GUIA DE LABORATRIO

SISTEMAS ELECTRNICOS DAS TELECOMUNICAES

PROJECTO E SIMULAO DE UM AMPLIFICADOR SINTONIZADO UNIANDAR

INSTITUTO SUPERIOR TCNICO Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores rea Cientfica de Electrnica 2006/2007

PROJECTO E SIMULAO DE UM AMPLIFICADOR SINTONIZADO UNIANDAR 1. Objectivo Pretende-se comparar as caractersticas de um amplificador sintonizado, obtidas atravs de simulao em computador, com as especificaes impostas no seu projecto. Esta comparao permite verificar a validade das aproximaes e dos critrios utilizados no projecto. O amplificador dever funcionar numa das bandas de frequncias utilizada para canais de televiso (VHF, UHF), com uma frequncia central da ordem das centenas de MHz, e dever ter uma largura de banda suficiente para um canal de TV modulado com banda lateral vestigial (6 MHz). 2. Sumrio O plano de trabalho, a ser detalhado no pargrafo 4, inclui as seguintes fases: 1) Projecto do amplificador, em que so dados o transistor e o respectivo PFR, a topologia do circuito (acoplamento indutivo e, ou por diviso capacitiva), o tipo de sintonia (sncrona), o tipo de adaptao na entrada e na sada, a frequncia central e a largura de banda. Este projecto dever ser feito antes da aula de laboratrio. 2) Projecto das malhas de polarizao do transistor, de acordo com os resultados da alnea 1). Este dimensionamento tambm deve ser feito antes da parte laboratorial. 3) Criao de um esquemtico (ou alternativamente de um ficheiro de entrada .cir) com o amplificador projectado para introduo nos computadores pessoais tendo em vista a sua simulao pelo programa PSPICE. Um esboo do esquemtico deve ser elaborado antes da aula de laboratrio. 4) Simulao do circuito pelo PSPICE. Nesta simulao devem obter-se curvas de resposta do amplificador que permitam avaliar as diferenas relativamente s especificaes iniciais. O docente tem de verificar a resposta do circuito obtida, pelo que deve ser solicitada a sua presena nesta fase do trabalho. 5) Crtica dos resultados obtidos em face das especificaes iniciais e das aproximaes efectuadas no projecto.

3. Projecto do amplificador Pretende-se simular no programa PSPICE um andar de amplificao transistorizado que tem como circuitos de acoplamento de entrada e sada circuitos sintonizados (passa-banda) de 2 ordem, pelo que a resposta total do circuito ser de 4 ordem. A especificao da frequncia central do amplificador diferente para cada grupo e obtida atravs de uma frmula. Os seus valores correspondem a diferentes canais de radiodifuso de TV. A largura de banda, definida entre as frequncias onde a atenuao aumenta 3dB relativamente ao seu valor mnimo, dever ser de 6MHz para todos os grupos. Esta largura de banda considerada suficiente para um canal de televiso modulado em banda lateral vestigial. O esquema incremental bsico do amplificador (regime de sinais fracos) descrito em 3.1 e as principais especificaes so definidas em 3.2. 3.1 - Circuito bsico O esquema bsico (dinmico incremental) a utilizar para o amplificador est representado na figura 1. Note-se que os transformadores podero ter relaes de transformao maiores ou menores do que 1, o que origina modificaes na forma como so ligados ao circuito. Admita que os coeficientes de ligao magntica (Kij) so sempre unitrios (ligao magntica perfeita). As relaes de nmero de espiras indicadas so as dos transformadores ideais dos esquemas equivalentes. Na figura 1 no est representada a malha de polarizao do transistor, a ser projectada na alnea 3.3.
esquema dinmico 1:n o C 1 C2 o L L11 Gg o T y 11 o v 1 V y v 12 2 V y 22 o y v 21 1 L 12 v 2 o 12 L T C 3 v s Yc 1:n o 22

a rede de polarizao escolhida pelos autores e o sentido dos autotransformadores pode ser alterado

Fig. 1 - Esquema dinmico incremental do amplificador, sem polarizao.

3.2 - Especificaes As especificaes do circuito so:

Frequncias de trabalho: Frequncia central f0 = 100 + X + 5 (Y - 1) MHz

Y = nmero do grupo (1 a 6) X = 10 (4 feira), 50 (6 feira) Largura de banda a -3dB Fonte e carga: Resistncia de fonte Resistncia de carga Capacidade de carga RS = 1/Gg = 300 RC = 50 CC = 3 pF (ZC = RC // CC) B = 6MHz

Bobinas de sintonia: LT (medidas efectuadas a fS=200MHz) Factor de qualidade Capacidade parasita Capacidade de sintonia Transistor: Modelo de sinais fortes dado em anexo (modelo para o PSPICE - Gummel e Poon) Condutncia ptima de fonte (para mnimo rudo) GON = 4 mS Q0 = 300 Cp = 3 pF CS = 20 pF

