1

NDICE 1. TERMOLUMINESCNCIA........................................................................... 3
1.1. O QUE TERMOLUMINESCNCIA?.............................................................................3 1.2. DESCRIO FENOMENOLGICA DA TERMOLUMINESCNCIA ........................5 1.2.1. Estgio 1: Armazenamento da Energia ......................................................................5 1.2.2. Estgio 2: Liberao da Energia ...............................................................................10 1.2.3. Modelo Simplificado da Termoluminescncia..........................................................12

2. DOSIMETRIA TERMOLUMINESCENTE ..................................................... 15

2.1. APLICAO DA TERMOLUMINESCNCIA PARA DOSIMETRIA .......................15 2.1.1. Homogeneidade..........................................................................................................16 2.1.2. Reprodutibilidade.......................................................................................................16 2.1.3. Linearidade ................................................................................................................16 2.1.4. Dependncia Energtica ............................................................................................17 2.1.5. Dependncia Angular ................................................................................................20 2.1.6. Estabilidade................................................................................................................21 2.1.7. Sensibilidade Luz ....................................................................................................21 2.2. PRINCIPAIS CARACTERSTICAS DE ALGUNS TLD COMERCIAIS ....................24 2.3. TRATAMENTOS TRMICOS .........................................................................................24

3. INSTRUMENTAO.................................................................................... 26
3.1. LEITOR TL .........................................................................................................................26 3.1.1. Sistema Aquecedor.....................................................................................................26 3.1.2. Sistema de Deteco de Luz.......................................................................................28 3.1.3. Luz de Referncia ......................................................................................................29 3.2. FORNOS DE TRATAMENTO TRMICO......................................................................29 3.3. PINAS ................................................................................................................................30

4. ASPECTOS OPERACIONAIS E ERROS .................................................... 31

4.1. PRECISO E EXATIDO NA DOSIMETRIA TL.........................................................32 4.1.1. Estimativa da Incerteza em Medidas TL ...................................................................33 4.2. FONTES DE ERROS SISTEMTICOS NA DOSIMETRIA TL ...................................33 4.2.1. Erros Devidos aos Prprios TLD...............................................................................34 4.2.2. Erros Devidos ao Leitor e/ou ao Procedimento de Avaliao ..................................34 4.2.3. Erros Devidos aos Tratamentos Trmicos.................................................................34

5. APLICAO DA DOSIMETRIA TL EM MONITORAO INDIVIDUAL ..... 35

5.1. MONITORAO DE CORPO INTEIRO PARA FTONS DE 20 A 1250 KEV..........37

5.2. APLICAES ESPECIAIS ...............................................................................................38 5.2.1. Eltrons ......................................................................................................................38 5.2.2. Ftons de Baixa Energia ...........................................................................................38 5.2.3. Ftons de Alta Energia ..............................................................................................38 5.2.4. Nutrons .....................................................................................................................39

6. BIBLIOGRAFIA............................................................................................ 40

1. TERMOLUMINESCNCIA 1.1. O QUE TERMOLUMINESCNCIA? A termoluminescncia Dentre os um fenmeno luminescente termicamente alm da

estimulado.

fenmenos

termicamente

estimulados,

termoluminescncia, existe a emisso exoeletrnica termicamente estimulada (TSEE), a condutividade termicamente estimulada (TSC), a capacitncia termicamente estimulada (TSCap), a polarizao termicamente estimulada (TSP), e outros. Cada um desses fenmenos essencialmente um processo composto por dois estgios. No primeiro estgio, o material exposto a uma fonte externa de energia (irradiao), passando de um estado de equilbrio termodinmico para um estado metaestvel (armazenamento da energia). No segundo estgio, o material aquecido e sofre uma relaxao termoestimulada (retorna ao equilbrio, liberando energia). Em cada uma das tcnicas acima, a variao com a temperatura de uma propriedade especfica do material (luminescncia, condutividade, capacitncia, etc.) monitorada, enquanto o material retorna ao seu estado de equilbrio inicial (Figura 1).
Material em Equilbrio Irradiao Material Metaestvel

1 Estgio

2 Estgio

Material Metaestvel

Calor

Material em Equilbrio

Figura 1 - Representao esquemtica dos dois estgios de processo termicamente estimulado, como a termoluminescncia.

qualquer

Mas a termoluminescncia tambm um fenmeno luminescente. A luminescncia um fenmeno largamente conhecido que pode ser observado em slidos, lquidos ou gases. Quando se fornece energia a um material, uma parte desta pode ser absorvida ou reemitida em forma de luminescncia. Esta energia

emitida em forma de luz a luminescncia. O comprimento de onda da luz emitida caracterstico do material luminescente e no da radiao incidente. Dependendo do tempo entre a excitao e a emisso de luz, o fenmeno classificado como fluorescncia ou fosforescncia. Quando a emisso quase simultnea com a excitao (c < 10-8 s), desaparecendo quando esta termina, a luminescncia denominada fluorescncia. A luminescncia denominada fosforescncia quando a emisso de luz ocorre aps a excitao desaparecer (c > 10-8 s) e persiste por um tempo razoavelmente longo. Na fosforescncia, necessria a passagem por um estado de energia intermediria (estado metaestvel) e depende da temperatura. A figura 2 apresenta uma representao esquemtica de possveis transies energticas envolvidas nos processos de fluorescncia e fosforescncia.

estado excitado

estado excitado

(i)

(ii) ii)

estado metaestvel

estado fundamental

estado fundamental

Figura 2 - Estados energticos envolvidos nos processos de excitao e decaimento com emisso luminescente: (a) fluorescncia (no necessita de estado intermedirio); (b) fosforescncia (precisa de um estado metaestvel). A figura 3 apresenta uma srie de fenmenos luminescentes (rvore de fenmenos luminescentes), classificados quanto ao tipo de energia de excitao e quanto aos tempos entre a excitao e o decaimento luminescente. A termoluminescncia pode ser considerada uma fosforescncia de perodo longo, aps a irradiao do material. Na temperatura ambiente, a emisso termoluminescente (TL) tem uma meia-vida muito longa, mas sua meia-vida diminui com a temperatura. Em resumo, a termoluminescncia a emisso luminescente proveniente de um material, previamente irradiado, quando este aquecido. A termoluminescncia

no pode ser confundida com a radiao de corpo negro emitida por materiais quando estes so aquecidos at sua incandescncia. A termoluminescncia pressupe trs premissas: 1. O material tem que ser um isolante ou semicondutor, pois metais no apresentam propriedades termoluminescentes. 2. O material tem que ser capaz de armazenar energia durante sua exposio radiao. 3. A emisso luminescente estimulada com o aquecimento do material.

radio, foto, catodo, bio, quimio, tribo, eletro, sono luminescncia fluorescncia
(c < 10-8s)

fosforescncia
(c > 10-8s) perodo curto (c < 10-4s) perodo longo (c > 10-4s)

