Guía Del Profesor

III INTRODUCCIN A LA ASIGNATURA
Durante el periodo 1904 -1947, el tubo de vaco fue sin duda el dispositivo electrnico de
inters y desarrollo. Sin embargo, a principios de la dcada de los treinta el ttrodo de
cuatro elementos y el pentodo de cinco elementos se distinguieron en la industria de tubos
electrnicos, y en los aos siguientes, la industria se convirti en una de primera
importancia y se lograron avances rpidos en el diseo, las tcnicas de manufactura, las
aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturizacin.
Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron el efecto amplificador del primer transistor
en los Bell Telephone Laboratorios. Las ventajas de este dispositivo de estado slido de
tres terminales sobre el tubo electrnico fueron evidentes: era ms pequeo y ligero; no
tena filamentos o prdidas trmicas; construccin de mayor resistencia y ms eficiente al
absorber menos potencia; de uso rpido, sin requerir un periodo de calentamiento;
adems, las tensiones de operacin son ms bajas. El alumno descubrir que todos los
amplificadores (dispositivos que incrementan el nivel de voltaje, corriente o potencia)
tendrn al menos tres terminales con una de ellas controlando el flujo entre las otras dos.
Por otro lado el concepto original del AO (amplificador operacional) procede del campo de
los computadores analgicos, usados en tcnicas operacionales en los aos 40. El
nombre de amplificador operacional deriva del concepto de un amplificador dc
(amplificador acoplado en continua) con una entrada diferencial y ganancia
extremadamente alta. Cambiando los tipos y disposicin de los elementos de
retroalimentacin, podan implementarse diferentes operaciones analgicas; en gran
medida, las caractersticas globales del circuito estaban determinadas slo por estos
elementos de realimentacin. De esta forma, el mismo amplificador era capaz de realizar
diversas operaciones, y el desarrollo gradual de los amplificadores operacionales dio lugar
al nacimiento de una nueva era en los conceptos de diseo de circuitos.
En cuanto a la historia de la electrnica de potencia empez en el ao de 1900, con la
introduccin del rectificador de arco de mercurio. Luego se descubre el rectificador de
tanque metlico, el rectificador de tubo al vaco de rejilla controlada, el ignitrn, el fanotrn
y el tiratrn. Estos dispositivos tuvieron su aplicacin en el control de la energa hasta la
dcada de 1950.
La primera revolucin electrnica tiene su inicio en 1948 con la invencin del transistor de
silicio en los Bell Telephone Laboratories. La mayora de las tecnologas electrnicas
avanzadas actuales tienen su origen en este descubrimiento. En 1956, el mismo
laboratorio, incorporo el transistor de disparo PNPN, que se defini como un tiristor o
rectificador controlado de silicio (SCR).
La Segunda revolucin electrnica empez en 1958 con el desarrollo del tiristor comercial
por General Electric Company. Ese fue el principio de una nueva era en la electrnica de
potencia. Desde entonces se han introducido muy diversos tipos de dispositivos
semiconductores de potencia y tcnicas de conversin. En la actualidad la revolucin de la
electrnica de potencia nos est dando la capacidad de formar y controlar grandes
cantidades de energa con una eficiencia cada vez mayor.
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UNIDAD 1
T R A N S I S T O R E S
I N T R O D U C C I N
Con la presente unidad referida a uno de los dispositivos fundamentales de la electrnica
como lo es el transistor, se pretende abordar los temas concernientes a los transistores
bipolares (BJT) y los tipo efecto campo (FET), tanto en su conocimiento de funcionamiento
electrnico bsico y sus principales configuraciones de polarizacin, as como de sus
aplicaciones ms prcticas en la industria tal como un interruptor de estado slido y como
un amplificador de pequea seal. Logrando as aportar un conocimiento que es
fundamental para el T.S.U. en Electrnica y automatizacin.
OBJETIVO Y CRITERIOS DE APRENDIZAJE
1.- Identificar las caractersticas y comportamiento de la unin de semiconductores NPN y
PNP.
1.1 Explicar las principales caractersticas de la unin de semiconductores tipo
N y tipo P..
1.2 Describir el comportamiento de la unin NPN y PNP.
RESULTADO DEL APRENDIZAJE
1.1.1. Identificar las terminales de un transistor.
1.2.1. Explicar el funcionamiento de un transistor.
2. Aplicar las diferentes configuraciones de polarizacin de un transistor bipolar.
2.1 Reconocer las principales configuraciones de polarizacin de un transistor.
2.2 Elaborar circuitos de polarizacin de un transistor.
2.1.1 Utilizar las principales configuraciones de polarizacin de un transistor.
2.2.1 Interpretar los circuitos de polarizacin de un transistor.
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3. Probar el transistor bipolar como interruptor y como amplificador.
3.1 Analizar las caractersticas de corte y saturacin del transistor bipolar.
3.2 Obtener un amplificador con un transistor bipolar.
3.1.1 Examinar si un transistor trabaja en corte o saturacin.
3.2.1 Analizar un circuito amplificador con transistores.
4. Analizar las diferentes familias de transistores y sus caractersticas.
4.1 Identificar las caractersticas del FET, JFET y tiristores.
4.1.1 Utilizar circuitos bsicos de familia de transistores.
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TEMA I
TRANSISTORES BIPOLARES.
Objetivo del Aprendizaje:
1. Identificar las caractersticas y comportamiento de la unin de semiconductores
NPN y PNP.
Criterio de Aprendizaje:
1.1 Explicar principales caractersticas de la unin de semiconductores tipo N y
tipo P.
POLARIZACIN EN DIRECTA
En la electrnica, el termino polarizacin se refiere a un voltaje fijo de cd que establece
las condiciones de operacin para un dispositivo semiconductor. La polarizacin en
directa es la condicin que permite el paso de la corriente a travs de una unin pn. En la
figura 1.1 se observa un voltaje de cd conectado en una direccin que polariza
directamente al diodo.
nodo Ctodo
V polarizacin
+ -
Figura 1.1 Conexin de polarizacin en directa
Observe que la terminal negativa de la batera se conecta a la regin n (denominada
ctodo), y que la terminal positiva se conecta a la regin p (denominada nodo).
A continuacin se describe el funcionamiento de la polarizacin en directa: la
terminal negativa de la batera empuja a los electrones de conduccin en la regin n hacia
la unin, mientras que la terminal positiva empuja a los huecos en la regin p tambin
hacia la unin. (Recuerde que cargas iguales se repelen mutuamente). Cuando se supera
la potencial de barrera, la fuente de voltaje de polarizacin externa proporciona a los
electrones de la regin n la energa suficiente para penetrar a la capa de empobrecimiento
y cruzar la unin, donde se combinan con los huecos de la regin p. Cuando los
electrones dejan la regin n, fluyen ms electrones procedentes de la terminal negativa de
la batera. De esta manera, la corriente a travs de la regin n es el movimiento de
electrones de conduccin (portadores mayoritarios) hacia la unin.
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P N
Una vez que los electrones de conduccin penetran a la regin p y se combinan con
huecos, se convierten en electrones de valencia. A continuacin se desplazan como
electrones de valencia de hueco a hueco hacia la conexin positiva de la batera. El
movimiento de estos electrones de valencia produce esencialmente un movimiento de
huecos en la direccin opuesta, como ya se estudi. As, la corriente en la regin p es el
movimiento de huecos (portadores mayoritarios) hacia la unin ( prctica 4 ).
POLARIZACIN EN INVERSA.
La polarizacin en inversa es la condicin que evita el paso de corriente a travs de la
unin pn. En la figura 1.2 se observa una fuente de voltaje de cd conectada para polarizar
en inversa al diodo. Observe que la terminal negativa de la batera est conectada a la
regin p y que la positiva est a la regin n. La terminal negativa de la batera atrae
huecos en la regin p, alejndolos de la unin pn, mientras que la terminal positiva
tambin atrae electrones alejndolos de la unin. A medida que los electrones y los
huecos se alejan de la unin, la capa de empobrecimiento se ampla; se crean ms iones
positivos en la regin n y ms iones negativos en la p.
nodo Ctodo
V polarizacin
- +
Figura 1.2 Conexin de polarizacin en inversa
La capa de empobrecimiento se ampla hasta que la diferencia de potencial a travs
de ella es igual al voltaje de polarizacin en inversa. En este punto, los huecos y los
electrones dejan de alejarse de la unin y se interrumpe la corriente mayoritaria. El
movimiento inicial de portadores mayoritarios alejndose de la unin se denomina
corriente transitoria y dura muy poco una vez que se ha aplicado la polarizacin en
inversa.
Cuando el diodo se encuentra polarizado en inversa, la capa de empobrecimiento
acta efectivamente como un aislador entre las capas de iones cargados opuestamente.
Esto constituye efectivamente un capacitor. Dado que la capa de empobrecimiento se
ampla con voltaje de polarizacin en inversa incrementado, la capacitancia decrece y
viceversa. Esta capacitancia interna se denomina capacitancia de capa de
empobrecimiento y tiene aplicaciones bastante prcticas que aprender posteriormente.
RUPTURA INVERSA.
Si el voltaje de polarizacin en inversa externo se incrementa hasta un valor
suficientemente grande, ocurre una ruptura de avalancha. Sucede lo siguiente: suponga
que un electrn de banda de conduccin minoritaria adquiere suficiente energa de la
fuente externa para acelerarse hacia el extremo positivo del diodo. Durante su recorrido,
choca con un tomo y le imparte la suficiente energa para proyectar a un electrn de
valencia hacia la banda de conduccin. Ahora hay dos electrones de banda de
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P N
conduccin. Cada uno choca con un tomo, proyectando dos electrones de valencia ms
hacia la banda de conduccin. Ahora hay cuatro electrones de banda de conduccin que,
a su vez, envan cuatro ms hacia la banda de conduccin. Esta multiplicacin rpida de
electrones de banda de conduccin, conocida como efecto de avalancha, origina el rpido
establecimiento de una corriente en inversa. Normalmente, casi ningn diodo opera en
ruptura inversa, ya que pueden daarse por la potencia excesiva resultante si lo hicieran.
Sin embargo, un tipo particular de diodo (que se estudiar ms tarde), denominado diodo
Zener, se optimiza para operacin en ruptura inversa.
1.2 Describir el comportamiento de la unin NPN y PNP.
El transistor unipolar es un elemento cuya resistencia interna puede variar en funcin de
la seal de entrada aplicada; esta variacin provocada hace que sea capaz de regular la
corriente que circula por el circuito en el que se encuentra conectado.
El transistor es aquel dispositivo electrnico que est constituido por tres materiales
semiconductores extrnseco, de forma PNP o NPN, es decir, porcin de material N,
seguido de material P, luego otra porcin de material N, en el tipo NPN, y de forma
anloga en el PNP, pero con los materiales semiconductores inversos.
El transistor BJT se conoce tambin como transistor bipolar, porque la conduccin es a
travs de huecos y electrones.
La zona central se denomina base, las otras dos se denominan colector y emisor. El
emisor se construye estrecho y muy dopado, la base es estrecha y menos dopada y el
colector es la zona ms ancha. Para proteger el material semiconductor, se emplean el
encapsulado, que puede ser plstico, de baquelita o metlico. A pesar de la poca
disipacin de energa que tienen los transistores en determinadas ocasiones es necesario
el empleo de disipadores de calor para favorecer la ventilacin del transistor.
El emisor est fuertemente dopado de portadores, y su misin es inyectarlos en la base.
La base est ligeramente impurificada (menos dopada), y es por aqu por donde pasan los
portadores que proceden del emisor camino del colector; de esta manera se crea una
corriente. El colector est ms dopado que la base, pero menos que el emisor, siendo ste
quien recoge los portadores que vienen del emisor y no ha recogido la base.
Fig. 1.3 Smbolo y configuracin del transistor bipolar.
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En todo transistor se cumple, respecto a tensiones y corrientes, lo siguiente:
Vcb + Vbe = Vce Ic + Ib = Ie
Adems, como un parmetro muy importante, tenemos que:
(beta o hfe) = Ic/Ib
y es la ganancia de corriente colector-base cuando la resistencia de carga es nula.
Resultado de aprendizaje.-
1.1.1. Identificar las terminales de un transistor.
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as
como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una
serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos
sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el
transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia
disminuye a medida que crece el valor de la temperatura, siendo a veces necesario la
instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los
proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos.
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polmetro: Este dispone
de dos orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP. Para
obtener la medida de la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo
que queda determinado si es un NPN o un PNP.
Fig. 1.4 Identificacin de las terminales de un transistor bipolar.
El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes
son opuestos a los del transistor NPN.
Para encontrar el circuito PNP complementario:
1. Se sustituye el transistor NPN por un PNP.
2. Se invierten todos los voltajes y corrientes.
1.2.1. Explicar el funcionamiento del transistor.
Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:
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ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una
fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de
corriente).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dndonos un mximo y
un mnimo para una corriente de colector dada (Ic); adems de esto, suele presentar
una variacin acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que
en principio no podemos conocer su valor. Algunos polmetros son capaces de
medir este parmetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una
indicacin, ya que el polmetro mide este parmetro para un valor de corriente de
colector distinta a la que circular por el BJT una vez en el circuito.
SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin
(potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el
colector y el emisor.
CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos
digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas
(y en especial Ic).
ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de inters.
Fig. 1.5 Curvas caractersticas del transistor.
Polarizacin

Consiste en conseguir las tensiones adecuadas en cada punto del circuito, las corrientes
deseadas y el punto de reposo (o trabajo ) Q. Todo lo anterior implica conectar los
transistores a ciertas resistencias que, por medio de las cadas de tensin producidas en
ellas, lograrn establecer los valores pretendidos, as como su estabilidad. Todo esto se
har a partir de tensiones contnuas.
Recta de carga esttica
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Ser una recta situada en el primer cuadrante que cortar a las curvas Ic = f(Vce)
--corriente de colector funcin de la tensin colector-emisor.
Para obtener los dos puntos que definen la recta, plantearemos la ecuacin de la malla de
colector en el circuito que estemos analizando, haremos Ic = 0 y obtendremos Vce (punto
de corte con el eje horizontal y mxima tensin que se puede aplicar). A continuacin
hacemos Vce = 0 y obtendremos Ic (punto de corte con el eje vertical y mxima corriente
que nos puede proporcionar).
Punto de trabajo
Siempre est situado en la recta de carga y dentro de alguna curva, especificando una
cierta corriente de colector Ic y una determinada tensin colector-emisor Vce.
Para obtener el punto de trabajo Q plantearemos tres ecuaciones: La de la malla de base,
la de la malla de colector y por ltimo la ecuacin del transistor Ic = B x Ib.
Posteriormente veremos aplicaciones de lo anterior en diversos circuitos de aplicacin.
Estabilizacin
La estabilizacin tiene por objeto evitar cambios bruscos debido a la temperatura y reducir
el desplazamiento del punto de trabajo.
Para conseguirlo se utilizan mtodos por los que un incremento de la corriente de colector
d lugar, por realimentacin, a una variacin de otra magnitud que ocasione un
decremento compensador de dicha corriente de colector, de forma que el incremento de Ic
resultante sea mucho menor que el aumento de Ic sin el sistema estabilizador.
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TEMA 2
CONFIGURACIONES BSICAS
Objetivo del aprendizaje:
2.- Aplicar las diferentes configuraciones de polarizacin de un transistor bipolar.
Criterio de aprendizaje:
2.1.- Reconocer las principales configuraciones de polarizacin de un transistor.
CONFIGURACIN BASE COMN (BC).
La configuracin BC proporciona un punto de partida simple y muy fcil en nuestras
consideraciones de polarizacin en corriente continua. Dicha configuracin se muestra en
la figura 1.6. Por BC debemos entender que la base es el punto de referencia (comn)
para las medidas de la entrada (emisor) y salida (colector).
n p n
R C R E
V E E V C C
V B E
V C B
+
+ -
-
I E I C
Figura 1.6: Configuracin Base Comn
Seccin de entrada.
El lazo de entrada (o malla) est formada por la batera (VEE), la resistencia (RE) y la unin
base-emisor del transistor (VBE). Empleando la ley de voltajes de Kirchhoff tenemos:
despejando IE obtenemos:
Cuando se polariza directamente, el valor de VBE es del orden de 0.3V para transistores de
germanio y 0.7V para silicio. Por esto, para consideraciones prcticas, si VEE es de un
valor mayor igual a 10V, se puede despreciar el efecto de la cada de tensin en VBE,
teniendo as:
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0 + +
BE E E EE
V R I V
E
BE EE
E
R
V V
I

E
EE
E
R
V
I
Seccin de salida.
El lazo de salida contiene una batera (VCC), la resistencia de colector (RC), y el voltaje a
travs de la unin base-colector del transistor (VCB). Para usarse como amplificador, la
unin colector-base debe polarizarse inversamente y la unin base-emisor directamente.
Sumando las cadas de tensin alrededor del lazo de salida colector-base del circuito de la
figura 1.6, obtenemos:
despejando la tensin colector-base se obtiene:
la corriente de colector (IC) es aproximadamente igual a la corriente de emisor (IE), es
decir:
En realidad, IC = IE, donde tiene un valor tpico de 0,9 a 0,998.
CONFIGURACIN EMISOR COMN (EC).
Esta es la configuracin ms comn para los transistores pnp y npn. La seal de entrada
se aplica a la base del transistor con el emisor como terminal comn. El circuito de la
figura 1.7 muestra una sola fuente de suministro de tensin. Las condiciones de
polarizacin directa e inversa se logran en la configuracin EC con una sola fuente de
tensin.
R C
R B
V C C
S a l i d a
E n t r a d a
V c
+
+
- -
V B E
V C E
Figura 1.7: Configuracin Emisor Comn
Seccin de entrada
Considerando el lazo mostrado en el circuito parcial de la figura 1.8(a), la ecuacin de
tensiones de Kirchhoff para el lazo es:
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0 +
CB C C CC
V R I V
C C CC CB
R I V V
E C
I I
0 +
BE B B CC
V R I V
resolviendo para IB obtenemos:
Se hace la consideracin de que VCC >> VBE, por lo que la expresin se simplifica.
Seccin de salida
Debido a que la corriente de base es muy pequea, las corrientes en el colector y el
emisor son casi las mismas. Para operacin lineal del amplificador la corriente de colector
est relacionada con la corriente de base por la ganancia de corriente del transistor,
hfe. Esto es:
I
C
= I
B
La corriente de base se calcula de acuerdo a la frmula expresada en la seccin de
entrada.
Calculando las cadas de tensin en el lazo de salida, nosotros obtenemos:
V
CC
- I
C
R
C
- V
CE
= 0
V
CE
= V
CC
- I
C
R
C
R B V C C
+
-
V B E
R C
V C C
V c
+
-
V C E
( b ) ( a )
I B
I C
Figura 1.8 Lazos de entrada y salida en emisor comn.
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0
CE C C CC
V R I V
B
CC
B
BE CC
B
R
V
R
V V
I
2.2.- Elaborar el armado de circuitos de polarizacin de un transistor.

