CHAVES SEMICONDUTORAS

1 2 3 4 5 6 7 8

O TIRISTOR SCR (RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO) ............ 2 O TRIAC ...................................................................................................... 4 TIRISTOR DE DESLIGAMENTO POR GATILHO (GTO) ........................... 8 O TRANSISTOR DE POTNCIA .............................................................. 10 O MOSFET DE POTNCIA ...................................................................... 15 TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA (IGBT) .......................... 17 COMPARAO DE DISPOSITIVOS ........................................................ 20 DISPOSITIVOS PARA O DISPARO DE TIRISTORES............................. 21

Clculo do perodo de oscilao .............................................................................................................. 23

PERDAS E REFRIGERAO .................................................................. 25

10 BIBLIOGRAFIA......................................................................................... 32

1 O TIRISTOR SCR (RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO)

O tiristor um dispositivo de quatro camadas P-N-P-N, com um terminal chamado gate.

Figura 1.1

(a)Estrutura do tiristor. (b) Smbolo.

Caractersticas importantes do SCR: Corrente de Latching (ILATCH): a mnima corrente entre nodo e ctodo necessria para iniciar a conduo e mant-lo neste estado mesmo que a corrente de gatilho seja retirada. no estado de conduo quando Ig = 0. Corrente de manuteno - holding (IHOLD): a mnima corrente necessria entre nodo e ctodo do SCR para mant-lo no estado de conduo quando Ig = 0. A condio para que o tiristor alcance e permanea no estado de conduo que a corrente de ignio ou corrente de Latching seja superior corrente de manuteno. A corrente de ignio tpica o dobro da corrente de manuteno, embora ambas tenham baixo valor, da ordem de 1% da corrente principal (anodo-ctodo) que fluir pela carga. O tiristor, quando polarizado diretamente (anodo-ctodo), pode ser levado ao estado de conduo injetando-se uma corrente em seu terminal de gate relacionado com o terminal de ctodo. Uma vez atingida a corrente de ignio, a corrente de gate pode ser retirada, e o tiristor continua conduzindo, independente da polarizao do terminal de gate. Para voltar ao estado de bloqueio, a corrente principal deve ser diminuda at um valor inferior ao da corrente de manuteno, podendo ser novamente polarizado diretamente, sem entrar em conduo.

Figura 1.2

Curva caracterstica de um tiristor com corrente de gate.

Principio de funcionamento

P N P N N P

P N P N

A A corrente de coletor de T2 polariza T1 T2

A corrente de coletor de T1 polariza T2

T2

G T1 Ig

G T1

Inicialmente uma pequena corrente gate polariza T1, cuja carga uma Juno P-N (de T2)

No h mais no necessidade de Ig 3

O TRIAC

O triac um elemento de cinco camadas, tendo dois caminhos P-N-P-N entre os terminais principais, T1 e T2, podendo conduzir nos dois sentidos, como mostra nitidamente seu smbolo representativo. Eletricamente, o triac equivale ligao de dois tiristores em antiparalelo.

Figura 1.3

O triac. (a) Estrutura (b) Smbolo (c) Equivalncia com o tiristor.

O triac pode ser levado ao estado de conduo pela aplicao de uma corrente positiva ou negativa no terminal de gate, embora seja mais confivel lev-lo ao estado de conduo aplicando uma corrente positiva no gate quando T2 positivo e uma corrente negativa quando T1 positivo. Na prtica, utiliza-se uma corrente negativa no gate, como mostrado na figura abaixo.

Figura 1.4

Curva caracterstica do triac..

A1 P1 N3 P2 N1 N2

N4

N5

A2

Figura 1.5

Estrutura de um triac..

T2

P2

N4 N5

N3 N3 P1 G

P2

N2

P1

T1 N1
Figura 1.6 Circuito equivalente.

Modos de operao: Costuma-se dizer que o triac opera em quatro quadrantes. Embora seja mais confivel lev-lo ao estado de conduo aplicando uma corrente positiva no gate quando T2 positivo e uma corrente negativa quando T1 positivo portanto analisaremos estos dois modos.