Figura 3 - rvore da famlia dos fenmenos luminescentes. A termoluminescncia pode ser considerada uma fosforescncia de perodo longo. Alm disto, uma importante e particular caracterstica da termoluminescncia que, aps o aquecimento ter estimulado sua luminescncia, o material no apresenta mais resposta TL, apenas resfriando-o e reaquecendo-o. Para tornar a apresentar resposta TL, o material precisa ser novamente exposto radiao. A curva de intensidade da luminescncia emitida, em funo da temperatura, denominada curva de emisso luminescente termoestimulada ou termoluminescente (curva TL). 1.2. DESCRIO FENOMENOLGICA DA TERMOLUMINESCNCIA 1.2.1. Estgio 1: Armazenamento da Energia O processo de absoro de energia, em cada tipo de material, depende do tipo da radiao incidente e do espectro de energia a ela associada. A absoro

desta energia, em materiais no metlicos, pode ocorrer atravs de diferentes processos. Cada um destes processos resulta em alguma modificao do material, classificada como defeito induzido por radiao. Um defeito induzido por radiao qualquer espcie eletrnica ou inica, fora de seu estado de equilbrio termodinmico, originada no material pela irradiao. Para ftons de energias inferiores a 10 MeV, o principal mecanismo de interao a excitao eletrnica. Esta excitao, de acordo com a energia do fton, pode ser realizada atravs de dois efeitos, que competem entre si: efeito fotoeltrico e efeito Compton. Quanto menor a energia do fton, maior a probabilidade de ocorrer o efeito fotoeltrico. O limite superior desta faixa de predominncia depende do nmero atmico efetivo do material (Zef), quanto maior o Zef, tanto maior a faixa energtica de dominncia do efeito fotoeltrico. S a partir de cerca de 10 MeV que a formao de pares eltron-psitron comea a ser significativa. No caso de irradiao com partculas carregadas, alm do processo de excitao eletrnica, tem-se o aumento do nmero de defeitos criados por deslocamento de tomos. No caso de irradiao com nutrons, o que prevalece so as reaes nucleares, que dependem da seo de choque dos elementos componentes do material. O mecanismo de produo de defeitos atravs do processo de excitao eletrnica ocorre via produo de par eltron-buraco (excitons). Um xciton possui grande mobilidade na rede. Para que parte desta energia absorvida fique armazenada por um intervalo de tempo apropriado necessrio que os defeitos criados possuam uma energia de ligao (ativao) superior a 25kT. Isto garantir que o material slido no possua energia trmica (vibracional) suficiente para excitar os estados associados a estes defeitos. Estes estados metaestveis so denominados armadilhas (de eltrons ou buracos). Tomando-se como exemplo um material com rede cristalina simples, do tipo dos halogenetos alcalinos (mais especificamente, o fluoreto de ltio - LiF), como mostra a figura 4, v-se que ao se formar, o tomo de Li perde o seu eltron mais externo (do orbital 2s), que passa a completar o orbital mais externo do tomo de F (orbital 2p). Os orbitais 2p dos ons negativos de F (F) no cristal vo contribuir para a formao da banda de valncia do material e os orbitais 2s dos

ons positivos de Li (Li) para a formao da banda de conduo. Energias entre o nvel mais alto da banda de valncia (maior energia de ligao) e o nvel mais baixo da banda de conduo (menor energia para movimentao no cristal) no so correlacionadas a nenhum estado possvel e formam a regio proibida ou gap, a no ser quando existem defeitos no cristal. Isto poder ser mais bem entendido adiante, com o auxlio da figura 6.

tomos Livres:
3

Li 1s: 2 eltrons 2s: 1 eltron F 1s: 2 eltrons 2s: 2 eltrons 2p: 5 eltrons

ons no Cristal:
3

Li 1s: 2 eltrons 2s: 0 eltron F 1s: 2 eltrons 2s: 2 eltrons 2p: 6 eltrons

Figura 4 - Estrutura cristalina do LiF. Mas, mesmo para cristais puros (sem impurezas), o equilbrio

termodinmico s atingido para uma certa concentrao de defeitos (intrnsecos). No caso dos halogenetos alcalinos, os principais defeitos intrnsecos so as vacncias. Em cada temperatura, o equilbrio termodinmico pressupe uma concentrao de pares de vacncias de nions (F) e ctions (Li), como mostra a figura 5. A vacncia de nion gera uma regio de carga positiva vida por acomodar um eltron, ou um estado localizado capaz de armadilhar um eltron (armadilha de eltron). O termo estado localizado usado para realar que o eltron tem seu movimento limitado a uma regio em torno da vacncia aninica. Um eltron que se localize nesta posio um eltron armadilhado, pois ele perde sua mobilidade na rede, ficando preso nesta posio da rede. Para retirar o eltron desta armadilha, preciso fornecer energia a ele. A energia deste

estado menor do que a energia da banda de conduo e muito maior do que a energia da banda de valncia (figura 6).

+ + + + -

+ + + + -

+ + + -

+ + + + -

+ + + + -

+ + + + -

+ + + + -

+ + + -

+ + + + -

vacncia de ction = armadilha de buraco

vacncia de nion = armadilha de eltron

Figura 5 Diagrama de energia do cristal puro de LiF, com a representao das bandas de valncia e conduo e dos nveis de energia relacionados aos defeitos intrnsecos.

banda de conduo
vacncia de Flor + e

Li(2s) armadilha de eltrons armadilha de buracos

nvel do Flor, vizinho vacncia de Ltio

banda de valncia

F(2p) F(2s) Li(1s) F(1s)

Figura 6 Representao planar de um cristal inico puro de halogeneto alcalino no estado de equilbrio termodinmico, com vacncias de nions e ctions. Estas vacncias podem ser associadas, respectivamente, a armadilhas de eltrons e buracos.

Os eltrons mais externos dos nions vizinhos s vacncias de ctions esto mais fracamente ligados do que os dos demais nions localizados longe das vacncias catinicas. Isto , estes eltrons possuem maior energia (esto menos ligados) do que os demais (sua energia maior do que a da banda de valncia). Estes eltrons geram um outro estado energtico possvel para o cristal. No equilbrio termodinmico este estado est ocupado. Quando desocupado (sem eltron), pode-se dizer que este estado est ocupado por um buraco (h = falta de eltron). Mesmo os cristais reais, ditos puros, possuem impurezas. Estes cristais, alm dos defeitos intrnsecos apresentam defeitos extrnsecos relacionados a estas impurezas. A figura 7 mostra alguns dos principais defeitos dos halogenetos alcalinos, com sua nomenclatura atual. A descrio de todos estes centros (eletrnicos e de buracos) apresentada na tabela 1. Em halogenetos alcalinos, o principal efeito da irradiao com ftons de energia menor do que 10 MeV a formao de pares de centros F e H, originados, respectivamente, pelo armadilhamento de eltrons e buracos. O tempo entre a irradiao e a formao destes centros da ordem de 10-11 s, incluindo as fases de excitao eletrnica, formao dos excitons e movimentao no cristal. Esta teoria conhecida como modelo de Pooley-Hersch.
e e

F
e
+

Fz

++

FA

h e

Vk

F2
e h

Figura 7 Principais defeitos em halogenetos alcalinos. Os quadrados significam vacncia de nion; a letra e, um eltron; a letra h, um buraco e os crculos, impurezas catinicas, mono ou divalentes.

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Tabela 1 Principais Centros Formados em Halogenetos Alcalinos CENTROS Eletrnicos F F F FA, FB FH FZ F2 F3 F4 F2 F2 de Buracos V Vk H I HA, HB buraco auto-aprisionado numa vacncia de um on alcalino buraco auto-aprisionado num par de ons halognios (X2) buraco preso a quatro ons halognios, ocupando trs posies adjacentes da rede (X4) on halognio intersticial centro H adjacente a uma ou duas impurezas de ons alcalinos, respectivamente vacncia de um on halognio vacncia de um on halognio que capturou um eltron vacncia de um on halognio que capturou dois eltrons centro F preso a uma ou duas impurezas de metais alcalinos, respectivamente centro F preso a uma impureza aninica centro F com um on metlico divalente vizinho par de centros F vizinhos arranjo triangular com centros F nos vrtices quatro centros F vizinhos ligados entre si centro F2 que perdeu um dos eltrons centro F2 que aprisionou um eltron adicional DESCRIO

1.2.2. Estgio 2: Liberao da Energia Todo processo de relaxao termicamente estimulado pode ser descrito por uma equao do tipo Arrhenius. Esta equao inclui o conceito de energia de ativao: uma barreira de energia potencial deve ser vencida para que o equilbrio possa ser atingido (figura 8). No caso da termoluminescncia, eltrons e buracos

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podem escapar de seus estados metaestveis (armadilhas) durante o aquecimento. A probabilidade desta excitao trmica dada por: p( T ) = s( T ) exp( E / kT )
(1)

onde s(T) um termo fracamente dependente da temperatura, denominado fator de freqncia e E a energia de ativao do processo. Este fator est relacionado com a freqncia de vibrao da rede no local e com a mudana de entropia associada liberao da carga. Ento, o aumento da temperatura aumenta a probabilidade de se encontrar o eltron com energia suficiente para ser liberado da armadilha (excitao).