Polarizacin fija con resistencia de emisor.-
Fig. 1.9 Circuito de polarizacin fija
Obtencin del punto Q:
Ecuacin de corrientes: Ie = Ic+Ib
Malla de colector: Vcc-Vce = IcRc+(Ic+Ib)Re
Malla de base: Vcc-Vbe = IbRb+(Ic+Ib)Re
Ecuacin del transistor: Ic = BIb (suponemos B = 120)
De la malla de base ---> Ib = 38,87 microamperios.
De la ecuacin del trt ---> Ic = 4,58 miliamperios.
De la malla de colector ---> Vce = 5,42 voltios.
Polarizacin por realimentacin de colector.-
Fig. 1.10 Circuito con retroalimentacin
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I = Ic+Ib
Malla de colector: Vcc-Vce = IR+(Ic+Ib)Re (R = 810 ohmios)
Malla de base: Vcc-Vbe = IR+IbRb+(Ic+Ib)Re
Ecuacin del trt: Ic = BIb (suponemos B = 110)
De la malla de base ---> Ib = 42,53 microamperios.
De la ecuacin del trt ---> Ic = 4,58 miliamperios
De la malla de colector ---> Vce = 4,95 voltios.
Resultado de aprendizaje.-
2.1.1.- Utilizar las principales configuraciones de polarizacin de un transistor.
Estabilizacin por resistencia de emisor (Re) y polarizacin por divisor de tensin en base
(autopolarizacin).-
Fig. 1.11 Circuito con estabilizacin
El mecanismo elctrico de este circuito es muy eficaz y se desarrolla del siguiente modo:
Si suponemos un aumento de Ic, la cada de tensin en Re aumenta y contrarresta el
aumento de la corriente Ic porque se produce un descenso en la tensin de polarizacin
de base Vbe.
R1 y R2 son las resistencias que hacen variar el punto de trabajo Q y consecuentemente
la zona de trabajo.
Malla de colector: Vcc-Vce = IcRc+(Ic+Ib)Re
Ecuacin de tensin en base: Vbb = Vcc R2/(R1+R2)
Rb = R1R2/(R1+R2)
Malla de base: Vbb-Vbe = IbRb+(Ic+Ib)Re
Ecuacin del transistor: Ic = BIb (suponemos B = 110)
De la malla de base Ib = 55,11 microamperios.
De la ecuacin del trt Ic = 5,31 miliamperios
De la malla de colector Vce = 5 voltios.
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Configuraciones bsicas
Son las siguientes:
* Emisor comn: La entrada es por la base y la salida por el colector.
* Base comn: Entrada por emisor y salida por colector.
* Colector comn: Entrada por base y salida por emisor.
Cada configuracin tiene sus caractersticas propias como pueden ser la amplificacin de
tensin y/o corriente, impedancia de entrada/salida alta, media o baja, etc.
2.2.1.- Interpretar los circuitos de polarizacin de un transistor.
Amplificacin
Una vez polarizado el transistor para que trabaje en una zona determinada, introduciremos
una seal alterna en su entrada para amplificarla.
La amplificacin consiste en aumentar la amplitud de una seal elctrica, por tanto en la
salida del amplificador tendremos una seal idntica a la de la entrada pero de mayor
amplitud.
Dependiendo de donde se site el punto de trabajo Q tendremos los siguientes tipos de
amplificadores:
* Amplificador en clase A: El punto de trabajo est situado en la zona activa.
* Amplificador en clase B: El punto de trabajo se sita en el lmite de la zona activa. Slo
amplifican el semiciclo positivo de la seal de entrada, por lo cual se necesitarn dos
transistores para amplificar ambos semiciclos (positivo y negativo).
* Amplificador en clase AB: El punto de trabajo est situado en la parte ms baja de la
zona de conduccin.
* Amplificador en clase C: El punto de trabajo se sita en la zona de corte. Tambin aqu
se necesitan dos transistores.
Si atendemos a la magnitud a amplificar podemos tambin hacer la siguiente clasificacin:
- Amplificador de tensin.
- Amplificador de corriente.
- Amplificador de potencia.
- Amplificador de corriente continua.
- Amplificador de baja frecuencia.
- Amplificador de alta frecuencia.
- Amplificador de vdeo frecuencia.
Nos centraremos exclusivamente en los amplificadores de tensin clase A.
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Amplificador en emisor comn
Fig.1.12 Amplificador emisor comn
Al circuito ya polarizado en zona activa se le ha conectado un condensador en la entrada y
otro en la salida (condensadores de acoplo). De este modo se impide el paso de la
corriente continua procedente de o hacia otra etapa anterior o posterior respectivamente;
el condensador en paralelo con la resistencia de emisor (condensador de desacoplo) evita
la disminucin de la ganancia debida a la presencia de la resistencia de emisor, la cual es
necesaria para evitar los cambios bruscos de temperatura
En la base se aplica una seal de entrada senoidal de 10 mv (Ve = 10 mv), obtenindose
en el colector la seal de salida, tambin senoidal, de amplitud 1v (Vs = 1v); la ganancia
es de 100, pues Gv = Vs/Ve = 1000 mv/10 mv = 100.
Tanto la ganancia de tensin como de intensidad son de valor medio, siendo la
impedancia de entrada pequea y la impedancia de salida media. Debido a las
caractersticas de sus ganancias, su aplicacin ms comn es como amplificador de
medias y bajas frecuencias, y como la diferencia entre las impedancias no es muy elevada
se puede emplear como amplificador de varias etapas ya que permite un relativo buen
acoplamiento entre ellas.
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Amplificador en base comn
Fig. 1.13 Amplificador base comn
Tambin como en el caso del emisor comn el circuito lleva los condensadores de acoplo
y desacoplo. Aqu la entrada es por el emisor y la salida se obtiene en el colector. Con Ve
= 10 mv se obtiene 1 voltio y la ganancia de tensin ser de 100.
En este tipo de disposicin, la ganancia de tensin es elevada (normalmente ms grande
que en caso del emisor comn), sin embargo la ganancia de corriente es menor (aunque
prxima) o igual a la unidad. La impedancia de entrada es pequea y la de salida grande.
Su aplicacin ms comn es como amplificador en altas frecuencias.
Amplificador en colector comn
Fig. 1.14 Amplificador colector comn
La seal a amplificar va conectada a la base del transistor y la salida se toma en el emisor.
En nuestro circuito Ve = 1v, Vs = 1v, consecuentemente la ganancia de tensin ser:
Gv = 1.
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La ganancia de tensin es menor o igual a uno, la ganancia de corriente es alta, la
impedancia de entrada es alta y la de salida baja. Debido a las caractersticas de sus
impedancias, su aplicacin tpica es como adaptador de impedancias.
Amplificadores de salida
Los amplificadores de salida, tambin denominados de potencia, tienen como misin
entregar a la carga una seal de potencia grande con la mnima distorsin y el mximo
rendimiento. La impedancia de salida ha de ser pequea puesto que la carga suele ser un
altavoz (4 u 8 ohmios); as pues, estos amplificadores suelen ser en colector comn ya
que su ganancia de intensidad es muy elevada y esto hace que la intensidad de salida sea
grande, lo suficiente como para mover la membrana del altavoz.
Existen diversos montajes tales como amplificador en emisor comn con acoplo de salida
mediante transformador, amplificador con salida en push-pull (complementaria) y
amplificador con salida en simetra complementaria, en el que nos centraremos a
continuacin.
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TEMA 3
APLICACIONES DEL TRANSISTOR
3.- Probar el transistor bipolar como interruptor y como amplificador.
3.1.- Analizar las caractersticas de corte y saturacin del transistor bipolar.
REGIONES DE OPERACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT).
El transistor puede trabajar en 3 formas: Regin de corte, regin de saturacin y regin
activa. En la figura 1.15 se ilustra las regiones de trabajo del transistor.
Figura 1.15: Regiones de operacin del transistor.
Regin de Corte
Como ya se mencion, un transistor se encuentra en corte cuando la unin base-emisor
no est polarizada en directa. Sin tomar la corriente de fuga, todas las corrientes son cero
y VCE es igual a VCC.
VCE ( corte ) = VCC
Regin de Saturacin
Como ya se aprendi, cuando la unin del emisor est polarizada en directa y hay
suficiente corriente en la base para producir una corriente mxima del colector, entonces
el transistor est saturado. La frmula para calcular la corriente de saturacin del colector
es
Ic (sat) = VCC - VCE ( sat ) / RC
En virtud de que en saturacin VCE es muy pequeo, una aproximacin para la corriente
de saturacin del colector es
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IC ( sat ) = VCC / RC
El valor mnimo de corriente de base necesaria para producir saturacin es
IB ( min ) = IC ( sat ) /cd
IB debe ser significativamente mayor que IB ( min ) para poder mantener profundamente
saturado el transistor.( prctica 5 )
Regin Activa.
La polarizacin de un transistor es puramente una operacin en cd. Sin embargo, su
propsito es establecer un punto Q alrededor del cual puedan ocurrir variaciones en e
corriente y de voltaje en respuesta a la aplicacin de una seal de ca. En aplicaciones en
donde deban amplificarse seales de voltaje muy pequeos, como los provenientes de
una antena, las variaciones alrededor del punto Q son relativamente pequeas. A los
amplificadores diseados para manejar estas seales de ca diminutas se les denomina
amplificadores en seal pequea.
EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR.
En la figura 1.16 se ilustra la operacin bsica de un transistor como dispositivo
interruptor. En la parte (a) el transistor est en corte porque la unin BE no est polarizada
en directa. En esta condicin existe, idealmente, un circuito abierto entre el colector y el
emisor, como se indica por medio del interruptor equivalente. En la parte (b), el transistor
est saturado porque la unin BE se encuentra polarizada en directa y la corriente de la
base es suficientemente grande para hacer que la corriente del colector alcance su valor
de saturacin. En esta circunstancia existe, idealmente, un corto circuito entre el colector y
el emisor, como se indica por medio del interruptor equivalente. En realidad, normalmente
ocurre una cada de voltaje de unas cuantas dcimas de volt, que es el voltaje de
saturacin.
Figura 1.16: Accin de conmutacin de un transistor
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3.2.- Obtener un amplificador con un transistor bipolar.
EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR EN SEAL PEQUEA
En la figura 1.17 se muestra un transistor polarizado, alimentado con una fuente de ca
acoplada mediante un capacitor a la base y una carga acoplada mediante un capacitor al
colector. Los capacitores de acoplamiento bloquean la cd, evitando as que la resistencia
de la fuente y la resistencia de la carga cambien el voltaje de polarizacin en la base y en
el colector. El voltaje de la seal hace que el voltaje de la base vare por arriba y por
debajo de su nivel de polarizacin de cd. La variacin resultante en la corriente de la base
produce una variacin ms grande en la corriente del colector debido a la ganancia de
corriente del transistor.
A medida que aumenta la corriente del colector, disminuye el voltaje de ste. La corriente
del colector vara por arriba y por debajo de su valor de punto Q, en fase con la corriente
de la base, y el voltaje del colector al emisor oscila por arriba y por debajo de su valor de
punto Q, desfasado 180 con respecto al voltaje de la base, como se ilustra en la figura
1.17.
Figura 1.17 Amplificador con polarizacin mediante divisor de voltaje alimentado por una fuente de cd con una
resistencia interna, Rs
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R 3
R C
V C C
R 2 R L
R 1
R E
C 1
C 2
V B
V C E Q
I C Q
RESULTADO DE APRENDIZAJE:
3.1.1. Examinar si un transistor trabaja en corte en saturacin.
Para el circuito de la figura 1.18, considere lo siguiente: RB=4.7K, RC=270, Vb=5V,
VBE=0.6V, =50. Determine si el transistor est trabajando en corte o en saturacin.
Fig 1.18 Polarizacin del transistor
SOLUCIN:
En la base se obtiene la siguiente ecuacin de malla
IBRB + VBE = Vb
Donde nicamente no se conoce el valor de la corriente de base (IB), y que se calcula de la
siguiente forma:
IB = 936 A
Por lo tanto, la corriente de colector es:
IC = IB = (50)(936A)
IC = 46.8 mA
Ahora, analizando la malla del colector y emisor, obtenemos:
ICRC + VCE = Vcc
(46.8mA)(270) + VCE = 12V
12.636V + VCE = 12V
VCE = -0.636V
En este caso, VCE result con un valor negativo, lo cual quiere decir, que el transistor est
trabajando en saturacin, pues en la prctica, esto no ocurre pues el valor de VCE es igual
a 0V.
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V c c
V C E
V B E
+
+
-
-
R c
R B
V b
+
-
K
V V
R
V Vb
I
B
BE
B
7 . 4
6 . 0 5
Calcular los valores de la resistencia de base para saturar el transistor.

Para el circuito de la figura 1.16, se tienen las siguientes ecuaciones de malla:
IBRB + VBE = Vb (1)
ICRC + VCE = Vcc (2)
Para que un transistor se encuentre en la regin de saturacin, se debe cumplir que VCE =
0. Por lo tanto, aplicando esta condicin en la ecuacin (2):
ICRC = VCC (3)
En base a esta ecuacin, y conociendo la demanda de corriente de la carga, se puede
calcular el valor de la IB y la RB necesaria para llevar a saturacin al transistor, usando las
ecuaciones:
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (4)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (5)
Ejemplo: determinar la resistencia de base para saturar el transistor.
Se desea hacer uso de la figura anterior, para saturar a un transistor que active a un
relevador de 12 Vcd, que consume 560mA. Cul debe ser el valor de la resistencia de
base (RB) del transistor si se utiliza una fuente de 5V en la base del transistor (Vb).
SOLUCION:
Haciendo uso de la ecuacin (4), obtenemos que
y por medio de la ecuacin (5):
RB = 589.81 560
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C
B
I
I
B
BE
B
I
V Vb
R

mA
mA I
I
C
B
46 . 7
75
560

mA
V V
I
V Vb
R
B
BE
B
46 . 7
6 . 0 5
3.2.1. Analizar un circuito amplificador con transistores.

Para el circuito de la figura 1.19 considere que VCC = 12V, Vb = 3V, RB = 5.6 Kohms, Rc =
100 Kohms y = 100. Calcule el valor de VCE, que es la tensin de salida.
V c c
V C E
V B E
+
+
-
-
R c
R B
V b
+
-
Fig. 1.19 Amplificador con transistor
SOLUCIN:
Resolviendo la ecuacin en la malla de la base, obtenemos:
IB RB + VBE = Vb
IB 5.6K + 0.6 = 3
IB = 428 A
IC = IB
IC = 100 * 428 A = 42.8 mA
IC RC + VCE = 12V
(42.8 Ma) (3.3K) + VCE = 12V
VCE = 7.71V
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TEMA 4
FAMILIAS DE TRANSISTORES
4.- Analizar las diferentes familias de transistores y sus caractersticas.
4.1.- Identificar las caractersticas del FET, JFET y tiristores.
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FETs)
Un transistor de unin bipolar (BJT) construido como npn pnp es un dispositivo
controlado por corriente, involucrando la corriente de los huecos y de los electrones. El
transistor de efecto de campo es un transistor unipolar, cuyo smbolo se muestra en la
figura 1.20. Las caractersticas bsicas de un FET son:
Alta impedancia de entrada (del orden de 100 M).
No tiene voltaje de offset cuando se usa como interruptor.
Relativamente inmune a la radiacin.
Menos ruidoso.
Proporciona gran estabilidad trmica.
JFET N
JFET P
Figura 1.20 Smbolos del transistor FET (JFET)
Zonas de operacin del transistor de efecto de campo (FET):
Al igual que el transistor, el JFET tiene diversas zonas de operacin, las que se ilustran en
la figura 1.21.
1. Zona hmica O Lineal: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia
variable dependiente del valor de VGS. Un parmetro que aporta el fabricante es la
resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.
2. Zona De Saturacin: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta
como una fuente de corriente gobernada por VGS.
3. Zona De Corte: La intensidad de drenador es nula (ID=0).
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Figura 1.21 Curva caracterstica del J-FET
A diferencia del transistor BJT, los terminales drenaje y fuente del FET pueden
intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la caracterstica V-I (se trata
de un dispositivo simtrico).
Las principales aplicaciones de un transistor JFET son:
APLICACIN PRINCIPAL VENTAJA USOS
Aislador o separador
(buffer)
Impedancia de entrada alta y de
salida baja
Uso general, equipo de medida, receptores
Amplificador de RF Bajo ruido Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones
Mezclador
Baja distorsin de
intermodulacin
Receptores de FM y TV, equipos para
comunicaciones
Amplificador con
CAG
Facilidad para controlar
ganancia
Receptores, generadores de seales
Amplificador cascodoBaja capacidad de entrada Instrumentos de medicin, equipos de prueba
Resistor variable por
voltaje
Se controla por voltaje
Amplificadores operacionales, rganos
electrnicos, controlas de tono
Amplificador de baja
frecuencia
Capacidad pequea de
acoplamiento
Audfonos para sordera, transductores inductivos
Oscilador Mnima variacin de frecuencia Generadores de frecuencia patrn, receptores
Circuito MOS digital Pequeo tamao
Integracin en gran escala, computadores,
memorias
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EL TRANSISTOR JFET COMO AMPLIFICADOR DE SEAL.
En la figura 1.22 se muestra un amplificador en fuente comn con un JFET de canal n
autopolarizado. Adems del capacitor de puenteo en la fuente, en la entrada y en la salida
hay capacitores de acoplamiento. El circuito tiene una combinacin de operacin en cd y
en ca.
FIGURA 1.22 FIGURA 1.23
Amplificador en fuente comn con JFET Circuito equivalente en cd para el amplificador de la
figura 1.22
ANLISIS EN CA .
Para analizar el amplificador de la figura 1.22 es necesario determinar en primer lugar los
valores de polarizacin en cd. Para lograr lo anterior, se establece un circuito equivalente
en cd sustituyendo todos los capacitores por circuitos abiertos, como se muestra en la
figura 1.23. Es necesario determinar ID antes de que sea posible efectuar cualquier
anlisis. Si el circuito se polariza en el punto medio de la recta de carga, entonces la ID
puede calcularse usando la IDSS de las hojas de datos de los FET.
ID = IDSS / 2
En caso contrario, la ID debe conocerse antes de poder efectuar otros clculos. La
determinacin de la ID a partir de los valores paramtricos del circuito es tediosa, pues es
necesario resolver la siguiente ecuacin,
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( )
2
1
1
1
]
1

