PERCOBAAN II BJT dan JFET 2.

1 Tujuan

a. Memeriksa serta menentukan jenis dari BJT (NPN dan PNP) dan JFET
(channel P atau channel N).

b. Meneliti dan mempelajari karakteristik BJT dan JFET.

2.2 Tinjauan Pustaka Transistor yang sering disingkat dengan huruf T, TR, Q ini adalah komponen elekronika yang ditemukan oleh Walter Houser Brattain seorang ahli fisika dari Amerika Serikat 1956. Transistor pada umumnya memiliki 3 terminal ). Dimana jika terjadi perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada salah satu terminalnya basis (BJT) atau gate (FET) maka aka mengakibatkan perubahan yang besar pada 2 terminal lainnya yakni emitor dan colektor (BJT) atau drain dan source (FET). Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Rasio antara arus pada coletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan atau hFE. biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT. Jenis-jenis Transistor. Secara umum transistor terdiri dari 2 jenis yakni BJT (Bipolar Junction Transistor) dan FET (Field Effect Transistor). Selain itu transistor dapat dibedakan dari berbagai segi misalnya: 1. Bahan: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide (semiconductor) 2. Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET, VMOSFET, MESFET, HEMT, SCR serta pengembangan dari transistor yaitu IC (Integrated Circuit) dan lain-lain. 3. Kemasan: Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface Mount, IC, dan lain-lain 4. Daya: Low Power, Medium Power, High Power 5. Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau P-channel

6. Frekwensi: Low, Medium, atau High Frequency, RF transistor, Microwave, dan lain-lain

7. Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dan

lain-lain. Anda dapat menguji kemungkinan kerusakan suatu transistor dengan menggunakan multitester. Kemungkinan terjadinya kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu : a. Salah pemasangan pada rangkaian b. Penangan yang tidak tepat saat pemasangan c. Pengujian yang tidak professional Sedangkan kemungkinan kerusakan transistor juga ada tiga jenis, yaitu : a. Pemutusan b. Hubung singkat c. Kebocoran Pada pengujian transistor kita juga harus melakukan pengujian pada elektroda kolektor dan emiternya. Menguji Karakteristik statis BJT dan JFET akan digambarkan dengan dua cara, yaitu : a. Dengan Multimeter. Karakteristik digambarkan menggunakan kertas milimeter blok dengan mengukur besar arus

1. karakteristik Ic terhadap Vce dengan mengukur masing-masing besaran 2. karakteristik VBE terhadap IB untuk berbagai nilai VBE 3. karakteristik hfe terhadap IC
b. Dengan Osiloskop Pada pengukuran ini hanya akan mengukur karakteristik IC terhadap VCE untuk berbagai nilai IB Input vertikal (Y) dari osiloskop digunakan untuk mengamati besarnya IC yaitu dengan cara mengukur tegangan pada RC. Sedangkan input horisontal (X) dari osiloskop, digunakan untuk mengamati besarnya VCE. Gambar yang terbentuk pada layar osiloskop, sumbu horisontal ke kiri adalah tegangan positif sedangkan arah kanan adalah negatif.

2.2.1 BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT (Bipolar Junction Transistor) Transistor ini adalah transistor yang dapat kita umpmakan sebagai dua buah dioda yang terminal positif atau negatifnya disatukan sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal tersebut adalah basis (B), emiter (E), kolektor (C. Tipe BJT. BJT ini terdiri dari 2 tipe yakni NPN dan PNP

1. NPN (Negatif Positif Negatif) atau N-Chanel. Transistor tipe NPN ini
dapat kita umpamakan dua buah diode yang terminal positinya bertemu, kemudian pertemuannya itu dinamaka basis (B) sedangkan yang 2 terminal lainnya adalah emitor (E) dan colektor (C). Lihat gambar dibawah ini:

Gambar 2.1 BJT npn

2. PNP (Positif Negatir Positif) atau P-Chanel. Transistor tipe PNP ini dapat kita umpamakan dua buah diode yang terminal negatifnya bertemu, kemudian pertemuannya itu dinamakan basis (B) sedangkan yang 2 terminal lainnya adalah emitor (E) dan colektor (C). Lihat gambar dibawah ini:

