DIODOS

Arias Renn Mallamas Richard Vsquez William Flores Anita Cristina

Universidad Tcnica del Norte Ibarra-Ecuador

RESUMEN En este trabajo se explica detalladamente un resumen acerca algunos de los tipos de diodos existentes, encuanto a sus caractersticas, su principio de funcionamiento, sus modos de conexion mas comunes y las aplicaciones de los diodos mas usados en electronica como el caso de los diodos Varicap, Zener, LED, el Diodo Schottky, diodo Tunel, los fotodiodos etc Un diodo es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente elctrica en una nica direccin con caractersticas similares a un interruptor. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un corto circuito con muy pequea resistencia elctrica. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De Forest. La aparicin del diodo ha provocado avances inimaginables en materia de circuitos electrnicos, la mayor parte de las nuevas tecnologas y los sistemas electrnicos que usamos da a da deben su funcionamiento al tamao y a la optimizacin del funcionamiento de los diodos Existen muchas clases de diodos entre ellos esta el led que es un diodo que emite luz el cual es muy utilizado en la actualidad en iluminacin y en televisores, por otra parte el diodo laser es muy utilizado en lectores de CD, DVD, escneres,etc. Los diodos en la electrnica tiene un sinnmero de usos, algunos se utiliza en corrientes altas con voltajes bajos o en fuentes de tensin baja como lo son los diodos de potencia y el Schottky, otros como el diodo Varicap se los utiliza mucho en transmisiones de FM y TV ya que son limitadores de corriente. 1.- DIODO SCHOTTKY El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dipositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral (tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima necesaria para que el diodo acte como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la regin Zener, que es cuando ms bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente- ste opere de igual forma como lo hara regularmente.

anicris_11@yahoo.es richein-s@hotmail.com

raarias_chalo@yahoo.com wiva836@hotmail.com

Figura1.- Diodo Schottky de 120A -150V

los portadores tipo N (electrones mviles) desempearn un papel significativo en la operacin del diodo y no se realizar la recombinacin aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operacin del dispositivo ser mucho ms rpida. 1.3.- SIMBOLO

1.1.- CONSTRUCCION Los diodos schottky estn normalmente formados por metales como el platino y silicio, es decir un diodo schottky surge de la unin de un platino, con silicio de tipo n. Por lo general se utilizan en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad. En estos diodos el platino acta como material aceptador para los electrones cuando esta unido al silicio n y as los electrones del silicio se difunden inicialmente en el metal, esta difusin hace que el material tipo n (silicio) se empobrezca de electrones cerca de la unin y por consiguiente que adquiera un potencial positivo que se caracteriza por la falta de electrones. Cuando esta tensin llega a ser suficientemente alta, impide que los electrones se fluyan, y por otra parte cuando se aplica una tensin positiva suficientemente grande entre las terminales, los electrones de la regin n estn sometidos a un potencial positivo en el lado del metal de la unin y surge una circulacin de electrones. 1.2.- FUNCIONAMIENTO A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente cuando la polarizacin cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutacin puede llegar a ser muy bajo, poniendo en peligro el dispositivo. El diodo Schottky est constituido por una unin metal-semiconductor (barrera Schottky), en lugar de la unin convencional semiconductor P semiconductor N utilizada por los diodos normales. As se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor est dopado con impurezas tipo N, solamente Figura 3.- Curva caracterstica de un diodo
Schottky

Figura 2.- Simbolo de un diodo schottky 1.4.- COMPORTAMIENTO Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una cada de voltaje directa (VF) muy pequea, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben tambin el nombre de diodos de recuperacin rpida (Fast recovery) o de portadores calientes. Cuando el diodo schottky funciona de modo directo, la corriente es debida a los electrones que se mueven desde el silicio de tipo n a travs del metal, el tiempo de recombinacin es muy pequeo, normalmente del orden de 10 ps. Esto es carios rdenes de magnitud menor que los correspondientes a la utilizacin de diodos de silicio pn es por esto que generalmente se utilizan en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad. 1.5.- CURVA CARACTERISTICA

1.6.- APLICACIONES La principal aplicacin de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja tensin, en las cuales las cadas en los rectificadores son significativas.