apag GS
S D
DSS D
V
R I
I I
V ent
CIRCUITO EQUIVALENTE EN CA.
Para analizar la operacin con la seal del amplificador de la figura 1.22, a continuacin se
desarrolla un circuito equivalente en ca. Los capacitores se sustituyen por cortocircuitos
efectivos, con base en la hiptesis de que XC = 0 ( aprox ) a la fecuencia de la seal. Con
base en la consideracin de que la fuente de voltaje tiene una resistencia interna nula, la
fuente de cd se sustituye por una tierra. La terminal VDD est en un potencial de ca de 0 V
y, por lo tanto, acta como una tierra en ca.
El la figura 1.22(a) se muestra el circuito equivalente en ca. Observe que el extremo + VDD
de Rd y la terminal de la fuente estn efectivamente en la tierra de ca. Recuerde que, el
anlisis en ca, la tierra en ca y la tierra real del circuito se consideran como el mismo
punto.
FIGURA 1.24 Equivalente en ca para el amplificador de la figura 1.22
VOLTAJE DE SEAL EN LA COMPUERTA.
En la figura 1.24 se muestra una fuente de voltaje de ca conectada a la entrada. Como la
resistencia de entrada al FET es extremadamente alta, prcticamente todo el voltaje de
entrada procede de la fuente de la seal se manifiesta en la compuerta, con una cada de
voltaje muy pequea en la resistencia interna de la fuente.
Vgs = Vent
EL VOLTAJE DE SALIDA.
La expresin para la ganancia de voltaje para el amplificador en fuente comn es.
Av = gmRd
El voltaje de la seal de salida Vds en el drenaje es
Vsal = Vds = Av Vgs
O bien
Vsal = gmRd Vent
En donde Rd = RD | | RL.
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Vgs
Vds
TRANSISTORES MOSFETs
Las prestaciones del transistor MOSFET son similares a las del JFET, aunque su principio
de operacin y su estructura interna son diferentes. Existen cuatro tipos de transistores
MOS:
Enriquecimiento de canal N
Enriquecimiento de canal P
Empobrecimiento de canal N
Empobrecimiento de canal P
Los smbolos son:
Fig 1.25 Smbolos del transistor MOSFET
La caracterstica constructiva comn a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal
de puerta (G) est formado por una estructura de tipo Metal/xido/Semiconductor. El
xido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prcticamente nula, mucho menor
que en los JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia.
PRINCIPIO DE OPERACION
De entre todos los tipos de transistores MOS existentes se va a analizar el principio de
funcionamiento de dos de ellos: los NMOS de enriquecimiento y empobrecimiento.
NMOS de enriquecimiento
En la Figura 1.26 se presenta el esquema de un MOS de canal N de enriquecimiento.
Figura 1.26 Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento
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Supongamos que se aplica una tensin VDS mayor que cero mientras que VGS se mantiene
en cero. Al aplicar una tensin positiva a la zona N del drenaje, el diodo que forma ste
con el sustrato P se polarizar en inversa, con lo que no se permitir el paso de corriente:
el MOS estar en corte.
Sigamos suponiendo, y pensemos ahora que aplicamos un potencial VGS positivo, mientras
mantenemos la VDS positiva tambin. La capa de aislante de la puerta es muy delgada,
tanto que permite al potencial positivo aplicado repeler a los huecos y atraer a los
electrones del material P. A mayor potencial aplicado, mayor nmero de electrones ser
atrado, y mayor nmero de huecos repelido. La consecuencia de este movimiento de
cargas es que debajo del terminal G se crea un canal negativo, de tipo N, que pone en
contacto el drenaje con la fuente. Por este canal puede circular una corriente.
Recapitulando, por encima de un valor positivo VGS = VTH se posibilita la circulacin de
corriente ID (Figura 1.24). Nos encontramos ante una regin de conduccin lineal.
Figura 1.27 Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento en conduccin
Si el valor de VDS aumenta, la tensin efectiva sobre el canal en las proximidades del
drenaje (VGS - VDS) va disminuyendo, con lo que el canal se estrecha en dicha zona, y se
pierde la linealidad en la relacin ID - VDS. Finalmente se llega a una situacin de
saturacin similar a la que se obtiene en el caso del JFET.
NMOS de empobrecimiento
En la Figura 1.28 se presenta el esquema de un MOS de canal N de empobrecimiento.
Figura 1.28 Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento
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En este caso el canal ya est creado. Por lo tanto, si con VGS = 0 aplicamos una tensin
VDS aparecer una corriente de drenaje ID. Para que el transistor pase al estado de corte
ser necesario aplicar una tensin VGS menor que cero, que expulse a los electrones del
canal.
TIRISTORES
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de
potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de
potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor
a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son
interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas
caractersticas y limitaciones.
Conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez, el tiristor es un componente
idneo en electrnica de potencia. El tiristor, comnmente conocido como SCR, es un
dispositivo unidireccional. Su variante bidireccional es el TRIAC.
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere
de un tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a
la compuerta cuando inicia la seal de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar
el di/dt, el tiempo de activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias
estructuras de compuerta.
Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y desactivacin,
en general los tiristores pueden clasificarse en nueve categoras:
1. Tiristores de control de fase (SCR).
2. Tiristores de conmutacin rpida (SCR).
3. Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO).
4. Tiristores de trodo bidireccional (TRIAC).
5. Tiristores de conduccin inversa (RTC).
6. Tiristores de induccin esttica (SITH).
7. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR).
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH).
9. Tiristores controlados por MOS (MCT).
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de
potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de
potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor
a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son
interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas
caractersticas y limitaciones.
Conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez, el tiristor es un componente
idneo en electrnica de potencia. El tiristor, comnmente conocido como SCR, es un
dispositivo unidireccional. Su variante bidireccional es el TRIAC.
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Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere
de un tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a
la compuerta cuando inicia la seal de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar
el di/dt, el tiempo de activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias
estructuras de compuerta.
Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y desactivacin,
en general los tiristores pueden clasificarse en nueve categoras:
1. Tiristores de control de fase (SCR).
2. Tiristores de conmutacin rpida (SCR).
3. Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO).
4. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
5. Tiristores de conduccin inversa (RTC).
6. Tiristores de induccin esttica (SITH).
7. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR).
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH).
9. Tiristores controlados por MOS (MCT).
Resultado del aprendizaje:
4.1.1.- Utilizar circuitos bsicos de familias de transistores
APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Las aplicaciones generales de todos los FET son:
Electrnica Analgica
Para estas aplicaciones se emplean transistores preparados para conducir grandes
corrientes y soportar elevadas tensiones en estado de corte.
Resistencias variables de valor gobernable por tensin (variando la anchura del
canal).
Amplificadores de tensin, especialmente en la amplificacin inicial de seales de
muy baja potencia.
Control de potencia elctrica entregada a una carga.
En el caso de la amplificacin los circuitos se disean para que el punto de operacin DC
del MOS se encuentre en la regin de saturacin. De este modo se logra una corriente de
drenaje dependiente slo de la tensin VGS.
Electrnica Digital
Los MOS se emplean a menudo en electrnica digital, debido a la capacidad de trabajar
entre dos estados diferenciados (corte y conduccin) y a su bajo consumo de potencia de
control. Para esta aplicacin se emplean dispositivos de muy baja resistencia, de modo
que idealmente pueda considerarse que:
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La cada de tensin en conduccin es muy pequea.
La transicin entre el estado de corte y el de conduccin es instantnea.
Ejemplo:
Considerar el circuito de la figura 1.29 Se desea saber cual debe ser el valor de Vin que se necesita para hacer
conducir el SCR y la potencia que disipara el resistor R1.
El valor de R1 es 150 y el SCR es el 2N3669, el cual requiere una IG = 20 mA en condiciones normales.
Figura 1.29 Circuito con SCR.
Respuesta:
Vin = (20 mA)(150 ) + 0,7 V = 3,7 V
PR1 = (20 mA)(150 ) = 60 mW
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UNIDAD II
Paquetes para la Simulacin de Circuitos Electrnicos y
Diseo de Circuitos Impresos.
En esta unidad se darn los principios para el uso de los programas que permitan al
alumno comprobar los diseos de circuitos electrnicos que haya realizado as como la
elaboracin de los esquemas para los circuitos impresos en los que se pueda armar un
circuito electrnico determinado.
TEMAS 1 y 2
Identificar cada una de las reas de trabajo del software de simulacin de circuitos
empleado.
Simular con el programa circuitos electrnicos previamente diseados mediante clculos.
TEMA 3
Manejar el ambiente (mens y barras de herramientas) y rea de trabajo del software para
la edicin de esquemticos y circuitos impresos.
Elaboracin de placas de circuito impreso de circuitos previamente diseados y simulados
en el programa correspondiente.
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UNIDAD II
Paquetes para la Simulacin de Circuitos Electrnicos y
Diseo de Circuitos Impresos.
En esta unidad se darn los principios para el uso de los programas que permitan al
alumno comprobar los diseos de circuitos electrnicos que haya realizado as como la
elaboracin de los esquemas para los circuitos impresos en los que se pueda armar un
circuito electrnico determinado.
TEMAS 1 y 2
Identificar cada una de las reas de trabajo del software de simulacin de circuitos
empleado.
Simular con el programa circuitos electrnicos previamente diseados mediante clculos.
TEMA 3
Manejar el ambiente (mens y barras de herramientas) y rea de trabajo del software para
la edicin de esquemticos y circuitos impresos.
Elaboracin de placas de circuito impreso de circuitos previamente diseados y simulados
en el programa correspondiente.
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TEMA 1
Software para Simulacin de Circuitos Electrnicos.
Para el desarrollo de este tema haremos uso del programa denominado Multisim7 que
incorpora capacidades avanzadas de captura de diagramas electrnicos y simulacin de
funcionamiento, sin embargo estos principios pueden ser adaptables y aplicables a otros
paquetes similares. Para ello se seguirn los pasos siguientes:
1. Introduccin del diseo usando la captura esquemtica.
2. Verificacin del comportamiento del circuito a travs de la simulacin.
3. Modificacin del diseo del circuito si su funcionamiento no est conforme a lo
esperado y repetir el paso 2.
1. INTRODUCCIN A LA INTERFASE DE USUARIO
La interfase consiste de los elementos bsicos mostrados en la figura 2.1.
Fig. 2.1. Interfaz del programa Multisim7
Los mens son en donde se pueden encontrar comandos y funciones.
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La barra de herramientas estndar contiene botones para las funciones ms
comnmente utilizadas.
Fig. 2.2.- Barra de herramientas estndar
A continuacin damos una breve descripcin de los botones excepto aquellos que son
comunes en el ambiente Windows.
Incrementa zoom
Magnifica la zona en donde se
encuentra el cursor
Decrementa zoom
Disminuye la zona en donde se
encuentra el cursor
Zoom 100%
Muestra el circuito a su tamao
normal
Fija a la pgina
Muestra en la pantalla la pgina
completa.
Proyecto
Muestra u oculta la ventana de
proyecto
Ventana de
detalles
Muestra u oculta la ventana de
detalles
Base de datos
Muestra el administrador de la base
de datos
Crea componente
Muestra el asistente para crear o
modificar componentes.
Simulacin Inicia o detiene la simulacin
Graficador Muestra la grfica de anlisis.
Post procesador Muestra el dilogo de post proceso
Reglas elctricas Revisa que las reglas se cumplan
Lista de usuario
Muestra la lista de componentes
activos del circuito
La barra de instrumentos contiene botones para cada instrumento como Multmetro,
osciloscopios, generadores de seal, etc.
Fig. 2.3.- Barra de instrumentos.
La barra de componentes tiene botones que permiten seleccionarlos a partir de las
bibliotecas de Multisim para colocarlos en el diagrama. Tiene tambin una referencia a
Edaparts.com de donde se pueden bajar partes no incluidas en las bibliotecas.
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Fig. 2.4.- Barra de componentes
La barra de componentes virtuales permite colocar componentes virtuales, es decir,
componentes con caractersticas generales y no especficas para un modelo en
particular como los que se obtienen a partir de la barra de componentes.
Fig. 2.5.- Barra de componentes virtuales
La ventana del circuito (o lugar de trabajo) es donde se pueden construir los
diagramas.
La barra de estado muestra informacin til acerca de la operacin que se esta
ejecutando y una descripcin del item sobre el que esta puesto el cursor del ratn.
La barra de proyecto permite navegar a travs de los diferentes tipos de archivos en
un proyecto o para ver una jerarqua esquemtica.
La ventana de detalles de la hoja permite ver y editar parmetros que incluyen los
detalles de los componentes tales como huellas, atributos y limitaciones de diseo.
Fig. 2.6.- Ventana de detalles de la hoja.
2. MENS
2.1. Archivo
2.1.1. Nuevo.- Abre una hoja nueva
2.1.2. Abrir.- Abre un circuito existente
2.1.3. Cerrar.- Cierra el circuito actual
2.1.4. Guardar.- Guarda el circuito actual en el disco.
2.1.5. Guarda como.- Guarda el circuito actual en el disco con otro nombre.
2.1.6. Nuevo proyecto.- Abre un proyecto nuevo.
2.1.7. Abre proyecto.- Abre un proyecto existente.
2.1.8. Guarda proyecto.- Guarda el proyecto actual en el disco.
2.1.9. Cierra proyecto.- Cierra el proyecto actual.
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2.1.10. Configuracin de impresin.- Abre el dilogo de configuracin de la
impresin
2.1.11. Vista previa.- Vista previa de la pgina a imprimir.
2.2. Editar.
2.2.1. Giro horizontal.- Mueve el elemento como espejo horizontalmente.
2.2.2. Giro vertical.- Mueve el elemento como espejo verticalmente.
2.2.3. Giro 90 cw.- Gira el elemento 90 en el sentido de las manecillas
del reloj.
2.2.4. Giro 90 ccw.- Gira el elemento 90 en el sentido contrario al de las
manecillas del reloj.
2.2.5. Propiedades.- Muestra las propiedades del elemento seleccionado.
2.3. Colocar.- Da las opciones para colocar diferentes elementos de construccin
del circuito como componentes, conectores, uniones, etc.
2.4. Simulacin.- Muestra las opciones para iniciar o parar la simulacin as como
las posibles configuraciones y tipos de simulacin.
2.5. Herramientas.- Tales como el asistente de componentes, el editor de
componentes, etc.
2.6. Opciones.- La configuracin de las restricciones y preferencias de
funcionamiento.
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TEMA 2
ELABORACIN DE UN CIRCUITO ELECTRNICO.
A continuacin describiremos paso a paso la elaboracin de un circuito y su
correspondiente simulacin.
El circuito a elaborar es el de la figura 2.7.
Fig. 2.7.- Circuito de ejemplo.
Los pasos para la elaboracin del circuito son los siguientes:
1.- En el men Archivo seleccione Nuevo
2.- En el men Archivo seleccione Guardar como.. y asgnele un nombre.
3.- De la barra de Componentes seleccione Transistor y aparecer el siguiente cuadro
de dilogo mostrado en la figura 2.8.
4.- En el campo Grupo seleccione transistores.
5.- En el campo familia seleccione BJT_NPN
6.- En el cuadro componente seleccione 2N2222 y oprima OK.
7.- Abra nuevamente el cuadro de dilogo de seleccin de componente.
8.- En el campo Grupo seleccione Bsico como se muestra en la figura 2.9.
9.- En el campo Familia seleccione Resistencia.
10.- En el cuadro componente seleccione 2.00kOhm_1% y oprima OK
11.- Repita los pasos 7 a 10 seleccionando las opciones correspondientes.
12.- Coloque los componentes adecuadamente y conctelos.
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Fig. 2.8.- Ventana de componentes para seleccin de un transistor.
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Fig. 2.9.- Ventana de componentes para seleccin de una resistencia
13.- De la barra de instrumentos seleccione el generador de funciones y el osciloscopio,
colquelos y conctelos. El circuito deber verse aproximadamente como se muestra
en la figura 2.10.
Fig. 2.10.- Circuito con todos los componentes e instrumentos.
14.- De doble clic sobre el generador de funciones para configurarlo como se muestra
en la figura 2.11.
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Fig. 2.11.- Configuracin del generador de funciones.
15.- Cirrelo con la X y d doble clic en el osciloscopio.
16.- Oprima el Icono y ajuste el osciloscopio para que se vea como en la figura 2.12.
Fig. 2.12.- Vista de las formas de onda resultantes de la simulacin del circuito.
Como podr observarse, el circuito es un amplificador con ganancia de 91.
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TEMA 3
SOFTWARE PARA ELABORACIN
DE CIRCUITOS IMPRESOS
Para el desarrollo de este tema se har uso del programa denominado ORCAD, sin
embargo, lo aqu explicado puede hacerse extensivo a otros paquetes cuidando solamente
los requerimientos del entorno.
1.- INTRODUCCIN A LA INTERFASE DEL USUARIO.
a. Programa CAPTURE
Esta parte del software permite dibujar el diagrama elctrico del circuito a elaborar.
En primer lugar se describir la interfaz y a continuacin se dar un ejemplo de uso.
La interfaz se muestra en la figura 2.13.
Fig. 2.13.- Interfaz del programa capture.
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La paleta de herramientas es la que se muestra en la figura 2.14. y contiene las
herramientas necesarias para construir el circuito colocando componentes,
conectores, conexiones, etc.
La barra estndar tiene botones con funciones propias del
ambiente Windows.
En la ventana de proyecto se muestran todos los archivos que
forman el proyecto.
Para hacer esto ms sencillo, vamos a hacer el diagrama del
circuito de la figura 2.15.
El procedimiento lleva los pasos siguientes:
1.- Abrir el programa Capture
2.- Abrir un proyecto nuevo. Aparecer la ventana mostrada en la
figura 2.16. y se escriben los datos que ah se piden como el
nombre del proyecto, el directorio en donde se va a guardar
y el tipo de proyecto, en este caso esquemtico.
3.-
Oprimir el botn de seleccin de componentes en la paleta de herramientas y
aparecer la ventana mostrada en la figura 2.17.
NOTA: Se deber seleccionar todas las bibliotecas al oprimir el botn Add
Library
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Fig. 2.14.- Paleta de
herramientas
Fig. 2.16.- Ventana de proyecto nuevo
Fig. 2.15 Circuito de ejemplo
Fig. 2.17.- Ventana de seleccin de componentes.
4.- Seleccionar el componente deseado escribiendo su clave en el campo Parte y
oprimir Ok.
5.- Repetir el paso anterior para todos los componentes y colocarlos de la manera
ms apropiada en la ventana de trabajo.
6.- Utilizar el botn conexin de la paleta de herramientas para conectar los
componentes y as crear las mallas. El circuito queda similar al de la figura
2.18.
Fig. 2.18.- Circuito terminado
7.- Ahora resta crear la lista de mallas que servir para fabricar el circuito impreso.
Para esto seleccione la ventana de proyecto y en especial sobre el archivo con
extensin :dsn. Del men Herramientas (Tools) seleccione Crear lista de
mallas (Create netlist) y aparecer el cuadro de dilogo mostrado en la figura
2.19.
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Fig. 2.19.- Ventana Crear lista de mallas
8.- Seleccione la pestaa Layout y configrela como se muestra en la figura 2.19. y
oprima Aceptar. El diseo est terminado.
Ahora toca el lugar al diseo de la placa de circuito impreso con el programa LAYOUT
b. Programa LAYOUT
Esta parte del software permite disear la placa de circuito impreso.
Para esto seguiremos los siguientes pasos:
1.- Abrir el programa LAYOUT y seleccionar archivo nuevo, aparecer un cuadro de
dilogo solicitando la plantilla de diseo. Seleccione jump5535.TCH.
enseguida aparece otro cuadro solicitando la lista de mallas ( .MNL) que habra
que buscarla en su directorio de trabajo seleccionado en el diseo en
CAPTURE.
2.- Guarde el Archivo con extensin .MAX despus de lo que aparecer el cuadro de
dilogo mostrado en la figura 2.20.
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Fig. 2.20.- Cuadro de asignacin de huella (footprint) al componente indicado.
3.- Seleccionar Link existing footprint to component y aparecer el cuadro de
dilogo correspondiente, en el que se buscar la huella apropiada segn el
componente (consultar manuales de componentes para empaquetados).
4.- Una vez asignadas todas las huellas a los componentes, aparecer el rea de
trabajo con los componentes en desorden como se muestra en la figura 2.21.
Fig. 2.21.- Componentes colocados en desorden por el programa.
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5.- Colocar los componentes de acuerdo a la mejor distribucin que se crea
conveniente y rtelos oprimiendo la letra R del teclado al seleccionar el
componente. Un ejemplo de este arreglo se muestra en la figura 2.22.
Fig. 2.22.- Componentes ya organizados.
6.- A continuacin se pueden trazar las pistas oprimiendo el botn trazar pistas
mostrado en la figura 2.21. as el diagrama terminado queda como se muestra
en la figura 2.23.
Fig. 2.23.- PCB terminada
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UNIDAD III
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Los amplificadores operacionales son circuitos integrados compuestos de hasta cientos o
miles de transistores que permiten la amplificacin y manipulacin de seales elctricas.
Sus usos pueden ser variados, pasando desde sumadores, restadores, multiplicadores,
integradores, derivadores, hasta funciones exponenciales, divisiones y muchas ms.
Pueden ser manipulados en lazo abierto, presentando ganancias tpicas de 5000 o ms, o
en lazo cerrado en donde la ganancia estar definida por los elementos externos que se le
conecten.
1. Analizar las caractersticas de entrada, salida y alimentacin de un amplificador
operacional.
1.1. Explicar el concepto de amplificador operacional.
1.2. Analizar las caractersticas de entrada y salida del amplificador operacional.
RESULTADOS DE APRENDIZAJE
1.1.1. Identificar un amplificador operacional.
1.2.1. Interpretar las caractersticas de entrada y salida del amplificador
operacional.
2. Analizar las diferentes configuraciones bsicas del amplificador operacional para
instrumentacin.
2.1. Analizar el amplificador operacional en su configuracin como comparador,
inversor, sumador, seguidor de voltaje, integrador y derivador.
RESULTADO DE APRENDIZAJE
2.1.1. Analizar las ecuaciones que rigen el funcionamiento de las diferentes
configuraciones del amplificador operacional.
3. Aplicar el amplificador operacional para acondicionamiento de seales en la
instrumentacin.
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3.1. Identificar las caractersticas de entrada y salida del amplificador de
instrumentacin.
3.1.1. Interpretar las caractersticas de entrada y salida del amplificador de
instrumentacin.
4.- Utilizar el amplificador operacional en la ejecucin de procesos industriales.
4.1.- Conocer el funcionamiento de un convertidor de corriente a voltaje y de voltaje a
corriente.
4.1.1 Utilizar el amplificador operacional como convertidor de corriente a voltaje, de
voltaje a corriente y algunas aplicaciones en procesos industriales.
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TEMA I
CARACTERSTICAS DE ENTRADA, SALIDA Y ALIMENTACIN
DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Objetivo de aprendizaje:
1. Analizar las caractersticas de entrada, salida y alimentacin de un amplificador
operacional.
1.1 Explicar el concepto de amplificador operacional.
EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL ( OP-AMP )
El amplificador operacional op-amp se ha convertido en un importante elemento funcional
en todos los gneros de reas de aplicacin. Si bien el amplificador operacional es un
circuito un tanto complejo, puede considerarse un dispositivo con caractersticas
especficas de entrada y salida. La mayora de los op-amp existen actualmente en la forma
de circuitos integrados, de manera que no es necesario comprender su sistema interno,
sino es ms importante tener un buen conocimiento de sus caractersticas de entrada y
salida. Este es el enfoque que se adoptar en la introduccin a los op-amp.
QU ES UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL?
El trmino amplificador operacional se refiere normalmente a un amplificador de voltaje de
alta ganancia, con acoplamiento directo y una entrada diferencial ( dos terminales de
entrada, ninguna de las cuales est puesta a tierra. ). Puesto que tiene acoplamiento
directo (lo que significa que no utiliza capacitores de acoplamiento para bloquear la CD),
puede amplificar todas las frecuencias de seal hasta 0 hz. Su frecuencia lmite superior
est tpicamente por arriba de 1 Mhz.
Aunque el op-amp es un amplificador completo, se ha diseado para que puedan
conectarse componentes externas a sus terminales, a fin de determinar las caractersticas
de operacin del amplificador. Esto es, la ganancia de voltaje del amplificador, las
impedancias de entrada y salida, y la respuesta de frecuencia dependen casi
exclusivamente de las componentes externas estables. Esto hace que el amplificador
satisfaga fcilmente las condiciones de cualquier aplicacin particular, y es esta
versatilidad la que hace que el uso de los amplificadores operacionales sea tan popular en
la industria.
En muchos casos, un op-amp tiene su salida conectada a una de sus entradas, ya sea
directa o indirectamente. Esto se denomina retroalimentacin, y cuando sta se emplea se
dice que el amplificador operacional funciona en el modo de ciclo (malla) cerrado. Cuando
no se utiliza la retroalimentacin, se dice que el amplificador operacional funciona en el
modo de ciclo ( malla ) abierto.
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1.2 Analizar las caractersticas de entrada y salida del amplificador operacional.
CARACTERSTICAS BSICAS DEL OP-AMP
Todos los amplificadores operacionales tienen al menos cinco terminales, como puede
verse en el smbolo del op-amp de la fig. 2.1. Existen dos terminales de entrada, una
terminal de salida y dos terminales de la fuente de polarizacin. La mayora de los op-amp
tienen otras terminales que se utilizan para fines especiales.
El smbolo triangular del amplificador operacional de la fi.3.1 es por lo general estndar,
aunque en ocasiones puede ser diferente. Algunas veces las polaridades de entrada (-) y
(+) se invierten, con en la parte superior y + en la inferior. En algunos casos la terminal +
no aparece en absoluto, y se supone que est conectada a tierra.
Fig. 3.1 Smbolo del amplificador operacional.
DNDE ES TIERRA?
Cmo se estableci en la definicin inicial del amplificador operacional, ninguna de las
terminales de entrada debe estar conectada a tierra. Por consiguiente, ninguna de las
terminales del op-amp sirve como referencia de tierra. Entonces dnde est la referencia
de tierra?. Esto se puede contestar examinando la fig. 3.2a.
Las dos fuentes de polarizacin se encuentran conectadas a una tierra de referencia
comn. Esta tierra sirve como referencia para todas las terminales de voltajes de los
amplificadores operacionales como sigue :
e1 voltaje de la entrada + del op-amp respecto a tierra.
e2 voltaje de la entrada respecto a tierra.
esal voltaje de la terminal de salida respecto a tierra. (La carga, si la hay, se conecta entre
esta terminal y tierra).
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+ Vs - voltaje de la terminal positiva de la fuente de alimentacin respecto a tierra.
- Vs- voltaje de la terminal negativa de la fuente de alimentacin respecto atierra.
El diagrama de la fig. 3.2a normalmente se representa como se observa en la fig. 3.2b,
donde la tierra no aparece pero se supone que est en la terminal comn de las
polaridades positiva y negativa de las fuentes.
Fig. 3.2 Amplificador operacional
VALORES DE LA FUENTE DE POLARIZACIN
En la mayora de los op- amp se utilizan voltajes de alimentacin + y simtricos; esto es,
ambas fuentes tienen la misma magnitud. Los voltajes ms comunes son +/- 15 V. En
algunos amplificadores operacionales se utiliza una sola polaridad de alimentacin; por
ejemplo + 30 V y 0 V.
CARACTERISTICAS DE ENTRADA Y SALIDA
El op-amp es un amplificador diferencial, lo que significa que amplifica la diferencia de los
voltajes presentes en las dos terminales de entrada. Especficamente el voltaje de salida
esta dado por:
esal = Avol x (e1 e2)
Como ya se dijo e1 y e2 son, respectivamente, los voltajes de las terminales + y de
entrada respecto a tierra. Avol es la ganancia de voltaje en ciclo abierto del op-amp; es
decir, la ganancia del voltaje del op-amp sin conexin externa de retroalimentacin alguna.
El trmino (e1-e2) es la diferencia de voltajes presentes en las terminales de entrada.
Frecuentemente denominaremos a esta diferencia de voltaje entrada diferencial, ed. Por
consiguiente, ( ed = e1-e2 ) que es el voltaje que se medira en la entrada + respecto a la
entrada - . Se observa que cuando e1> e2, ed ser positivo, y que cuando e1< e2, ed ser
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negativo. Es importante recordar que el op-amp amplifica este diferencial y no e1 e2. As
nuestra ecuacin queda expresada como:
esal = Avoled
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Ejemplo:
Determine ed y esal para la fig. 3.3 , utilizando Avol = 1000
Fig. 3.3 Circuito con amplificador operacional
SOLUCIN :
ed = e1 e2 = 100mV 90mV = + 10 mV
esal = Avol ed = 1000 x 10 mV = 10V
SATURACIN DEL VOLTAJE DE SALIDA
La amplitud mxima del voltaje de salida del op-amp est limitada por la magnitud de los
voltajes de la fuente de alimentacin que se conecten a las terminales de polarizacin del
amplificador operacional. Tpicamente, la amplitud mxima es cerca de 1.5 V menor que la
fuente de polarizacin. Por ejemplo, si se utilizan fuentes de polarizacin de +/- 15 V, la
amplitud de esal est limitada a +/- 13.5 V; es decir, -13.5<= esal <= +13.5 V.
CIRCUITO EQUIVALENTE DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL
El op-amp se puede representar como un circuito equivalente general. Esto se muestra en
la fig.3.4. El extremo de entrada se representa como una impedancia Zent , la cual es la
impedancia entre las terminales de entrada. El extremo de la salida se presenta como una
fuente dependiente de voltaje con amplitud Avol x ed e impedancia de salida Zsal. Este
circuito equivalente slo es vlido en la regin lineal.
Zsal
+
ed Zent esal
- Avol
-
Fig. 3.4. Circuito equivalente.
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IMPEDANCIA Y CORRIENTE DE ENTRADA
En la fig. 3.4 Zent se muestra como resistencia, aunque a muy altas frecuencias tendr una
importante componente de reactancia capacitiva. Sin embargo, para muchos fines
podemos considerarla una resistencia pura. Normalmente los valores de Zent son ms bien
altos para los amplificadores operacionales, y varan generalmente de 10 kohms a ms de
1 Mohm.
Cuando el op-amp opera en su regin lineal, la combinacin de Zent alta y pequeo ed da
como resultado una corriente extremadamente pequea que fluye a travs de las
terminales de entrada. Por lo que se puede suponer que la corriente que fluye a travs de
las terminales de entrada del op-amp es virtualmente cero cuando el amplificador opera en
la regin lineal ( la regin lineal es la regin en la que el voltaje de salida del op-amp no
llega a saturacin ).
IMPEDANCIA Y CORRIENTE DE SALIDA
El valor de Zent para un op-amp moderno se encuentra generalmente en el intervalo que va
de 50 a 200 ohms, el cual se considera relativamente bajo. Sin embargo, cuando un op-
amp se utiliza con retroalimentacin negativa, su impedancia efectiva de salida se reduce
a menos de 1 ohm. Esto permite al op-amp activar la mayor parte de las cargas con muy
pequeas prdidas de la amplitud de salida.
La corriente mxima de salida de un op-amp tpicamente se encuentra en el
intervalo que va de 5 a 25 mA y en algunos casos hasta los 40 mA.
LIMITACIONES DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES
RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Se ha dicho que la mayora de los op-amp tienen valores muy grandes de ganancia de
voltaje en ciclo abierto. Esto es vlido slo para bajas frecuencias de seal, en cuyo caso
el valor de Avol es relativamente constante. Cuando la frecuencia se incrementa, Avol
finalmente decrece y puede llegar a ser muy bajo a frecuencias muy altas.
RAPIDEZ DE RESPUESTA
Las capacitancias internas del circuito sirven para limitar la rapidez con que el voltaje de
salida de un op-amp puede cambiar. Esta limitacin se expresa como una rapidez mxima
de cambio del voltaje de salida, dv/dt, y se denomina rapidez de respuesta (slew rate). Por
ejemplo, un op-amp podra tener
Rapidez de respuesta = dv/dt = 1 V/s
Esto indica que el voltaje de salida del op-amp no puede cambiar en ms de un volt por
microsegundo.
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Resultado de aprendizaje:
1.1.1. Identificar un amplificador operacional.
El Amp-Op es un elemento activo con un alto razn de ganancia diseado para emplearse
con otros elementos de circuitos para efectuar una operacin de procesamiento de
seales especficas como: suma (+), resta (), multiplicacin (), divisin ( ), logaritmo
(log), integral (