Gambar 2.2 BJT pnp

Bias dalam Transistor BJT Analisis atau disain terhadap suatu penguat transistor memerlukan informasi mengenai respon sistem baik dalam mode AC maupun DC. Kedua mode tersebut bisa dianalisa secara terpisah. Dalam tahap disain maupunsintesis, pilihan parameter untuk level DC yang dibutuhkan akan mempengaruhi respon ACnya. Demikian juga sebaliknya. Persamaan mendasar dalam transistor yang penting adalah :

Gambar 2.3 Persamaan dasar transistor

Dalam mencari solusi dari suatu rangkaian, umumnya nilai arus basis IB yang pertama dihitung. Ketika IB sudah diperoleh, hubungan persamaan di atasbisa digunakan untuk mencari besaran yang diinginkan. Titik Operasi (Q) Biaspemberiaan tegangan DC untuk membentuk tegangan dan arus yang tetap.T egangan dan arus yang dihasilkan menyatakan titik operasi (quiescent point ) atau titik Q yang menentukan daerah kerja transistor. Pada gambar di bawah di tunjukkan 4 buah titik kerja transistor. Rangkaian bias bisa di-disain untukmemperoleh titik kerja pada titik-titik tersebut, atau titik lainnya dalam daerahaktif. Rating maksimum ditentukan oleh Icmax dan VCE max. Daya maksimumdibatasi oleh kurva Pcmax. BJT bisa di-bias di luar batasan maksimum tersebut,tapi bisa memperpendek usia piranti atau bahkan merusaknya. Untuk kondisitanpa bias, piranti tidak bekerja, hasilnya adalah titik A dimana arus dantegangan bernilai nol.

Gambar 2.4 Grafik Bias.

Supaya BJT bisa di-bias dalam daerah linear (daerah aktif), beberapasyarat berikut harus dipenuhi:

Junction base-emitter dibias maju (forward bias). Junction base-collector dibias mundur (reverse bias).

Daerah kerja transistor (cut-off, aktif atau saturasi) ditentukan oleh bias yang diberikan pada masing-masing junction : 1. Daerah aktif/daerah linear Junction base-emitter dibias maju (forward bias)Junction base-collector dibias mundur (reverse bias). 2. Daerah saturasi Junction base-emitter dibias maju (forward bias). Junction base-collector dibias maju (forward bias) 3. Daerah cut-off. Junction base-emitter dibias mundur (reverse bias) Junction base-collector dibias mundur (reverse bias).

- Fixed Bias Bias model ini ditunjukkan pada gambar berikut.

Gambar 2.5 Bias Model

Rangkaian di atas menggunakan transistor npn. Untuk transistor pnp, persamaan dan perhitungan adalah serupa, tapi dengan arah arus dan polaritas tegangan berlawanan. Untuk analisis DC, rangkaian bisa di-isolasi (dipisahkan) dari input AC dengan mengganti kapasitor dengan rangkaian terbuka (open circuit). Untuk tujuan analisis, supply tegangan VCC bisa dipisahkan menjadi dua, masing-masing untuk input dan output. Rangkaian pengganti DC menjadi :

Gambar 2.6 Bias Model npn.

- Bias maju basis-emitter a. Loop basis-emitter :

Gambar 2.7 Loop Basis Emitter

Dengan hukum tegangan Kirchhoff : VCC + IBRB + VBE = 0 Perhatikan polaritas tegangan drop di RB. Arus basis IB menjadi :

Dan , VBE = VB - VE

b. Loop collector-emitter
VCE = VCC ICRC VCE = VC - VE

Saturasi transistor Transistor saturasi jika juction base collector tidak lagi dibias mundur
VCE = 0 V ICsat = VCC/RC

- Bias Emitter stabil

Gambar 2.8 Bias Emitter Stabil

a. Loop Base-Emitter VCC IBRB VBE IERE = 0

b. Loop Collector - Emitter VCC = IERE + VCE + ICRC Saturasi : ICsat = VCC/(RC+RE) - Bias Pembagi Tegangan

Gambar 2.9 Bias Pembagi Tegangan

- Bias dengan umpan balik Untuk meningkatkan stabilitas bisa dilakukan dengan memberikan umpan balik dari collector menuju base.