2.1.- CONSTRUCCION Los diodos de efecto tnel. Son dispositivos muy verstiles que pueden operar como detectores, amplificadores y osciladores. Poseen una regin de juntura extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos voltajes de polarizacin directa y tienen una resistencia negativa, esto es, la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado. 2.2.- SIMBOLO

2.- DIODO TUNNEL- ESAKI Los diodos tunnel se llaman tambin diodos Esaki en honor a su inventor japons Leo Esaki. En 1958, el fsico japons Esaki, descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de contaminacin del material bsico mucho mas elevado que lo habitual exhiben una caracterstica tensin-corriente muy particular. La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada hasta alcanzar un valor mximo, denominado corriente de cresta. A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mnimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez mas rpido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. Este comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a lo que los fsicos denominan efecto tnel, del que no nos ocuparemos aqu debido a su complejidad. Para las aplicaciones prcticas del diodo tnel, la parte mas interesante de su curva caracterstica es la comprendida entre la cresta y el valle. En esta parte de la curva a un aumento de la tensin aplicada corresponde una disminucin de la corriente; en otros trminos, la relacin entre un incremento de la tensin y el incremento resultante de la corriente es negativa y se dice entonces que esta parte de la curva representa una resistencia incremental negativa. Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una resistencia positiva. As, por ejemplo, las prdidas que se producen en un circuito resonante a causa de la presencia siempre inevitable de cierta resistencia en el, se compensa asociando al circuito una resistencia negativa de valor numrico conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo tnel. En tal caso el circuito oscilante se transforma en un oscilador.

Figura 4.- Smbolo de un diodo Tunnel

2.3.- COMPORTAMIENTO Los diodos de efecto tnel. Son dispositivos muy verstiles que pueden operar como detectores, amplificadores y osciladores. Poseen una regin de juntura extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos voltajes de polarizacin directa y tienen una resistencia negativa, esto es, la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado. El diodo Tunnel se comporta de una manera muy interesante conforme se le va aumentando una tensin aplicada en sentido directo. - Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tunnel empieza a conducir (la corriente empieza a fluir). - Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un punto despus del cual la corriente disminuye. - La corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de un "valle" y .... - Despus volver a incrementarse. En esta ocasin la corriente continuar aumentando conforme aumenta la tensin.

2.4.- CURVA CARACTERISTICA

est utilizando el diodo. Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, adems de las zonas constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia de muy bajo valor hmico, lo que conforma un capacitor de elevadas prdidas. Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la resistencia en paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el diodo se pueda comportar como un capacitor con muy bajas prdidas. 3.2.- SIMBOLO

Figura 5.- Curva caracterstica de un diodo tunnel 2.5.- APLICACIONES As estos diodos slo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de alta frecuencia. 3.- DIODO VARICAP Son diodos que basan su funcionamiento en el principio que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unin PN varia en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1v. La aplicacin de estos diodos se encuentra en la sintona de TV, modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio, sobre todo.

Figura 6.- Simbolo de un diodo varicap

3.3.- COMPORTAMIENTO Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1v. 3.4.- APLICACIONES La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintona de TV, modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los osciladores controlados por voltaje (Oscilador controlado por tensin). En tecnologa de microondas se pueden utilizar como limitadores: al aumentar la tensin en el diodo, su capacidad vara, modificando la impedancia que presenta y desadaptando el circuito, de modo que refleja la potencia incidente. 4.-DIODO VARISTOR Los Varistores, tambin llamados MOV, son de xido de Zinc con dos terminales soldados en las extremidades. No son polarizados. Se montan en paralelo con la fuente de alimentacin, de AC o DC. Su caracterstica es

3.1.- FUNCIONAMIENTO Son diodos que basan su funcionamiento en el principio que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unin PN varia en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos. La capacidad formada en los extremos de la unin PN puede resultar de gran utilidad cuando, al contrario de lo que ocurre con los diodos de RF, se busca precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el cual se

de tener una resistencia prcticamente infinita en los voltajes menores de su voltaje operativo; y de bajar rpidamente la resistencia para voltajes mayores. Se escogen seleccionando un voltaje que exceda ligeramente (10~15%) el voltaje mximo continuo de operacin. La disipacin de los picos (que se transforman en calor) se expresa en Joules y es altamente efectiva con picos de muy breve duracin (del orden de los microsegundos). Al revs, picos de larga duracin pueden hasta provocar la explosin del componente.

