INTRODUCCION. El transistor bipolar o BJT es un dispositivo de tres capas de material semiconductor.

En la Figura A se muestra una representacin fsica de la estructura bsica de dos tipos de transistor bipolar: NPN y PNP, en dicha figura tambin se ilustran sus respectivos smbolos elctricos. El transistor bipolar NPN contiene una delgada regin p entre dos regiones n. Mientras que el transistor bipolar PNP contiene una delgada regin n entre dos regiones p. La capa intermedia de material semiconductor se conoce como regin de la base, mientras que las capas externas conforman las regiones de colector y de emisor. Estas estn asociadas a las terminales de base, colector y emisor respectivamente.

Figura A. Representacin fsica de la estructura bsica de dos tipos de transistores bipolares: NPN y PNP, y sus respectivos smbolos elctricos. Modos de operacin y aplicaciones Dependiendo de la polarizacin de las dos uniones PN que conforman los transistores bipolares, estos pueden operar normalmente en tres zonas de operacin: zona de corte, zona activa y zona de saturacin. Para las aplicaciones del transistor como amplificador es necesario operar el dispositivo en la zona activa. Para utilizar el transistor como un interruptor electrnico se requiere operarlo en las zonas de corte (como interruptor apagado) y saturacin (como interruptor encendido).

CIRCUITO 1

VCE 2V

VBE 0.703V

IC 6.723

IB 3.762A

1.787

CIRCUITO 2

VCE 171.81mV

VBE 0.669V

IC 2.652Ma

IB 33.33A

79.568

CIRCUITO 3

El cambio del rel fue notado mediante el sonido que emiti el rel. Se midi la corriente en el colector del transistor. IC=503mA

CONCLUCIONES: En la prctica de taller de transistores se pudo medir y ver cmo trabaja el transistor en sus diferentes modos de operacin. En la operacin de zona de corte. En esta zona existe una muy pequea cantidad de corriente circulando del emisor al colector, comportndose el transistor como un circuito abierto. La caracterstica que define la zona de corte es que ambas uniones, tanto la unin colector-base como la unin base-emisor, se encuentran polarizadas inversamente. En la zona de saturacin circula una gran cantidad de corriente desde el colector al emisor y se tiene solo una pequea cada de voltaje entre estas terminales. El comportamiento del transistor es anlogo al de un interruptor cerrado. Esta zona se caracteriza porque las uniones colector-base y base-emisor se encuentran polarizadas directamente. En La regin activa del transistor bipolar es la zona que se utiliza para usar el dispositivo como amplificador. La caracterstica que define a la regin activa es que la unin colectorbase esta polarizada inversamente, mientras que la unin base-emisor se encuentra polarizada en forma directa.

UNIVERSIDAD FRANCISCO GAVIDIA FACULTAD DE INGENIERIA Y ARQUITECTURA ELECTRNICA I

Laboratorio Taller III.

El transistor BJT y sus aplicaciones.

Ing. Alejandro Fabin

Martnez Hernndez Gonzalo Leonel MH102709 Salinas Guerrero Josu Samuel SG100107

Grupo 03 27/04/2012