Gambar 2.10 Bias Dengan Umpan Balik

Persamaan tegangan untuk loop di sebelah kiri ( loop baseemitter) : VCC ICRC IBRB VBE-IERE = 0 Perhatikan bahwa arus IC yang masuk ke kaki collector berbeda dengan IC, dimana : IC = IB + IC Tapi nilai IB yang jauh lebih kecil bisa diabaikan untuk memperoleh persamaan yang lebih sederhana (asumsi IC IC IB dan IC IE): VCC IBRC IBRB VBE - IBRE = 0 VCC VBE IB(RC +RE) IBRB = 0 Sehingga :

a. Loop collector-emitter

Gambar 2.11 Loop collector-emiter

IERE + VCE + ICRC = VCC Dengan IC IC dan IC IE maka VCC = IC(RC + RE) + VCE VCE = VCC - IC(RC + RE) 2.2.2 JFET (Junction FET) FET (Field Effect Transistor) atau dalam bahasa Indonesia disebut Transistor efekmedan adalah transistor yang diciptakan oleh Julius Edgar Lilienfeld pada tahun 1925 dan oleh Oskar Heil pada tahun 1934,FET baru dipasarkan secara luas mulai tahun 1990-an. FET mempunyai 3 buah terminal yakni gate (G), drain (D) dan source (S) yang fungsinya hamper sama dengan basis, kolektor dan emitor pada BJT. Gate (G) dapat dianggap sebagai pengontrol buka-tutup yang akan mengizinkan elektron untuk mengalir atau mencegahnya. Selain itu badan/body FET juga merupakan sebuah terminal tersendiri yang melayani kegunaan teknis dalam pemanjaran transistor kedalam titik operasi. Terminal ini sangat jarang digunakan, namum begitu terminal ini diperlukan saat membuat suatu rangkaian. Biasanya terminal ini terhubung ke tegangan tertinggi atau

terendah pada suatu rangkaian, tergantung pada tipenya, tetapi adakalan terminal ini tidak digunakan. Tipe FET ini terdiri dari 2 tipe yakni JFET dan IGFET.

JFET (Junction FET). Terminal gate dalam JFET membentuk sebuah dioda dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). Secara fungsinya, ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah dioda antara grid dan katode. Dan juga, keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode", keduanya memiliki impedansi input tinggi, dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input.

IGFET (Insulated Gate FET). Atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode, dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode.

FET juga dapat dibedakan menjadi 2 model yakni: 1. Enhancement mode (P-channel) 2. Depletion mode (N-channel) Bahan Transistor. Transistor terbuat dari materi semikonduktor yaitu Germanium, Silikon, Gallium Arsenide. Dan kemasan fisik nya terbuat dari Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface Mount, IC, dan lain-lain JFET (Junction FET) terdapat isolasi oleh sambungan pn (junction). Dalam hal ini akan dibahas mengenai bangun JFET saluran n. Ada 2 jenis JFET yaitu JFET saluran n dan JFET saluran p. Dalam JFET saluran n terdapat 1 bahan semikonduktor n yang membentuk saluran arus antara kedua sambungan pada ujungnya. Kedua sambungan ini disebut dengan drain (D) atau pengosongan dan source (S) atau sumber. Di samping balok saluran n dibentuk dua daerah semikonduktor p+. Semikonduktor p+ adalah semikonduktor p dengan

konsentrasi atom asing yang tinggi, sehingga terdapat banyak pembawa muatan positif (maka dinamakan p+). Kedua daerah semikonduktor p+ tersambung dan membentuk sambungan keluaran yang disebut sebagai gate (G) atau gerbang. Antara semikonduktor p dan semikonduktor n terdapat daerah pengosongan dimana tidak ada pembawa muatan. Karena konsentrasi atom asing dalam semikonduktor p+ jauh lebih tinggi daripada yang terdapat dalam semikonduktor n, maka daerah pengosongan lebih jauh masuk ke dalam daerah semikonduktor n. Besar arus yang mengalir dari drain ke source ditenyukan oleh resistivitas dari saluran n yang terdapat antara kedua daerah pengosongan di samping saluran. Resistivitas tersebut tergantung dari konsentrasi pembawa muatan n dan dari ukuran saluran (panjang, lebar dan tinggi saluran n). Struktur JFET