E
equilbrio metaestvel

equilbrio estvel

Figura 8 - Energia de ativao (E) de um processo com barreira energtica. Este ganho de energia pode ser suficiente para levar o eltron at a banda de conduo ou apenas lev-lo a outro estado mais delocalizado disponvel (que pode ser visualizado como o aumento do raio de sua rbita em torno do stio que caracteriza o defeito localizado). Em ambos os casos, a movimentao do eltron pode lev-lo a voltar ao mesmo tipo de armadilha, ou a ser capturado em outro estado localizado (outro tipo de armadilha), ou, ainda, a se recombinar com buracos armadilhados (estados eletrnicos vazios abaixo do nvel de Fermi). Neste ltimo processo, o de recombinao, pode haver, no s emisso de fnons (emisso no radiativa), mas tambm, emisso de ftons (emisso radiativa). Se a recombinao ocorre com a emisso de ftons (luminescncia), diz-se que ocorreu termoluminescncia. Nos demais processos, a energia transferida para outro eltron ou para a rede, atravs de fnons. Durante o intervalo de tempo em que o eltron se encontra na banda de conduo (intervalo entre a excitao e sua

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posterior relaxao), ele contribui para o aumento da condutividade do material, gerando o efeito denominado condutividade termicamente estimulada. A curva de emisso TL, de um material previamente irradiado, em funo da temperatura apresenta picos. Cada pico est associado a um tipo de armadilha. A intensidade da emisso TL proporcional ao produto do nmero de eltrons armadilhados pela probabilidade de liberao destes eltrons (equao 1). Com o aumento da temperatura, a probabilidade de liberao dos eltrons armadilhados aumenta, mas a populao de eltrons armadilhados vai diminuindo de forma que a intensidade da luminescncia cresce at uma determinada temperatura (temperatura do pico de emisso) e depois comea a diminuir at atingir o valor zero, quando no h mais eltrons para serem liberados da armadilha. A forma do pico e a temperatura onde o mximo da intensidade ocorre depende da taxa de aquecimento utilizada. A curva de emisso TL de materiais reais composta do somatrio de vrios picos, cada um destes associados a um tipo de armadilha, com diferentes valores de energia de ativao e fator de freqncia (equao 1). A cor da luminescncia emitida (comprimento de onda associado energia do fton TL emitido) depende das transies de recombinao no material. Vrios picos TL podem estar associados a um mesmo comprimento de onda. As leitoras TL convencionais integram a curva de emisso TL em uma ampla faixa de comprimentos de onda, sem discrimin-los. Um exemplo de uma curva TL do dosmetro TL comercial de LiF:Mg,Ti (TLD100 da Harshaw), integrada em uma faixa de comprimentos de onda mostrada na figura 9(a). A figura 9(b) mostra a curva TL tridimensional deste mesmo material em funo da temperatura e do comprimento de onda.

1.2.3. Modelo Simplificado da Termoluminescncia Considerando um material em equilbrio termodinmico, a 0K, todos os estados eletrnicos associados a energias menores que a energia de Fermi esto ocupados e todos os estados com energia maior, esto desocupados. No caso de materiais semicondutores ou dieltricos puros, a energia de Fermi se localiza bem no meio do gap entre a banda de conduo e a banda de valncia. Fora de 0K, alguns eltrons comeam a ser excitados para energias maiores que a energia de

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Fermi e a distribuio se modifica. Mas, no equilbrio termodinmico a qualquer temperatura, a probabilidade de se encontrar um estado ocupado na energia de Fermi sempre 0,5, mesmo para materiais com impurezas. A figura 10 ilustra de forma simplificada, em um diagrama de bandas de energia a 0K, as diversas etapas envolvidas no fenmeno da termoluminescncia. No modelo esto representados: as bandas de valncia e conduo, o nvel de Fermi, uma armadilha de eltron e uma armadilha de buraco, que atua como centro de recombinao, isto , a luz emitida na transio para este nvel energtico.

Intensidade TL

Temperatura (C)

(a)
Intensidade TL Temperatura (C) comprimento de onda (nm)

(b)

Figura 9 - Curva TL do LiF:Mg,Ti (TLD-100), obtida com taxa de aquecimento de 2,5C/s, aps irradiao temperatura ambiente: (a) em um leitor TL comercial, integrando uma faixa de comprimento de onda; (b) em funo da temperatura e do comprimento de onda.

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cristal em equilbrio termodinmico

banda de conduo

Nvel de Fermi

banda de valncia

armazenamento da energia
armadilhamento de e e

radiao

armadilhamento de h

luminescncia termicamente estimulada

calor
liberao do e

luz
recombinao e+ h

Figura 10 Modelo simplificado da termoluminescncia.

15

2. DOSIMETRIA TERMOLUMINESCENTE 2.1. APLICAO DA TERMOLUMINESCNCIA PARA DOSIMETRIA O fenmeno da termoluminescncia pode ser usado para fins dosimtricos, pois a intensidade da emisso luminosa de um material TL, produzida no segundo estgio do processo, depende da quantidade de irradiao recebida no primeiro estgio (figura 1). Monitorando-se a liberao termicamente estimulada da energia durante a fase de aquecimento, atravs da medida da intensidade da luminescncia do material TL (em funo da temperatura), pode-se correlacionar esta informao com a intensidade da irradiao a qual o material foi exposto previamente. Para caracterizar a intensidade do feixe de irradiao preciso definir uma grandeza dosimtrica de interesse. A intensidade de luz emitida (TL) s pode ser correlacionada grandeza dosimtrica por um processo de calibrao. As caractersticas que um material TL deve possuir, para poder ser empregado em dosimetria TL, dependem muito da rea onde se pretende empreglo (individual, ambiental, alta dose, in vivo, etc.). Alm disso, a escolha de um material TL para uso como dosmetro (TLD = dosmetro ou detetor termoluminescente) depende do planejamento especfico da dosimetria. O desempenho de um TLD medido por algumas propriedades de sua resposta TL, mas a importncia relativa de cada uma delas depende muito da aplicao. Entretanto, qualquer que seja a aplicao, indispensvel conhecer as propriedades de sua resposta TL. As propriedades normalmente analisadas para verificar se um material TL pode ser utilizado para uma determinada aplicao dosimtrica sero discutidas resumidamente a seguir e so as seguintes: 1. homogeneidade do lote de material; 2. reprodutibilidade de um mesmo TLD; 3. faixa de linearidade em funo da grandeza dosimtrica de interesse; 4. dependncia energtica; 5. dependncia angular; 6. estabilidade, em diferentes condies climticas; 7. efeito da luz; 8. sinal residual;

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9. efeito da taxa de dose; 10. outros efeitos (triboluminescncia; quimioluminescncia; sinais esprios; auto-irradiao;...) O desempenho de um sistema dosimtrico com TLD normalmente medida por propriedades tais como: reprodutibilidade, linearidade, dependncia energtica e angular, limite inferior de deteco, estabilidade da informao armazenada, efeitos de condies ambientais. Este desempenho depende no s das propriedades individuais dos TLD usados nas medies, mas tambm de todos os demais materiais usados nos suportes dos TLD; dos procedimentos de tratamentos trmicos, armazenagem e avaliao dos TLD; dos algoritmos e do sistema de calibrao. Requisitos especficos para as propriedades de sistemas dosimtricos com TLD tm sido descritos em normas. Requisitos para uso de TLD em monitorao individual e ambiental constam, por exemplo, da norma IEC 1066. As normas brasileiras de certificao de servios de monitorao individual especificam critrios para sistemas TLD nesta rea. 2.1.1. Homogeneidade Para que um material possa ser usado como TLD preciso que se possa fabricar lotes que tenham sempre uma mesma resposta TL. A sensibilidade pode variar entre os lotes de fabricao, mas a forma e o comportamento da emisso TL tem que ser sempre o mesmo. Dentro de um mesmo lote de fabricao, ainda desejvel que a sensibilidade dos TLD seja a mesma, para que no seja necessrio o uso de fatores de calibrao diferentes para cada TLD. 2.1.2. Reprodutibilidade Se a resposta de TL de um material no for reprodutiva impossvel us-lo em dosimetria, pois no ser possvel fazer sua calibrao. 2.1.3. Linearidade Uma caracterstica desejvel para um TLD que exista uma relao linear entre a intensidade TL e a grandeza dosimtrica que se queira avaliar. E que a constante de proporcionalidade seja independente da taxa de dose. A maioria dos materiais TL apresenta esta resposta linear em uma determinada faixa de dose,

