CIRCUITOS DIGITALES II

UNIVERSIDAD NACIONAL DE PIURA

UNIVERSIDAD NACIONAL DE PIURA FACULTAD DE INGENIERIA INDUSTRIAL ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA MECATRONICA

Ao del Centenario de Machu Picchu para el Mundo

TEMA

carro seguidor de lnea negra

CURSO

Circuitos Digitales II

DOCENTE

ING. Cesar Arturo Nio Carmona

ALUMNOS

:
JIMNEZ HUERTAS, ERICK CUBAS URBINA CARLOS SANTOS MONSALVESEGUNDO Yanina Danton

Piura Per 2011

INTRODUCCIN
Las memorias son dispositivos semiconductores que sirven para guardar informacin; dicha informacin puede estar conformada por datos a ser procesados, comandos de programas o programas enteros inclusive. Estructuralmente pueden estar compuestas por Flip-Flop's o por celdas capacitivas (en el caso de las RAM dinmicas), o por conexionado interno de matrices de diodos (en el caso de algunas PROM). Tecnolgicamente pueden estar constituidas por MOS, o por TTL, o por conexionado interno de matrices de diodos. La capacidad de memoria se mide en Bytes, unidad consistente de 8 bits. La variedad de capacidades de memoria vara de unos pocos Bytes a varios Mega Bytes (MB), segn para el tipo de aplicacin que se requieran. En una memoria existen las lneas de datos, las lneas de direccionamiento o ADDRESS y las lneas de control, adems de las de alimentacin. La organizacin interna de un memoria est constituida por celdas (o casilleros de memoria) de un Byte c/u, las cuales tienen asignada una direccin de memoria (o nmero de casillero). El conjunto de celdas constituye la llamada matriz de memoria. Para realizar operaciones con las celdas dentro de la memoria existen los decodificadores de direccionamiento, el control de secuencia (comandado por el Clock) y las puertas de entrada/salida de datos (controladas por el Chip Selection y la orden R/W, escritura/lectura). Con las lneas ADDRESS el microprocesador tiene cmo seleccionar una posicin de memoria para leer o escribir un dato. Esta seleccin o posicionamiento es ms conocido por direccionamiento. A travs de estas lneas el P solamente indica cul ser la celda a ser escrita o leda. Con las lneas de datos (o BUS de datos) el microprocesador recibe o enva informacin desde o hacia la memoria, cuando lee o escribe. En este informe se ahondara en el subgrupo de las EEPROM E PROM(Electrically Eraseable PROM), cuyo mtodo de borrado y grabacin consiste en la aplicacin, de una manera determinada, de pulsos de tensin. En las memorias ms antiguas de este tipo se precisaba una lnea de tensin de valor bastante superior al de alimentacin del chip. Hoy en da, ya se encuentran algunas que manejan la operacin de escritura slo con la tensin de alimentacin normal. Este grupo tiene una capacidad de memoria bastante inferior a la de las EPROM debido a su complejidad estructural intrnseca. Pero tienen la ventaja de ser regrabables durante un procesamiento de datos, sin sacarlas de su emplazamiento. Son bsicamente de slo lectura; pero pueden ser usadas como de escritura "lenta" (Alrededor de 10 mS) para el almacenamiento prolongado de nuevos datos.

Captulo I
Implementacin de un carro seguidor de lnea negra Este trabajo comprende la realizacin de la prctica de laboratorio con la finalidad de establecer el funcionamiento de lo microcontrolador pic 16f84A

OBJETIVOS Adquirir los conocimientos de cmo trabaja el micro controlador PIC 16f84a Conocer el funcionamiento de los sensores CNY 70

Captulo II
Micro controlador PIC Los PIC son una familia de micro controladores tipo RISC fabricados por Microchip Technology Inc. y derivados del PIC1650, originalmente desarrollado por la divisin de microelectrnica de General Instrument. El nombre actual no es un acrnimo. En realidad, el nombre completo es PICmicro, aunque generalmente se utiliza como Peripheral Interface Controller (controlador de interfaz perifrico). El PIC original se dise para ser usado con la nueva CPU de 16 bits CP16000. Siendo en general una buena CPU, sta tena malas prestaciones de E/S, y el PIC de 8 bits se desarroll en 1975 para mejorar el rendimiento del sistema quitando peso de E/S a la CPU. El PIC utilizaba micro cdigo simple almacenado en ROM para realizar estas tareas; y aunque el trmino no se usaba por aquel entonces, se trata de un diseo RISC que ejecuta una instruccin cada 4 ciclos del oscilador. En 1985 la divisin de microelectrnica de General Instrument se separa como compaa independiente que es incorporada como filial (el 14 de diciembre de 1987 cambia el nombre a Microchip Technology y en 1989 es adquirida por un grupo de inversores) y el nuevo propietario cancel casi todos los desarrollos, que para esas fechas la mayora estaban obsoletos. El PIC, sin embargo, se mejor con EPROM para conseguir un controlador de canal programable. Hoy en da multitud de PICs vienen con varios perifricos incluidos (mdulos de comunicacin serie, UARTs, ncleos de control de motores, etc.) y con memoria de programa desde 512 a 32.000 palabras (una palabra corresponde a una instruccin en lenguaje ensamblador, y puede ser de 12, 14, 16 32 bits, dependiendo de la familia