Gambar 2.12 JFET Kanal n

Gambar 2.13 JFET Kanal p

Perhatikan (unutk kanal n) bahwa terdapat struktur pn junction antara Gate (G) dengan Source(S), dan ada satu jalur arus yang melewati semikonduktor ekstrinsik tipe n. (Ingat bahwa semikonduktor ekstrinsik lebih mempunyai sifat mendekati konduktor yang mempunyai sifat resistif) JFET memanfaatkan adanya efek medan yang muncul pada junction (sambungan) p-n. Sebagaimana dijelaskan pada saat materi dioda, pemberian tegangan pada pn junction akan mengakibatkan perubahan daerah deplesi (daerah yang mempunyai sedikit muatan bebas). Pada saat bias forward (p lebih positif daripada n), arus dapat dengan mudah melewati junction. Akan tetapi pada saat bias reverse(p lebih negatif dari n), hampir tidak ada arus yang dapat melewati junction, akibat semakin lebarnya daerah deplesi. Pada saat reverse bias, semakin negatif tegangan yang diberikan antara p dengan n, semakin lebar pula daerah deplesi. Perubahan daerah deplesi inilah yang dimanfaatkan pada JFET. Perhatikan urutan gambar-gambar berikut: :

Gambar 2.14 n-JFET saat GS diberi tegangan forward (VGS>0) Arus IDS mengalir maksimal

Gambar 2.15 n-JFET saat GS diberi tegangan 0 (VGS=0) Arus IDS mengalir

maksimal

Gambar 2.16 n-JFET saat GS diberi tegangan reverse (VGS<0) Terjadi pelebaran daerah depelesi di sekitar junction. Arus IDS terhambat, sehingga arus yang mengalir tidak dapat maksimal

Gambar 2.17 n-JFET saat GS diberi tegangan reverse (VGS3<VGS2 <VGS1<0) Semakin lebar daerah deplesinya, arus semakin sulit lewat. Pada VGS tertentu, arus yang lewat adalah nol. VGS pada kondisi ini desibut VGS(OFF) atau VP

Karakteristik JFET

Gambar 2.18 Kurva Karakteristik JFET

Hubungan antara arus IDS dan tegangan VGS memenuhi suatu persamaan

IDS= arus dari Drain ke Sourve VGS=tegangan antara Gate dan Source IDSS= arus maksimum dari Drain ke Source (suatu konstanta) VP= tegangan yang mengakibatkan arus IDS menjadi nol (suatu konstanta)

2.2.3 Nilai Batas Suatu Transistor Sebagaimana telah disebutkan bahwa bahan semikonduktor akan berubah sifat jika menerima panas yang berlebihan. Suhu maksimal sutu transistor Germanium adalah sekitar 75o C sedangkan jenis Silikon sekitar 150o C. Daya yang disalurkan pada sebuah transistor harus sedemikian rupa sehingga suhu maksimalnya tidak dilampaui dan untuk itu diperlukan bantuan pendingin baik dengan Heat Sink atau dengan kipas kecil (Fan). Pada saat penyolderan kaki-kaki transistor, harus dipertimbangkan juga temperatur solder dan selain itu biasanya digunakan alat pembantu dengan jepitan (tang) guna pengalihan penyaluran panas. Peralihan panas transistor ke pendingin yang baik adalah dengan bantuan Pasta Silikon yang disapukan antara transistor dengan badan pendinginnya. Selain itu biasanya pendingin tersebut diberi cat warna hitam guna memudahkan penyaluran panas. Doping pada bagian tengah diberikan lebih sedikit dibandingkan dengan bagian luar (sekitar 10:1). Doping rendah ini mengurangi konduktiviti material dengan membatasi jumlah elektron bebas. Istilah bipolar berasal dari kenyataan bahwa elektron dan holes berpartisipasi dalam proses pembangkitan arus. Kaki kolektor pada transistor NPN selalu berada pada kutub positif, sedangkan kaki kolektor pada transistor PNP selalu pada kutub negatif. Pada badan transistor juga tertera huruf dank kode kode lain. Berikut ini adalah arti huruf huruf pengkodean pada komponen elektronika buatan Eropa :

1. Huruf pertama menyatakan bahan semikonduktor yang digunakan untuk

membuat komponen tersebut.