Modo T2+ Ig+: A tenso positiva em T2, faz com que concentremos nossa ateno no SCR formado por P2-N3-P1-N2. A tenso ao gatilho polariza diretamente a juno P1-N2, fazendo com que o SCR dispare e o triac conduza de T2 para T1. G+

T1 P1 N3 P2 N1 N2

N4

N5

T2+ T2

P2

N4

N3 N3 P1 G

P2

N2 Ig

P1

T1 N1 6

Modo T2- Ig-: Suponhamos que a partir de um instante aplicamos uma tenso negativa no disparo, a juno P1-N1 fica diretamente polarizada. Haver ento injeo de lacunas de P1 para N1 com energia cintica tal que so coletados na juno P1-N3 e se difundem atravs da regio N3. Entretanto, na regio N3-P2, existe um campo desfavorvel ( o potencial negativo de T2 repele os eltrons) e sendo assim, o fluxo de eltrons repelido sendo injetados de N3 para P1 e o triac entra em conduo de T1 para T2 atravs do SCR formado por P1-N3-P2-N4

G-

T1 P1 N3 P2 N1 N2

N4

N5

T2 T2

P2 Ig inicial N3 N3 P1 G

N4

P2

N2

P1

T1 N1 7

TIRISTOR DE DESLIGAMENTO POR GATILHO (GTO)

O tiristor convencional tem duas junes PN que podem bloquear altas tenses em ambos os sentidos, uma necessidade essencial para aplicaes em circuitos retificadores. Entretanto, para circuitos inversores, a capacidade de bloquear reversamente no necessria. O tiristor convencional s pode ser cortado pela efetiva reduo da corrente de nodo para zero, porem o GTO (Gate Turn-Off), como seu nome implica, tem uma estrutura tal que pode ser cortado pela remoo da corrente de gatilho. O disparo conseguido pela injeo de corrente no gatilho como um tiristor convencional.

Figura 1.15 Estrutura do tiristor. (a) Smbolo do tiristor convencional. (b) Estrutura P-N-P-N do tiristor convencional. (c) Smbolo do GTO. (d) Estrutura do GTO.

A estrutura mais complexa do GTO comparada ao tiristor convencional mostrada na Figura 1.15. O smbolo para o GTO uma extenso do convencional mostrando o papel duplo do terminal de gatilho. Referindo-se Figura 1.15d, o GTO tem pontos N altamente dopados na camada P no nodo (o sinal de mais indica o alto nvel de dopagem). A estrutura gatilho-ctodo interdigital, ou seja, cada eletrodo composto de um grande nmero de estreitos canais proximamente localizados. Para o GTO, na ausncia de qualquer corrente de gatilho, uma tenso positiva no nodo em relao ao ctodo suportada na juno NP central, da mesma maneira que o tiristor convencional, mas uma tenso reversa de baixo nvel com o ctodo positivo romper a juno de nodo. GTOs com bloqueamento reverso esto disponveis, mas em detrimento de outras 8