cdx
), derivada (d/dx), defasamiento, etc.
Es un dispositivo acoplado directamente que responde slo a la diferencia de tensiones
entre sus terminales y no al potencial comn de stas, es decir, con respecto a tierra.
En resumen, la nica funcin que realiza un Amp-Op es tomar la informacin de las
tensiones en las terminales de entrada del dispositivo en la forma de tensiones
diferenciales de entrada (Vd), y multiplicara sta por la ganancia de tensiones en lazo
abierto (Ao) del amplificador, entregando la tensin de salida:
VOUT = Ao Vd
Entonces, la salida del amplificador con entrada diferencial, solo depende de la diferencia
de las tensiones aplicadas a las terminales de entrada del amplificador operacional (Figura
3.5):
VOUT = A ( V1 V2 )
Figura 3.5 Smbolo de amplificador operacional
Una herramienta adicional bsica del Amp-Op es su smbolo esquemtico. Este es
fundamental, dado que un esquema correctamente dibujado nos dice mucho sobre las
funciones de un circuito. El smbolo se muestra en la figura 2.5 con algunas aclaraciones
anotadas.
El smbolo bsico del amplificador operacional es un tringulo, el cual generalmente
presupone amplificacin. Las entradas estn en la base del tringulo, y la salida en el
pice.
De acuerdo con el convenio normal del flujo de seal, el smbolo se dibuja con el pice
(salida) a la derecha, pero puede alterarse si es necesario para clarificar otros detalles del
circuito.
Usualmente, las dos entradas (+ y ) se dibujan como se indica en la figura 2.5, la entrada
no inversora (+) es la inferior de las dos.
Excepciones a esta regla se producen en circunstancias especiales, en las que podra ser
difcil mantener el convenio estndar. Adems, las dos entradas estn claramente
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identificadas por los smbolos (+) y (), las cuales se sitan adyacentes a sus respectivos
terminales dentro del cuerpo del tringulo.
1.2.1. Interpretar las caractersticas de entrada y salida del amplificador operacional.
Introducindonos un poco en la composicin interna del Amp-Op, podemos sealar que
constan de las siguientes etapas (Figura 3.6):
Figura 3.6 Composicin del amplificador operacional
El amplificador operacional tiene dos entradas. En la primera etapa se amplifica levemente
la diferencia de las mismas. Esto se suele expresar tambin diciendo que se amplifica el
modo diferencial de las seales, mientras que el modo comn se rechaza. Esta etapa
permite el aislamiento de salida a entrada casi perfecto y una alta resistencia de entrada
(impedancia de entrada).
Posteriormente, se pasa a la segunda etapa de ganancia intermedia, en la que se
amplifica nuevamente el modo diferencial filtrado por la etapa anterior. La ganancia total
es muy elevada, tpicamente del orden de 10
5
, originando con ello que suministre a la
siguiente etapa una alta ganancia de corriente que la excita, motivo por el cual sta no
presenta un efecto de carga.
Finalmente, en la tercera etapa no se amplifica la tensin, sino que se posibilita el
suministrar fuertes intensidades. Esto es, se encarga de aislar o separar las etapas
anteriores de la carga. Por tanto, debe presentar a la etapa anterior una alta resistencia de
entrada y una baja resistencia de salida (impedancia de salida) a la carga, y suministrar la
corriente deseada en ella.
Cabe recordar que, para su buen funcionamiento, se necesita una fuente de alimentacin
que polarice toda la circuitera interna del Amp-Op, es decir, todos los transistores
internos. Habitualmente se emplean dos fuentes de alimentacin: una positiva (+V) y otra
negativa (V), de este modo se permite que la salida sea de uno u otro signo.
Evidentemente, la tensin de salida (VOUT) nunca podr superar los lmites que marquen
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las alimentaciones +V y V. No olvidar que el AmpOp est formado por componentes no
generadores.
Hay que aclarar que en la mayora de los casos, es posible conocer el comportamiento de
un circuito en el que se inserta un Amp-Op sin tener en cuenta su estructura interna. Para
ello vamos a definir, como siempre, un componente ideal que nos permita una primera
aproximacin. Y tambin como es habitual, los clculos rigurosos necesitarn de modelos
ms complejos, para los que s es necesario estudiarlo ms profundamente.
Entonces, de acuerdo a lo explicado en estos ltimos prrafos, puede modelarse
razonablemente como un amplificador ideal, lo establecido en la figura 3.7:
Figura 3.7 Amplificador operacional ideal.
Teniendo en mente las funciones de la entrada y salida del Amp-Op y conociendo de
forma bsica su estructura interna, podemos definir ahora las propiedades del amplificador
ideal. stas son las siguientes:
a) La ganancia de tensin a es infinita (aunque en realidad es mayor a 10
5
), lo que hace
que el funcionamiento del amplificador sea enteramente de la entrada y de las redes de
retroalimentacin.
b) La impedancia de entrada (RI o ZI) es infinita (en condiciones normales, es mayor a
1M), lo que asegurara que no circule corriente (I1 e I2) en las terminales de entrada
del amplificador, es decir, I1 = I2 = 0 A. Estas corrientes se les conoce con el nombre de
IBIAS.
c) La impedancia de salida (RO o ZO) es nula, garantizando con ello que el amplificador no
se afecte por la carga.
d) Las tensiones y corrientes de compensacin (offset) son nulas, lo que asegura la
nulidad de la tensin de salida cuando la tensin de entrada tambin lo es,
independientemente de la resistencia del generador o fuente de seal de entrada.
e) El ancho de banda (AB) es infinito, lo que significa que se preserva un ancho de banda
desde cc hasta una frecuencia infinita, con un tiempo de respuesta nulo y sin que el
ngulo de fase cambie con la frecuencia.
f) La razn de rechazo en modo comn (CMRR) es infinito, es decir, que el amplificador
debe tener la capacidad de rechazar seales que estn simultneamente presentes en
ambas entradas.
Por lo tanto, de acuerdo a lo anterior, puede llegarse especialmente al modelo ideal de un
Amp-Op, donde se suprimira la fuente dependiente. Este modelo se utiliza junto con
resistores para crear circuitos importantes. El modelo es entonces el siguiente (Figura 3.8):
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Figura 3.8. Modelo ideal.
Para el caso de anlisis en las distintas configuraciones de los Amp-Ops, a partir de sus
caractersticas ideales, pueden deducirse dos axiomas importantes. Puesto que, la
ganancia en tensin es infinita, cualquier seal de salida que se desarrolle ser el
resultado de una seal de entrada infinitesimalmente pequea. Luego, en resumen:
cuando se aplica retroalimentacin negativa al amplificador ideal, la tensin de entrada
diferencial (Vd) es nula;
si la resistencia de entrada es infinita, no existe flujo de corriente en ninguno de los
terminales de entrada, es decir, son cero.
Estas dos propiedades pueden considerarse como axiomas, y se emplearn
repetidamente en el anlisis y diseo del circuito del Amp-Op. Una vez entendidas estas
propiedades, se pude, lgicamente, deducir el funcionamiento de casi todos los circuitos
amplificadores operacionales.
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TEMA 2
CONFIGURACIONES BSICAS DEL AMPLIFICADOR
OPERACIONAL PARA INSTRUMENTACIN.
2. Analizar las diferentes configuraciones bsicas del amplificador operacional para
instrumentacin.
2.1 Analizar el amplificador operacional en su configuracin como comparador,
inversor, sumador, seguidor de voltaje, integrador y derivador.
CONFIGURACIONES DE AMPLIFICADORES OPERACIONALES
EL COMPARADOR.-
El op-amp se usa normalmente en el modo de ciclo cerrado (con retroalimentacin),
debido a que la ganancia de voltaje puede controlarse exactamente por medio de
componentes externas. Rara vez se utiliza en el modo de ciclo abierto, dado que su gran
ganancia de voltaje en circuito abierto activa la salida dentro de la saturacin para
cualesquiera amplitudes razonables de la seal de entrada. Sin embargo, existe una
aplicacin muy importante de ciclo abierto denominada comparador de voltaje.
Un comparador de voltaje, (ver Fig.3.9) como su nombre lo indica, compara un voltaje con
otro y seala cual es mayor. En el op-amp como comparador, la salida est en cualquier
lmite de saturacin, dependiendo de qu entrada sea mayor. Esto se muestra en la Fig.
3.9. Cuando e1 excede a e2 (por 135V o ms), la salida estar en saturacin positiva en
+13.5 V. Inversamente, cuando e2 excede a e1 (por 135V o ms), esal est saturado en
13.5 V.
Una de las aplicaciones ms importantes de los comparadores es el detector de cruce por
cero, como se observa en la Fig. 3.10. El circuito se denomina detector de cruce por cero,
puesto que esal conmuta de un nivel de saturacin al otro cuando la forma de onda et cruza
por cero (0 V).
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Fig. 3.9 Comparador bsico
Fig.3.10 Detector de cruce por cero.
RETROALIMENTACIN NEGATIVA
RETROALIMENTACIN NO INVERSORA DE VOLTAJE
La forma mas simple de retroalimentacin es la retroalimentacin no inversora de voltaje.
Con este tipo de retroalimentacin, la seal de entrada se aplica a la entrada no inversora
(+) del amplificador; se toma como muestra una fraccin del voltaje de salida y se
retroalimenta a la entrada inversora. Un amplificador con retroalimentacin no inversora de
voltaje tiende a comportarse como un amplificador perfecto de voltaje con impedancia de
entrada infinita, impedancia de salida cero y ganancia constante de voltaje.
Analicemos un arreglo con retroalimentacin no inversora como el que se observa en la
Fig. 3.11, en este circuito la ganancia total de voltaje es aproximadamente constante,
aunque vare la ganancia diferencial de voltaje. Por qu? Supngase que A se
incrementa por alguna razn (cambio de temperatura, etc). El voltaje de salida tratar
entonces de incrementarse. Esto quiere decir que se retroalimentar ms voltaje a la
entrada inversora (-), ocasionando que el voltaje diferencial ed disminuya. Esto
compensar casi completamente el intento de incremento en el voltaje de salida.
Un argumento similar es aplicable a una disminucin en la ganancia diferencial de voltaje.
Cuando A disminuya, el voltaje de salida trata de disminuir. A su vez, el voltaje de
retroalimentacin disminuye, ocasionando que ed se incremente. Esto compensa casi
completamente el intento de disminucin de A.
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Recuerde la idea clave, cuando el voltaje de entrada es constante, el intento de cambio en
el voltaje de salida es retroalimentado a la entrada, proporcionando un voltaje diferencial
ed que automticamente compensa el intento de cambio.
Fig. 3.11 Retroalimentacin de voltaje no inversor
(Amplificador no inversor)
ANLISIS MATEMTICO
Anlizando la fig. 3.11 se observa que el divisor de voltaje de la salida es retroalimentado
a la entrada inversora. Si el divisor de voltaje no se ve afectado por la entrada inversora, el
voltaje de retroalimentacin es

donde B es la fraccin del voltaje de salida retroalimentado a la entrada.
Esta ecuacin es vlida cuando suponemos que la resistencia de entrada (impedancia de
entrada ) es mucho mayor que R2 y como estan en paralelo entonces predomina R2. Esta
condicin se satisface de manera usual en un circuito operacional.
El voltaje diferencial de entrada est dado como ya se mencion anteriormente como ed =
e1- e2 = eent Besal y se amplifica para obtener una tensin de salida de
aproximadamente :
esal = Avol ed = Avol(eent Besal)
Rescribiendo:
en donde:
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sal sal
e B e
R R
R
e
+
2 1
2
2
CL
vol
vol
ent
sal
A
BA
A
e
e
1
esal = voltaje de salida
eent = voltaje de entrada
Avol = ganancia de voltaje diferencial de lazo abierto
B = Fraccin del voltaje de salida retroalimentado a la entrada.
ACL= ganancia de lazo cerrado
Al cociente del voltaje de salida entre el de entrada en lazo cerrado se le conoce como
ganancia de lazo cerrado y se escribe ACL .
Al producto BAvol se le denomina ganancia de lazo. Para que la retroalimentacin de
voltaje no invertido sea efectiva, el diseador debe hacer deliberadamente que la ganancia
de lazo BAvol sea mucho mayor que 1, de tal modo que la ecuacin se reduzca a :