especfica de PICmicro). Borrado de una EEPROM El proceso de borrado de una EEPROM es muy sencillo. En realidad las memorias actuales incorporan en su interior los recursos necesarios para borrar la propia memoria elctricamente. Durante el proceso de grabado, la propia memoria realiza el borrado previo del byte que va a grabar de forma automtica. No es necesaria ninguna tensin especial de borrado ni ningn procedimiento. Grabado de una EEPROM La grabacin de una memoria EEPROM no requiere ninguna tensin especial (basta con los + 5 v de la alimentacin general del sistema y de la propia memoria, su Vcc), ni dispone de terminales especiales de grabado como en el caso de la EPROM. Su aspecto, desde el punto de vista de terminales y de funcionalidad es similar al de una memoria SRAM (esttica) equivalente. Es el propio terminal de lectura/escritura el que hace las funciones de terminal de grabacin. Lo nico que vara con respecto a una memoria RAM es el tiempo necesario para grabar la memoria (en torno a los 10 ms/byte). El hecho de necesitar slo una tensin de alimentacin/grabacin de + 5 v es debido al hecho de que las EEPROMs actuales incorporan las bombas de carga necesarias durante el proceso de grabacin y funcionan con esta tensin. Los fabricantes recomiendan seguir el siguiente procedimiento (algoritmo) para grabar sus memorias: 1. Establecer la direccin a grabar en el bus de direcciones de la EEPROM 2. Establecer el dato (byte) a grabar en el bus de datos de la EEPROM 3. Activar la seal R/W# a 0 (escritura) 4. Leer el byte que se acaba de grabar. Para leer el byte basta con poner la seal R/W# a 1. Leer el bit MS del byte grabado. 5. Compararlo con el bit MS del byte original 6. Si son distintos, volver a 4. Si son iguales, salir. Durante el proceso de grabacin de un byte, mientras se est grabando el dato, el bit de mayor peso (MS) tiene el valor complementado del valor real del mismo, es decir, si realmente es un 1 en el byte que se est grabando, mientras se realiza el proceso, valdr 0. Este mecanismo incorporado en la memoria permite simplificar el proceso de grabacin de la misma pues slo habr que esperar a que este bit MS deje de estar complementado (tiempo de grabacin de la memoria) para continuar grabando otro dato. MEMORIAS EEPROM SERIAL

La tecnologa de EEPROM de serie es uno de las tecnologas de memoria novoltiles que han surgido como una solucin principal de diseo. Desgraciadamente, la mayora diseadores del sistema no son conscientes de los beneficios de EEPROM de serie. Tambin, la documentacin de apoyo en databooks no es a menudo adecuada, se consigue informacin incompleta o ambigua. Como resultado, el diseador del sistema selecciona a menudo una solucin no-voltil que no rene sus requisitos, o, el diseador debe enfrentar un diseo ms complicados con un EEPROM de serie.l las opciones de memoria no-voltiles disponible ofrece una variedad de dispositivos diferentes. La mayor parte estas opciones de memoria pueden agruparse en dos categoras mayores: soluciones de serie y las soluciones paralelas. Esta categora discute los atributos de cada uno, conductas, un anlisis comparativo y en el proceso identifica los beneficios y ventajas de EEPROMs De serie. Caractersticas El rasgo principal de este dispositivo de serie es, como su nombre implica, la habilidad de comunicar a travs de una interface de serie. Esta memoria tiene numerosos beneficios: 1. Primero, la comunicacin de serie es cumplida con un nmero mnimo de I/O. 2. Las EEPROM de serie requieren slo dos a cuatro lneas (dependiendo del hardware y protocolo del software) para comunicacin completa. a. Direccin de la memoria b. Entrada de datos c. Rendimiento d. Mando del dispositivo 3. Otro beneficio de comunicacin de serie es tamao del paquete. Que va de las densidades de 16 a 256 Kbit; esta memoria est disponible en un chip de 8 pines, esto es obviamente muy beneficioso para las aplicaciones donde el tamao del producto y el peso es un factor del plan importante. 4. Consumo actual bajo. Debido a un nmero limitado de puertos de I/O operando corrientes que estn normalmente debajo de 3 mA. 5. El byte de programacin, habilidad de borrar y programar al mismo tiempo sin afectar el volumen del paquete. 6. La tasa del reloj esta entre 100KHz y 400KHz para dispositivos de dos conductores. Usos y aplicaciones Las EEPROMs de serie realizan una variedad de funciones en el mundo de las computadoras, en la industria, en las telecomunicaciones, en el parque automotor y aplicaciones del consumidor: 1. el almacenamiento de memoria de seleccionadores del cauce o los mandos