caractersticas. Um exemplo de aplicao uma carga ressonante, onde o GTO esta sendo usado como um tiristor convencional, porem entrando em corte muito rpido. As condies de disparo para um GTO so similares s do tiristor convencional, porm, devido a uma estrutura diferente, a corrente de manuteno maior. A natureza interdigital do gatilho resulta em uma propagao muito rpida da conduo no silcio, mas necessrio manter a corrente de gatilho em um nvel elevado por um tempo maior para garantir que o travamento acontea. Para minimizar a queda de tenso nodo-ctodo vantajoso manter um baixo nvel de corrente de gatilho durante toda conduo, caso contrario a tenso de conduo e as perdas na conduo sero ligeiramente maiores que o necessrio. 0 tiristor continua conduzindo depois da remoo da corrente de gatilho por causa do mecanismo interno de multiplicao dos portadores, que autosustentvel, fornecendo uma corrente de nodo que esta acima do valor de travamento. Para o GTO possvel cessar a multiplicao dos portadores por meio da remoo das lacunas na regio P, o que faz com que a rea de conduo seja estreitada em direo aos pontos N do nodo, levando a rea sob o ctodo o mais longe do gatilho at que todo caminho de conduo seja extinto. Uma vez cessada a corrente de ctodo, a corrente de gatilho-nodo persiste por um curto tempo at que o dispositivo atinja seu estado de bloqueio. A ordem de grandeza da corrente de gatilho para o corte do GTO de um quinto a um tero da corrente de nodo portanto consideravelmente maior que a ordem de grandeza para dispar-lo. O tempo de corte menor que em outros tiristores. Os requisitos para o disparo de um GTO so resumidos pelo circuito mostrado na Figura 1.16a. No disparo, uma corrente injetada no gatilho, e, no desligamento, uma tenso negativa colocada sobre o gatilho-ctodo da ordem de 10 V removendo, assim, a corrente do gatilho. A tenso de corte tem de ser menor que a de ruptura reversa gatilho-ctodo, mas grande o suficiente para extrair a carga necessria para ocasionar o desligamento. O desligamento fsico do dispositivo complexo mas basicamente, a carga do gatilho tem de ser extrada rapidamente com um valor de pico da corrente de gatilho prximo do valor da corrente de nodo, sendo essa corrente estabelecida em um tempo muito menor que um microssegundo. Para limitar a taxa com a qual a tenso do nodo aumenta no corte, um capacitor conectado em paralelo com o tiristor.

Figura 1.16 Circuito de gatilho do GTO. (a) Requisitos bsicos. (b) Circuito simples de controle de gatilho.

Um circuito de controle de gatilho simples mostrado na Figura 1.16b. Corrente positiva na base do transistor T1 permite a circulao de corrente no gatilho via R1 e C1, com o valor inicial sendo estabelecido por R1. O diodo zener D1 conduz quando sua tenso de ruptura alcanada, segurando assim a tenso em C1 (por exemplo,12 V), e permitindo que uma pequena corrente de gatilho circule continuamente da fonte de 15 V, como idealmente requerida. A inverso da corrente de controle ligara o transistor T2, desligando T1. Com T2 ativo, o capacitor C1 descarrega via T1, removendo a corrente de gatilho e desligando o tiristor. O capacitor C2 em paralelo com o tiristor limita o aumento dV/dt da tenso nodo-ctodo.

O TRANSISTOR DE POTNCIA

O transistor bipolar de potncia um dispositivo de trs camadas, N-P-N ou P-N-P, como mostrado nas Figuras 1.17 e 1.18. Dentro da faixa de operao, a corrente de coletor Ic funo da corrente de base Ib, e uma mudana em uma dada corrente de base corresponde a uma mudana, amplificada, na corrente de coletor, para uma dada tenso coletor-emissor (Vce). A relao entre essas duas correntes da ordem de 15 a 100. A curva caracterstica mostrada na Figura 1.19, para o transistor da Figura 1.17b. Da mesma maneira que outros dispositivos, o ponto de ruptura alcanado com o aumento da tenso, quando a ruptura por avalanche ocorre. Uma tenso 10

reversa coletor-emissor faz com que a juno base-emissor seja rompida mesmo com uma tenso baixa, por exemplo 10 V, e, portanto, o transistor no operado no modo reverso. Um diodo em srie com o transistor habilitar o circuito para ser usado em situaes de tenses reversas.

O transistor P-N-P, mostrado na Figura 1.18, tem uma curva caracterstica similar ao transistor N-P-N, porem as tenses e correntes tem sentidos contrrios.

11

Figura 1.19 Curva caracterstica emissor comum para transistor N-P-N.