Por qu es tan importante este resultado? Porque expresa que la ganancia total de
voltaje del circuito es igual al recproco de B, la fraccin de retroalimentacin. En otras
palabras, la ganancia ya no depende del op-amp, sino ms bien de la retroalimentacin
del divisor de voltaje.
Ahora conocemos la ganancia del circuito de lazo cerrado, cuando se considera la
ganancia de lazo lo suficientemente grande, pero nos falta encontrar la expresin del
voltaje de salida en funcin de la entrada; para expresar dicha ecuacin se considera lo ya
obtenido y nos queda:
nos queda finalmente
Ejemplo:
Determine los valores de R1 y R2 para una ganancia de 50 .
La combinacin en serie de R2 y R1 actu como una carga en la salida de op-amp y por lo
tanto deber mantenerse tan grande como sea posible. Sin embargo, es usual poner
valores de resistencias menores de 1 Mohm. As pues utilicemos R2 = 500 Kohms. As,
ACL =50 = 1 + R2/R1 = 1 + 500 K/ R1
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B e
e
ent
sal
1
1 2
2
R R
R
e e
ent sal
+
,
_
+
1
2
1
R
R
e e
ent sal
De manera que R1 =
500 K
/
49
= 10.2 K.
Por supuesto, el valor real de ACL depender de cun prximos estn R1 y R2 de estos
valores seleccionados.
OTROS EFECTOS DE LA RETROALIMENTACIN DE VOLTAJE NO INVERSOR
La estabilidad de la ganancia de voltaje no es el nico beneficio de la retroalimentacin no
inversora. Tambin mejora la impedancia de entrada, la impedancia de salida y el voltaje
de compensacin de salida, se deja al estudiante las razones del porque de este
comportamiento de los operacionales con retroalimentacion no inversora.
EL AMPLIFICADOR INVERSOR
En otra configuracin de ciclo cerrado muy til, eent se aplica a la entrada del amplificador
operacional, mientras que la entrada + est puesta a tierra, como se muestra en la fig.
3.12. Con eent aplicado a la entrada -, la polaridad o fase de esal ser opuesto a la de eent.
Por tal motivo, esta configuracin se denomina amplificador inversor.
Supongamos por el momento que eent es positivo con respecto a tierra, de manera que esal
es negativo, eent est conectado a la terminal (puntox) a travs del resistor R1 y tiende a
hacer positivo el punto x. Sin embargo, esal se retroalimenta a la terminal a travs de R2
y tiende a hacer el punto x ms negativo. El resultado de esta retroalimentacin negativa
es que la terminal ser slo ligeramente ms positiva que la terminal +, la cual est a
tierra. En otras palabras, esal adquiere un valor tal que hace a ex apenas lo suficientemente
grande para que el diferencial a travs de las entradas del op-amp, cuando se amplifica
por el factor Avol, produzca ese valor de esal. Entonces, para todos los fines prcticos, ex
estar a potencial de tierra. Ocacionalmente se dice que la entrada es una tierra virtual
en sta situacin.
Podemos utilizar el hecho de que ex ~ 0 para ayudarnos a determinar el valor de esal .
Tambin podemos usar el argumento de que la corriente a travs de las terminales de
entrada del amplificador operacional ser prcticamente cero en virtud del voltaje
diferencial de entrada extremadamente pequeo y la gran Zent. Con el punto x a tierra, el
voltaje a travs de R1 ser igual a eent y tendr la polaridad que se muestra. Por tanto, la
corriente a travs de R1 es
I=eent/R1
y fluye en el sentido que se seala.
Esta misma corriente debe fluir por el resistor de retroalimentacin R2, y produce un voltaje
a travs de R2 con la polaridad que se observa en la fig. 3.12.
Puesto que el punto x est virtualmente a tierra, esal debe igualar al voltaje a travs de R2.
Es decir,
esal = -i2R2 = -i1R2
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esal = - eent(R2/R1)
El cociente esal/eent es la ganancia de ciclo cerrado ACL
ACL =esal/eent = - (R2/R1)
El amplificador inversor tiene una ganancia determinada nicamente por el cociente de las
dos resistencias, y el signo negativo indica la polaridad o inversin de fase. Esta frmula
para ACL es razonablemente exacta mientras la ganancia de ciclo AVOL/ACL se mantenga
muy grande (>= 100) y esal no alcance la saturacin.
FIG. 3.12 Amplificador Inversor.
EL AMPLIFICADOR SUMADOR.-
Otra ventaja del amplificador inversor de voltaje es la posibilidad de operar con ms de
una entrada a la vez. Para entender la razn obsrvese la Fig.3.13. Debido a la tierra
virtual, los dos resistores de entrada estn conectados efectivamente a tierra en el
extremo derecho. La corriente de entrada a travs de R1 es:
i1 = v1/R1
y la corriente de entrada a travs de R2 es:
i2 = v2/R2
La suma, i1 + i2, fluye a travs de R3, por lo que el voltaje de salida es:
esal = - (i1 + i2)R3
esal = - R3/R1 eent1 R3/R2 eent2 = - ( R3/R1eent1 + R3/R2eent2)
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Esto significa que es posible tener una ganancia diferente de voltaje para cada entrada; la
salida es la suma de las entradas amplificadas. La misma idea se aplica a cualquier
nmero de entradas, agregando otro resistor para cada nueva seal de entrada.
FIG. 3.13 Amplificador Sumador Inversor
EL SEGUIDOR DE VOLTAJE
Examinaremos ahora el circuito amplificador ms simple de ciclo cerrado de la Fig. 3.14.
La entrada eent, se aplica a la entrada +, y la salida esal, se conecta directamente de retorno
a la entrada -. Esto es una retroalimentacin negativa, puesto que la salida se
retroalimenta a la entrada -. Esta retroalimentacin negativa podra en un principio parecer
extraa, porque la salida ayuda a determinar la entrada diferencial, la cual entonces es
amplificada para producir la salida. Esto es,
ed = eent esal
Pero
esal = AVOLed = AVOL(eent esal)
Despejando esal se obtiene
La ganancia de voltaje de este circuito desde eent hasta esal se obtiene:
Es claro que grandes valores de AVOL, la ganancia en ciclo cerrado estar dada por:
ACL = 1
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ent
VOL
VOL
sal
e
A
A
e
,
_
,
_
+

VOL
VOL
ent
sal
CL
A
A
e
e
A
1
Es decir la ganancia de lazo cerrado se puede considerar igual a 1, es decir esal sigue
exactamente a eent. Por este motivo el circuito se llama seguidor de voltaje. Entonces la
ecuacin del voltaje de salida con respecto al de entrada nos da:
esal = eent
Una de las principales ventajas de la configuracin seguidora de voltaje es que la seal de
entrada ve una impedancia efectiva de entrada, Zent, muy grande AVOL veces ms grande
que la impedancia de un op-amp normal, y adems una impedancia de salida AVOL veces
ms pequea.

FIG 3.14. Seguidor de voltaje
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL O RESTADOR.
Este circuito (Figura 3.15) tiene como finalidad proporcionar una tensin de salida VO, igual
a la diferencia entre la tensin o seal aplicada a la entrada no inversora (V2) y la aplicada
a la entrada inversora (V1), multiplicada por una ganancia que va a depender de los
resistores de entrada y de retroalimentacin.
Figura 3.15 Amplificador diferencial o restador
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Aplicacin del anlisis de circuitos para obtener la funcin de transferencia del
amplificador diferencial
Primeramente,
aplicando la LCK en
el nodo 1 tenemos
que:
2
O x
1
x 1
R
V V
R
V V

2 1 2 1 X 1 O
R V ) R R ( V R V +

..... (a)
Despus,
empleando la teora del divisor de tensin, la aplicamos en el
nodo 2 para obtener:
2 1
2 2
x
R R
R V
V
+
.......... (b)
Sustituyendo la ecuacin (b) en (a), resulta que:
( )
2 1 2 1
2 1
2 2
1 O
R V R R
R R
R V
R V +
+

) V V ( R R V R V R V
1 2 2 2 1 2 2 1 O

por lo tanto, la funcin de transferencia del amplificador diferencial o restador es:
( )
1 2
1
2
O
V V
R
R
V
Esta configuracin es nica porque puede rechazar una seal comn a ambas entradas.
Esto se debe a la propiedad de tensin de entrada diferencial nula, que se explica a
continuacin.
En el caso de que las seales V1 y V2 sean idnticas, el anlisis es sencillo. V1 se dividir
entre R1 y R2, apareciendo una menor tensin V+ en R2. Debido a la ganancia infinita del
amplificador, y a la tensin de entrada diferencial cero, una tensin igual V debe
aparecer en el nudo suma (). Puesto que la red de resistores R3 y R4 es igual a la red
R1 y R2, y se aplica la misma tensin a ambos terminales de entrada, se concluye que VO
debe estar a potencial nulo para que V se mantenga igual a V+; VO estar al mismo
potencial que el de R2, el cual, de hecho est a tierra.
Esta muy til propiedad del amplificador diferencial, puede utilizarse para discriminar
componentes de ruido en modo comn no deseables, mientras que se amplifican las
seales que aparecen de forma diferencial. Si se cumple la relacin:
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1
2
3
4
R
R
R
R
la ganancia para seales en modo comn es cero, puesto que, por definicin, el
amplificador no tiene ganancia cuando se aplican seales iguales a ambas entradas.
Las dos impedancias de entrada de la etapa son distintas. Para la entrada no inversora
(+), la impedancia de entrada es R1 + R2. La impedancia para la entrada inversora () es
R3. La impedancia de entrada diferencial (para una fuente flotante) es la impedancia entre
las entradas, es decir, R1 + R3.
En sntesis, esta configuracin es un amplificado diferencial que pose todas las
caractersticas a que deben ajustarse los Amp-Ops. Por ejemplo: la ganancia diferencial
(Ad), la ganancia en modo comn (AC), la razn de rechazo en modo comn (CMRR), el
ruido, etc.
Entre otras, este amplificador es la base del amplificador de instrumentacin, amplimente
usado en el acondicionamiento de seal para transductores, para la medicin de
diferentes magnitudes fsicas.
EL INTEGRADOR.
Se ha visto que ambas configuraciones bsicas del Amp-Op (inversor y no inversor)
actan para mantener constantemente la corriente de realimentacin, IF igual a IIN.
Una modificacin del amplificador inversor, el integrador (mostrado en la figura 3.16), se
aprovecha de esta caracterstica. Se aplica una tensin de entrada VIN a RG, lo que da
lugar a una corriente de entrada IIN.
Figura 3.16 Circuito integrador
Como ocurra en el amplificador inversor, V = 0, puesto que V+ = 0, y por tener
impedancia infinita toda la corriente de entrada IIN pasa hacia el condensador CF,
llamaremos a esta corriente IF.
El elemento realimentador en el integrador es el condensador CF. Por consiguiente, la
corriente constante IF, en CF da lugar a una rampa lineal de tensin. La tensin de salida
es, por tanto, la integral de la corriente de entrada, que es forzada a cargar CF por el lazo
de realimentacin. La variacin de tensin en CF es
lo que hace que la salida vare por unidad de tiempo segn:
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Como en otras configuraciones del amplificador inversor, la impedancia de entrada es
simplemente RG. Obsrvese el siguiente diagrama de seales (Figura 3.17) para este
circuito:
Figura 3.17 Respuesta de un circuito integrador
Por supuesto la rampa depender de los valores de la seal de entrada, del resistor y del
capacitor.
EL DERIVADOR
Una segunda modificacin del amplificador inversor, que tambin aprovecha la corriente
en un condensador es el diferenciador mostrado en la figura 3.18.
Figura 3.18 Circuito derivador
En este circuito, la posicin de RF y CIN estn al revs que en el integrador, estando el
elemento capacitivo en la red de entrada y el resistor en la retroalimentacin. Luego, la
corriente de entrada obtenida es proporcional a la cantidad de variacin de la tensin de
entrada, esto es:
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De nuevo diremos que la corriente de entrada IIN, circular por el resistor RF, por lo que la
corriente IF = IIN. Y puesto que VOUT = IF RF, sustituyendo obtenemos:
Obsrvese el siguiente diagrama de seales para este circuito (Figura 3.19):
Figura 3.19 Respuesta de un circuito derivador
FILTROS
Los filtros sirven para poder dejar pasar un determinado intervalo de frecuencias con lo
que atena las dems frecuencias que se presenten. Pueden ser activos (empleando
Amp-Ops, elementos resistivos y capacitivos) o pasivos (basados en resistores, bobinas y
capacitores).
En bajas frecuencias, las bobinas son voluminosas y costosas. Utilizando amplificadores
operacionales, es posible construir filtros activos RC. Existen muchos diseos de filtros.
Son conocidos como de Butterworth, Chebshev y Bessel, entre otros.
En este punto se tratarn los filtros ms comnes, que son los Butterworth o filtros de
respuesta plena mxima, entre ellos: filtros paso-bajo, paso-alto o pasabanda.
FILTRO PASABAJAS DE SEGUNDO ORDEN
El circuito esquemtico es el siguiente (Figura 3.20a):
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(a) (b)
Figura 3.20 Filtro pasabajas de segundo orden
La caracterstica de este circuito es que las frecuencias inferiores a la de la frecuencia de
corte (fO) mantiene la ganancia del circuito.
A las frecuencia superiores de la de corte disminuye la ganancia del circuito (ver figura
3.20 b).
FILTRO PASABAJAS DE CUARTO ORDEN
El circuito esquemtico es el siguiente (Figura 3.21):
Figura 3.21 Circuito pasabajas de cuarto orden
En realidad, este es el circuito de la figura 3.20a, pero duplicado. Con este se consigue lo
mismo que en el anterior pero con una pendiente de bajada mejor, es decir, atena mejor
las frecuencias superiores a la fO (ver figura 3.22).
Figura 3.22 Respuesta del filtro de la figura 3.21
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FILTRO PASA ALTA DE SEGUNDO ORDEN
El circuito esquemtico es el siguiente (Figura 3.22a):
(a) (b)
Figura 3.22 Filtro pasa alta de segundo orden
Se caracteriza porque a partir de una frecuencia de corte (fO), mantiene la ganancia del
circuito superior a esa frecuencia de corte. A frecuencias inferiores a la de corte,
disminuye la ganancia del circuito (ver figura 3.22b)
FILTRO PASA ALTAS DE CUARTO ORDEN
Figura 3.23 Filtro pasa altas de cuarto orden
En realidad, este circuito es el mismo que el anterior pero duplicado. En este la pendiente
de bajada es mejor, o sea, atena mejor las frecuencias inferiores (ver figura 3.24).
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Figura 3.24 Respuesta del filtro pasa altas de cuarto orden
FILTRO PASABANDA DE CUARTO ORDEN
Figura 3.25 Filtro pasabanda de cuarto orden
Este circuito se diferencia de los dems porque tiene 2 frecuencias de corte (fo1 y fo2). El
objetivo de este circuito es que mantiene la ganancia del circuito de una frecuencia de
corte a otra. A frecuencias distintas a las comprendidas, la ganancia del circuito
disminuir (ver figura 3.26).
Figura 3.26 Respuesta del filtro pasabanda de cuarto orden
Los filtros son bastantes tiles, por ejemplo, para amplificar unas frecuencias ms que
otras en una fuente de sonido (radioscassette, minicadena, etc.
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amplificador no inversor
Mtodo 1.
Aplicando la LCK al nodo 1, obtenemos que:
0
R
V V
R
V
2
O i
1
i

+
,
despejando para separar los trminos relacionados con Vi
y VO, tenemos que:
( )
O 1 2 1 i
V R R R V +
, por lo tanto la ecuacin o
funcin de transferencia resultante es:
1
2
i
O
R
R
1
V
V
+
Fig. 3.27 Amplificador no inversor.
Mtodo 2.
Sabemos que y x e
V V V
y que
0 V
e

. Por lo tanto, del
circuito, se puede observar dos cosas: que i x
V V
y
2 1
1 O
y
R R
R V
V
+
. Entonces, sustituyendo estas dos ltimas

ecuaciones en la de Ve obtenemos que:
( ) 0 R V R R V
R R
R V
V
1 O 2 1 i
2 1
1 O
i
+
+
para finalmente tener la funcin de transferencia correspondiente a esta configuracin:

1
2
i
O
R
R
1
V
V
+
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Fig. 3.28 Amplificador no inversor.
seguidor de tensin
Mtodo 1.
Fig. 3.29 Amplificador seguidor de tensin.
Del circuito, observamos que O 1
V V
y i 2
V V
, y que debido al corto virtual 2 1
V V
, que es
lo mismo decir que i O
V V
. Por lo tanto, la ecuacin o funcin de transferencia resultante
es:
1
V
V
i
O

