manera se controla una carga superficial en la interfaz Si-SiO2 .
NOTA: extremadamente importante para controlar el voltaje umbral de los MOSFETs.
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Implantacin de Boro a travs de SiO2. Capa de SiO2 de 120 nm que cubre la superficie del Si

Aplicaciones a dispositivos MOSFET
Fabricacin de un MOSFET:
Actualmente las regiones de fuente y drenador no se forman mediante difusin. Se utiliza una tcnica de autoalineado (se usa el mismo proceso de mscara para realizar el metal de la puerta que para el dopaje de la fuente y el drenador) junto con implantacin.
Se forma la puerta con SiO2 y posteriormente una capa de polisilicio. Se realiza una implantacin inica para formar las islas de fuente y drenador.
La puerta hace de mscara del canal durante la implantacin y tambin se dopa el poli-silicio se convierte en conductor.
Al conseguir el auto-alineado de fuente y drenador se reduce el efecto de las capacidades de overlap. Esta implantacin y el posterior recocido puede modificar el dopaje de la interfaz Si/SiO2 de puerta Se controla el voltaje umbral, que es proporcional a la carga:
VT = q
QT Cox
Cox =
ox
tox
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Distribucin de dopantes despus de la implantacin.

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Distribucin de dopantes tras la implantacin y el recocido.

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1 Ley de Fick de la difusin.

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Solubilidad del slido en Silicio

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2 Ley de Fick de la difusin:

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La distancia de difusin desde el origen aumenta como:

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Concentracin de impurezas: evolucin temporal de la funcin Gaussiana

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Comparativa matemtica de Gaussiana y Funcin Error

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Sustituyendo D y t, ambos conocidos profundidad x= 106.5 nm=0.11 m.

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Contornos de difusin al lmite de una ventana de difusin

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Los requerimientos adicionales del proceso de difusin son:

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Haz del equipo implantador incidiendo en la oblea

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Daado de la red cristalina

Implantacin inica a travs del xido (SiO2)

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Definicin de los parmetros tpicos de una implantacin inica

Simulacin de implantacin de Boro

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Perfiles de distribucin (Gaussiana) de diferentes dopantes en Si (Energa implantacin= 200keV)

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Distribucin de iones de Boro en Si para diferentes energas de implantacin

Rango de los dopantes ms comunes en Si en funcin de la energa de la implantacin

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Rango proyectado en Si y SiO2.

Desviaciones del rango.

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Placas deflectoras Oblea

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