A perda de potncia no transistor funo do produto entre a tenso de coletor-emissor e a corrente de coletor. Com relao Figura 1.20, se a corrente de base sofrer variaes a fim de controlar a corrente de carga no coletor, poder ento surgir tenses; elevadas no transistor. Por exemplo, se V = 200 V e a corrente de base IB for ajustada para dar 10 A em uma carga de 10 , ento a queda no transistor ser 100 V. A perda de potncia no transistor ser de 1 kW com uma eficincia total de 50%, uma condio inaceitvel sob o ponto de vista da perda e especificaes do dispositivo, bem como da eficincia global. Na prtica, para aplicaes de potncia, o transistor opera como uma chave, ou seja, cortado quando a corrente de base zero, como mostrado na Figura 1.21a (chave aberta), ou saturado, com uma corrente na base que leva o transistor saturao (chave fechada). Como o transistor um dispositivo controlado, essencial comandar a corrente de base para controlar a corrente de coletor. A fim de manter o controle na saturao e para evitar excessivas cargas na base, a corrente de base deve ser apenas o suficiente para manter a saturao. Inicialmente, quando ligamos, a corrente de base deve ser alta, permitindo uma rpida partida. Qualquer mudana na corrente de coletor tem que ter correspondncia com uma mudana na corrente de base. Para levar o transistor ao corte, deve-se reduzir a corrente de base a uma taxa que a corrente de coletor possa seguir, evitando assim a ruptura secundaria. mantida, no corte, uma pequena corrente reversa, para evitar correntes esprias no coletor. Funcionando como chave, a perda de potncia sobre o dispositivo pequena, devido pequena corrente de fuga na posio chave aberta e a tenso de saturao (mostrada na Figura 1.19) com a corrente de 12

coletor, quando na posio chave fechada. Tipicamente, a tenso de saturao de 1,1 V para um transistor de potncia de silcio.

Figura 1.20 Carga controlada por transistor.

Para explorar o transistor completamente sem superaquecimento no chaveamento deve-se trabalhar na rea de operao segura mostrada na Figura 1.21b. Quando chaveado entre dois estados, mostrados na Figura 1.21a, fundamental que os valores instantneos de corrente e tenso estejam dentro do retngulo mostrado na Figura 1.21b. Apenas o tempo de chaveamento muito mais curto quase retangular, sendo as elevadas perdas instantneas de potncia progressivamente restringidas para tempos de chaveamento maiores, como mostrado na Figura 1.21b, por meio das quinas colocadas fora da rea de operao segura. Note que as escalas da rea de operao segura so logartmicas.

13

Figura 1.21 Transistor como chave. (a) Estados ligado e desligado. (b) rea tpica de operao segura.

As perdas durante o chaveamento podem ser grandes, pois tenso e corrente no transistor podem ser altas e o produto dessas grandezas define a potncia perdida e multiplicada pelo tempo de chaveamento fornece a energia perdida para uma operao de chaveamento. Uma alta freqncia de chaveamento pode significar que a perda predominante aquela devida ao chaveamento. A perda de chaveamento exata uma funo dos parmetros do circuito, da carga, bem como da variao da corrente de base. O transistor pode chavear considervelmente mais rpido que o tiristor, sendo possvel, tipicamente, um tempo menor que 1 s. Na conduo, a base de um transistor requer uma corrente maior que a do gatilho do tiristor. Por exemplo, um tiristor de 30 A pode necessitar de um pulso de 0,1 A para ligar, 14

enquanto um transistor de 30 A pode necessitar de uma corrente de base de 2 A, continuamente, durante o perodo de conduo. A taxa de sobrecarga do transistor de potncia consideravelmente menor que a do tiristor. 0 transistor, por controle de corrente de base, capaz de desligar enquanto conduz corrente de carga, enquanto no tiristor convencional o gatilho perde o controle depois de liga-lo. Entretanto, diferentemente do tiristor, o transistor tem pouca capacidade de suportar tenses reversas.

Figura 1.22 Configurao Darlington de transistor de potncia.

O ganho de corrente do transistor de potncia pode ser consideravelmente melhorado se a corrente de base for obtida de um outro transistor, conhecido como configurao Darlington, mostrado na Figura 1.22. Os transistores podem ser encapsulados em uma mesma pastilha de silcio, sendo possvel um ganho de corrente de 250, porm com um tempo de chaveamento maior.