A = Germanium B = Silikon C = Arsenida Galium D = Antimonida Indium E = Sulfida Cadmium

2. Huruf

kedua

manyatakan

fungsi

penerapannya

pada

rangkaian

elektronika.
A = dioda detektor, dioda pencampur, dioda kecepatan tinggi, B = dioda kapasitas variable, C = transistor frekuensi rendah, D = transistor daya frekuensi rendah, E = dioda terobosan, F = transistor frekuensi radio, G = macam ragam keperluan L = transistor daya frekuensi radio, N = kopling foto, P = detektor radiasi seperti dioda foto, transistor foto, Q = generator radiasi seperti LED, R = piranti kemud dan saklar, seperti TRIAC, dsb, S = transistor saklar, daya rendah, T = piranti kemudi dan switching, seperti TRIAC, U = transistor saklar daya tinggi, X = dioda pengganda, Y = penyearah, dioda efisiensi X = dioda zener, pengatur (regulator).

3. Huruf huruf atau angka angka yang lain menyatakan nomor seri. Untuk transistor transistor buatan Amerika, kode yang biasa digunakan adalah 1N, 2N, dan sebagainya. Berbeda dengan Jepang, karena Jepang menggunakan kode lain lagi, yaitu 2SA, 2SB, dan lain lain

2.2.4

Operasi Transistor

Pengoperasian transistor dapat diterangkan secara kualitatif dalam hal distribusi potensial pada sambungan. Sambungan emitor berpanjar maju, dengan efek dari tegangan panjar Veb terjadi penurunan tegangan penghalang pada sambungan emitor dan memberi kesempatan pada elektron melakukan injeksi ke basis dimana pada daerah ini miskin elektron (minoritas). Sambungan kolektor berpanjar mundur; sebagai efek dari pemasangan tegangan panjar VCB akan menaikkan potensial penghalang pada sambungan kolektor. Karena daerah basis sangat tipis, hampir semua elektron yang terinjeksi pada basis tersapu ke kolektor dimana mereka melakukan rekombinasi dengan lubang yang disediakan dengan pemasangan baterai luar. (Sebenarnya terjadi pengambilan elektron oleh baterai eksternal, meninggalkan lubang untuk proses rekombinasi). Sebagai hasilnya terjadi transfer arus dari rangkaian emitor ke rangkaian kolektor yang besarnya hampir tidak tergantung pada tegangan kolektor-basis. Seperti akan kita lihat, transfer tersebut memungkinkan pemasangan hambatan beban yang besar untuk mendapatkan penguatan tegangan.

(a)
potensial

(b)

Gambar 2.19 Pengoperasian transistor jenis NPN a). kondisi panjar b). distribusi

2.2.5

Karakteristik Keluaran

a. Konfigurasi Basis-Bersama (Common-Base Configuration). Rangkaian transistor seperti pada gambar 2.2.12 disebut konfigurasi basis bersama karena i-v basis digunakan untuk terminal masukan maupun keluaran. Karakteristik BJT dengan konfigurasi ini dapat kita kembangkan dari pemahaman kita tentang diode dan pengoperasian transistor.

Gambar 2.20 Transistor dengan konfigurasi basis bersama

Karena sambungan emitor-basis seperti diode berpanjar maju, maka karakteristik masukan rangkaian ini (gambar 2.2.13-b) mirip dengan karakteristik diode (gambar 2.2.13-a). Terlihat bahwa efek dari tegangan kolektor-basis vCB cukup kecil. Dengan vCB berharga positif dan emitor hubung terbuka, iE = 0 volt dan bagian basis - kolektor pada dasarnya berpanjar mundur. ( vCB berharga negatif akan membuat sambungan kolektor - basis berpanjar maju dan akan mengalir iC berharga negatif). Untuk iE = 0, iC ICBO.

