AMPLIFICADOR CON FET

AMPLIFICADOR CON FET

INFORME
Jorge Eduardo Olave Valencia
Cod. 1.018.402.800

RESUMEN: El transistor FET (Transistor de efecto de

campo) se puede utilizar como elemento activo de muchos amplificadores. Una de las configuraciones es: El Amplificador seguidor de ctodo al que se le conoce tambin con el nombre de circuito drenador comn o nodo comn. Este tipo de amplificador con FET tiene una baja impedancia de salida, por lo que es utilizado principalmente como adaptador de impedancias.

PALABRAS CLAVE: Transistor, drenador, compuerta, fuente, impedancia.

amplificador,

1 INTRODUCCIN
En este laboratorio observaremos la forma de polarizar nuestro transistor FET para obtener nuestro amplificador, para tal motivo utilizaremos el dispositivo K168 para este montaje que ms adelante se detalla. A continuacin disearemos un amplificador fuente comn para trtar de obtener una ganacia de voltaje de 10.

2 OBJETIVOS Familiarizarnos con el tipo de transistor FET. Utilizar los criterios de diseo para trtar de disear un amplificador que tenga la ganancia deseada.

Fig. 1 Polarizacin del Transistor FET En este montaje utilizamos una fuente de 30Vdc la cul conectamos a source del transistor, la ganancia que obtendremos del dispositivo ser aproximadamente a la calculada como sigue.

4 ANALISIS Y RESULTADOS
Para este circuito tenemos:

3 DESARROLLO
Inicialmente y como hemos hecho en otras prcticas, realizaremos los diferentes clculos de las resistencias para nuestro circuito y posteriormente lo simularemos en nuestra herramienta workbench para obtener los resultados mas cercanos a la realidad, nuestro montaje inicial es como se observa en la figura 1 para lo cual utilizaremos el transistor K168, las especificaciones de ste dispositivo se muestran en la ltima pgina del presente informe en donde se tendrn en cuenta algunos datos importantes del transistor para llevar a cabo los clculos para el diseo.

Vdd = 30V Idss = 4mA Vp = - 4V Gm = 10ms Vgs = 0 Idq = Idss / 2 Idq = 4mA / 2 = 2mA Vgs = - Vp + ([Id/Idss] 1) Vgs = [- 4V ] + ([2mA / 4mA] 1)

AMPLIFICADOR CON FET

Vgs = - 3,70V Criterio de diseo

Vds = Vdd / 2 Vds = 30 V / 2 = 15V Rd = (Vdd Vds Vgs) / Id Rd = 30V 15V ( - 3,70V) / 2mA Rd = 9,35 K Gm = gmo ( 1 - [Vgsq / Vp ] ) Gm = 10ms ( 1 - [3,70 / 4 ] ) Gm = 2,07ms Rd = Av / gm Rd = 10 / 2,07ms Rd = 4,83K Rs = Vgs / Idq Rs = 3,70 / 2mA Rs = 1,85 K Vds = Vdd IdRd IdRs Vds = 30V (2mA)(4,83K) (2mA)(1,85K) Vds = 16,64 V Nueva Rd Fig. 3 Amplificacin de la seal de entrada La seal de entrada corresponde a la onda que se encuentra en rojo y la de salida la onda que se encuentra en negro. A continuacin describiremos la hoja de especificaciones del transistor K168 utilizado en sta prctica. Fig 2. Amplificador Fet con valores de resistencias Con los valores de resistencia encontrados se obtuvo a la salida la ganancia que se observa en la pantalla del osciloscopio:

Rd = (Vdd Vds Vs) / Id Rd = [30V 16,64V (-3,7) ] / 2mA Rd = 8,53K Av = -gm * Rd Av = 2,07ms * 8,53 K Realizados los clculos correspondientes el circuito queda configurado de la siguiente manera:

AMPLIFICADOR CON FET

AMPLIFICADOR CON FET

AMPLIFICADOR CON FET

AMPLIFICADOR CON FET

5 CONCLUSIONES
En esta prctica comprobamos que el factor de ganancia depende considerablemente de la resistencia de drenador, por tal motivo variando un poco este factor tendremos variacin en la salida de la misma.