O MOSFET DE POTNCIA

O transistor de efeito de campo de semicondutor de oxido metlico (Mosfet: metal oxide semicondutor field-effect transistor) de potncia um dispositivo derivado do transistor de efeito de campo (FET: field-effect transistor) para uso como chave de atuao rpida em nveis de potncia. Diferentemente do transistor bipolar, controlado por corrente, o Mosfet um dispositivo controlado por tenso. De acordo com a Figura 1.23a, os terminais principais so o dreno e a fonte, com a corrente fluindo do dreno para fonte e sendo controlada pela tenso da porta para a fonte. A Figura 1.23b mostra em corte uma parte de um Mosfet. Para tenso zero entre porta e fonte, uma tenso positiva no dreno em relao a fonte resultar em corrente para, possivelmente, algumas centenas de volts bloqueados. Porm, se uma tenso suficientemente positiva, aproximadamente 3 V for aplicada porta, uma carga negativa ser induzida na superfcie do silcio sob a porta, fazendo com que a camada P se torne 15

uma camada N induzida e permitindo o fluxo de eltrons. Ento uma tenso positiva na porta estabelece um canal de superfcie para a circulao de corrente do dreno para a fonte. Assim, a tenso de porta determina a profundidade do canal induzido, determinando, dessa maneira, a circulao de corrente. A curva caracterstica do Mosfet mostrada na Figura 1.23d, para o circuito da Figura 1.23c. O dispositivo tem como caracterstica uma resistncia constante para valores muito baixos de tenso de dreno-fonte, mas para valores mais altos da tenso a corrente determinada pela tenso da porta. Entretanto, em aplicaes de potncia, a tenso dreno-fonte tem de ser pequena a fim de minimizar as perdas de conduo quando ligado. Desse modo, a tenso de porta fixada em um nvel elevado o suficiente para garantir que a corrente de dreno esteja limitada acima do valor da corrente de carga, ou seja, o dispositivo opera em condies de resistncia constante, e a tenso de gatilho tem de ser limitada a um valor mximo de aproximadamente 20 V. O dioxido de silcio que isola a porta do corpo do transistor, um isolante com corrente de fuga desprezvel. Uma vez que a carga da porta estabelecida, no existe mais corrente de porta dando um ganho muito alto entre a potncia de sada e a de controle. A Figura 1.23b mostra que em sentido oposto, ou seja, da fonte para o dreno, existe um caminho PN, o que significa que existe um diodo integrado com o transistor da fonte para o dreno como mostrado na Figura 1.23c.

Figura 1.23 Mosfet de potncia. (a) Smbolo normal, canal N. (b) Estrutura simplificada em corte transversal. (c) Circuito eltrico. (d) Caracterstica de sada.

16

A ausncia de qualquer carga armazenada cria a possibilidade de um chaveamento muito rpido, sendo os tempos ligado (Tligado) e desligado (Tdesligado) muito menores que um microssegundo. A resistncia de conduo do Mosfet funo da tenso de ruptura dos dispositivos, sendo valores tpicos de 0,1 para um dispositivo de 100 V e de 0,5 para um dispositivo de 500 V. A resistncia sempre maior para as taxas de tenso mais altas, mas a resistncia real variar de acordo com a estrutura do dispositivo. A Figura 1.23b mostra apenas uma pequena seo da estrutura. O Mosfet de potncia pode ser controlado diretamente de circuitos microeletrnicos e limitado para tenses menores que o tiristor, mas facilmente o mais rpido dispositivo ativo. Acima de 100 V, aproximadamente, as perdas de conduo so maiores que para o transistor bipolar e para o tiristor, porm a perda no chaveamento muito menor. O Mosfet tem um coeficiente de temperatura positivo para resistncia, dai a ligao em paralelo de dispositivos ser relativamente simples. Em termos de capacidade de tenso e corrente o Mosfet inferior aos dispositivos de corrente controlados dos transistores bipolares e aos dispositivos da famlia tiristor interdigital.

TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA (IGBT)

O transistor bipolar de porta isolada (IGBT: Isulated gate bipolar transistor) um dispositivo que combina as caractersticas de atuao rpida e de alta capacidade de potncia do transistor bipolar com a caracterstica de controle de tenso pela porta do Mosfet. Em termos mais simples, as caractersticas coletor-emissor so similares quelas dos transistores bipolares, mas as formas de controle so as do Mosfet. A seo em corte de um IGBT mostrada na Figura 1.24 semelhante a do Mosfet, com a nica diferena de que o substrato do IGBT P-N e do Mosfet N-N. A aplicao de tenso na porta forma um canal para a circulao de corrente, como descrito para o Mosfet, a qual ser, ento, a corrente de base para o transistor P-N-P cujo caminho do coletor para o emissor. Note que, embora a estrutura N-P-N seja invariavelmente usada para o transistor bipolar de potncia, no IGBT prefere-se usar a estrutura P-N-P. O circuito e o smbolo so mostrados na Figuras 1.24b e c.

