UNIVERSIDADE FEDERAL DE MINAS GERAIS DEMEC- Departamento de Engenharia Mecnica

JOO CARLOS FERREIRA MILAGRES 2009018944 Turma N3

Eletrnica
Aula 03 Transistores

BELO HORIZONTE 2012

Simulao 1 Transistor como chave Introduo Transistor bipolar um elemento semicondutor bastante utilizado em eletrnica e constitudo por trs materiais semicondutores dopados. Dois cristais tipo n e um tipo p ou dois cristais tipo p e um tipo n. O transistor tem duas junes, uma entre o emissor e a base, e outra entre a base e o coletor. Por causa disso, um transistor se assemelha a dois diodos. Toda a abordagem desse relatrio ser para um transistor npn. Considerando o esquemtico abaixo, o lado negativo de cada fonte de tenso est conectado ao emissor. Neste caso denomina-se o circuito como montado em emissor comum. O circuito constitudo por duas malhas. A malha da esquerda que contm a tenso entre a base e o emissor V(2) e malha da direita que contm a tenso entre o coletor e o emissor V(3).

Existe uma relao entre a corrente na base I(R1) e a tenso entre a base e o emissor V(2) e a curva obtida I(R1) x V(2) obviamente se assemelha curva de um diodo polarizado diretamente, uma vez que a fonte V1 est polarizando o diodo emissor diretamente. possvel se obter tambm uma relao entre a corrente no coletor I(R2) e a tenso entre o coletor e o emissor V(3), representada na curva abaixo com suas respectivas regies:

A parte inicial da curva chamada de regio de saturao. Nessa regio, o diodo coletor est polarizado diretamente e, portanto, perde-se o funcionamento convencional do transistor, com este passando a funcionar como uma pequena resistncia hmica entre o coletor e emissor. Na regio ativa, uma variao na tenso da fonte V2 no influencia no valor de I(R2) que se mantm constante; a parte final a regio de ruptura e deve ser evitada, pois danifica o transistor. Para cada valor de corrente na base I(R1) obtm-se uma curva transladada na direo vertical. Portanto tm-se uma famlia de curvas que relacionam I(R2) e V(3), conforme figura abaixo.

Ento, para se definir I(R2) e V(3) constri-se uma reta de carga dada pela equao : I(R2) = (V(4)-V(3))/R2 e sobrepondo-se esta reta com a famlia de curvas citada acima obtm-se os valores de I(R2) e V(3) para uma corrente na base fixada I(R1). O ponto de operao Q varia conforme o valor de I(R1). Um aumento no I(R1) aproxima o transistor para a regio de saturao, e uma diminuio leva o transistor regio de corte (ponto onde a reta de carga intercepta a curva I(R1) =0). Nesse ponto a corrente do coletor I(R2) muito pequena. A interseo da reta de carga e a curva I(R1SAT) chamada saturao. Nesse ponto a corrente no coletor mxima. A utilizao do transistor como uma chave, implica em operao na saturao ou no corte e em nenhum outro lugar ao longo da reta de carga. Quando o transistor est saturado, como se houvesse uma chave fechada do coletor para o emissor. Quando o transistor est cortado, como uma chave aberta. A corrente de base controla a posio da chave. Se I(R1) for zero, a corrente de coletor prxima de zero e o transistor est em corte. Se a corrente de base I(R1SAT) ou maior, a corrente no coletor mxima e o transistor satura. Desenvolvimento Dados: Fonte de entrada = V1 = Pulso, 5Vpico, 50Hz, ciclo de trabalho 50% On, 50% Off Fonte de polarizao V2 = 12 Vdc R1 = 1 k R2 = 470 Transistor Q1 = NPN Tempo de amostragem: 5 perodos = 5*(1/50Hz) = 0,1s Intervalo de captura: 1u

A partir do esquemtico mostrado na introduo, obtm-se as formas de onda de tenso na fonte V(1), na base V(2) e no coletor do transistor V(3):

Obtm-se tambm a corrente na base I(R1) e no coletor I(R2):

Os grficos plotados demonstram o princpio de funcionamento do transistor apresentado na introduo. Quando a tenso na fonte V1 5V, existe corrente na base I(R1), o transistor est na regio de saturao e funciona como uma pequena resistncia hmica entre o coletor e emissor. A tenso no coletor do transistor V(3) de 56mV neste

caso e para uma corrente de I(R2)= 25,4 mA, a resistncia entre o coletor e o resistor de 2,2 . Esta situao faz com que o transistor aja como uma chave fechada. Quando a tenso na fonte V1 zero, no existe corrente na base. Neste caso, o transistor est em corte e funciona como uma chave aberta, o que implica que a corrente que chega ao coletor I(R2)=0. Pela lei das malhas temos que V(4)-R2*I(R2)-V(3)=0, como I(R2)=0, temos que V(3) = V(4), onde V(4) a tenso da fonte V2. Este fato mostrado na curva V(3). O resistor representa uma carga resistiva como, por exemplo, lmpada, chuveiro, etc. Simulao 2 Transistor como chave com carga indutiva Introduo Considerando agora o esquemtico mostrado abaixo, no qual foi acrescentado um indutor em srie com o resistor R2, a seguinte mudana de comportamento no circuito ocorrer: quando o transistor mudar o modo de operao de saturao para corte, isto corresponder a uma variao na corrente na malha da direita; ao se variar a corrente bruscamente como neste caso, a variao da tenso tende a infinito uma vez que V=L*(di/dt), o que danificaria o transistor.