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independentemente da taxa (at taxas de pelo menos 108 Gy/s). A faixa de linearidade depende do material e, para doses maiores o material normalmente apresenta uma faixa de supralinearidade, seguida de sub-linearidade e saturao. O ndice de supra ou sub-linearidade para uma determinada dose D1 (f(D1)) pode ser definido pelo quociente entre as respostas TL normalizadas (R(D)) para as doses D1 e D0 (dose baixa, considerada como dose de referncia): f (D1 ) = R(D 1 ) R(D 0 )
(2)

Se este ndice for igual a 1, a regio dita linear; se for maior do que 1 supralinear e se for menor do que 1, sublinear. A figura 11 mostra o comportamento da resposta TL de 3 diferentes materiais, em funo da dose. Pode-se notar que, para o intervalo de doses da figura, o quartzo altamente supralinear, enquanto que o CaF2 praticamente linear e o LiF:Mg,Ti apresenta um crescimento linear, depois supralinear e finalmente sublinear, at a saturao.

102

TL (u.a.)

10

Dose (Gy)

10

102

103

104

Figura 11 Crescimento do sinal TL em funo da dose para: 1- pico de 100C do SiO2; 2- pico 5 do LiF:Mg,Ti (TLD-100); 3- CaF2:Mn (TLD-400).

2.1.4. Dependncia Energtica A intensidade da termoluminescncia emitida por um material proporcional quantidade de energia inicialmente absorvida pelo material. A dependncia energtica da resposta TL a variao da intensidade do sinal TL, para uma

18

determinada dose, em funo da energia da radiao incidente. Ento, importante avaliar a variao do coeficiente de absoro do material com a energia da radiao. Para ftons, a dependncia energtica de um TLD (variao da intensidade TL, para um mesmo valor da dose se quer avaliar, em funo da energia do fton incidente) pode ser obtida pela razo entre os coeficientes mssicos de absoro de energia (en/) do material do TLD e do meio de referncia (ar, gua, tecido equivalente,...) onde se quer estimar a dose. Para um fton de energia E, a resposta energtica do material para ftons (S(E)) obtida por: SE ( E ) = ( en / ) TLDl ( en / ) referncia
(3)

A absoro de energia no material pode ocorrer por produo de pares, espalhamento Compton ou efeito fotoeltrico. O processo dominante depende da energia do fton e do nmero atmico efetivo do material Zef. A componente fotoeltrica varia aproximadamente com Zef3, a componente Compton proporcional a Zef/M (sendo M a massa molar do material TL) e a produo de pares varia com Zef2. Interaes fotoeltricas dominam para ftons e baixa energia, mas o efeito Compton se torna dominante quando a energia cresce. A produo de pares importante apenas para energias maiores que dezenas de MeV. A faixa de energia de predominncia de cada um destes efeitos governada pelo Zef do material. Para materiais de baixo Zef, o efeito Compton o efeito principal para energia entre 25 keV e 10 MeV. Para aplicaes dosimtricas que visam a avaliao de doses em tecidos humanos, desejvel o uso de materiais TL com Zef prximo do tecido humano de Z ef = 7,4 (materiais equivalente a tecido). Entretanto, em algumas aplicaes, pode ser interessante usar TLD de maior dependncia energtica para se calcular a energia da radiao incidente. A figura 12 mostra a dependncia energtica para ftons de alguns TLD comerciais, considerando como referncia a grandeza kerma e o meio ar.

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Figura 12- Resposta TL em funo da energia dos ftons para kerma no ar: 1- CaF2:Mn (TLD-400); 2- CaSO4:Dy (TLD-900); 3- LiF:Mg,Ti (TLD-100); 4- BeO

A resposta de um material TL a partculas (eltrons) mais complexo que para ftons. Partculas carregadas perdem sua energia em pequenas quantidades, atravs de vrias colises e interaes radiativas. O parmetro chave o poder de freiamento dE / dx E ,Z , onde x a distncia percorrida pela partcula dentro do
ef

material. Este fator depende do Zef e da energia. A penetrao no material depende da energia. Quando a espessura do material TL maior que o alcance das partculas , a dose absorvida e o sinal TL medido dependem da energia. Desta forma, normalmente, materiais finos (~5 a 30mg/cm2) so mais indicados para medir doses provenientes de irradiao . Para partculas carregadas pesadas, a energia depositada em trilhas densamente ionizadas. A saturao precoce destes volumes localizados leva a uma sensibilidade TL menor do material, comparada de ou ftons.

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A resposta de materiais TL para nutrons ainda mais complexa e o clculo da dose de nutrons traz alguns problemas. Como os nutrons so partculas sem carga, o sinal TL s pode ser gerado atravs de interaes do material com partculas secundrias produzidas por reaes dentro do material. Materiais TL que possuam elementos com grande seo de choque para nutrons trmicos so utilizados para dosimetria de nutrons. A sensibilidade do material depende de sua composio isotpica. O 6Li e o 10B apresentam uma grande seo de choque para reao com nutrons trmicos. Desta forma TLD enriquecidos com estes istopos so muito sensveis a nutrons. A tabela 2 apresenta a resposta de alguns materiais TL para uma fluncia de 1010 nutrons trmicos por cm2 em termos de uma exposio equivalente a raios gama do 60Co. A resposta a nutrons rpidos provm da produo de prtons de recuo e partculas carregadas pesadas (fragmentos de fisso). A sensibilidade TL para estas partculas pequena, resultando numa resposta TL bem menor que para nutrons trmicos. Como, normalmente, as fontes de nutrons contm, tambm, uma componente gama significativa, para usar materiais TL em dosimetria de nutrons necessrio usar pelo menos dois materiais, um sensvel a nutrons e outro insensvel. Tabela 2 - Sensibilidade de alguns TLD para nutrons trmicos. TLD LiF (TLD 100) Li2B4O7:Mn 6 LiF (TLD 600) 7 LiF (TLD 700) CaF2:Mn CaSO4:Dy BeO 2.1.5. Dependncia Angular preciso conhecer qual a influncia do ngulo de incidncia da radiao sobre a resposta TL do material que se quer usar. Nas aplicaes prticas, o TLD sempre colocado em algum suporte, no se deve esquecer que a dependncia Resposta a nutrons trmicos (R 60Co/1010 cm-2) 350 310 1930 1,5 0,6 0,5 0,3

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angular da resposta TL de um TLD, assim como a dependncia energtica, tambm depende do tipo e geometria dos materiais destes suportes. 2.1.6. Estabilidade Se o sinal TL de uma amostra TL instvel com o tempo, isto , se sua resposta TL diminui com o tempo aps a irradiao, diz-se que o sinal desvanece. O desvanecimento ou "fading" pode ter vrias causas, mas a principal trmica. A tabela 3 apresenta o grau de desvanecimento trmico de alguns TLD comerciais. Reescrevendo a equao 1, tem-se que a constante de tempo para a liberao trmica de uma carga armadilhada em um nvel energtico E, com fator de freqncia s dada por:

= p 1 = s 1 exp(E / kT )
ento, de:

(4)