17

Os tempos de chaveamento so menores que os do transistor bipolar, em particular o tempo de disparo, tipicamente 0,15 .s, associado com a curva caracterstica do Mosfet, embora o tempo de corte, tipicamente 1 s, esteja mais prximo da curva caracterstica de um transistor P-N-P. A tenso coletoremissor na conduo ligeiramente maior que a do transistor bipolar. As mximas especificaes possveis de tenso e de corrente so aproximadamente iguais s do transistor bipolar.

Figura 1.24 Transistor bipolar de porta isolada. (a) Seo transversal simplificada. (b) Circuito equivalente eltrico. (c) Smbolo do IGBT.

18

Figura 1.25 Ilustrando os requisitos do circuito de porta do IGBT

O controle de porta o mesmo do Mosfet, ou seja, controlado por tenso-carga. Os requisitos para a porta so mostrados na Figura I.25; na prtica, a chave de duas posies mostrada como dois transistores. Durante o disparo, a corrente de porta determinada pela resistncia do circuito de porta, levando em considerao a curva caracterstica de carga da porta. Durante o corte, uma polarizao reversa pode ser necessria, dependendo da natureza da carga qual o IGBT est conectado.

19

COMPARAO DE DISPOSITIVOS

Na prtica, os diversos dispositivos tm mritos relativos, que os fazem mais apropriados a uma aplicao ou a outra. Um importante critrio para aplicao em circuitos depende, freqentemente, dos parmetros de valores nominais, perdas por conduo e chaveamento, tempos de chaveamento, estratgias de controle e, finalmente, o custo. O tiristor convencional tem as maiores especificaes de todos dispositivos, robusto, tem baixas perdas de conduo, barato, mas lento para o disparo e no pode ser desligado a no ser cessando sua corrente de carga. Para aplicaes conectadas rede pblica de eletricidade em 50 ou 60 Hz, o tiristor convencional a primeira escolha, pois sua capacidade de suportar alta-tenso direta e reversa essencial para essa aplicao. Para aplicaes que envolvem a produo de uma tenso alternada a partir de uma fonte de tenso contnua, como os inversores ou fontes chaveadas de potncia, o requisito uma taxa de chaveamento rpida, sem a necessidade de bloquear tenses reversas. Aqui o dispositivo de chaveamento tem um diodo conectado reversamente a ele e combinado com as taxas de chaveamento do dispositivo. Os dispositivos de chaveamento seriam selecionados entre transistor bipolar de potncia, IGBT, Mosfet, GTO ou tiristor controlado por MOS (quando estiver disponvel). Onde as maiores taxas de chaveamento so requeridas, acima de 100 kHz, o Mosfet nico. At 100kHz os transistores bipolares e os IGBTs so competitivos, tendo baixo custo e baixas perdas em conduo, mas com perdas durante o chaveamento maiores que as do Mosfet. Na faixas at 15 kHz a famlia tiristor, particularmente o GTO, competitiva devido a sua robustez, baixas perdas em conduo e valores e capacidade de sobrecarga e transientes superiores. A famlia do transistor pode operar em temperaturas de at 150C, enquanto a famlia tiristor est limitada a 125C. O custo das perdas e dos requisitos para refrigerao so com freqncia importantes critrios de seleo. O baixo consumo de um circuito necessrio para o disparo de um Mosfet controlado por teso e IGBT pode ser um fator decisivo quando comparado a circuitos controlados por corrente, como transistores bipolares e tiristores, que tm uma maior consumo. A proteo dos dispositivos contra condies de falta fcil para a famlia dos tirirstores, esse tem sido um dos fatores que limita o progresso da utilizao dos transistores nos equipamentos com especificaes mais elevadas.