(incluso ms altas) pero adems pueden suprimir los transitorios positivos y negativos. Cuando aparece un transitorio, el varistor cambia su resistencia de un valor alto a otro valor muy bajo. El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa manera los componentes sensibles del circuito. Los varistors se fabrican con un material nohomogneo.(Carburo de silicio) 4.3.- SIMBOLO

Figura 7.- Algunos diodos varistor Figura 8.- Smbolo de un diodo Varistor 4.1.- CONSTRUCCION Los varistores son resistencias no lineales cuyo valor desciende con la tensin en sus extremos. Son limitadores bipolares y existen dos tipos: los de carburo de silicio y los de xido de zinc. O supresor de transientes, es un dispositivo semiconductor utilizado para absorber picos de alto voltaje desarrollados en las redes de alimentacin elctrica. Cuando aparece un transitorio, el varistor cambia su resistencia de un valor alto a otro valor muy bajo. El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa manera los componentes sensibles del circuito. Los varistors se fabrican con un material nohomogneo.(Carburo de silicio) 4.2.- COMPORTAMIENTO Los varistores proporcionan una proteccin fiable y econmica contra transitorios de alto voltaje que pueden ser producidos, por ejemplo, por relmpagos, conmutaciones o ruido elctrico en lneas de potencia de CC o CORRIENTE ALTERNA. Los varistores tienen la ventaja sobre los diodos (supresores de transitorios) que, al igual que ellos pueden absorber energas transitorias Figura 9.- Curva caracterstica de un diodo
Varistor

4.4.- CURVA CARACTERISTICA

5.- DIODO ZENER CORRIENTE CONSTANTE- OPUESTOS Un diodo Zener, es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas. Llamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el diodo zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se presenten grandes

variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura.

corto. Es un "switch" o interruptor que se activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de voltaje o en fuentes. 5.2.- SIMBOLO

Figura 10.- Algunos diodos Zener

Figura 11.- Smbolos de un diodo Zener 5.3.- COMPORTAMIENTO

5.1.- CONSTRUCCION Resistencia Zener Un diodo zener, como cualquier diodo, tiene cierta resistencia interna en sus zonas P y N; al circular una corriente a travs de ste se produce una pequea cada de tensin de ruptura. En otras palabras: si un diodo zener est funcionando en la zona zener, un aumento en la corriente producir un ligero aumento en la tensin. El incremento es muy pequeo, generalmente de una dcima de voltio. Los diodos Zener mantienen la tensin entre sus terminales prcticamente constante en un amplio rango de intensidad y temperatura, cuando estn polarizados inversamente, por ello, este tipo de diodos se emplean en circuitos estabilizadores o reguladores de la tensin. Eligiendo la resistencia R y las caractersticas del diodo, se puede lograr que la tensin en la carga (RL) permanezca prcticamente constante dentro del rango de variacin de la tensin de entrada VS. De acuerdo con la definicin, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseado para trabajar con voltajes negativos (con respecto a l mismo). Es importante mencionar que la regin Zener (en un diodo Zener) se controla o se manipula variando los niveles de dopado. Un incremento en el nmero de impurezas agregadas, disminuye el potencial o el voltaje de Zener VZ. As, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a -200 V y potencias de 1/4 a 50 W. El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha alcanzado su potencial VZ se comporta como un La corriente mxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que Iz max. La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar en el circuito. Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante la tensin en sus bornas a un valor llamado tensin de Zener, pudiendo variar la corriente que lo atraviesa entre el margen de valores comprendidos entre el valor minimo de funcionamiento y el correspondiente a la potencia de zener mxima que puede disipar. Si superamos el valor de esta corriente el zener se destruye. La tensin zener de cualquier diodo esta controlada por la cantidad de dopado aplicada en la fabricacin. El dopado es la suministracin de electrones a un cierto material, estos electrones suministrados alteran las caractersticas qumicas y fsicas del material logran que se comporte de distinta manera. 5.4.- CURVA CARACTERISTICA

Figura 12.- Curva caracterstica de un diodo

Zener

Un diodo normal tambin tiene una zona de ruptura, pero no puede funcionar en l, con el Zener si se puede trabajar en esa zona.