A meia-vida do desvanecimento trmico 1/2, para cintica de 1a ordem ,

1/ 2 = ln(2)

(5)

Para que o sinal TL de um determinado material seja estvel preciso que

1/2 seja muitas vezes maior que o tempo de exposio e o perodo entre sua
exposio e sua leitura. Na prtica, os valores reais de 1/2 podem no coincidir com os calculados teoricamente pelas equaes 10 e 11, pois o modelo muito simplificado, como comentado no captulo anterior. A umidade e a luz tambm podem influenciar no desvanecimento de alguns materiais TL. Materiais no higroscpios so preferveis para dosimetria TL. 2.1.7. Sensibilidade Luz Uma considerao importante na escolha de um TLD o quo estvel o seu sinal nas condies ambientais aonde o dosmetro ser usado. Isto , necessrio saber se a carga armadilhada no material pode ser liberada (antes da leitura) por calor (desvanecimento trmico), luz (desvanecimento ptico), ou qualquer outra causa (desvanecimento anmalo). A umidade tambm pode causar o desvanecimento de alguns materiais, por isto materiais no higroscpios so normalmente preferveis para a dosimetria TL. Estes desvanecimentos (ou

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fading) podem levar a uma sub-estimativa da dose e precisam ser evitados ou corrigidos. Os princpios do desvanecimento trmico so bem conhecidos, pois est ligado prpria estimulao da termoluminescncia. Quanto maior a temperatura maior a probabilidade de liberao das cargas armadilhadas. Quando a profundidade da armadilha muito pequena, a probabilidade de liberao do eltron muito grande, mesmo na temperatura ambiente, e o desvanecimento grande. O desvanecimento ptico causado pela absoro de energia dos ftons provenientes da luz do sol ou de qualquer outra fonte de luz. Estes ftons podem estimular as transies eletrnicas no material, podendo liberar eltrons armadilhados, causando o desvanecimento. Ao contrrio do efeito de desvanecimento, a luz, principalmente luz ultravioleta - UV, pode induzir um sinal TL no material (sinal esprio). A absoro da energia dos ftons de luz pode transferir eltrons para nveis energticos de armadilhas envolvidas no processo TL do material, tanto a partir de nveis energticos do estado de equilbrio (estados ocupados abaixo do nvel de Fermi figura 1), quanto de armadilhas muito profundas no liberadas na leitura TL. Este ltimo fenmeno gera a chamada TL fototransferida (PTTL), que pode ser usada para reavaliar um dosmetro j lido. Todos os efeitos ticos dependem do comprimento de onda (energia) da luz incidente no material. 2.1.8. Sinal Residual A irradiao de materiais TL com doses altas (doses acima de sua faixa de linearidade) pode gerar defeitos no material que no possam mais ser revertidos. Depois destes danos, a resposta dos TLD no irradiados aumenta, este incremento chamado sinal residual. Aps vrios ciclos de irradiao (mesmo de baixas doses) e aquecimentos, sempre h um sinal residual crescente, o que varia de um material para outro o quanto isto significativo, e a partir de que exposio acumulada e de quantos ciclos trmicos. A sensibilidade dos TLD tambm modificada com o acmulo de ciclos de aquecimento e irradiao e com a exposio a doses muito altas.

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2.1.9. Taxa de Dose Estudos demonstraram que a resposta dos TLD mais utilizados no modificada at taxas de dose de cerca de 109 Gy/s. Para fins de radioproteo, a resposta destes TLD pode ser considerada independente da taxa de dose. 2.1.10. Outros Efeitos Um material para ser usado com fins dosimtricos no pode sofrer nenhuma mudana fsico-qumica durante os repetidos processos de tratamento trmico, irradiao e leitura. Muitos materiais podem ser reutilizados vrias vezes sem nenhuma modificao visvel no material. As amostras TL devem ser quimicamente inertes, principalmente quando existe a possibilidade de sinais TL esprios provenientes de reaes com a atmosfera, tanto durante a irradiao quanto durante a leitura. Reaes de oxidao superficial, por exemplo, podem gerar sinais TL no induzidos pela radiao, aumentando o mnimo detectvel e piorando a reprodutibilidade do material. A reprodutibilidade de um TLD conseqncia direta de sua estabilidade e pode ser calculada, para uma dada dose, pelo desvio padro de um conjunto de medidas realizadas nas mesmas condies de irradiao e leitura. A reprodutibilidade depende no s do TLD, mas tambm da dose e do sistema e condies de leitura. A triboluminescncia um sinal esprio que deve ser evitado. O mecanismo deste fenmeno no bem conhecido, mas acredita-se que este seja produzido pela frico dos cristais. As tenses superficiais criadas liberariam sua energia em forma de luz durante o processo de aquecimento. Sendo um fenmeno superficial, a triboluminescncia depende fortemente da forma fsica do detetor, sendo maior quanto maior for sua rea superficial em relao ao volume. A triboluminescncia pode ser evitada apenas aquecendo-se o TLD na ausncia de oxignio, isto , em atmosfera inerte, normalmente nitrognio gasoso.

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2.2. PRINCIPAIS CARACTERSTICAS DE ALGUNS TLD COMERCIAIS A tabela 3 mostra algumas das principais caractersticas dosimtricas de alguns TLD fabricados e comercializados pela Harshaw/Bicron. Tabela 3 - Caractersticas de alguns TLD fabricados e comercializados pela Harshaw/Bicron
Caractersticas LiF:Mg,Ti (TLD-100) LiF:Mg,Cu,P (TLD-100H) 8,2 0,98 230 400 1 Gy a 10 Gy 15 a 25 desprezvel fraca Materiais CaF2:Mn Al2O3:C (TLD-400) (TLD-500) 16,3 ~13 260 10,2 2,9 185 Li2B4O7:Mn (TLD-800) 7,4 0,9 200 530 a 630 (max. 605) 0,5 mGy a 5 10 Gy 0,15 p/leitor Harshaw < 5% em 3 meses mdia CaSO4:Dy (TLD-900) 15,5 12,5 220 480 e 570 1 Gy a 100 Gy 20 ~ 8% em 6 meses mdia

Nmero atmico 8,2 efetivo Resp. energtica 1,25 60 (30 keV/ Co) Temperatura do 195 pico principal (C) Espectro de 350 a 600 emisso (nm) (max. 400) Faixa de 10 Gy a utilizao 10 Gy Sensibilidade p/ 60 1 Co relativa ao TLD-100 Desvanecimento ~ 5% em 1 ano otimizado a 25C Sensibilidade fraca luz

440 a 600 420 (max. 500) 0,1 Gy a 0,05 Gy a 100 Gy 1 Gy 10 30

~ 4% em 3 ~ 3% em 1 meses ano forte forte

2.3. TRATAMENTOS TRMICOS A resposta TL dos materiais modificada por tratamentos trmicos. Desta forma, possvel melhorar ou piorar algumas de suas caractersticas. Cada material escolhido para ser usado como TLD precisa ter suas condies otimizadas e bem determinadas de tratamento(s) trmico(s). Normalmente, TLD comerciais so vendidos com informaes sobre os tratamentos trmicos necessrios. A reutilizao confivel de materiais TL requer o uso de procedimentos de tratamentos trmicos otimizados e reprodutivos. O recozimento ou tratamento trmico de pr-irradiao um processo de aquecimento do material at uma dada temperatura, seguido de resfriamento. s vezes, aps a irradiao, tambm recomendvel o uso de outro tratamento trmico, chamado de ps-irradiao.