20

8 DISPOSITIVOS PARA O DISPARO DE TIRISTORES

A maioria dos dispositivos de disparo de tiristores tem como principal ponto em comum o fato de apresentarem uma regio de resistncia negativa na sua curva caracterstica. Isto significa que nesta regio um aumento de corrente faz a tenso nos terminais do componente diminuir, contrariando assim a Lei de Ohm.

V Vp Corte

Regio de resistncia negativa Saturao

I Is
Figura 1.26

Ih

Curva caracterstica dos dispositivos de resistncia negativa.

Circuito tpico utilizando um dispositivos de resistncia negativa.

Vf Vf > Vp Dispositivo de resistncia negativa (Quando Vc=Vp ->conduz) DRN

Vc C

Figura 1.27

Circuito tpico utilizando um dispositivo de resistncia negativa.

Situao 1: Capacitor se carregando, ou seja, Vc<Vp A corrente que circula pelo DRN baixa (I<Is). Isto caracteriza circuito aberto. Situao 2: VcVp O DRN entra em conduo (I>Ih) e a tenso no DRN cai rapidamente para um valor muito prximo a Vv. Isto descarrega o capacitor e aqui podem ocorrer duas novas situaes: a) Se o valor de R for baixo I>Ih. O circuito fica estabilizado com VcVv. b) O valor de R tal que I>Is mas I<Ih. Quando o DRN entrou em conduo (Vc=Vp) a corrente que circulou por ele foi a soma de I do resistor mais a corrente de descarga do capacitor Ic. Acontece que com o capacitor praticamente descarregado, a corrente I no suficiente para manter o DRN em conduo. Com o DRN cortado permite que o capacitor volte ao processo de carga repetindo assim todo o ciclo. 21

Este o principio do oscilador de relaxao. Vc Vf Vf Vp

Vv

t1 T
Figura 1.28

t2

Forma de onda da tenso no capacitor.

Podemos concluir que a Reta de Carga do circuito deve estar dentro da regio de resistncia negativa para que haja oscilao.

Rmx =

Vf Vv Is
Condio de Oscilao

R min =

Vf Vv Ih
V Vf
Possvel oscilao

Vp
Esta reta de carga no no permite o DRN atingir Vp
Vv

Nesta reta de carga o prprio resistor deixa o DRN na regio de saturao

I Is
Figura 1.29

Ih

Condio de oscilao.

22

Clculo do perodo de oscilao

Considerando que t1>>t2 -> t1T (ver Figura 1.28.) Vc = (Vf Vv)(1 e t / ) + Vv

Quando t=T -> Vc=Vp Vp = (Vf Vv)(1 e t / ) + Vv Sendo = RxC

Vp Vf = e T / Vf Vv

Fazendo-se x(-1)
Vf Vv Vf Vv T = e T / ln = ln e Vf Vp Vf Vp

T = ln

Vf Vv Vf Vp (I)

Como normalmente os circuitos de disparo de Controladores Ac so sincronizados pela rede, isto , recomeam a carga do capacitor no momento da passagem da tenso da rede por zero, podemos desprezar Vv. Assim a Eq. (I) fica:
T = ln Vf Vf Vp (II)

Figura 1.30

Sincronismo pela rede.

23

Exemplo: Transistor de Unijuno UJT No caso especfico do UJT, o valor de Vp varia numa proporo do valor de Vf. O valor de fornecido pelo fabricante e normalmente gira em torno de 0,6 e 0,7 (valor adimensional). Portanto: Vp=Vf+Vd (Vd0,6V) Desprezando-se Vd e substituindo em (II): T = ln Vf Vf Vf

T = ln (III)

1 1

Vf

Figura 1.31

Circuito de disparo do tiristor.

24

9 PERDAS E REFRIGERAO
A corrente que circula no componente produz calor, tanto na conduo quanto na comutao. A somatria das perdas de conduo e chaveamento fornece a potncia total que o dispositivo tem de dissipar para o ambiente. Caso contrario a temperatura da juno se eleva acima dos limites mximos permitidos e provoca a inutilizao do componente. Assim, a refrigerao e a determinao das perdas em um componente de importncia prtica fundamental.