Gambar 2.21 Karakteristik transistor NPN untuk konfigurasi basis-bersama a) karakteristik basis, b) karakteristik emitter, c) karakteristik kolektor

2.2.6

PENGGUNAAN TRANSISTOR

Sebagaimana

tujuan

dari

pembuatan

transistor,

maka

transistor

awalnya dibuat untuk menguatkan (amplifier) signal-signal, daya, arus, tegangan dan sebagainya. Namun dikarenakan karakteristik listriknya, penggunaan transistor jauh lebih luas dimana transistor ini banyak digunakan juga sebagai saklar elektronik dan juga penstabil tegangan.

a. Transistor sebagai saklar Dengan memanfaatkan sifat hantar transistor yang tergantung dari tegangan antara elektroda basis dan emitter (Ube), maka kita dapat menggunakan transistor ini sebagai sebuah saklar elektronik, dimana saklar elektronik ini mempunyai banyak kelebihan dibandingkan dengan saklar mekanik, seperti : a. Fisik relative jauh lebih kecil, b. Tidak menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan. c. Lebih ekonomis. Prinsip saklar elektronik dengan transistor diperlihatkan seperti gambar 2.22 dimana dalam gambar tersebut diperlihatkan kondisi ON dan OFF nya.

Gambar 2.22 Prinsip Saklar Transistor

Kondisi OFF terjadi jika IC . RL = 0, dimana dalam kondisi ini tegangan UBE lebih kecil dari tegangan konduk transistor, sehingga tegangan UCE = UCC. Sedangkan kondisi ON atau disebut juga kondisi saturasi akan terjadi jika IC . RL = UCC , dimana dalam kondisi ini UBE sudah mencapai tegangan konduk transistor sehingga UCE = 0. Selain itu prinsip switching ini juga diterapkan

dalam rangkaian kaskade , yaitu rangkaian yang terdiri dari dua buah transistor dengan pengutuban berbeda PNP dan NPN yang dihubung seri seperti gambar 2.2.20 dimana saklar ini akan terbuka jika persambungan antara Kolektor transistor 1 (Q1) dan Basis transistor-2 (Q2) diberikan signal penyulut (trigger).

Gambar 2.23 Rangkaian Kaskade Transistor

b. Transistor sebagai pengatur tegangan (Voltage-Regulator)

Gambar 2.24 Regulator Tegangan dengan Transistor

Jika terjadi fluktuasi tegangan jala-jala pada sisi input atau jika ada perubahan beban RL, maka tegangan UCB akan berubah dengan jumlah yang sama, karena UZ tetap konstan sedangkan Ui = UCB + UZ. Pada saat terjadi perubahan tegangan ini, Uo akan konstan karena UBE praktis tidak terpengaruh oleh perubahan UCB.

Transistor mempunyai tiga buah elektroda, yaitu Emiter, Basis dan Kolektor dan juga terdiri atas dua jenis pengutuban yaitu PNP dan NPN. Transistor dibuat untuk keperluan penguatan arus, tegangan, daya (Amplifier). Karena karakteristik listriknya, transistor penggunaannya lebih luas diantaranya dapat digunakan sebagai saklar elektronik. Kondisi transistor dapat diuji dengan sederhana dengan menggunakan alat ohmmeter dari sebuah multitester pada tiga titik pengutuban dan dua arah (Forward dan Reverse), Suhu maksimal untuk transistor jenis germanium sekitar 75oC, sedangkan silikon sekitar 15 oC Karena transistor tidak tahan terhadap temperature yang berlebihan, maka biasanya digunakan peralatan pendingin seperti Heat-Sink, Fan atau Pasta Silikon guna menurunkan suhu tersebut agar terhindar dari kerusakan.