6.1.- CONSTRUCCION El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja resistividad representada, est esta formada por difusin de tomos de boro en un bloque de silicio tipo P y la capa N muy delgada est formada difundiendo grandes cantidades de fsforo. La regin intrnseca i es realmente una regin P de alta resistividad y se suele denominar regin p. Cuando el circuito est abierto, los electrones fluyen desde la regin i(p) hasta la regin P para recombinarse con los huecos en exceso, y los huecos fluyen desde la regin i para recombinarse con los electrones de la regin N. Si el material i(p) fuese verdaderamente intrnseco, la cada de tensin en la regin i sera nula, puesto que la emigracin de huecos sera igual a la emigracin de electrones. Si embargo, como el material es en verdad p (P de alta resistividad), hay mas huecos disponibles que electrones. Cuando se aplica una polarizacin inversa al diodo los electrones y los huecos del material p son barridos (swept free). Un posterior aumento de la tensin inversa simplemente incrementa las distribuciones de tensiones P-I e I-N. En el diodo PIN la longitud de la regin de transicin L es aproximadamente igual a la regin i y aproximadamente independiente de la tensin inversa. Por lo tanto, a diferencia de los diodos PN o Schottky, el diodo PIN tiene una capacidad inversa que es aproximadamente constante, independiente de la polarizacin. Una variacin tpica de la capacidad podra ser desde 0,15 hasta 0,14 pF en una variacin de la polarizacin inversa de, por ejemplo, 100 V. En virtud de que es igual a la longitud de la regin i, la longitud de la regin de transicin es aproximadamente constante y considerablemente mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la capacidad CR, que es proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos, por lo que el diodo PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. Los valores normales de CR varan desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN, comercialmente asequibles. 6.2.- FUNCIONAMIENTO Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor

La potencia mxima que resiste en la "Zona de Ruptura" ("Zona Zener"):

En la zona de ruptura se produce el "Efecto Avalancha" "Efecto Zener", esto es, la corriente aumenta bruscamente. 5.5.- APLICACIONES La aplicacin de estos diodos se ve en los Reguladores de Tensin y acta como dispositivo de tensin constante (como una pila). 6.- DIODO PIN El diodo PIN es un diodo que presenta una regin P fuertemente dopada y otra regin N tambin fuertemente dopada, separadas por una regin de material que es casi intrnseco. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1 GHz, puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando est inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. Adems, las tensiones de ruptura estn comprendidas en el margen de 100 a 1000 V. En virtud de las caractersticas del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o como modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los propsitos se le puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en sentido inverso. Tambin se le puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes.

intrnseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la prctica, la capa intrnseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad () o bien por una capa n de alta resistividad (). 6.3.- SIMBOLO

determinados semiconductores, se irradia en forma de luz, en otros se hace de forma trmica. Sus siglas provienen del Ingles (Light Emitting Diode) : Led. 7.1.- CONSTRUCCION Los Led estn formados por el material semiconductor que est envuelto en un plstico traslcido o transparente segn los modelos. En la figura podemos observar la distribucin interna. El electrodo interno de menor tamao es el nodo y el de mayor tamao es el ctodo Los primeros Leds se disearon para permitir el paso de la mxima cantidad de luz en direccin perpendicular a la superficie de montaje, ms tarde se disearon para difundir la luz sobre un rea ms amplia gracias al aumento de la produccin de luz por los Leds. 7.2.- FUNCIONAMIENTO LED ROJO: Este tipo de Led funciona con baja densidades de corriente ofreciendo una buena luminosidad, utilizndose como dispositivo de visualizacin en equipos porttiles. Cuando Albert Einstein recibi el premio Nobel de fsica en 1921 no fue por su teora de la relatividad, sino por un estudio aparentemente ms modesto: el efecto fotoelctrico. Einstein describi cmo algunos materiales, al ser sometidos a una corriente elctrica, emiten luz. Figura 14.- Muestra de un LED (diodo emisor de
luz)

Figura 13.- Smbolo de un diodo Pin 6.3.- APLICACIONES En virtud de las caractersticas del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o como modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los propsitos se le puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en sentido inverso. Tambin se le puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes. 7.- DIODO LED EMISOR DE LUZ Los diodos emisores de luz visible son utilizados en grandes cantidades como indicadores piloto, dispositivos de presentacin numrica y dispositivos de presentacin de barras, tanto para aplicaciones domsticas como para equipos industriales, esto es debido a sus grandes ventajas que son: peso y espacio insignificantes, precio moderado, y en cierta medida una pequea inercia, que permite visualizar no solamente dos estados lgicos sino tambin fenmenos cuyas caractersticas varan progresivamente. Este tipo de diodos es muy popular, sino, veamos cualquier equipo electrnico y veremos por lo menos 1 ms diodos led. Podemos encontrarlos en diferentes formas, tamaos y colores diferentes. La forma de operar de un led se basa en la recombinacin de portadores mayoritarios en la capa de barrera cuando se polariza una unin Pn en sentido directo. En cada recombinacin de un electrn con un hueco se libera cierta energa. Esta energa, en el caso de

