TRANSITORES FET Con los transistores bipolares trabajbamos con una pequea corriente en la base, con la cual se controlaba

una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensin. Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensin aplicada a la entrada. Caractersticas generales: Por el terminal de control no se absorbe corriente. Una seal muy dbil puede controlar el componente La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico. Se empezaron a construir en la dcada de los 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unin) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicacin ms frecuente la encontramos en los circuitos integrados. Los transistores son componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain). Segn su construccin pueden ser de canal P o de canal N. Sus smbolos son los siguientes:

Smbolo de un FET de canal N Smbolo de un FET de canal P CURVA CARACTERSTICA Los parmetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente figura: Parmetros de un FET de canal N Parmetros de un FET de canal P

La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes: Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensin VGS. Zona de saturacin.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S), VGS. Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula. CARACTERSTICAS DE SALIDA Al variar la tensin entre drenador y surtidor vara la intensidad de drenador permaneciendo constante la tensin entre puerta y surtidor.

En la zona hmica o lineal se observa como al aumentar la tensin drenador surtidor aumenta la intensidad de drenador. En la zona de saturacin el aumento de la tensin entre drenador y surtidor produce una saturacin de la corriente de drenador que hace que esta sea constante. Cuando este transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona. La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula. La zona de ruptura indica la mxima tensin que soportar el transistor entre drenador y surtidor. Es de destacar que cuando la tensin entre puerta y surtidor es cero la intensidad de drenador es mxima.

CARACTERSTICAS DE TRANSFERENCIA Indican la variacin entre la intensidad de drenador en funcin de la tensin de puerta. Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones tpicas: Surtidor comn (SC), Drenador comn (DC) y Puerta comn (PC). La ms utilizada es la de surtidor comn que es la equivalente a la de emisor comn en los transistores bipolares. Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentran en la amplificacin de seales dbiles.

HOJAS DE CARACTERSTICAS DE LOS FET En las hojas de caractersticas de los fabricantes de FETs encontrars los siguientes parmetros (los ms importantes): VGS y VGD.- son las tensiones inversas mximas soportables por la unin PN. IG.- corriente mxima que puede circular por la unin puerta - surtidor cuando se polariza directamente. PD.- potencia total disipable por el componente. IDSS.- Corriente de saturacin cuando VGS=0. IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unin puerta - surtidor se encuentra polarizado en sentido inverso.

Bibliografa
www.mitecnologico.com/Main/FuncionamientoDelFetEn cach - Similares monografas.com Teora de circuitos y dispositivo electrnicos boylestad