2.3 Alat dan bahan yang digunakan

a. Modul praktikum elektronika dasar. b. Osiloskop dua channel.

c. 2 buah multimeter analog maupun digital.

d. 2 buah variable Power supply e. kertas milimeter block f. g. i. disket 3 1,44 MB flash disk Datasheet transistor yang digunakan

h. Mistar

2.4 Langkah-langkah Percobaan 2.4.1 Testing kondisi BJT dan JFET

Untuk BJT periksalah kondisi transistor, dengan cara memeriksa dioda emiter dan dioda kolektor dari transistor. isilah tabel 2.1. Untuk JFET periksalah hambatan antara drain dan source untuk gate pada keadaan terbuka. Kemudian periksa pula hubungan antara gate dengan source. Isilah tabel 2.1 dan table 2.2 Hambatan Dioda Keterangan

Tabel 2.1 Resistansi dioda BJT

BJT

N 1 2

No Typ AVO Basis Emiter BC5 NP Analo 47 N Digital BC5 PNP Analo 57 Digital

Basis

Baik

Buruk Keteranga

Tabel 2.2 Resistansi channel JFET

FET AVO Hambatan No Type Meter Drain Source Gate 2SK1 chan Analo 9 nel- g Digital N 2.4.2 Karakteristik BJT dan JFET 1.Karakteristik BJT

Keterangan Keteranga Baik Buruk n

Buat rangkaian seperti pada gambar 2.1. Aturlah tegangan catu basis dan tegangan catu kolektor sehingga didapatkan harga-harga IB dan VCE sesuai dengan tabel 2.3. Gunakan multimeter untuk mengukur IB (Tegangan dari RB), IC (tegangan dari RC), dan VCE. Catat pengamatan anda pada tabel 2.3

Gambar 2.25 Rangkaian karakteristik BJT Tabel 2.3 Hasil pengamatan karakteristik BJT

N IB

VCE

VRE

IC

IE

Keterangan

o 1 2 3 4 5 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5

2. Karakteristik JFET

Buat rangkaian seperti pada gambar 2.2 Aturlah tegangan agar harga VGS dan VDS sesuai dengan tabel 2.4 catat besar ID pada tabel 2.4

Gambar 2.26 Rangkaian karakteristik JFET

Tabel 2.4 Hasil Pengamatan karakteristik JFET

No VGS 1 2 3 4 5 1.5

VDS VRD ID

IG

Keterangan

2.5

2.4.3 Konfigurasi BJT 2.4.3.1 Emiter stabilized bias

Sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya hfe transistor

dengan multimeter digital.

Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.6 Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin). Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 2.6

Gambar 2.27. Konfigurasi Emiter stabilized bias

Tabel 2.5 Hasil Pengamatan Konfigurasi Emiter stabilized bias

No 1 2 3 4

IB

IC

VCE

VBE

Keterangan

2.4.3.2 Voltage divider bias

Sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya hfe transistor dengan multimeter digital. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.7 Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin).

Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 2.7

Gambar 2.28. Konfigurasi Voltage divider bias

Tabel 2.7 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias

No 1 2 3 4

IB

IC

VCE

VBE

Keterangan

2.5 Konfigurasi JFET 2.5.1 Fixed bias

Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.9 Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin). Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari ID, IG, VDS, dan VGS.

Setiap 5 menit catatlah nilai dari ID, IG, VDS, dan VGS. Isi tabel 2.9

Gambar 2.29. Konfigurasi Fixed bias

Tabel 2.9 Hasil Pengamatan Konfigurasii Fixed bias

No 1 2 3 4

ID

IG

VDS

VGS

Keterangan

2.5.2. Voltage divider bias

Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.11 Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor dingin). Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari ID, IG, VDS, dan VGS. Setiap 5 menit catatlah nilai dari ID, IG, VDS, dan VGS. Isi tabel 2.11

Gambar 2.30. Konfigurasi Voltage divider bias

Tabel 2.11 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias

No 1 2 3 4

ID

IG

VDS

VGS

Keterangan

2.9 Daftar Referensi

1. http://adharul.lecture.ub.ac.id/files/2010/12/PrinsipkerjaFET1.pdf 2. http://starservicego.blogspot.com/2011/06/transistor.html 3. http://www.scribd.com/doc/83018882/Bias-Dalam-Transistor-BJT 4. http://ditembpoenyaa.blogspot.com/2011/11/bijunctiontransistor.html

5. http://lady-cuteelektronika.blogspot.com/ 6. ermach.staff.gunadarma.ac.id/Downloads/files/16107/BAB+3.pps