La luz producida mediante el efecto fotoelctrico tiene una frecuencia determinada (es decir, es de un slo color), que depende del tipo de material. Tambin existe el efecto contrario, que hace que los paneles fotovoltaicos produzcan electricidad al exponerlos a la luz. 7.3.- SIMBOLO

Figura 15.- Smbolo de un diodo Led

7.4.- COMPORTAMIENTO Si la corriente aplicada es suficiente para que entre en conduccin el diodo emitir una cierta cantidad de luz que depender de la cantidad de corriente y la temperatura del Led. La luminosidad aumentar segn aumentemos la intensidad pero habr que tener en cuenta la mxima intensidad que soporta el Led. Antes de insertar un diodo en un montaje tendremos que tener el color del diodo para saber la cada de tensin parmetro necesario para los clculos Color Cada de Intensidad Intensidad tensin mxima media ( VLED ) V Rojo Verde 1.6 2.4 20 20 20 20 ( ILED ) ( ILED Ma )mA 5 10 5 10 5 10 5 10

7.5.- CURVA CARACTERISTICA

Figura 16.- Curva caracterstica de un diodo led 7.6.- APLICACIONES Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX en mandos a distancia de televisores, habindose generalizado su uso en otros electrodomsticos como equipos de aire acondicionado, equipos de msica, etc. y en general para aplicaciones de control remoto, as como en dispositivos detectores. Los diodos LED se emplean con profusin en todo tipo de indicadores de estado (encendido/apagado) en dispositivos de sealizacin (de trfico, de emergencia, etc.) y en paneles informativos (el mayor del mundo, del NASDAQ, tiene 36,6 metros de altura y est en Times Square, Manhattan). Tambin se emplean en el alumbrado de pantallas de cristal lquido de telfonos mviles, calculadoras, agendas electrnicas etc., as como en bicicletas y usos similares. Existen adems impresoras LED. El uso de lmparas LED en el mbito de la iluminacin (incluyendo la sealizacin de trfico) es previsible que se incremente en el futuro, ya que aunque sus prestaciones son intermedias entre las lmpara incasdentes y los tubos fluorescentes, presenta indudables ventajas frente a ambos sistemas de iluminacin particularmente su larga vida til, y su menor fragilidad. En el mbito de la neurofisiologa clnica se usan diodos LED para proporcionar estmulos luminosos intermitentes a travs de unas gafas que se colocan al paciente con el fin de obtener potenciales evocados visuales. 8.- FOTODIODOS Los fotodiodos. Son diodos sensibles a la luz. Generan un voltaje de corriente continua

Amarillo 2.4 Naranja 1.7

posteriores:

EN ALTERNA: Si queremos conectar un Led a un circuito en alterna tendremos que tener en cuenta que en la corriente alterna existen tensiones positivas y negativas que se van alternado en una duracin que ser la mitad de la frecuencia, este punto es importante debido a que los diodo tienen una tensin de funcionamiento en polarizacin directa y otra en la inversa y podremos sobrepasarla para no destruir la unin semiconductora. EN CONTINUA: Si queremos conectar un Led a un circuito en alterna tendremos que tener en cuenta que en la corriente alterna existen tensiones positivas y negativas que se van alternado en una duracin que ser la mitad de la frecuencia, este punto es importante debido a que los diodo tienen una tensin de funcionamiento en polarizacin directa y otra en la inversa y podremos sobrepasarla para no destruir la unin semiconductora.

proporcional a la cantidad de luz que incide sobre su superficie, es decir, son diodos de unin PN cuyas caractersticas elctricas dependen de la cantidad de luz que incide sobre la unin. Se utilizan como medidores y sensores de luz y en receptores pticos de comunicaciones.