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O objetivo do recozimento de restabelecer o equilbrio termodinmico dos defeitos que existia no material antes da irradiao e da leitura. Adicionalmente, como a sensibilidade TL de um determinado pico afetada pela presena de armadilhas profundas, competitivas e desconectadas termicamente, necessrio esvaziar estes centros mais estveis, caso eles existam, atravs de recozimentos a altas temperaturas. Entretanto, a escolha incorreta de tempos e temperaturas de tratamento trmico pode ter o efeito inverso ao desejado. Variaes na taxa de resfriamento, aps o recozimento, apesar de no ser normalmente indicada pelos fabricantes de materiais TL, afetam sua resposta. Defeitos pouco estveis temperatura ambiente (armadilhas rasas) devem ser esvaziados intencionalmente com um tratamento trmico (ps-tratamento) antes de sua leitura. Este tratamento normalmente feito em uma temperatura de at 100C e por pouco tempo, para afetar o mnimo possvel o pico dosimtrico do material. Este tratamento pode ser feito em um forno ou no prprio leitor e serve para aumentar a estabilidade do sinal TL.

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3. INSTRUMENTAO O procedimento bsico de avaliao de um material TL extremamente simples. Construir um instrumento de leitura de TLD seria muito fcil, no fossem alguns problemas intrnsecos do mtodo, tais como: o  mtodo destrutivo; histria trmica; o  comportamento de um detector TL fortemente influenciado por sua a  dosimetria TL um mtodo relativo, sendo importante a estabilidade do podem ocorrer sinais TL no provenientes da radiao.  3.1. LEITOR TL Um leitor TL consiste basicamente de duas partes: um  sistema aquecedor, e um  sistema de deteco de luz. Os leitores podem ser manuais ou automticos. Leitores automticos podem processar diversos monitores inteiros, sem necessidade de interveno do operador. Os monitores so normalmente colocados em fila em cassetes no leitor que os abre e l, ininterruptamente, armazenando suas leituras para posterior anlise ou j calculando as dose, conforme um algoritmo preestabelecido. Em leitores manuais, preciso abrir os monitores e manusear cada TLD individualmente, colocando-os em pranchetas no interior do leitor. A figura 13 mostra um diagrama esquemtico de um leitor TL manual. sistema de leitura e uma calibrao correta;

3.1.1. Sistema Aquecedor O aquecimento de um leitor TL pode ser feito por contato (hmico), por aquecimento gasoso, por luz infravermelha, por laser, e outros. A taxa de aquecimento pode variar de poucos graus a milhares degraus por segundo. O mais importante em um sistema de aquecimento de um leitor TL que este seja capaz de garantir a reprodutibilidade do ciclo trmico.

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Os primeiros leitores TL utilizavam aquecimento por contato trmico e taxas lineares de aquecimento , tanto para fins cientficos como para medidas rotineiras, o que permitia a anlise dos diversos picos da curva de emisso em funo da temperatura. Atualmente, para diminuio do tempo de leitura, so utilizados aquecimentos rpidos, no lineares, em algumas medidas de rotina.

tubo fotomultiplicador

eletrnica associada

sistema ptico filtro

sada de dados

controle de temperatura

Figura 13 Diagrama esquemtico de um leitor TL. O mtodo mais comum de aquecimento consiste no aquecimento de uma prancheta metlica de baixa capacidade trmica, na qual colocado o TLD. A forma da prancheta pode ser adaptada para os diversos tipos de forma e tamanho dos TLD. O controle da temperatura em funo do tempo feito atravs do controle da voltagem aplicada. Um termopar em contato direto com a prancheta mede sua temperatura durante todo o ciclo de leitura. Outro mtodo de aquecimento usa um bloco metlico ("hot finger"), mantido a

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uma determinada temperatura alta por um elemento aquecedor resistivo, que colocado em contato com o detector. Esta tcnica no serve para pesquisa, mas como produz uma taxa de aquecimento rapidssima pode ser interessante para grandes rotinas. No final dos anos 60, o prprio nitrognio gasoso, usado para diminuir a quimioluminescncia dos materiais TL, comeou a ser utilizado para aquecer o dosmetro. A principal vantagem deste mtodo o perfeito contato trmico entre o detector e o meio aquecedor. Alm disso, o tempo de aquecimento reduzidssimo (cerca de 10 s), o sinal de fundo baixo, a reprodutibilidade excelente, e fcil a utilizao de qualquer tipo e forma de dosmetro, mesmo em processos automatizados. A desvantagem a mesma do "hot finger": o ciclo de aquecimento no linear nem pode ser programado, sendo til s para medidas de rotina. Alm destes sistemas mais comuns de aquecimento, ainda podem ser usadas outras tcnicas, tais como radiofreqncia, aquecimento ptico e outros.

3.1.2. Sistema de Deteco de Luz A luz emitida pelo TLD, depois de passar atravs de um sistema de filtros pticos, detectada por um tubo fotomultiplicador, que pode ser utilizado em modo de integrao de corrente ou contagem de ftons. O mais comum em leitores comerciais o modo de corrente integrada, onde os ftons so convertidos em corrente eltrica e integrada no tempo como carga. Este sinal pode ser coletado por outros instrumentos de sada de dados analgicos ou digitais. O prprio leitor pode fornecer apenas um registro do sinal integrado, possuir um mostrador analgico ou um visor que mostre o sinal luminoso em funo do tempo de aquisio, ou pode-se ter armazenamento de toda a curva em microcomputadores, com possibilidade at de deconvoluo destas, com uso de algoritmos sofisticados de clculo de dose. Para atingir a eficincia mxima de deteco, toda a luz produzida pelo TLD deve atingir a camada sensvel do detector de luz, o que poderia ser obtido atravs do contato direto entre o TLD e o fotocatodo. Entretanto, devido sensibilidade trmica do fotocatodo, necessria uma separao trmica entre o TLD e o fotocatodo. Este isolamento trmico facilmente alcanado colocando-se

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o detector de luz do lado do sistema aquecedor, ao invs de sobre o aquecedor e usando-se sistemas de espelhos. O sistema ptico deve ser projetado de forma que a coleta de luz no seja afetada por mudanas na posio do dosmetro. Os filtros ticos so usados tambm para diminuir a interferncia da emisso infravermelha. O tubo fotomultiplicador deve ser escolhido de forma que sua sensibilidade seja mxima na regio de comprimento de onda do material TL. Por exemplo, o LiF emite na regio azul-cinza, enquanto o Li2B4O7 emite no vermelho. Para resultados otimizados, claro que estes materiais exigem tubos fotomultiplicadores diferentes. Alm disso, desejvel uma baixa resposta a outros comprimentos de onda, principalmente, prximos ao do infravermelho.

3.1.3. Luz de Referncia Para testes regulares da sensibilidade de todo o sistema de leitura utilizada uma fonte de luz de referncia. Uma fonte de luz constante colocada na mesma posio do TLD pode detectar mudanas de sensibilidade tanto do tubo fotomultiplicador quanto do sistema tico ou do circuito eletrnico. Normalmente, estas fontes de luz so feitas com istopos radioativos de meias-vidas longas (14C ou 90Sr) encapsulados em materiais cintiladores, mas podem ser usados tambm leds. A luz emitida por esta fonte de referncia deve ter composio espectral similar do TLD em uso. Esta luz de referncia pode fazer parte do leitor (fonte interna) ou ser um acessrio independente (fonte externa). 3.2. FORNOS DE TRATAMENTO TRMICO Todos os tratamentos trmicos realizados fora do leitor TL devem ser realizados em fornos especiais. Os fornos utilizados para os tratamentos trmicos ser reservados somente para esta finalidade, para que sejam evitadas contaminaes por deposio de outras substncias qumicas na superfcie dos materiais TL, o que modificaria sua resposta. A temperatura deve ser controlada dentro de 1 ou 2C, com conveco forada, evitando-se, assim, os gradientes de temperatura, de forma que todas as amostras (TLD) atinjam a temperatura