Desenvolvimento Dados adicionais: Indutor L1 = 100 mH

A partir do esquemtico mostrado na introduo, obtm-se as formas de onda de tenso na fonte V(1), na base V(2) e no coletor do transistor V(3):

Obtm-se tambm a corrente na base I(R1) e no coletor I(R2):

Os grficos plotados demonstram a mudana de comportamento prevista para o circuito; Quando a tenso na fonte V(1) vai de 5V para 0V, a corrente na base IR(1) cessa, O transistor passa a funcionar em corte (como uma chave aberta), a corrente que chega ao coletor I(R2) =0A e ento o indutor gera uma tenso no coletor altssima (453Kv), o que faria o transistor entrar na regio de ruptura e portanto ser danificado. O indutor representa uma carga indutiva, como, por exemplo, bobina de controle e rel de acionamento.

Simulao 3 - Transistor como chave com carga indutiva e diodo de roda livre 01 Introduo O diodo de roda livre um diodo que associado em paralelo com o indutor. Sua funo a de evitar um aumento excessivo da tenso nos terminais do indutor em funo da variao brusca na corrente que ocorre ao se mudar o ponto de operao do circuito de saturao para corte. Quando o transistor funciona como chave fechada (saturao), o diodo no conduz. Quando o transistor funciona como chave aberta (corte), o diodo conduz protegendo o transistor contra esta tenso reversa. Desenvolvimento Dados adicionais: Diodo D1 associado em paralelo com o indutor; O novo esquemtico do circuito mostrado abaixo:

A partir do esquemtico mostrado na introduo, obtm-se as formas de onda de tenso na fonte V(1), na base V(2), no coletor do transistor V(3) e nos terminais do indutor V(4)-V(3) :

Obtm-se tambm a corrente na base I(R1), no coletor I(R2) e no indutor I(L1):

A partir da comparao dos grficos obtidos nesta simulao com os da simulao 2, observa-se que com a associao do diodo em paralelo com o indutor a tenso no coletor fica limitada a 12,7V. Alm disso, a tenso de pico nos terminais do indutor de 12V, ou seja, o diodo associado em paralelo com o indutor permite que o transistor funcione sem problema como chave fechada (ponto de saturao) ou chave aberta (ponto de corte).

Simulao 4 - Transistor como chave com carga indutiva e diodo de roda livre 02 Introduo Nesta simulao, a modificao em relao simulao anterior que o diodo de roda livre agora est associado em paralelo com o indutor e com o resistor R2. Este circuito RL possui uma constante de tempo dada por L/R. Desenvolvimento Seja o esquemtico mostrado abaixo:

Aps rodar o circuito, obtm-se as formas de onda de tenso na fonte V(1), na base V(2), no coletor do transistor V(3) e nos terminais do indutor V(4)-V(3) :

Obtm-se tambm a corrente na base I(R1), no coletor I(R2) e no indutor I(L1):

Para esse circuito, a tenso de pico no coletor de 12,7V. As formas de onda de tenso sofreram variaes no coletor do transistor V(3) e nos terminais do indutor V(4)-V(3). Apesar dos valores extremos terem se mantidos praticamente iguais, percebe-se que para a simulao 4 o degrau na forma de onda da tenso no coletor V(3) mais estreito, ou seja, dura menos tempo. Alm disso, este degrau no est mais presente na tenso nos terminais do indutor V(4)-V(3). Em comparao com a simulao 3, nota-se que a descarga fica condicionada constante de tempo L/R enquanto na simulao anterior o tempo de descarga ficava condicionado tenso do diodo de 0,7V. As formas de onda de corrente deste circuito so muito parecidas com as obtidas para a simulao 3. A nica diferena que se percebe que a forma de onda no resistor R2 e no indutor L so idnticas (componentes em srie) e nos pontos em que a corrente cessa (t= 10, 30, 50, 70 e 90ms) a forma de onda passa a ser uma curva exponencial ao invs de retas como na simulao anterior (para circuitos RL, pode-se demonstrar que o processo de armazenamento de energia e descarga do indutor atravs de uma resistncia R so funes exponenciais, ver referncia bibliogrfica 2). Os valores de pico da corrente no se modificaram para nenhuma curva. O tempo de descarga ou carga de um indutor corresponde a t=L/R e chamado de constante de tempo indutiva do circuito ( L ). Para este circuito, seu valor de: L = 100mH/470 = 0,21ms.

Concluso geral: Neste relatrio analisou-se o uso de transistores de juno bipolar como chave liga/desliga a partir do controle da corrente que chega a base. Alm disso, pde-se mostrar como lidar com cargas indutivas sem trazer prejuzos ao funcionamento dos componentes do circuito. Os resultados obtidos atravs das simulaes atenderam ao esperado conforme analisado caso a caso no relatrio e contriburam decisivamente para o entendimento da teoria envolvida nesta aplicao dos transistores. Referencias bibliogrficas 1. Apostila de eletrnica bsica, Prof. Roberto Angelo Bertoli, UNICAMP 2. www.fisica.ufmg.br/~labexp/roteiros/Capacitancia_e_indutancia.doc