Los diodos tienen un sentido normal de circulacin de corriente, que se llama polarizacin directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente elctrica y prcticamente no lo permite en el inverso: es la base del funcionamiento de un diodo. Pero en el fotodiodo la corriente que est en juego (y que vara con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producir un aumento de la circulacin de corriente cuando el diodo es excitado por la luz. 8.2.- FUNCIONAMIENTO

Figura 17.- Receptores pticos 8.1.- CONSTRUCCION Algo que se ha utilizado en favor de la tcnica electrnica moderna es la influencia de la energa luminosa en la ruptura de los enlaces de electrones situados en el seno constitutivo de un diodo. Los fotodiodos no son diodos en los cuales se ha optimizado el proceso de componentes y forma de fabricacin de modo que la influencia luminosa sobre su conduccin sea la mxima posible. Esto se obtiene, por ejemplo, con fotodiodos de silicio en el mbito de la luz incandescente y con fotodiodos de germanio en zonas de influencia de luz infrarroja. El fotodiodo es un diodo semiconductor, construido con una unin PN, como muchos otros diodos que se utilizan en diversas aplicaciones, pero en este caso el semiconductor est expuesto a la luz a travs de una cobertura cristalina, y por su diseo y construccin ser especialmente sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Todos los semiconductores tienen esta sensibilidad a la luz, aunque en el caso de los fotodiodos, diseados especficamente para esto, la construccin est orientada a lograr que esta sensibilidad sea mxima.

El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la generacin de pares electrn hueco debido a la energa luminosa. Este hecho es lo que le diferencia del diodo rectificador de silicio en el que, solamente existe generacin trmica de portadores de carga. La generacin luminosa, tiene una mayor incidencia en los portadores minoritarios, que son los responsables de que el diodo conduzca ligeramente en inversa. El comportamiento del fotodiodo en inversa se ve claramente influenciado por la incidencia de luz. Conviene recordar que el diodo real presenta unas pequeas corrientes de fugas de valor IS. Las corrientes de fugas son debidas a los portadores minoritarios, electrones en la zona P y huecos en la zona N. La generacin de portadores debido a la luz provoca un aumento sustancial de portadores minoritarios, lo que se traduce en un aumento de la corriente de fuga en inversa tal y como se ve en la figura anterior. El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se ve alterado por la generacin luminosa de portadores. Esto es debido a que los portadores provenientes del dopado (portadores mayoritarios) son mucho ms numerosos que los portadores de generacin luminosa. 8.3.- SIMBOLO

Figura 19.- Smbolo de un fotodiodo Figura 18.- Algunos fotodiodos.

8.4.- CURVA CARACTERISTICA 9.1.- CONSTRUCCION Todos los diodos son, en esencia, estructuras de varias capas, formadas por varios tipos diferentes de material semiconductor. Los materiales son contaminados con impurezas por medio de qumicos, para darles ya sea un exceso de electrones (Tipo N) o un exceso de vacantes de electrones (Tipo P). Los diodos lser que emiten en la regin 0.78 a 0.9 micrn, estn formados por capas de arseniuro de galio (GaAs) y arseniuro de aluminio y galio (ALGaAs) desarrollado sobre un subestrato de GaAs. Los dispositivos para longitud de onda mayor, que emiten a 1.3 a 1.67 micrones, se fabrican con capas de arseniuro fosfuro de indio y galio (InGaASP) y fosfuro de indio (InP), desarrollado sobre un subestrato de InP. 9.2.- FUNCIONAMIENTO Los lseres constan de un medio activo capaz de generar el lser. Hay cuatro procesos bsicos que se producen en la generacin del lser, denominados bombeo, emisin espontnea de radiacin, emisin estimulada de radiacin y absorcin. Los Diodos lser, emiten luz por el principio de emisin estimulada, la cual surge cuando un fotn induce a un electrn que se encuentra en un estado excitado a pasar al estado de reposo, este proceso esta acompaado con la emisin de un fotn, con la misma frecuencia y fase del fotn estimulante. Para que el numero de fotones estimulados sea mayor que el de los emitidos de forma espontnea, para que se compensen las perdidas, y para que se incremente la pureza espectral, es necesario por un lado tener una fuerte inversin de portadores, la que se logra con una polarizacin directa de la unin, y por el otro una cavidad resonante, la cual posibilita tener una trayectoria de retroalimentacin positiva facilitando que se emitan mas fotones de forma estimulada y se seleccione ciertas longitudes de onda haciendo mas angosto al espectro emitido. El diodo lser tambin se conoce como lser semiconductor o tambin conocidos como