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desejada, ao mesmo tempo, independentemente de sua posio dentro do forno. As taxas de aquecimento e resfriamento devem ser sempre as mesmas. Podem ser utilizados fornos com um nico ajuste de temperatura, que neste caso devem primeiro atingir a temperatura desejada para depois receber os TLD que sero retirados a esta mesma temperatura, aps o tempo estipulado; ou fornos automticos que reproduzem sempre o mesmo ciclo de aquecimento controlado, no qual os TLD so colocados temperatura ambiente e s so retirados, aps esta temperatura ser atingida novamente. 3.3. PINAS Materiais TL que no se encontrem em forma de p, nem incorporados em cartes e/ou monitores para processamento automtico devem ser manipulados cuidadosamente, para evitar qualquer contato com a gordura da mo ou qualquer outro material que possa contaminar a superfcie do TLD. Materiais em forma de chips, rods ou discos devem ser manipulados com pinas. Pinas metlicas devem ser evitadas, pois podem arranhar a superfcie dos detectores induzindo um sinal esprio (triboluminescncia). No caso de uso destas pinas recomendvel o uso de uma cobertura suave e limpa de suas pontas. Esta cobertura pode ser de teflon ou outro material macio e fcil de limpar ou trocar. Pinas a vcuo so ideais para o manuseio de TLD. Elas so confeccionadas com uma pequena bomba de vcuo e um tubo de pequeno dimetro conectado bomba por uma mangueira flexvel. O tubo deve possuir um pequeno orifcio para fechar e abrir a entrada de ar, fazendo com que o TLD fique preso a ele pelo vcuo ou se solte, conforme mostra a figura 14. O uso de pinas a vcuo aumenta a vida til dos TLD.
(A)
tubo de suco p. bom ba de vcuo

(B)
p. bom ba de vcuo

(C)
p. bom ba de vcuo

TLD

Figura 14 - Diagrama do uso de pina a vcuo: (A) incio da suco do TLD, (B) movimentao do TLD preso na pina a vcuo e (C) liberao do TLD.

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4. ASPECTOS OPERACIONAIS E ERROS Qualquer anlise de fatores de erros em dosimetria TL tem de considerar no s a instabilidade do leitor, mas todos os parmetros e grandezas de influncia durante os tratamentos trmicos, a irradiao, o armazenamento e a leitura, como mostra a figura 15.

IRRADIAO

 Temperatura  Direo de Incidncia  Equilbrio de Partculas  Energia

 Temperatura  Luz

Armazenagem

 Temperatura  Luz

Armazenagem

 Temperaturas  Taxas de aquecimento

e resfriamento  Tempos

Recozimento

 Temperatura  Tempo

Tratamento Trmico

AVALIAO

 de Aquecimento Taxa  Temperatura Mxima de Leitura  de Resfriamento Taxa

Figura 15 - Diagrama dos principais parmetros causadores de erros em um ciclo de medida em dosimetria TL.

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Alm disso, cuidados adicionais devem ser observados, para que um bom desempenho com a dosimetria TL seja atingido, tais como: seleo e preparao de TLD de massa aproximadamente iguais;  imperfeio; plstica; e

rejeio dos TLD que apresentarem colorao diferente ou qualquer outra  cuidado no manuseio dos TLD, usando-se pina a vcuo ou pina  armazenamento dos TLD, quando no estiverem em uso, em recipientes  opacos para impedir sua exposio luz, em temperatura adequada e longe de qualquer fonte radioativa. 4.1. PRECISO E EXATIDO NA DOSIMETRIA TL Assim como em todas as medidas, a dosimetria TL tambm tem associada a ela incertezas randmicas (aleatrias) e sistemticas. A preciso das medidas est relacionada s incertezas randmicas das medidas, e pode ser bem representada por seu desvio padro. Pequena preciso significa grandes incertezas randmicas. Exatido a proximidade que se espera de uma medida a seu valor verdadeiro. Grande exatido significa que a medida e o valor esperado da grandeza medida so muito prximos. Ao contrrio das incertezas randmicas que podem ser tratadas estatisticamente, as incertezas sistemticas so difceis de serem tratadas pois, normalmente, no se conhece sua distribuio de probabilidade. As variveis mais importantes que influenciam a exatido das medidas TL esto associadas com a calibrao do sistema dosimtrico e com o comportamento do dosmetro quando exposto a diferentes campos de radiao, isto , dependncia energtica, dependncia angular, dependncia com taxa de dose, etc. Para evitar estes erros, necessrio que se faa calibraes em campos de mesma qualidade de radiao ou, conhecendo-se as diferenas entre os campos, fazer as devidas correes, ou ainda, utilizar filtros e/ou algoritmos que minimizem a variao da resposta do monitor. Outros erros, como posicionamento errado do TLD na prancheta do leitor, devem simplesmente ser evitados.

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4.1.1. Estimativa da Incerteza em Medidas TL A preciso, desvio padro (), associada a uma nica leitura de um TLD pode ser descrita pela seguinte equao emprica, em funo da dose:
2 (D) = 0 + ( lote D )2 ,

(6)

onde lote o desvio padro relativo do lote, para doses onde os efeitos de background podem ser desprezados, e o o desvio padro da leitura de TLD no irradiados do mesmo lote (dose zero), na mesma unidade de D. A figura 16 mostra o ajuste desta equao para o desvio padro relativo percentual de um lote de TLD-100 avaliado no sistema TL do Laboratrio de Dosimetria Termoluminescente da Diviso de Monitorao Externa do Departamento de Monitorao Individual do IRD.

60 55 50

Desvio padro percentual (%)

45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 0 2 4 6 8 10

Kerma no ar (mGy)

Figura 16 Exemplo do ajuste emprico de uma curva de desvio padro relativo percentual para um lote de TLD-100. 4.2. FONTES DE ERROS SISTEMTICOS NA DOSIMETRIA TL Existem diversas fontes de erros na dosimetria TL. Abaixo algumas das causas de erros, que devem ser evitados na dosimetria TL, encontram-se listadas.

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4.2.1. Erros Devidos aos Prprios TLD conjugado);

variao das propriedades ticas dos TLD (detector ou material  variaes de temperatura (e/ou umidade), no consideradas no processo  de calibrao; efeitos de luz; 

efeitos devidos dependncia energtica e angular da resposta do TLD;  contaminao no radioativa do material TL;  variao da massa de material TL no TLD;  procedimentos de limpeza no efetivos e no reprodutivos do TLD;  armazenagem e/ou manuseio incorretos dos TLD;  radiao. 4.2.2. Erros Devidos ao Leitor e/ou ao Procedimento de Avaliao instabilidade do sistema de leitura e equipamentos perifricos;  instabilidade da fonte de luz de referncia; 

mudanas na sensibilidade do TLD devido a danos causados por 

no  reprodutibilidade e variao do fluxo de gs inerte nitrognio; calor entre TLD e aquecedor;

no  reprodutibilidade da posio do TLD no leitor e da transferncia de variaes na leitura de dose zero;  medida;

no  consistncia do ciclo trmico de leitura durante a calibrao e a mudanas nas propriedades ticas do instrumento de leitura, em  particular variaes na refletncia do elemento aquecedor. 4.2.3. Erros Devidos aos Tratamentos Trmicos

no  reprodutibilidade do tratamento trmico pr- irradiao (recozimento); no  reprodutibilidade do tratamento trmico ps-irradiao; no  reprodutibilidade do tratamento trmico durante a leitura.

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5. APLICAO DA DOSIMETRIA TL EM MONITORAO INDIVIDUAL A dosimetria TL pode ser utilizada em diversos tipos de aplicaes. A escolha do sistema TL deve ser feita levando-se em conta as necessidades da aplicao em questo e a as limitaes de cada TLD disponvel. Alm disso os procedimentos de manuseio, armazenagem, leitura e calibrao tambm devem ser adequados aplicao. As principais reas onde os TLD so cada vez mais empregados esto esquematizadas na figura 17. Nesta apostila ser apresentada apenas a aplicao da dosimetria TL em dosimetria individual externa.

Individual

Ambiental

extremidade

corpo inteiro

tecido

terrestre

espacial

Alta Dose
Clnica

radiologia diagnstica

radioterapia

Esterilizao de alimentos Reator

Teste de materiais

Figura 17 Principais reas de aplicao da dosimetria TL.