2. 3. 4. 5. 6.

analgicos (volumen, entonacin, etc.) almacenamiento de baja potencia, detector de fallas diagnostico de errores. eventos de tiempo real ( mantenimiento ) el almacenamiento de la configuracin para ver ltimos nmeros discados monitoreo de circuitos

Captulo III
Materiales 2 reguladores de voltaje 7805

12 de interruptores

1 display nodo comn Cablecillo solido (varios colores)

Memoria eeprom AT 28C64 14 Resistencias de 1K

1 integrado contador 74LS193

1 resistencia de RA = 200

1 resistencia de RB = 10 K

1 timer 555

1 led rojo

1 resistencia de 100 1 capacitor de 100 f / 16 V 1 capacitor de 0.1 f / 50 V

Herramientas Multmetro 1 cargador (fuente de voltaje de 5 V) Alicate Impresora laser Acido cloruro frrico Protoboard Plancha Software de diseo Pistola de soldar Placa para pcb Broca de 1mm Taladro Soldadura de estao Pasta de soldar Alcohol isopropilico

MEMORIA EEPROM 28C64 Las memorias EEPROM (o EPROM) son programables y borrables elctricamente. Se utilizan donde se requiere almacenamiento permanente, pero con adems la facilidad de cambiar y escribir data igual a las RAM estticas, o SRAM. La alimentacin es de +5V.

TIMER (configuracin) MATEMTICA DEL TIMER Para un tiempo de aproximadamente condensador C = 100 f, como: T1= 0.693xRbxC T2= 0.693(Ra + Rb)xC T= T1 + T2 F= 1 / T Entonces: RA = 200 RB = 10K F= 0.71 Hz.

T1

T2

= 0.7 seg. Y si el

PROCESO DE GRABADO Para grabar en la mayora de las memorias y en particular en la memoria 28C64 deben colocar OE en alto (VCC), WE en bajo (GND) y CE en alto, seguidamente coloquen la direccin en las patillas A0 A12, y el dato a guardar en las patillas D0 D7, a continuacin apliquen un pulso en CE de manera que pase a bajo (este pulso puede ser tan largo como se desee). Si se quiere guardar otro dato se repite lo anterior pero cambiando la direccin para que el nuevo dato no se grabe sobre el que acabamos de guardar.

Proceso De Grabado De La Memoria

PROCESO DE LECTURA Para leer los datos coloquen OE a bajo, WE a alto, apliquen la direccin en las patillas A0 A12 y apliquen el pulso a CE el tiempo que se necesite para revisar los datos, a continuacin por las mismas patillas D0 D7 saldrn los datos que guardamos en esa direccin. Pueden incluso dejar CE en bajo todo el tiempo y con un contador binario, en este caso el 74LS193 para cambiar las direcciones de manera sucesiva.

Proceso de lectura de la memoria

NOTA Es recomendable no dejar ninguna patilla de las direcciones sin conectar a Vcc o GND, aparte que el integrado puede calentarse ms de lo normal, puede ocasionar un error de lectura o de escritura.

S I S T D I G I T A L E S 2

Datos a grabar en memoria La memoria que usamos tiene 13 pines de direcciones y 8 pines de datos lo que nos representa la capacidad de la memoria 213x8= 8Kx8 sea en total puede almacenar 8192 datos de 8 bits lo que hacen 65536 bits usaremos solamente 16 direcciones y grabaremos 7 bits por dato. Datos direcciones D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 A12 - A4 A3 A2 A1 A0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1