Figura 20.- Curva caracterstica de un fotodiodo 8.5.- APLICACIONES El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz, pues convierte la luz en electricidad y esta variacin de electricidad es la que se utiliza para informar que hubo un cambio en el nivel de iluminacin sobre el fotodiodo. Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por l circule la corriente en el sentido de la flecha (polarizado en sentido directo), la luz que lo incide no tendra efecto sobre l y se comportara como un diodo semiconductor normal. La mayora de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la cantidad de luz que lo incide, de manera que su reaccin a la luz sea ms evidente. A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo. 9.- DIODO LASER La luz lser es una luz de frecuencia (color) muy definida. Hay muchos tipos de lseres. Uno de estos tipos, el diodo lser, juega un papel fundamental en nuestra sociedad. Hay dos tipos de diodos lser: - Diodo lser de emisin lateral - Diodo lser de emisin vertical (VCSEL)

Figura 21.- Muestras de diodos lasser

lseres de inyeccin, Estos diodos pueden producir luz visible (roja, verde o azul) y luz invisible (infrarroja). Se usan en productos de consumo y comunicaciones de banda ancha. 9.3.- SIMBOLO Figura 24.- Curva del espectro emitido por un
diodo laser.

Figura 22.- Smbolo de un diodo laser.

9.4.- CURVA CARACTERISTICA

Con el lser se pueden conseguir rayos de luz monocromtica dirigidos en una direccin determinada. Como adems tambin puede controlarse la potencia emitida, el lser resulta un dispositivo ideal para aquellas operaciones en las que sea necesario entregar energa con precisin. 9.6.- APLICACIONES Hay un gran nmero de aplicaciones debido a las ventajas de los diodos lser: tamao pequeo, rapidez en su respuesta (la luz aparece muy poco despus de haber aplicado la corriente elctrica), duran mucho sin estropearse. Entre las aplicaciones de estos lseres destacan: Lectores y grabadores de CD y DVD, Impresoras lser, escaner, sensores, Comunicaciones de datos por fibra ptica, Interconexiones pticas entre circuitos integrados en ordenadores La aplicacin bsica que se le ha dado al diodo LASER es como fuente de alimentacin lumnica para sistemas de telecomunicaciones va fibra ptica. El diodo lser es capaz de proporcionar potencia ptica entre 0.005-25mW, suficiente para transmitir seales a varios kilmetros de distancia y cubren un intervalo de longitud de onda entre 920 y 1650 nm. Sin embargo para utilizar un diodo lser como fuente lumnica, es necesario disear un sistema de control que mantenga el punto de operacin del sistema fijo, debido a que un corrimiento de este punto puede sacar al diodo fuera de operacin o incluso daarlo.

Figura. 23 a)

Figura. 23 b) Figuras 23 a) y 23 b).- Curvas caractersticas de

diodos laser.

9.5.- COMPORTAMIENTO La emisin de luz lser es monocromtica: Los fotones emitidos por un lser poseen longitudes de onda muy cercanas entre s. En cambio, en la luz emitida por diodos LED, existen fotones con mayores dispersiones en cuanto a las longitudes de onda. 10.- DIODOS DE POTENCIA

10.1.- CONSTRUCCION Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque

tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas.

32V (VF)

Figura 25 d).- Fast 1500V- 168A 1.8V Figuras 25 a), 25 b), 25 c), 25 d).- Algunos tipos de diodos de potencia. 10.2.- CURVA CARCTERISTICA

Figura 25 a).- Encapsulado

Cermico 600V/6000A

Figura 26.- Curva caracterstica de un diodo de

potencia, donde:

Figura 25 b).- 200V-60A

VRRM: tensin inversa mxima VD: tensin de codo.

11.- OPTOACOPLADORES Un optoacoplador, tambin llamado optoaislador o aislador acoplado pticamente, es un dispositivo de emisin y recepcin de luz que funciona como un interruptor excitado mediante la luz. La mencionada luz es emitida por un diodo LED que satura un componente optoelectrnico, normalmente en forma de fototransistor. De este modo se combinan en un solo dispositivo semiconductor, un fotoemisor y un fotorreceptor cuya conexin entre ambos es ptica. Estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP. Se suelen utilizar como medio de proteccin para dispositivos muy sensibles.