O objetivo primrio da dosimetria individual externa a monitorao da dose de radiao recebida por cada trabalhador durante sua exposio ocupacional de rotina a fontes externas de radiao. A monitorao pessoal baseia-se nas recomendaes internacionais da "International Commission on Radiological Protection" - ICRP. A funo da monitorao individual medir, para poder limitar, as doses absorvidas pelos trabalhadores individualmente. Adicionalmente, a monitorao individual serve para dar informao suplementar sobre prticas de trabalho e tendncias de dose, alm de dar suporte na determinao da dose absorvida no caso de uma superexposio acidental.

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Segundo a ICRP, a monitorao dos trabalhadores a maneira mais rpida e prtica de se avaliar as condies de exposio destes s radiaes. Como monitorao se entende a medida da radiao, com a finalidade de se estimar, confirmar ou acompanhar a exposio, e a interpretao dos resultados. O programa de monitorao representa mais do que simples medidas, ele envolve tambm a interpretao dos regulamentos e normas internas de cada pas, e das recomendaes internacionais. O acompanhamento e a anlise das doses recebidas pelos trabalhadores fornecem subsdios importantes para discusses a respeito do sistema de limitao de dose. A monitorao individual pode ser dividida em 3 subcategorias: corpo inteiro, extremidade e pele. A dosimetria individual de corpo inteiro visa a determinao do equivalente de dose em uma profundidade de 1000 mg/cm2 (1 cm) no tecido humano abaixo de um ponto da superfcie do corpo e/ou do equivalente de dose em rgos crticos. O interesse, neste caso, a radiao penetrante, como raios , raios X acima de 15 keV e nutrons. A dosimetria individual de extremidade deve determinar o equivalente de dose mximo recebido em qualquer parte das mos, braos ou pernas das pessoas expostas. A dosimetria de pele visa determinar o equivalente de dose em uma profundidade de 5 a 10 mg/cm2. Neste caso, o interesse recai sobre as radiaes pouco penetrantes, como partculas e raios X abaixo de 15 keV. Evidentemente, uma caracterstica importante de um material TL para aplicao em dosimetria individual a sua equivalncia ao tecido humano. A faixa de doses de interesse varia de cerca de 10-4 a 100 Sv, com uma incerteza da ordem de 1020%. Um sistema de dosimetria individual de rotina deve ser capaz de estimar a dose mxima recebida pela pele, pelo cristalino e pelo corpo, usando um ou vrios dosmetros. Na maioria dos casos, os monitores individuais so projetados para medir a dose equivalente em duas profundidades diferentes: na pele (superficial) a 5-10 mg.cm-2 de profundidade e a dose de corpo inteiro (profunda) a 4001000 mg.cm-2, o que costuma ser suficiente inclusive para estimar a dose no cristalino. S em condies especiais, onde haja irradiao de ftons de baixa

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energia ou partculas beta de alta energia, ser preciso um controle adicional para o cristalino. 5.1. MONITORAO DE CORPO INTEIRO PARA FTONS DE 20 A 1250 keV O tipo mais simples de monitor individual com TLD, para estimar dose efetiva, contm dois TLD, aproximadamente equivalentes a tecido, sendo um deles sob um filtro, para correo da dependncia energtica. Este monitor deve ser usado na parte mais exposta do trax. Monitores mais sofisticados utilizam TLD com Zeff diferentes em baixo de diferentes filtros, o que pode permitir, alm do clculo da dose, informaes sobre a qualidade e direo da radiao, atravs de algoritmos matemticos apropriados. O projeto de um monitor individual baseia-se em vrios parmetros, incluindo a escolha do detector, tipo de radiao a ser medida, nmero de pessoas a serem monitoradas e o sistema de avaliao a ser usado. Quando o monitor utilizado no corpo pode no fornecer uma boa indicao da dose absorvida em uma extremidade, tal como as mos, isto , quando durante o perodo de trabalho espera-se que a dose absorvida em uma extremidade seja significativamente maior que a do corpo, recomendvel o uso de um monitor de extremidade. A configurao particular escolhida depender da tarefa manual a ser executada e a estimativa resultante da distribuio de taxa de dose na extremidade. Normalmente, so utilizados anis dosimtricos. No Brasil, os critrios de aceitao para monitores individuais de corpo inteiro para ftons de 20 a 1250 keV foram definidos no documento IRD-RT- N002.01/95. Para que um laboratrio de TLD seja certificado pelo IRD/CNEN para prestar servios de monitorao individual externa preciso que o mesmo cumpra, alm dos requisitos de desempenho do sistema TL, todas as etapas do processo de certificao definidas na portaria n1 de 25/08/95 da CNEN, publicada no Dirio Oficial da Unio em 04/10/95. Os processos de certificao so avaliados pelo Comit de Avaliao de Servios de Monitorao Individual Externado IRD CASMIE/IRD. A grandeza operacional adotada no pas para estimar o equivalente de dose de corpo inteiro para ftons a dose individual, Hx, definida como o valor

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avaliado pelo detector, calibrado em exposio ou kerma no ar, multiplicado pelo fator f = 0,01 Sv/R, para exposio, ou f = 1,14 Sv/Gy, para kerma no ar. 5.2. APLICAES ESPECIAIS 5.2.1. Eltrons Em campos mistos de radiao e , preciso estimar a dose equivalente na pele e no corpo todo. Para atingir este objetivo, o monitor deve conter pelo menos dois elementos TL equivalentes a tecido, com blindagens diferentes. Estas blindagens, ou filtros, podem ser por exemplo materiais equivalentes a tecido de cerca de 7 mg/cm2 e 500 ou 1000 mg/cm2, respectivamente. Entretanto, necessrio no esquecer que a adio de filtros pode contribuir para piorar a dependncia angular da resposta dos TLD. Portanto imprescindvel a caracterizao total do monitor como um todo e no em partes. Para eltrons de energia menor que 1 MeV, a resposta TL varia significativamente com a distribuio de energia no TLD, dependendo de sua espessura e do filtro. Idealmente, a dose na pele devida a radiaes pouco penetrantes deve ser medida por um TLD equivalente a tecido com espessura de 5 mg/cm2 coberto por um material tambm equivalente a tecido de 5 mg/cm2 de espessura. Espessuras maiores tanto do detector quanto de sua cobertura subestimam a dose e fatores de correo devem ser usados. 5.2.2. Ftons de Baixa Energia A subestimativa na avaliao da dose devida a ftons com energia abaixo de 20 keV depende da espessura e forma do TLD e da auto-absoro no monitor. A resposta pode ser melhorada com o emprego de detectores finos. 5.2.3. Ftons de Alta Energia A resposta dos TLD diminui para ftons de energias acima de 1 MeV, resultando numa subestimativa da dose, que depender da espessura e da forma do TLD e, acima de tudo, dos filtros do monitor. Para o LiF, um filtro de alumnio de 1 cm parece ser suficiente para corrigir doses devidas a ftons de at 6 MeV.

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5.2.4. Nutrons A monitorao individual em campos de nutrons normalmente feita utilizando-se a tcnica de albedo. Nutrons de albedo so aqueles refletidos pelo corpo humano, aps espalhamentos mltiplos dentro do corpo. O fluxo de albedo , ento, bastante moderado, podendo ser detectado atravs de um TLD sensvel a nutrons trmicos, como o 6LiF (Tabela 1). Os dosmetros de albedo utilizam normalmente uma blindagem e cdmio ou boro para eliminar a contribuio dos nutrons trmicos incidentes no corpo e medir apenas os nutrons de albedo. Para converter o fluxo de nutrons de albedo em dose de nutrons preciso calibrar os dosmetros de albedo nos locais aonde estes sero utilizados. O manual para certificao de Servios de Monitorao Individual Externa para Nutrons j foi concludo e est sendo divulgado para crticas e sugestes a todos os servios certificados ou em fase de certificao pela CNEN para ftons. Este manual conter, alm das obrigaes administrativas, critrios de aprovao do sistema.

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