Notas: 3.2a) O parmetro Q0 refere-se bobina real isolada, ou seja, o factor de qualidade que se obtm quando no ligada nenhuma resistncia adicional, em paralelo: Q0 = rp/(S LT) = 1/(S LTgp) onde LT o valor da indutncia e rp=1/gp o da resistncia de perdas do esquema equivalente paralelo. 3.2b) A capacidade de sintonia a capacidade que necessrio colocar em paralelo com a bobina real para se obter uma ressonncia a uma dada frequncia. A indicao de CS e da frequncia fS a que se refere uma forma indirecta de indicar o valor da auto-induo, a partir do valor do componente directamente medido pelo mtodo da ressonncia. Note-se, no entanto, que necessrio conhecer tambm o valor da capacidade parasita Cp j que: LT = 1/S2 (CS + Cp). 3.2c) Nos auto-transformadores a bobina dada LT refere-se ao enrolamento total, isto LT = L1 + L2 + 2 (L1L2)1/2 sendo L1 e L2 as autoindues prprias de cada troo da bobina LT . Considere sempre coeficientes de ligao magntica entre enrolamentos ou seces de bobina, Kij = 1. 3.2d) utilizado um transistor tpico de radio-frequncias. No anexo 1 apresentado o modelo para o PSPICE. A cpia do catlogo, tambm fornecida no anexo 2 destina-se a familiarizar os alunos com este tipo de informao. Como o projecto efectuado com base nos valores dos parmetros Y obtidos por simulao a partir do modelo, qualquer diferena encontrada entre as especificaes e o resultado das simulaes no pode ser imputada preciso do modelo. Se o circuito fosse montado que era natural que algumas diferenas entre o comportamento experimental e as simulaes fossem devidas s aproximaes na extraco dos parmetros do modelo. O modelo para o PSPICE descrito por um sub-circuito que caracteriza no s o transistor bipolar intrnseco (pastilha de silcio), atravs da directiva .MODEL (modelo de Gummel e Poon), mas tambm os efeitos parasitas do encapsulamento e sua interligao ao transistor intrnseco, atravs de uma rede exterior de bobinas e condensadores. Estes elementos so particularmente importantes s frequncias de trabalho do amplificador (VHF e UHF).

3.3 - Requisitos do dimensionamento O dimensionamento do amplificador dever obedecer aos requisitos que a seguir se enumeram. a) A condutncia equivalente do circuito exterior ligado base do transistor dever ser igual a GON. Este critrio normalmente imposto para se obter um factor de rudo mnimo para o amplificador. Verifique esta condio a partir dos dados do catlogo (anexo 2). b) Na malha de sada deve obter-se uma mxima transferncia de potncia do transistor para a carga. No entanto, se esta condio originar um factor de estabilidade KS<5, dever proceder a uma desadaptao de impedncias que permita obter um factor de estabilidade condicional mnimo KS = 5. c) O ponto de funcionamento em repouso do transistor IC=1mA e VCE=6V. Verifique que este ponto imposto de acordo com as caractersticas de rudo mnimo dadas em catlogo (anexo 2).

4. Procedimento (a descrever no relatrio do trabalho) Para cada um dos tipos de circuito de acoplamento, deve seguir o seguinte procedimento: 4.1 Obter a localizao dos polos de cada circuito RLC do amplificador e as respectivas frequncias centrais e larguras de banda a -3dB, utilizando a aproximao de banda estreita, para uma banda de passagem total de 6MHz e para sintonia sncrona. 4.2 Calcular as terminaes do transistor (Y1g e Y2c) de modo a verificarem-se as condies impostas em 3.3 a) e b). Neste clculo deve considerar os parmetros Y do transistor obtidos por simulao. 4.3 A partir dos resultados das alneas anteriores dimensionar os circuitos de acoplamento de entrada e de sada (C's, L's e relaes de transformao n's) de acordo com o circuito da figura 1.

4.4 -

Calcular uma estimativa dos ganhos de potncia e de transduo para a frequncia central do amplificador usando a expresso factorizada. Critique os valores obtidos para os diferentes termos de perdas em face das opes que tomou no projecto.

4.5 -

Projectar a rede de polarizao do transistor de forma a ter o PFR indicado. Considere que dispe de uma fonte de alimentao VCC=9V. Escolha para esta rede uma configurao que tenha uma reduzida influncia na resposta em alta frequncia sem sobredimensionar excessivamente os seus componentes. Por exemplo, a rede de polarizao deve apresentar, para a frequncia central, uma impedncia 100 vezes superior impedncia do circuito de RF nos portos de interligao.

4.6 -

Prepare o esquemtico para efectuar a simulao do amplificador projectado: redes de adaptao s com transformadores e,ou autotransformadores e diviso capacitiva. Os transformadores do circuito da figura 1 devero ser simulados como bobinas acopladas com factores de acoplamento unitrios. Os auto-transformadores tm de ser simulados por duas bobinas em srie (veja-se nota 3.2c) com um factor de acoplamento unitrio. necessrio respeitar a ordem dos ns na descrio das bobinas ligadas magneticamente, em particular nas dos autotransformadores, para no se alterar as fases dos sinais nos transformadores respectivos.