Figura 25 c).- Rectificador 1500V 168A 1.8V

Figura 25 c).- Alta Tensin 40.000V, 0.45A

11.1.-CONSTRUCCION La figura siguiente muestra la perspectiva interna de un opt acoplador. Una resina aloja al

elemento sensitivo a la luz (fototransistor o fototransistor de salida Darlington) que esta rodeado por otra resina que permite la transmisin de la luz. Una seal luminosa es transmitida por un diodo emisor de luz hacia el transistor fotosensitivo a travs de la resina transmisora de luz interna. La resina albergue y la resina interior tienen el mismo coeficiente de la expansin. El alto aislamiento voltaje se obtiene gracias al gran rea existente entre la resina externa y la interna que no es modificada por los cambios de temperatura pues los coeficientes de expansin son iguales, adems, si la temperatura aumenta las resinas se expanden obtenindose como resultado una mayor rea entre los elementos conductores.

acoplar una seal de entrada con el circuito de salida. La ventaja fundamental de un optoacoplador es el aislamiento elctrico entre los circuitos de entrada y salida. Mediante el optoacoplador, el nico contacto entre ambos circuitos es un haz de luz. Esto se traduce en una resistencia de aislamiento entre los dos circuitos del orden de miles de M. Estos aislamientos son tiles en aplicaciones de alta tensin en las que los potenciales de los dos circuitos pueden diferir en varios miles de voltios. 11.3.-SIMBOLO

Figura 28.- Smbolo de un optoacoplador. 11.4.- APLICACIONES

Incluyen
Figura 27.- Esquema constructivo de un opt
acoplador. Obsrvese tambin el aislamiento elctrico entre fototransistor y LED ya mencionado.

circuitos anlogos tales como receptores de audio donde sus caractersticas bilaterales le permiten usarse para ajustar AGC, y monitoreo de circuitos de disparo de alto voltaje. Otra aplicacin es el osciloscopio.

11.2.- FUNCIONAMIENTO La figura de la derecha muestra un optoacoplador 4N35 formado por un LED y un fototransistor. La tensin de la fuente de la izquierda y la resistencia en serie establecen una corriente en el LED emisor cuando se cierra el interruptor S1. Si dicha corriente proporciona un nivel de luz adecuado, al incidir sobre el fototransistor lo saturar, generando una corriente en R2. De este modo la tensin de salida ser igual a cero con S1 cerrado y a V2 con S1 abierto. Si la tensin de entrada vara, la cantidad de luz tambin lo har, lo que significa que la tensin de salida cmbia de acuerdo con la tensin de entrada. De este modo el dispositivo puede

12.- BIBLIOGRAFIA http://www.scribd.com/doc/12278044/Di odos http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo http://www.diodosled.com/ http://www.scribd.com/doc/12278044/Di odos http://www.electronica2000.com/temas/d iodostipos.htm

13.- BIOGRAFIAS

Flores Anita Cristina

Nace en Urcuqu el 11 de diciembre de 1989, su educacin primaria la realizo en la Escuela Eloy Alfaro de Urcuqu, en el 2007 se grada de bachiller en la especialidad de Fsico Matemtico en el Colegio Nacional Ibarra, Sigui cursos de Electricidad y Electrnica Bsica, mantenimiento de Computadores en Ibarra, UTN. Actualmente alumna de cuarto semestre de Ingeniera en Electrnica y Redes de Comunicacin en la Universidad Tcnica del Norte (Ibarra - Ecuador)

Vsquez William Rafael Estudios secundarios en el colegio Nacional El ngel, especialidad Fsico Matemtico. Estudios superiores en la Universidad Tcnica del Norte (Ibarra - Ecuador) Actualmente alumno de cuarto semestre de Ingeniera en Electrnica y Redes de Comunicacin.

Renn Arias Y.
Mallamas Richard Armando

Nace en Atuntaqui el 21 de septiembre de 1988, Estudios secundarios en el colegio Veintimilla, especialidad Informtica. Estudios superiores en la Universidad Tcnica del Norte (Ibarra - Ecuador) Sigui cursos de Electricidad y Electrnica Bsica, Ibarra, UTN. Actualmente alumno de cuarto semestre de Ingeniera en Electrnica y Redes de Comunicacin.

Estudiante de Electrnica y Telecomunicaciones en la Universidad Tcnica Del Norte (UTN), nace en Ibarra el 22 de Marzo de 1988, hijo de Blanca Yandn y Oswaldo Arias, su educacin primaria la realizo en la Escuela Superior 28 de Septiembre de la ciudad de Ibarra, en el 2005 se grada de bachiller en la especialidad de Fsico Matemtico en el Colegio Nacional Teodoro Gmez De La Torre, Sigui cursos de Mantenimiento y Ensamblaje de computadoras, Electricidad y Electrnica Bsica e Intermedia, Ibarra, UTN . Actualmente trabaja en la empresa Cerelectric como tcnico Electricista.