Mtodo 2.
Sabemos que
) V V ( A V
x y O

, donde A es la ganancia de tensin en lazo abierto del
AmpOp. Entonces, observando el circuito tenemos que i y
V V
y O x
V V
, por lo tanto
( )
O i O i O
AV AV V V A V
. Despejando de aqu para dejar la ecuacin en trminos de Vi y VO
obtenemos que
( )
i O
AV A 1 V +
, o lo que es lo mismo,
1
A
1
V
A 1
AV
V
i i
O
+
. Pero si
A
entonces
i O
V V
, obtenindose finalmente la funcin de transferencia del seguidor de tensin: .
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1
i
O
V
V
amplificador sumador inversor
En este circuito, como en el amplificador inversor, la tensin V+ est conectada a tierra
(GND), por lo que la tensin V estar a una tierra virtual, y como la impedancia de
entrada es infinita toda la corriente I1 circular a travs de Rf y la llamaremos I2. Lo que
ocurre en este caso, aplicando la LCK en el nodo 1, es que la corriente I1 es la suma
algebraica de las corrientes proporcionadas por V1, V2 y V3, es decir:
c b a 1
I I I I + +

3
c
2
b
1
a
1
R
V
R
V
R
V
I + +
y tambin
f
O
2
R
V
I
Por lo tanto, como I1 = I2 concluimos que la funcin de transferencia para esta
configuracin es:
,
_
+ +
3
c
2
b
1
a
f O
R
V
R
V
R
V
R V
que establece que la tensin de salida es la suma algebraica invertida de las tensiones
de entrada multiplicadas por un factor corrector, que el alumno puede observar que en el
caso en que Rf = R1 = R2 = R3:
( )
c b a O
V V V V + +
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TEMA 3
USO DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL EN
INSTRUMENTACIN
3. Aplicar el amplificador operacional para acondicionamiento de seales en la
instrumentacin.
3.1 Identificar las caractersticas de entrada y salida del amplificador de
instrumentacin.
AMPLIFICADOR DE INSTRUMENTACIN
Es uno de los ms conocidos como amplificador diferencial de cc o cd, y se destaca por la
caracterstica de amplificar la diferencia entre dos seales y por el hecho de que las
entradas estn directamente acopladas. Otros trminos usados para esta configuracin
bsica son: amplificador, amplificador de transductores, amplificador puente, amplificador
de datos, amplificador de diferencia, amplificador de error y amplificador de
instrumentacin. En la actualidad es uno de los amplificadores ms tiles, preciso y
verstil de que se dispone.
En trminos generales, el amplificador de instrumentacin debe cumplir con las siguientes
caractersticas:
Muy alta impedancia o resistencia de entrada, y que sta no cambie con las
variaciones de la ganancia.
Aceptar seales de entrada de sistemas balanceados, simtricos, flotantes o
levantados de tierra.
Aceptar seales de entrada referidas a tierra.
Seal de salida referida a tierra.
Alta ganancia en modo diferencial.
Ganancia en modo comn prcticamente cero.
Alta razn de rechazo de modo comn.
Un simple control de ganancia para la seal de entrada diferencial.
Errores por desviacin (offset) cero.
Muy baja resistencia de salida.
Bajo ruido.
El circuito que posee estas especificaciones es el mostrado en la figura 1, mismo que se
configura con tres amplificadores operacionales. La etapa formada por A1 y A2 es la etapa
de entrada, la cual tiene las siguientes particularidades: muy alta resistencia de entrada;
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es seguidora de voltaje; variacin de ganancia simultnea por medio de un solo control; en
caso de que las seales de entrada estn o no referidas a tierra, deben proporcionar un
voltaje de salida diferencial flotado. El amplificador operacional A3 configura el amplificador
de diferencia y toma el voltaje de salida de la primera etapa en forma diferencial, lo
amplifica y lo refiere a tierra; finalmente este es el Vo.
Para el anlisis se presupone en este caso que V1 > V2, y que los amplificadores
operacionales son ideales. Por los dos primeros axiomas se cumple que
Vd = 0 y tambin que Is, = 0
Por lo tanto, el voltaje diferencial de entrada o la diferencia de las seales de entrada
sern las que fijen el valor y direccin de la corriente en el potencimetro.
En este caso es hacia arriba y es
FIG. 3.32. Amplificador de instrumentacin.
Bajo el supuesto de que V2 > V1, en las salidas de los amplificadores operacionales A2 Y
A1 el voltaje es
Sustituyendo la corriente en esta ltima ecuacin
..(1)
Simplificando
..............................................(2)
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El voltaje de salida del amplificador diferencial es
................................................................(3)
Sustituyendo la ecuacin (2) en (3)
............................................(4)
El control de ganancia es mediante el potencimetro R, cuando est en su mximo valor
es muy grande, entonces tiende a . Por lo tanto, el ltimo trmino de la ecuacin de
Vo,, se hace igual a 1 y el voltaje de salida es
El otro caso es cuando el potencimetro es cero, es decir = 0; entonces el voltaje de
salida tiende a infinito, lo cual causa que el amplificador se sature. Para evitar esta
situacin, se conecta en serie con el potencimetro una resistencia mR de un valor tal que
limita y fija la mxima ganancia. Para ello, en la ecuacin (1) se suma mR al
potencimetro R, resultando:
.......................................(5)
Cuando = 0, el voltaje de salida es mximo y toma un valor finito, expresado como
El otro extremo es cuando se aproxima a , en este caso Vo se hace mnimo. En la
ecuacin 5 se factoriza ( + m) en el numerador y denominador resultando
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Y ahora haciendo =
En este caso, el voltaje de salida lo define exclusivamente la ganancia del amplificador
diferencial.
3.1.1 Interpretar las caractersticas de entrada y salida del amplificador de
instrumentacin.
Rechazo de Modo Comn en Amplificadores de Instrumentacin
Existen en equipos en la industria, en equipos de electromedicina, y en equipos en otras
muchas aplicaciones, la necesidad de medir seales muy pequeas del orden de
microvoltios o pocos milivoltios en la presencia de comparativamente grandes seales de
ruido provenientes de distintas fuentes, como ser motores, tubos de iluminacin de
descarga gaseosa, y la siempre presente induccin de la frecuencia de lnea de
alimentacin, en nuestro caso 50Hz. Para realizar las mencionadas mediciones estos
debern utilizar en su entrada Amplificadores de Instrumentacin con un adecuada
Relacin Rechazo de Modo Comn (CMRR).
En la siguiente figura se coloca un esquema bsico de medicin
Fig. 3.33 Amplificador de instrumentacin.
Al Amplificador de Instrumentacin ingresan dos seales de modo comn: una de c.c. de
+2.5V provenientes del puentes de resistencias y otra de c.a. Vruido inducida sobre los
cables de entrada al amplificador.
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Rechazo de Modo Comn
Los amplificadores de Instrumentacin amplifican la diferencia entre dos seales. Esas
seales diferenciales en la prctica provienen de sensores como ser termocuplas,
fotosensores, puentes de medicin resistivos, etc. En la figura de arriba se ve que de un
puente resistivo, en estado de equilibrio sin seal, en la mitad de las ramas del puente
existe una seal de 2.5V respecto a masa. Esta seal de corriente continua es comn a
ambas entradas por lo cual es llamada Voltaje de Modo Comn de la seal diferencial. Se
puede ver que estas seales no contienen informacin til en lo que se quiere medir y
como el amplificador amplificar la diferencia de ambas, al ser iguales, se restan y a la
salida el resultado ser cero o sea idealmente no estn contribuyendo a la informacin de
salida. Tambin se ve que se inducen seales de corriente alterna en ambas entradas a la
vez y que sern rechazadas como en el caso de continua. Pero al producirse un
desbalance del equilibrio del puente por la variacin de una de sus resistencias se
producir una seal que ser aplicada entre ambas entradas y ser amplificada. Por lo
expuesto, es que se justifica la utilizacin de amplificadores de instrumentacin para
rechazar seales que entran en modo comn, o sea en las dos entradas se presenta la
misma seal.
En la prctica, las seales de modo comn nunca sern rechazadas completamente, de
manera que alguna pequea parte de la seal indeseada contribuir a la salida.
Para cuantificar la calidad del Amplificador de Instrumentacin, se especifica la llamada
Relacin de Rechazo de Modo Comn (CMRR) que matemticamente se expresa como:
Siendo:
AD = Amplificador diferencial.
ACM = Amplificador modo comn.
De la ltima frmula podemos obtener la Vout como:
Donde:
Vout = Voltaje de salida.
VCM = Voltaje de modo comn en la entrada.
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Configuraciones circuitales de Amplificaciones de Instrumentacin
Configuracin de dos amplificadores operacionales.-
El circuito esquemtico se muestra abajo:
Fig. 3.34 Configuracin con dos amplificadores operacionales.
Amplificador diferencial:
Amplitud de Salida Diferencial
VoutDiferencial = Vout (donde VA es distinto de VB) es la siguiente:
Esta ecuacin surge haciendo el siguiente anlisis del circuito anterior:

considerando que R1 = R4 y R2 = R3 la tensin diferencial ser:

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Es de destacar que de acuerdo con las frmulas obtenidas, con este circuito no se puede
tener ganancia unitaria, y en caso de necesitarse hay que utilizar la configuracin de tres
AO's.-
Amplitud de Salida de Modo Comn
Considerando VA=VB =VCM de las ecuaciones anteriores obtenemos:
La tensin de Salida de Modo Comn ser:
Y la ecuacin del CMRR:
Considerando la frmula para el CMRR vemos que este se incrementa con la
amplificacin diferencial y con el apareamiento de las resistencias, ya que si se logra, el
CMRR tiende a infinito.-
Amplitud de Salida Diferencial
VoutDiferencial = Vout (donde VA es distinto de VB) es la siguiente:
Esta ecuacin surge haciendo el siguiente anlisis del circuito anterior:

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Configuracin de tres amplificadores operacionales
Vista anteriormente, el circuito esquemtico es:
Fig. 3.35 Configuracin con tres amplificadores operacionales.
Amplificacin Diferencial
En este amplificador se acostumbra a hacer R5 = R6 = R; R1= R3 y R2 = R4 y como ya vimos
la amplificacin diferencial ser:
Amplificacin de Modo Comn
Considerando VA = VB = VCM y como los amplificadores de entrada estn en una
configuracin simtrica, la misma tensin aparece en V1 y V2, de manera que de las
ecuaciones vistas anteriormente en amplificadores diferencia, surge que:
Y el CMRR ser
Nuevamente el CMRR depende de la AD y del cuidado en seleccionar los valores de las
resistencias, ya sea para que sean lo ms iguales posibles o sus relaciones de unas a
otras sean lo ms exactas posibles.
Pgina 87 de 126
1
2
1
2 1
4 3
4
R
R
R
R R
R R
R
V
V
CM
sal
1
1
1
1
]
1
1
2
1
2 1
4 3
4
log 20
R
R
R
R R
R R
R
A
CMRR
D
TEMA 4
APLICACIONES DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL EN
PROCESOS
4.- Utilizar el amplificador operacional en la ejecucin de procesos industriales.
4.1 Conocer el funcionamiento de un convertidor de corriente a voltaje y de voltaje a
corriente.
Los sensores generadores ofrecen una tensin o una corriente cuya magnitud, frecuencia
e impedancia de salida determinan las caractersticas requeridas en la etapa de
acondicionamiento. Cuando la tensin o corrientes ofrecidas son dbiles, hace falta
una amplificacin, que exige soluciones nuevas a las vistas hasta el momento. Las
tensiones manejadas, adems de ser muy dbiles, son de muy baja frecuencia,
hasta el punto de impedir la utilizacin de amplificadores de alta ganancia acoplados
en alterna porque los condensadores necesarios seran demasiado grandes. En
amplificadores de continua, se presenta la problemtica de su tensin de
desequilibrio (offset), sus corrientes de polarizacin y de desequilibrio y las derivas
de todas ellas, principalmente con el tiempo y la temperatura. Dado que cuando se
desea alta ganancia. los amplificadores de continua se basan habitualmente en
amplificadores operacionales. En otros casos la seal a acondicionar no es dbil,
pero procede de una fuente de alta impedancia. La consideracin de las impedancias
parsitas lleva entonces a la necesidad de utilizar amplificadores con caractersticas
singulares o con estructuras distintas a la convencional. Cuando se desea una
solucin elevada, aun en el caso de la medida de magnitudes variables a las que no
afectan las derivas en los amplificadores, surge el problema del ruido interno en
stos. sta es una limitacin inherente a todos los dispositivos electrnicos.
Convertidor de corriente a voltaje.-
El amplificador con retroalimentacin negativa de voltaje, por los efectos de mejora que
produce, hace que el circuito se comporte como un perfecto convertidor de corriente a
voltaje, porque presenta una resistencia de entrada cero, resistencia de salida cero y
proporciona una razn fija y estable entre Ii y Vo. Por lo tanto este amplificador puede
considerrsele como el convertidor de corriente a voltaje.
La aplicacin natural de esta configuracin se presenta cuando se desea amplificar y
convertir una seal de corriente que facilita un transductor, por ejemplo el caso de los
fotodiodos. Estos son dispositivos que proporcionan una corriente del orden de A en
corto circuito, proporcional a la intensidad de radiacin luminosa o solar. Como se habla
de corriente en corto, esto nos induce a buscar un circuito que tenga una Rif = 0 y, por lo
tanto, que sea corriente la seal de entrada. El convertidor de corriente a voltaje que se
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acaba de analizar cumple con las esas condiciones, y se convierte en el circuito natural
para esta aplicacin (vase fig. 3.36b).
Fig. 3.36 a) Convertidor de corriente a voltaje, b) amplificador con fotodiodo, c) Amprmetro electrnico.
Otra aplicacin se presenta cuando se necesita medir corriente en un circuito. Los
dispositivos que lo hacen en forma directa como el ampermetro de bobina mvil, tiene una
resistencia interna que puede influir en el circuito cuya corriente se desea medir. Por
ejemplo, un ampermetro con una deflexin a plena escala de 50 A, tiene una resistencia
caracterstica de 2 Kohms que esta lejos de ser ideal. Cuando se conecta en serie este
ampermetro en alguna rama de un circuito, agrega la resistencia de 2 Kohms en dicha
rama, alterando las condiciones normales de funcionamiento del mismo. Usando la
retroalimentacin negativa de voltaje, se puede construir un ampermetro electrnico cuya
resistencia tienda a cero.
La figura 3.36c muestra el circuito de tal instrumento. Por ejemplo, usando un amplificador
operacional que tenga Ao = 100 dB (100000) y una Rf = 100 Kohms, la resistencia de
entrada ser:
Rif = (Rf)/(1+Ao) = 1 ohm.
Adems,
Vo = R
f
Ii = 100000 Ii
Las conclusiones a las que se llega con este ltimo ejemplo son:
La resistencia que se suma al conectarse en serie el instrumento en la rama donde se
desea medir la corriente, es slo de 1 ohm. Para efectos de mediciones de corriente
del orden de A a mA, no afecta. El problema cambia si la corriente a medirse fuera del
orden de amperes; en este caso, se disea un circuito pasivo divisor de corriente y se
procede de la misma manera.
La ecuacin del Vo indica que tan sensible es el ampermetro. En este caso, a plena
escala I
i
= 50 A y Vo ser igual a 5 V, que es un voltaje suficiente para medirse son
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cualquier vltmetro. Aun utilizando componentes poco costosos, el instrumento de la
figura 3.36c es de mejor calidad que cualquier ampermetro de bobina mvil (en lo que
se refiere a impedancia).
La retroalimentacin de corriente no inversora, es un ejemplo de retroalimentacin serie-
serie, vase la figura 3.37. Con retroalimentacin de corriente no inversora, como seal de
entrada, se aplica un voltaje a la terminal no inversora del amplificador operacional. Luego,
la corriente de salida pasa por la red de retroalimentacin Rf para ser convertida a voltaje.
Esta es la muestra de la variable de salida que se introduce a la terminal no inversora del
amplificador, y de esta manera se realiza el proceso de retroalimentacin negativa de
corriente. Con este tipo de retroalimentacin, un amplificador tiende a comportarse como
un convertidor ideal de voltaje a corriente, mismo que presenta una resistencia de entrada
infinita, una resistencia de salida infinita y una transconductancia estable. En la figura
siguiente se muestra el circuito equivalente para un amplificador de corriente no inversora.
Fig. 3.37 Retroalimentacin de corriente no inversora.
Por medio de la resistencia de carga RL, se conecta en serie la salida del amplificador al
bloque de retroalimentacin, por lo que la corriente de carga pasa a travs de la
resistencia de retroalimentacin. El voltaje de retroalimentacin es proporcional a la
corriente de salida, el circuito tiene retroalimentacin de corriente.
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4.1.1. Utilizar el amplificador operacional como convertidor de corriente a voltaje, de
voltaje a corriente y algunas aplicaciones en procesos industriales.
Acondicionamiento lineal de seales: amplificador de instrumentacin.-
Este amplificador es una herramienta poderosa para medir seales anlogas de bajo nivel
que se originan en sensores remotos y que se trasmiten a travs de un par de alambres.
Fig. 3.38 Amplificador de instrumentacin.
Convertidor de voltaje a corriente.-
Convertidor del tipo V-I (carga flotada):
(V+) Esta conectado a Vi.
(V-) = (V+), de tal forma que la terminal inversora tiene el mismo potencial que Vi
La corriente a travs de R1 es IL. La corriente IL no depende de la resistencia RL.
Notar que la carga esta flotada.
Fig. 3.39 Convertidor de voltaje a corriente.
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Otro convertidor de voltaje a corriente.-
Convertidor de V-I con carga aterrizada:
IL no depende de RL. Slo depende de VIN y VREF.
1/R1 determina la constante de proporcionalidad entre V e I.
Notar que la carga esta referida a tierra.
Fig. 3.40 Convertidor de voltaje a corriente.
IL = (1/R1)(VIN-Vref).
Convertidor de corriente a voltaje.-
Convertidor de I-V inversor:
(V+) Esta conectado a tierra, o (V+) = 0.
(V-) = (V+) = 0, la terminal inversora es tierra virtual.
I fluye solamente a travs de R.
R determina la constante de proporcionalidad entre la corriente y el voltaje.
Fig. 3.41 Convertidor de corriente a voltaje
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Otro convertidor de corriente a voltaje.-
Convertidor I-V no inversor:
Si R1 >> Rs, IL fluye casi totalmente a travs de Rs.
Fig. 3.42 Convertidor de corriente a voltaje.
Ejemplos:
Usando amplificadores operacionales, disear el siguiente circuito aritmtico:
Fig. 3.43 Diagrama a bloque.
Solucin:
Usar un amplificador sumador con entradas Vi y 5 volts, ajustar la ganancia a 3.4 y 1,
respectivamente.
Fig. 3.44 Amplificador sumador.
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Disear un circuito basado en amplificadores operacionales que conviertan un intervalo
de tensiones de 20 a 250 mV a un intervalo de 0 a 5 V.
Fig. 3.45 Convertir de 20-250 mV a 0-5 V.
Solucin:
Fig. 3.46 Acondicionamiento de seal en tensin.
Disear un circuito basado en amplificadores operacionales para convertir seales de 4
a 20 mA (estndar en corriente) a un intervalo de tensin de 0 a 10 volts.
Fig. 3.47 Convertir I-V del estndar 4-20 mA a 0-10 V.
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UNIDAD IV
SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
INTRODUCCIN
Estos trminos se utilizan indistintamente para describir dispositivos cuya operacin
obedece los siguientes principios generales:
a) El dispositivo acta como interruptor entre dos de sus terminales; es decir, tiene
elevada resistencia en el estado apagado, baja resistencia en el estado encendido
y no tiene otra regin operativa.
b) El dispositivo se dispara del estado apagado al estado encendido mediante un
valor especfico de voltaje o corriente aplicado a la terminal apropiada.
c) Una vez que el dispositivo se ha disparado a encendido permanece en ese estado,
aunque el voltaje o la corriente de disparo se hayan suprimido. En otras palabras,
dicho dispositivo es retenido en encendido. El interruptor normalmente pasa a
apagado al reducirse el flujo de corriente a travs de l por debajo de un valor
mnimo. Una vez en apagado, el dispositivo puede volver a dispararse al estado
encendido
1. Utilizar el modo de activacin y desactivacin de varios tiristores.
1.1. Discutir las formas posibles de activar y desactivar los tiristores.
RESULTADOS DE APRENDIZAJE
1.1.1. Identificar las posibles formas de activacin y desactivacin de los tiristores.
2. Analizar las diferentes configuraciones de circuitos con tiristores en aplicaciones de
procesos industriales.
2.1. Analizar los circuitos de aplicacin de los tiristores.
2.1.1. Comprobar varias configuraciones de control con tiristores.
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3. Analizar las configuraciones de potencia para los transistores y el encendido de
dispositivos de potencia utilizando diferentes tipos de tiristores.
3.1. Analizar las configuraciones de potencia para los transistores bipolares, y
diferentes tipos de tiristores.
3.1.1. Comprobar el encendido de dispositivos de potencia utilizando diferentes
tipos de tiristores
4. Comprobar el funcionamiento de un puente H para controlar cargas inductivas.
4.1. Analizar el funcionamiento del puente H para controlar cargas inductivas.
4.1.1 Comprobar el puente H para controlar cargas inductivas.
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TEMA I
CIRCUITOS DE DISPARO
1. Utilizar el modo de activacin y desactivacin de varios tiristores.
1.1. Discutir las formas posibles de activar y desactivar los tiristores.
DIODOS PNPN DE CUATRO CAPAS: CARACTERISTICAS Y OPERACIN
El diodo de cuatro capas fue inventado por W. Shockley, cuyo nombre perdura en el
campo de los semiconductores por este motivo. En efecto, este dispositivo se denomina
frecuentemente diodo Shockley. Su construccin es bsicamente la que se muestra en la
figura 2, y ya se analiz en la seccin anterior.
La operacin del diodo de cuatro capas puede explicarse con la ayuda de su curva
caracterstica (ver figura 5) como sigue:
a) Con Vd = 0, el diodo no conduce e Id = 0.
b) A medida que Vd aumenta gradualmente, la corriente aumenta muy lentamente a lo
largo de la curva O A. Esta Id es una corriente de fuga relativamente pequea y esta
porcin de la curva se denomina regin de apagado.
c) Por ltimo cuando Vd aumenta, alcanza un valor Vs, llamado voltaje de conmutacin. A
este voltaje (punto A) el diodo conmutar rpidamente (lo cual es ilustrado por la lnea
punteada) a su regin encendido (B C). En esta regin su caracterstica es similar a
la correspondiente a un diodo P N polarizado directamente.En este estado la cada
de voltaje directo a travs del diodo VF, ser muy pequea, tpicamente de entre 0.5 y 2
V, por lo que la corriente del diodo puede llegar a ser muy grande.
d) Una vez que el diodo haya conmutado al estado encendido, permanecer as
mientras el valor de la corriente se mantenga por encima del valor de la corriente de
mantenimiento IH que es el valor de la corriente de diodo necesaria para mantenerlo
encendido. Si la corriente del diodo cae por debajo de IH, el diodo rpidamente
regresa a su estado apagado.
e) Otro parmetro importante del diodo es Is, la corriente del diodo en el punto de
conmutacin A. Is se denomina corriente de conmutacin y es el valor de la corriente
del diodo apagado cuando su voltaje est en su valor de voltaje de conmutacin Vs. Is
siempre es menor que Ih por un factor de por lo menos 3 a 1.
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EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO
INTRODUCCION
Operaciones industriales como alumbrado, control de velocidad de motores, soldadura
elctrica y calentamiento elctrico requieren la entrega de una cantidad variable y
controlable de energa elctrica. Es posible controlar la energa elctrica entregada por
medio de transformadores variables y restatos. Sin embargo, cuando se requieren
niveles altos de energa, los transformadores variables son caros y voluminosos y requiere
mantenimiento frecuente. Por su parte los restatos resultan grandes, caros, requieren
mantenimiento y desperdician cantidades enormes de energa [1].
Desde 1960 la industria ha tenido disponible un dispositivo electrnico que no tiene
ninguna de las desventajas mencionadas. El Rectificador Controlado de Silicio (SCR) es
pequeo, relativamente barato, no requiere mantenimiento y casi no desperdicia energa.
Algunos SCR modernos pueden controlar corrientes de varios cientos de amperes en
circuitos que operan a voltajes mayores de 1000 V. Por estas razones, los SCR son muy
importantes en la industria moderna.
El trmino tiristor se refiere a la familia de dispositivos semiconductores de conmutacin
de cuatro capas p-n-p-n. Los tiristores slo tienen dos estados de operacin: encendido y
apagado. El SCR es el miembro ms importante de la familia de los tiristores [2].
CARACTERISTICAS DEL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO
La estructura y el smbolo del SCR se muestran en la Figura 4.1. Es un dispositivo de
conmutacin de cuatro capas p-n-p-n, con tres uniones J1, J2 y J3. Las terminales externas
son el nodo, el ctodo y la compuerta. Las terminales nodo y ctodo se conectan al
circuito de potencia, mientras que la terminal de la compuerta porta una pequea corriente
de control en direccin compuertactodo. La caracterstica nodoctodo es mostrada en
la Figura 4.1. Dicha caracterstica presenta tres regiones de operacin: de bloqueo directo,
de bloqueo inverso y de conduccin alta, las cuales son descritas a continuacin [2].
Figura 4.1 (a) Estructura y (b) Smbolo del rectificador controlado de silicio.
Regin de bloqueo inverso. En esta regin la caracterstica de bloqueo inverso del SCR
es similar a la de un diodo. Cuando se aplica un voltaje inverso al SCR (nodo negativo
con respecto al ctodo), las uniones exteriores J1 y J3 estn polarizadas inversamente y J2
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est polarizada directamente. Por lo tanto slo fluye una pequea corriente de fuga (en
miliamperes). Si el voltaje aplicado alcanza el nivel de ruptura inverso, la corriente de fuga
se incrementar abruptamente destruyendo al dispositivo. Si el voltaje aplicado no alcanza
el punto de ruptura inverso el dispositivo se comportar como un dispositivo de alta
impedancia.
Regin de bloqueo directo. En esta regin el nodo es hecho positivo con respecto al
ctodo, y por lo tanto las uniones exteriores J1 y J3 estn polarizadas directamente,
mientras que J2 permanece polarizada inversamente. De aqu que la corriente del nodo
es una pequea corriente de fuga en directa.
Figura 4.2 Caracterstica nodoctodo de un rectificador controlado de silicio.
Regin de conduccin: Conforme el voltaje directo de nodoctodo es incrementado,
ocurre la avalancha de ruptura en J2 en el voltaje de ruptura directo, y el SCR conmuta el
estado de conduccin o de baja impedancia. El voltaje de nodoctodo cae de varios
cientos de volts a 1 V o 2 V, dependiendo del rango del SCR. En el estado de conduccin
la corriente del nodo est determinada por la impedancia de la carga.
Si se aplica una corriente en compuerta, el nivel del voltaje de ruptura directo se reduce. El
voltaje al cual el dispositivo cambia al estado de conduccin depende del nivel de corriente
de compuerta. Para una corriente de compuerta suficientemente grande, la regin de
bloqueo directo se remueve, y el dispositivo cambia al estado de conduccin con un
voltaje de nodoctodo esencialmente cero.
Los rangos de los voltajes de ruptura inverso y directo de los tiristores, usados en circuitos
prcticos deben superar los niveles en los cuales van a operar. En un instante deseado,
cuando el dispositivo est polarizado directamente, el SCR es disparado por un pulso de
compuerta a conmutar al estado de conduccin. Normalmente la corriente de compuerta
es mayor que la mnima corriente requerida para activar al SCR. Un pulso de corriente de
compuerta tpico es del orden de 20 a 200 mA.
Una vez que el SCR est conduciendo y la corriente de nodo es mayor que la corriente
mnima, llamada corriente de enganche, la seal de compuerta ya no es requerida para
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mantener al dispositivo en el estado de conduccin. La remocin de la corriente de
compuerta no afecta a la conduccin de la corriente del nodo. El SCR regresar a su
estado de bloqueo directo si la corriente del nodo cae por debajo de la corriente de
mantenimiento. Existen tres formas de apagar al SCR: apertura mecnica del circuito de
nodo, polarizacin inversa de nodoctodo, derivacin de la corriente del nodo por
medio de un circuito auxiliar.
CARACTERISTICAS DE ENCENDIDO
El tiristor enciende cuando es disparado por un pulso en compuerta. Sin embargo, la
transicin del estado de bloqueo directo a estado de conduccin no es instantneo. Esto
se ilustra en la Figura 4.3. El tiempo de encendido ton se divide en dos periodos, llamados
tiempo de retardo td y tiempo de subida tr. Estos periodos de tiempo estn definidos en la
Figura 4.3 en trminos del voltaje de nodo y de las formas de onda de corriente
mostradas.
Tiempo de retardo td. Es el tiempo comprendido entre el instante en el cual la corriente de
compuerta alcanza el 90% de su valor final y el instante en que la corriente de nodo
alcanza el 10% de su valor final.
Tiempo de subida tr. Es el tiempo requerido por la corriente de nodo para pasar del 10%
al 90% de su valor final.
Tiempo de encendido ton. Es la suma del tiempo de retardo y del tiempo de subida. Es
tpicamente del orden de 1 a 4 s. El ancho del pulso de disparo debe ser de 10 s,
preferentemente en el rango de 20 a 100 s. La amplitud del pulso de compuerta debe ser
de 3 a 5 veces la corriente mnima de compuerta requerida para disparar al SCR.
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Figura 4.3 Formas de onda durante el encendido del rectificador controlado de silicio.
Se considera una carga resistiva.
CARACTERISTICAS DE APAGADO
Una vez que el SCR comienza a conducir la corriente de compuerta no tiene control sobre
el dispositivo. El SCR se apagar cuando la corriente de nodo llegue a ser cero, a esto se
le conoce como "conmutacin natural", si la corriente es forzada a ser cero, se le conoce
como "conmutacin forzada". Sin embargo, si se aplica un voltaje directo entre
nodoctodo inmediatamente despus de que la corriente de nodo llegue a cero, el
SCR no regresar a su estado de bloqueo directo y conducir otra vez aunque no exista
un pulso de disparo en compuerta. Por lo tanto es necesario mantener al dispositivo con
polarizacin inversa durante un periodo de tiempo determinado antes de aplicarle de
nuevo una polarizacin directa.
El tiempo de apagado del SCR se define como el mnimo intervalo de tiempo interno entre
el instante que la corriente de nodo llega a ser cero y el instante en el que el dispositivo
es capaz de alcanzar su estado de bloqueo inverso. El tiempo de apagado es ilustrado en
la Figura 4.4. El tiempo de apagado total toff se divide en dos intervalos de tiempo, el
tiempo de recuperacin inverso trr y el tiempo de recuperacin de compuerta tgr. En el
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instante t1, la corriente de nodo llega a ser cero. Durante el tiempo de recuperacin
inverso de t1 a t3, la corriente del nodo fluye en direccin inversa. En el instante t2, se
desarrolla un voltaje inverso de nodoctodo y la corriente de recuperacin inversa
contina decreciendo. En el instante t3 las uniones J1 y J3 estn en polarizacin inversa.
Sin embargo, el SCR no es capaz an de alcanzar el voltaje de bloqueo inverso. En el
instante t4 se puede aplicar un voltaje directo. El tiempo de apagado del SCR est
comprendido entre t1 y t4.
Figura 4.4 Formas de onda durante el apagado del rectificador controlado de silicio.
En aplicaciones prcticas, el tiempo de apagado del SCR contemplado por el circuito debe
ser mayor que el del dispositivo para proporcionar un margen de seguridad. Los SCR que
tienen el mayor tiempo de apagado (50100 s) son llamados de conmutacin lenta, y
mientras que a los que tienen un tiempo de apagado corto (1050 s) se les llama de
conmutacin rpida.
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1.1.1. Identificar las posibles formas de activacin y desactivacin de los tiristores.
ACTIVACION DEL TIRISTOR
Un tiristor se activa incrementndola corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo
mediante una de las siguientes formas.
TERMICA. Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el nmero de
pares electrn-hueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. Este aumento en las
corrientes har que 1 y 2 aumenten. Debido a la accin regenerativa (1+ 2) puede tender a
la unidad y el tiristor pudiera activarse. Este tipo de activacin puede causar una fuga
trmica que por lo general se evita.
LUZ. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los pares
electrn-hueco pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra
permitiendo que esta llegue a los discos de silicio.
ALTO VOLTAJE. Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura
directo VBO, fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa.
Este tipo de activacin puede resultar destructiva por lo que se debe evitar.
dv/dt. Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga
de las uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de
corriente de carga puede daar el tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra
dv/dt alto. Los fabricantes especifican el dv/dt mximo permisible de los tiristores.
CORRIENTE DE COMPUERTA. Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de
una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta
y las terminales del ctodo activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente de
compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo directo, tal y como aparece en la Fig. 4.5.
Fig. 4.5 Efectos de la corriente de compuerta sobre el voltaje de bloqueo directo.

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T2 +/G+ 25mA
T2 -/G+ >>40mA
T2 +/G- 40mA
T2 -/G- 25mA

