Configuracin de Base Comn Para la configuracin de base comn con transistores pnp y npn.

La terminologa de la base comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto a la entrada como a la salida de la configuracin. A su vez, por lo regular la base es la terminal ms cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra. A lo largo de este libro todas las direcciones de corriente harn referencia al flujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones. Para el transistor la flecha en el smbolo grfico define la direccin de la corriente del emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo. Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los amplificadores de base comn se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para el punto de excitacin o parmetros de entrada y el otro para el lado de la salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base comn relacionar la corriente de entrada (IE). El conjunto de caractersticas de la salida o colector tiene tres regiones bsicas de inters: la regiones activa, de corte y de saturacin. La regin activa es la que suele utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsin). En particular: En la regin activa la unin base - colector se polariza inversamente, mientras que la unin emisor - base se polariza directamente. La regin activa se define mediante los arreglos de polarizacin de la figura D. En el extremo ms bajo de la regin activa, la corriente del emisor (IE) es cero; esa es la verdadera corriente del colector, y se debe a la corriente de saturacin inversa ICO, como lo seala la figura E. La corriente ICO real es tan pequea (micro amperes) en magnitud si se compara con la escala vertical de IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la configuracin de base comn se muestra en la figura 4.19. La notacin que con ms frecuencia se utiliza para ICO en los datos y las hojas de especificaciones es, como se indica en la figura F., ICBO. Debido a las mejoras en las tcnicas de fabricacin, el nivel de ICBO para los transistores de propsito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades de mayor potencia ICBO, as como Is, para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores temperaturas, el efecto de ICBO puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy rpidamente con la temperatura. En la regin de corte, tanto la unin base - colector como la unin emisor - base de un transistor tienen polarizacin inversa. En la regin de saturacin, tanto la unin como el emisor - base estn en polarizacin directa.

Figura D. Smbolos utilizados con la configuracin comn: a) transistor pnp; b) transistor npn.

Figura E. Caractersticas de salida o colector para un amplificador a transistor de base comn.

Figura F. Corriente de saturacin inversa.

Configuracin de Emisor Comn La configuracin de transistor que se encuentra ms a menudo aparece en la figura G. para los transistores pnp y npn. Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn o hace referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso, es comn tanto a la terminal de base como a la de colector). Una vez ms, se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir por completo el comportamiento de la configuracin de emisor comn: uno para el circuito de entrada o baseemisor y otro para el circuito de salida o colector-emisor. En la regin activa de un amplificador de base comn la unin del colector-base se encuentra polarizada inversamente, mientras que la unin base-emisor se encuentra polarizada directamente. Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin), el corte para la configuracin de emisor comn se definir mediante IC = ICEO.

a)

b)

Figura G. smbolos utilizados con la configuracin de emisor comn: a) transistor npn; b) transistor pnp. Configuracin de Colector Comn La configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, contrariamente a alas de las configuraciones de base comn y de un emisor comn. La figura H muestra una configuracin de circuito de colector comn con la resistencia de carga conectada del emisor a la tierra. Obsrvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor est conectado de manera similar a la configuracin del emisor comn. Desde un punto de

vista de diseo, no se requiere de un conjunto de caractersticas de colector comn para elegir los parmetros del circuito de la figura H puede disearse utilizando las caractersticas de salida para la configuracin de colector comn son la mismas que para la configuracin de emisor comn. Figura H. Configuracin de colector comn Utilizado para propsitos de acoplamiento de Impedancia.