4.7 - Verifique os valores das tenses e correntes impostas pela malha de polarizao (PFR). 4.8 - Obtenha as respostas em frequncia do circuito numa banda de pelo menos 40MHz em torno da frequncia central. Comente os resultados obtidos comparando-os com os previstos teoricamente, nomeadamente o ganho de potncia mximo, a frequncia central e a largura de banda a -3dB. Nesta comparao tenha em ateno as especificaes impostas e as aproximaes que utilizou no projecto. Se achar conveniente mostre tambm a resposta apenas na zona central da banda de passagem. 4.9 - Comente a validade das aproximaes efectuadas no dimensionamento do circuito de diviso capacitiva. Para isso pode simular o amplificador com a diviso capacitiva representada pelo seu esquema equivalente.

4.10 - Supondo que, em simultneo, a bobina de sintonia de entrada tem um valor 5% abaixo do nominal e a de sada 5% acima do nominal, obtenha a nova curva de resposta em frequncia do amplificador. Comente o resultado obtido. 4.11 - Com as bobinas com os valores nominais mas impondo, em sequncia, os factores de ligao magntica Kij=0.95 e Kij=0.90, efectue novas simulaes e comente as diferenas encontradas.

Adicionalmente tenha ainda em ateno as notas que se seguem. Nota 4a) - Dever justificar sucintamente os clculos efectuados no projecto e comentar os resultados obtidos pela simulao, em face das especificaes e mtodos de projecto utilizados, dando especial ateno aos clculos que envolvem aproximaes. Nota 4b) - O relatrio dever conter esquemas globais dos circuitos projectados, incluindo a rede de polarizao, e uma lista com indicao dos valores de todos os componentes. Nota 4c) - O relatrio ter de ser acompanhado dos esquemticos (ou ficheiros .cir) e dos resultados de simulao grfica do programa PSPICE. Nota 4d) - Para se detectar erros de projecto ou falta de validade das aproximaes utilizadas, pode-se recorrer uma vez mais ao programa PSPICE fazendo-se simulaes parciais do circuito: por exemplo, analisando-se s a rede de entrada ou s a rede de sada. Para se estudar a influncia da rede de polarizao pode-se efectuar a simulao directa do esquema dinmico incremental do amplificador. Para o efeito, o modelo no linear do TJB substituido pelos seus parmetros Y (simulao .AC dum circuito do tipo do da figura 1). Se a verso do PSPICE no permitir geradores comandados com parmetros de comando complexos, h que desdobrar cada um dos geradores comandados (y21 e y12) em dois geradores: um comandado pela tenso de comando respectiva (v1 e v2) e outro pela corrente na parte reactiva da admitncia a que est aplicada essa tenso [i em (jb11) e i em (jb22)]. Como estas correntes esto

em quadratura com as respectivas tenses possvel simular geradores comandados com parmetros de comando com duas componentes em quadratura, isto :

y 21v1 =(g 21 +jb 21 )v1 =g 21v1 +(

b 21 ) i (jb11 ) b11

y12 v2 =(g12 +jb12 )v 2 =g12 v2 +(

b12 ) i (jb22 ) b 22

Desta forma as variaes das caractersticas do transistor com a frequncia no sero correctamente simuladas, j que os parmetros Y variam com a frequncia de acordo com o modelo no linear do anexo 1 e no de acordo com um modelo equivalente calculado a partir dos parmetros Y a uma s frequncia. No entanto, na proximidade da frequncia central a aproximao boa, j que os parmetros Y variam com a frequncia mais lentamente que os circuitos ressonantes exteriores ao transistor. A simulao puramente AC permite ainda facilmente retirar o efeito da realimentao, para estudar a sua influncia. Basta para o efeito anular o parmetro y12. Note que, em muitos dos clculos do projecto se desprezou este parmetro.

Anexo 1
Modelo PSPICE para o TJB 2N5179

* MOTOROLA 2N5179 * Coletor=1 Base=2 Emissor=3 .SUBCKT 2N5179 1 2 3 Q1 4 6 5 5 QR34 Lc 1 4 0.49n Lb 2 6 1.04n Le 5 3 0.97n Cc 4 5 0.6p Cb 4 6 0.272p * * .MODEL QR34 NPN ( + BF = 96 + VAF = 96 + VAR = 9.6 + RC = 7.1 + RB = 41.3 + RE = 1.413 + IKF = 0.035 + ISE = 0.45E-14 + TF = 0.557E-10 + TR = 0.4E-8 + ITF = 0.016 + VTF = 4 + CJC = 0.791E-12 + CJE = 3.57E-12 + XTI = 3 + NE = 1.5 + ISC = 0.15E-14 + EG = 1.11 + XTB = 1.5 + BR = 2.49 + VJC = 0.75 + VJE = 0.75 + IS = 0.5E-15 + MJC = 0.33 + MJE = 0.33 + XTF = 4 + IKR = 0.035 + KF = 0.1E-14 + NC = 1.7 + FC = 0.5 + RBM = 29 + IRB = 0.5E-2 + XCJC = 0.264 ) .ENDS

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anexo 2
Catlogo do TJB 2N5179

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