TEMA 2
APLICACIN DE LOS TIRISTORES
2. Analizar las diferentes configuraciones de circuitos con tiristores en aplicaciones
de procesos industriales.
2.1. Analizar los circuitos de aplicacin de los tiristores.
TIPOS DE TIRISTORES
Existen algunos otros dispositivos que operan de modo similar a como lo hace el diodo de
cuatro capas. Entre ellos, un dispositivo denominado interruptor unilateral de silicio (SUS),
el cual se comporta esencialmente como un diodo de cuatro capas. El smbolo de su
circuito es el mismo, si bien su construccin es un tanto distinta. El SUS es un dispositivo
de bajo voltaje cuyo voltaje de conmutacin tpicamente es menor de 10V. Adems este
voltaje se controla con mayor exactitud y depende menos de la temperatura que el diodo
de cuatro capas. Otra diferencia entre estos dos dispositivos es que el SUS tiene una
tercera terminal denominada compuerta, la cual puede utilizarse para reducir a un valor
inferior al nominal. Sin embargo, la compuerta rara vez se utiliza, as que el SUS
normalmente se opera como un diodo de cuatro capas.
El interruptor bilateral de silicio
El interruptor bilateral de silicio (SBS) acta exactamente como el diodo de cuatro capas y
el SUS, excepto que lo hace as para ambas polaridades del voltaje aplicado. En otras
palabras, el SBS actuar como un interruptor en ambos sentidos. Su curva caracterstica I
V se muestra en la fig. 6 junto con su smbolo circuital. Esta caracterstica I V muestra
que el dispositivo cambia en apagado a encendido para 10 volts con cualquier
polaridad.
El SBS, al igual que el SUS, tiene voltajes de conmutacin de 10 V o inferiores, los cuales
son controlados mas exactamente y dependen menos de la temperatura que en caso de
un diodo de cuatro capas.
Un DIAC es tambin un interruptor bilateral y es similar en su operacin al SBS. Sin
embargo, el DIAC puede operar con mayores tensiones de conmutacin (hasta varios
cientos de veces mayores) y en este sentido es similar a un diodo de cuatro capas.
EL TRIAC
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T2 +/G+ 25mA
T2 -/G+ >>40mA
T2 +/G- 40mA
T2 -/G- 25mA
El TRIAC es un dispositivo de retencin o enganche bidireccional con funcionamiento
parecido al de tener dos SCR en paralelo inverso. Su capacidad para conducir en
cualquier sentido lo hace adecuado para controlar la potencia en las cargas de CA. Sin
embargo, los TRIAC tienen capacidad de corriente relativamente baja en comparacin con
los SCR (< 50 A eficaz ) y no pueden substituir a los SCR en aplicaciones de corrientes
altas
El TRIAC contiene seis regiones semiconductoras diferentes, y su estructura es
demasiado compleja para presentarla aqu. Simplemente se considerar que el TRIAC
tiene una estructura PNPN en ambos sentidos. El smbolo del circuito TRIAC se muestra
en la figura 4.6-A. T1 y T2 son las terminales principales del interruptor, a travs de las
cuales puede fluir la corriente en cualquier sentido. La terminal T1 es la terminal de
referencia, pues respecto a ella se consideran todos los voltajes. T2 normalmente es el
encapsulado o la lengeta metlica del montaje, a los que se puede unir un disipador.
La terminal de compuerta G, controla el estado del dispositivo entre T1 y T2. Normalmente
el dispositivo est apagado y acta como un circuito abierto entre T1 y T2 . Cuando se
aplican la corriente y el voltaje de compuerta apropiados, el TRIAC engancha(retiene) el
estado de conduccin para cualquier polaridad del voltaje entre T2 y T1. Una vez que el
TRIAC se ha disparado a encendido por una seal de compuerta, esta ltima deja de
ejercer control sobre el TRIAC. El dispositivo slo puede cambiarse a apagado si se
reduce la corriente a travs de T1 y T2 a un valor menor que el de la corriente de
mantenimiento. La operacin del TRIAC es muy parecida a la del SCR, salvo por su
capacidad bidireccional y por el hecho de que el voltaje de compuerta del TRIAC puede
ser de cualquier polaridad para disparar al dispositivo.
FORMAS DE DISPARO
A diferencia del SCR el TRIAC posee cuatro formas posibles de disparo, las que
corresponden a las diversas polaridades de los voltajes en la compuerta y T2 respecto a
T1. La tabla de la figura 3.6 incluye estas formas de disparo junto con los valores tpicos
de la corriente de CD de disparo de compuerta IGT. Los modos T2+ /G+ y T2- /G-
normalmente requieren el valor ms bajo de IGT. El modo T2+ /G- y T2- /G+ requieren una
IGT mucho mayor. En realidad, el modo T2- /G+ rara vez se utiliza y la mayora de las
tablas de datos de los TRIAC no lo incluyen.
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T1
T2
G
TRIAC
Modos de
Disparo
I
GT
tpica
T2 +/G+ 25mA
T2 -/G+ >>40mA
T2 +/G- 40mA
T2 -/G- 25mA
Fig.4.6 Smbolo y formas de disparo del TRIAC
(A)
(B)
EL SCR FOTOACTIVO (LASCR)
El LASCR es un SCR que puede dispararse a encendido aplicando energa luminosa. En
la figura 3.6 se muestra un circuito simple LASCR. Observe que el LASCR tiene una
terminal de compuerta al igual que un SCR ordinario, de manera que tambin puede
dispararse a encendido mediante una seal positiva en la compuerta. Normalmente, el
LASCR se dispara al estado encendido cuando se hace incidir energa luminosa en la
unin J2. Una vez que el LASCR se ha disparado a disparado al estado encendido se
comporta como un SCR normal. El LASCR permanecer en estado encendido incluso
cuando la luz desaparezca. Cambiara solamente a apagado si su corriente de nodo
disminuye a menos de IH.
El LASCR es ms sensible a la luz cuando su compuerta se abre como en la figura 4.7-A.
Esta sensibilidad puede variarse conectando un resistor variable como en la figura 4.7-B.
En esta forma es posible modificar el nivel de luz al cual se disparar el LASCR.
Fig. 4.7 Circuito simple LASCR con mxima sensibilidad y variable ( B ).
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+24 V
R
L
A
K
G
+24 V
R
L
A
K
G
( A ) ( B )
INTERRUPTOR CONTROLADO POR COMPUERTA ( GCS )
Otro miembro de la familia PNPN es el interruptor controlado por compuerta (GCS) que se
muestra en la figura 4.8. El GCS es muy similar al SCR, excepto que puede cambiarse a
apagado mediante una seal negativa en la compuerta. En otras palabras una seal
positiva de compuerta cerrar el interruptor, el cual permanecer cerrado hasta que se
aplique un impulso negativo en la compuerta o hasta que la corriente se reduzca por
debajo de IH.
Una desventaja importante del GCS es que su ganancia de desactivacin ( razn o
cociente entre la corriente controlada de nodo y la corriente de desactivacin de
compuerta necesaria )es muy baja. Tpicamente, un GCS puede requerir una corriente
negativa de compuerta de 1 mA para cambiar a apagado a 10 mA de corriente de nodo.
El GCS est limitado a niveles bajos de corriente ( hasta 1 A de corriente a travs del
nodo ).
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+24 V
R
L
A
K
G
1K
Fig. 4.8 Circuito GCS.
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EL INTERRUPTOR CONTROLADO DE SILICIO ( SCS)
El interruptor controlado de silicio ( SCS ) es un dispositivo PNPN de baja potencia muy
utilizado. Esencialmente es un SCR miniatura con terminales unidas a cada una de las
cuatro regiones semiconductoras. La terminal adicional est conectada a la regin N
debajo de la regin P del nodo. El SCS es el nico dispositivo PNPN de cuatro
terminales.
El SCS puede dispararse a encendido o cambiarse a apagado mediante una seal
adecuada en cualquier compuerta. Vea la figura 4.9, en la cual se muestra es circuito de
un SCS sencillo. La compuerta de ctodo GC es la compuerta normal que utilizan los SCR.
La compuerta de nodo GA es la nueva compuerta. El SCS puede dispararse a
encendido ya sea mediante un impulso positivo en GC o mediante un impulso negativo
en GA. En el estado encendido el SCS se comporta como un SCR; a saber, como una
baja resistencia con una cada de voltaje de tpicamente 1 V.
El SCS puede cambiarse a apagado en cualquiera de las tres formas:
1). Reduciendo su corriente de nodo por debajo de IH.
2). Aplicando un impulso negativo en GC.
3) Aplicando un impulso positivo en GA.
Si bien el SCS puede cambiar a apagado en cualquier compuerta, adolece de una
ganancia de desactivacin relativamente baja, de modo similar a como ocurre en el caso
del interruptor controlado por compuerta. Sin embargo, los SCS son dispositivos de
corriente dbil diseados para aplicaciones de baja corriente. Por ello esto no es una
desventaja seria, puesto que las bajas corrientes de nodo requerirn bajas corrientes de
compuerta para desactivacin.
Fig. 4.9 Circuito bsico SCS.
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R
L
A
K
G
C
G
A
0
0
RESUMEN
La tabla contiene un resumen de los diferentes dispositivos PNPN.
Dispositivo Cambia a encendido cuando Cambia a apagado
cuando
Comentarios
Diodo de cuatro
capas y (SUS).
El voltaje de nodo a ctodo
excede de VS
La corriente cae por
debajo de IH.
Conduce en un
sentido (unilateral)
DIAC y SBS El voltaje a travs de ellos
excede de cualquier polaridad.
debajo de IH.
Conduce en ambos
sentidos (bilateral)
SCR Se aplica voltaje positivo a la
compuerta; o cuando el voltaje
de nodo a ctodo excede al
voltaje de transicin conductiva.
debajo de IH.
Unilateral; usado
principalmente para
circuitos de control de
gran potencia y
elevada corriente.
TRIAC Se aplica seal positiva o
negativa a la compuerta; o
cuando el voltaje de nodo a
ctodo excede al voltaje de
transicin conductiva de
cualquier polaridad.
debajo de IH.
Bilateral; empleado
para circuitos de
control de gran
potencia para cargas
de CA.
LASCR Se aplica seal positiva a la
compuerta; o cuando el voltaje
de nodo a ctodo excede el
voltaje de transicin conductiva;
o cuando se aplica energa
luminosa.
debajo de IH.
Unilateral; dispositivo
de corriente
relativamente baja,
usado para deteccin
luminosa.
GCS ( Igual que el SCR ) La corriente cae por
debajo de IH; o cuando
una seal negativa se
aplica a la compuerta.
Unilateral; dispositivo
de corriente
relativamente baja.
SCS Igual que el SCR ms un
impulso neg. en la compuerta
de nodo GA.
Cae IH, o un impulso
negativo.
Unilateral; disp. De
corriente
relativamente Baja.
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2.1.1. Comprobar varias configuraciones de control con tiristores.
Circuitos tpicos de control de compuerta.
1. Simple.
El ngulo de disparo no puede ajustarse a ms de 90.
Figura 4.10. Circuito simple y su curva de respuesta.
Ejemplo:
En el circuito de la figura 3.10, asumamos que la tensin de la fuente es de 127 Vrms, IG =
20 mA y R1 = 2,7 k, y que se desea un ngulo de disparo de 90. Entonces, a qu
valor debemos ajustar R2?
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Respuesta:
A 90, el valor instantneo de tensin que proporciona la fuente es:
Vmx = (127 V)(1,41) = 179 V
Si despreciamos la tensin en la carga y los 0,6 V que se caen en la unin
compuerta-ctodo, la resistencia total (RT) del circuito sera:
RT = 179 V / 20 mA = 8,95 k
esto es que:
RT = R1 + R2
por lo tanto:
R2 = RT R1
R2 = 8,95 k 2,7 k
R2 = 6,26 k
2. Retardo en el disparo usando un capacitores.
El ngulo de disparo puede ajustarse a ms de 90. El valor del capacitor es alrededor
de 0,01 F. El valor de la constante de tiempo (RC) debe oscilar de 1 a 30 ms, esto si
usamos como fuente de alimentacin la red elctrica a 60 Hz.
Fig. 4.11 Circuito de retardo utilizando capacitores.
Al entrar el semiciclo negativo, el capacitor se carga con polaridad inversa (-/+),
ocasionando con ello que el SCR se encuentre apagado. En el momento en que aparece
el semiciclo positivo, el capacitor tarda en cargarse de forma directa (+/-), debido al valor
de los resistores, originando con ello que esto se logre ms all de los 90. Cuanto mayor
sea el valor de los resistores, la carga del capacitor tarda ms tiempo.
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La constante de tiempo es (R1+R2)C.
Fig. 4.12 Circuito de disparo utilizando capacitores.
El efecto es el mismo que en el caso anterior, pero ahora el capacitor debe generar una
tensin VC mayor a 0,6 V para producir la IG necesaria para disparar el SCR. El efecto,
es lograrlo ms all de los 90. La constante de tiempo es (R1+R2)C.
Fig. 4.13 Circuito con dos capacitores.
El efecto es el mismo que en el caso de la figura 3.12, pero ahora la cada de tensin en
primer capacitor (VC1) servir para cargar el segundo capacitor de forma directa y lograr
disparar el SCR. Nuevamente, el efecto es lograrlo ms all de los 90. Aqu cabe hacer
un comentario, la constante de tiempo de R3C debe ser cercana al menor valor del
intervalo de ajuste del disparo del SCR. Las constantes de tiempo son (R1+R2)C y . R3C.
Ejemplo:
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Considere el circuito de la figura 3.13. El valor de C1 = 0,068 F y el de C2 = 0,033 F, y
que el intervalo de ajuste del disparo del SCR es de 2 ms a 25 ms. Calcular entonces el
valor de los resistores R1, R2 y R3 para lograr esto.
Respuesta:
R1 = 29,4 k
R2 = 338,25 k
Y si asumimos un tiempo de 5 ms para la segunda constante de tiempo:
R3 = 151,52 k
Mtodos de extincin del SCR cuando se maneja en corriente continua.
Extincin del SCR interrumpiendo el circuito mediante un cortocircuito (Figura 4.14 (a) y
(b)) o introduciendo una corriente inversa usando una fuente auxiliar (Figura 4.14 (c)) o un
capacitor (Figura 4.14 (d) y (e)).
Fig. 4.14 Circuito por metodo de extincin del SCR.
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TEMA 3
TRANSISTORES BIPOLARES DE POTENCIA
3. Analizar las configuraciones de potencia para los transistores bipolares y el
encendido de dispositivos de potencia, utilizando diferentes tipos de tiristores.
3.1. Analizar las configuraciones de potencia para los transistores bipolares y
diferentes tipos de tiristores.
TRANSISTOR MONOUNION (UJT).
El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de disparo en
los SCR. En la fig.4.15 se muestra un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres
terminales, conocidas como emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la monounin
tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB
teniendo valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin
Vs en cd, se carga el capacitor C a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor
del UJT est en estado abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC.
Cuando el voltaje del emisor VE, el mismo que el voltaje del capacitor llega a un valor pico
Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a travs de RB1 a una velocidad
determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es mucho menor que T1. Cuando el
voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se
desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga.
El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como para activar el
SCR. El periodo de oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin
Vs y est dado por:
T = 1/f = RC ln 1/1-n

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Fig.4.15 Circuito bsico de disparo de un UJT

TRANSISTOR MONOUNION PROGRAMABLE.
El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor que aparece en la
fig.4.16. Un PUT se puede utilizar como un oscilador de relajacin, tal y como se muestra
en la Fig.7b. El voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentacin mediante el
divisor resistivo del voltaje R1 y R2, y determina el voltaje de punto de pico Vp. En el caso
del UJT, Vp est fijo para un dispositivo por el voltaje de alimentacin de cd, pero en un
PUT puede variar al modificar al modificar el valor del divisor resistivo R! y R2. Si el voltaje
del nodo VA es menor que el voltaje de compuerta VG, le dispositivo se conservar en su
estado inactivo, pero si el voltaje de nodo excede al de compuerta en una cada de
voltaje de diodo VD, se alcanzar el punto de pico y el dispositivo se activar. La corriente
de pico Ip y la corriente del punto de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la
compuerta RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentacin en cd Vs. N general Rk est
limitado a un valor por debajo de 100 Ohms.
R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2. El periodo de oscilacin T est dado en
forma aproximada por:
T = 1/f = RC lnVs/Vs-Vp = RC ln (1+R2/R1)

Fig.4.16 Circuito de disparo para un PUT.
CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN TRIAC
Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en antiparalelo, con
una conexin de compuerta comn, como se muestra en la Fig. 4.17.
Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales
como nodo y ctodo. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1, se
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activar al aplicar una seal negativa a la compuerta, entre la compuerta y la terminal
MT1. No es necesario que esten presentes ambas polaridades en las seales de la
compuerta y un TRIAC puede ser activado con una sola seal positiva o negativa de
compuerta. En la prctica, la sensibilidad vara de un cuadrante a otro, el TRIAC
normalmente se opera en el cuadrante I (voltaje y corriente de compuerta positivos) o en
el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta negativos).

Fig.4.17 Circuito equivalente de un TRIAC
3.1.1. Comprobar el encendido de dispositivos de potencia , utilizando diferentes
tipos de tiristores.
MODOS DE FUNCIONAMIENTO DE UN TRIAC:
El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la
aplicacin entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da
una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. A continuacin se
vern los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo posibles.
Modo I + : Terminal T2 positiva con respecto a T1.
Intensidad de puerta entrante.
Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la
metalizacin del terminal del ctodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la
P2.
La corriente de puerta circula internamente hasta T1 , en parte por la unin P2N2 y en parte
a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2 que es
favorecida en el rea prxima a la puerta por la cada de tensin que produce en P2 la
circulacin lateral de corriente de puerta. Parte de los electrones inyectados alcanzan por
difusin la unin P2N1, que bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella
inicindose la conduccin.
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Modo I - : Terminal T2 positivo respecto a T1.
Intensidad de puerta saliente.
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la
estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.
El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y P de
ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza
fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La
unin P2N1 de la estructura principal que soporta la tensin exterior, es invadida por
electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin.

Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a T1.
Intensidad de puerta entrante.
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin
la estructura P2N1P1N4.
La inyeccin de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +. Los que
alcanzan por difusin la unin P2N1 son absorbidos por su potencial de unin, hacindose
ms conductora. El potencial positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de la
unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de huecos
desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin
exterior y se produce la entrada en conduccin.
Modo III - : Terminal T2 negativo respecto a T1.
Intensidad de puerta saliente.
Tambin se dispara por el procedimiento e puerta remota, conduciendo las capas
P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La
tensin positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la
prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la
unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin.
Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los modos I +
y III - los ms sensibles, seguidos de cerca por el I -. El modo III + es el disparo ms difcil
y debe evitarse su empleo en lo posible.
El fabricante facilita datos de caractersticas elctricas el bloqueo, conduccin y de dispar
por puerta de forma similar a lo explicado para el tiristor.
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Fig.4.18 Caractersticas V-I de un TRIAC
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TEMA 4
OTROS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
4. Comprobar el funcionamiento de un puente H para controlar cargas inductivas.
4.1 Analizar el funcionamiento de un puente H para controlar cargas inductivas.
PUENTE H.- ("Cmo manejar un motor desde un circuito digital")
Los puentes-H (llamados "H BRIDGES" en ingls) son circuitos que permiten controlar
motores elctricos de corriente directa en dos direcciones desde un circuito digital (TTL,
CMOS, el puerto de una computadora, desde un microcontrolador, etc...). Se les llama
"Puentes H" porque precisamente su forma recuerda (muy vagamente) a una letra "H".
Vamos a empezar por el primer problema que se tiene cuando se quiere controlar desde
un circuito digital un dispositivo electromecnico (ya sea un motor, un relevador, un
alambre muscular o un stepper): Cmo conectarlo? Pues el ms importante consejo es:
NUNCA lo conectes directamente a la salida digital de tu circuito. Por dos razones que
mencionaremos a continuacin:
Razn 1: Un circuito digital tradicional generalmente no tiene la capacidad de corriente
necesaria para hacer que un motor elctrico de vueltas (y mucho menos capacidad tiene
el puerto paralelo de una computadora). Si conectas directamente un motorcito, un foco
incandescente o algun otro elemento que consuma mucha corriente, lo ms probable es
que tu circuito se sobrecaliente y se queme en unos segundos. La manera ms sencilla de
manejar un elemento electromecnico pequeo con un circuito digital es utilizando un
TRANSISTOR como interruptor. As tu circuito digital solo prende y apaga el transistor
(eso s se puede) y el transistor es el que prende y apaga el motor.
Razn 2: Casi todos los dispositivos electromecnicos (aunque sean pequeos) son muy
inductivos. Qu significa eso? En espaol simple significa que no permiten ser
apagados de golpe. Es decir, cuando t desconectas un motor elctrico que est
funcionando, el motor (debido a que es un dispositivo inductivo) trata todava de mantener
por una fraccin de segundo la corriente circulando a travs de l (es ms o menos como
si se resistiera a morir). Y durante este pequesimo tiempo puede generarse una chispa
en la parte del circuito que realiz la desconexin. Esta chispa puede muy fcilmente
daar circuitos electrnicos.
Segn el tamao del motor y segn la corriente que est utilizando, esta chispa puede o
no ser visible, pero siempre existe a menos que se coloque en paralelo con el motor un
diodo de proteccin. Este diodo tiene como finalidad servir de "desahogo" para esta
corriente residual que aparece despus de que se apaga el motor. As que, muy en
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resumen, este es el circuito que necesitamos para prender y apagar un motor elctrico
pequeo de corriente directa desde un circuito digital:
Fig. 4.19 Circuito bsico.
Este es slamente un circuito muy bsico que te puede dar una idea de cmo disear el
tuyo. Para saber qu tipo exacto de transistor utilizar, qu tipo de diodo y qu tipo de
resistencia, tienes que saber primero cunta corriente necesita tu motor para funcionar
(puedes medirla con un amprmetro) y en base a eso buscas el diodo y el transistor ms
adecuados. Incluso puedes utilizar ms de un transistor (conectndolos en configuracin
Darlington). Eso se hace en caso de que la corriente que necesite tu motor sea mayor que
la que te puedan dar los transistores que tengas disponibles. Por ejemplo, si deseas
prender y apagar el motor de un walkman puedes utilizar un circuito como este (se
utilizaron dos transistores en configuracin Darlington):
Fig. 4.20 Circuito configuracin Darlington.
NOTA: No se garantiza que este circuito sirva para todos los motores de todos los
walkmans de todas las marcas, pero es un buen punto de inicio. Si su motor se mueve
demasiado rpido, entonces usen una resistencia de un valor un poco mayor (400 o 500
ohms por ejemplo).
Esta es bsicamente la forma en que un circuito digital puede prender y apagar un motor.
Ahora bien, cmo hacer para que el motor se mueva hacia adelante y hacia atrs? (es
decir, en dos direcciones). Pues es aqu donde entran los PUENTES H.
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Diagrama esquemtico de un puente H.
Un puente H es bsicamente un arreglo de cuatro interruptores acomodados de la
siguiente manera:
Fig. 4.21 Puente H.
Estos interruptores (A,B,C y D) pueden ser de transistores bipolares (como el de arriba),
de MOSFET, de JFET, de relevadores o de cualquier combinacin de elementos. El punto
central es: los puentes H se utilizan para que un motor elctrico de corriente directa
funcione en dos sentidos (adelante y atrs) sin tener que manejar tensiones negativas.
Si se cierran solamente los contactos A y D la corriente circular en un sentido a travs del
motor (o del relevador o de cualquier sistema que est conectado ah en medio), y si se
cierran solamente los contactos B y C la corriente circular en sentido contrario. De
preferencia nunca cierres los contactos A y B al mismo tiempo (tampoco C y D) porque
podras fundir un fusible en alguna parte. Observa tambin que un puente H necesita de
cuatro diodos de proteccin para el motor.
Fig.4.22 Conexin puente H para motor.
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4.1.1. Comprobar un puente H para controlar cargas inductivas
Lista de componentes para realizar un puente en H con montaje Darlington:
4 transistores npn BC548 (en el esquema seran los: A, C, E y G)
VmCB=30v; VmCE=20v; Ic=200mA
(transistores equivalentes: BC309, 2N6003)
4 transistores npn BD135 (en el esquema seran los: B, D, F y H)
VmCB=45v; VmCE=45v; Ic=1A
(transistores equivalentes: BD169, 2N4923) Numeracin corregida
2 diodos 1N4007 (en el esquema Di, Dd)
2 resistencias de 1k ( en el esquema Ri, Rd)
2 resistencias de 4k7 (en el esquema las Re)
Puente H con LM 386
Cuando pretendemos controlar cargas inductivas con un microcontrolador, nos
encontramos que no podemos realizarlo directamente. Debemos usar un "driver" o
exitador para separar la seal emitida por el microcontrolador, del circuito inductivo o de
potencia. Para esto se necesita un Puente H que puede armarse de distintas formas.
Elegimos este circuito integrado por ser de fcil adquisicin y econmico, adems se evita
el trabajo de armar un Puente H con componentes discretos.
Este circuito permite realizar un Puente H para hacer girar motores de CC en ambas
direcciones, del tipo de los que se utilizan en juguetes, radio grabadores, lectoras de CDs,
etc.
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Con dos integrados (4 LM 386) se pueden controlar motores paso a paso de cuatro
terminales.
Fig. 4.23 Puente H con LM386.
El conexionado no es el mismo que se utiliza cuando se emplea el LM 386 como
amplificador de audio, esto se hace para lograr un comportamiento casi digital.
El funcionamiento es muy simple, poniendo en estado alto uno de los pines de entrada, el
motor DC gira en un sentido. Al invertir el estado de los pines de entrada, gira en el otro.
Con los dos pines en alto o en bajo simultneos no gira.
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BIBLIOGRAFIA
[1] T. J. Maloney, Electrnica Industrial Moderna, Prentice Hall, Tercera Edicin, Distrito
Federal, Mxico. 1997.
[2] P. C. SEN, Thyristor DC Drives, Krieger Publishing Company, Malabar, Florida, USA.
1991.
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III INTRODUCCIN A LA ASIGNATURA

2.2.- Elaborar el armado de circuitos de polarizacin de un transistor.

Calcular los valores de la resistencia de base para saturar el transistor.

3.2.1. Analizar un circuito amplificador con transistores.

. Entonces, sustituyendo estas dos ltimas

para finalmente tener la funcin de transferencia correspondiente a esta configuracin:

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