Clculo Trmico em Regime Permanente

Para o clculo trmico ser empregado o circuito equivalente representado na figura 1.32.

Rjc Tj Tc

Rcd Td P
Figura 1.32

Rda Ta

Circuito trmico.

As grandezas representadas na figura 1.32 so definidas do seguinte modo: Tj temperatura da juno (C). Tc - temperatura da cpsula (C). Td - temperatura do dissipador (C). Ta temperatura ambiente (C). P - potncia trmica produzida pela corrente que circula no componente e sendo transferida ao meio ambiente (W). Rjc resistncia trmica entre a juno e a cpsula (C/W). Rcd resistncia trmica entre a cpsula e o dissipador (C/W). Rda resistncia trmica entre o dissipador e o ambiente (C/W).

Rja = Rjc + Rcd + Rda

A equao empregada para o clculo trmico de um componente a seguinte:

Tj Ta = Rja.P
25

Existe uma analogia com um circuito eltrico resistivo, representado na figura 1.33.

R V1 I
Figura 1.33

V2

O objetivo do clculo trmico evitar que a temperatura mxima da juno alcance valores prximos da mxima temperatura permitida. adotado o seguinte procedimento: a) P calculado a partir das caractersticas do componente e da corrente que por ele circula. b) Tj fornecida pelo fabricante do componente. c) Ta fornecida pelo projetista. d) Com a expresso (1.14) determina-se a resistncia trmica total.

Rja =

Tj Ta P 1.14

e) Com a expresso (1.15) determina-se a resistncia trmica do dissipador. As resistncia trmicas Rjc e Rcd so fornecidas pelo fabricante do componente (diodo ou tiristor).
Rda = Rja Rjc Rcd 1.15

Com um catlogo de dissipadores pode-se escolher o mais conveniente. Caso o valor encontrado no seja comercial, deve ser escolhido o valor menor mais prximo.

26

Clculo Trmico de Diodos e Tiristores

(a) Diodos

Tx

Pchav =

E.Irr Tx . 2 Ts

Pcon = Vt.Id + rt.Id 2

(b) Tiristores E

Tr

Tf

Pchav =

E.I (Tr + Tf ) . 2 Ts

Pcon = Vce(on).I

27

Tambm pode ser achado por tabelas: Diodos:

Tiristores:

28

EXEMPLO DE CLCULOS TRMICOS a) Retificador de Meia onda a Diodo Seja a estrutura representada abaixo D V(wt) R

O objetivo do clculo determinar a resistncia trmica do dissipador a ser empregado para manter a temperatura da juno abaixo do limite estabelecido pelo fabricante. A partir da relao de dados tcnicos fornecidos pelo fabricante, obtm-se:

R
R T

jc

= 2C / W ( R thjc )
= 1C / W ( R thch) = 180C (T vj )

cd

V = 0,85V r = 11m
TO T

Seja Ta=50C(Ta=temperatura ambiente) a.1) Clculo das correntes no diodo

Seja a corrente representada na figura

2 Vo

wt 0 2 3

29

I I
a.2)

Dmed

0,45Vo 0,45.220 = = 9,9 A R 10

Def

0,707Vo 0,707.220 = = 15,55 A R 10

Clculo da potncia dissipada

2

P = V (TO ) I Dmed + r T I Def P = 0,85.9,9 + 11.10 3.(15,55) 2 P = 8,415 + 2,660 = 11,07W

H um mtodo mais rpido para se determinar a potncia. Com o valor mdio da corrente e a forma de onda, entra-se na figura (*****) do catlogo de diodo do fabricante. Assim para Imed=9,9 A e uma senide de 180 obtm-se P=11W. a.3) Clculo do dissipador

T = P ( R JC + RCD + R DA )

Rda =

T T 130 R JC RCD = 2 1 = 3 P P 11

Rda 8,8C / W Rda + Rcd = 8,8 + 1 = 9,8C / W

Para realizar o clculo do dissipador possvel tambm o emprego das curvas oferecidas pelo fabricante. Ainda na figura ****, tomando-se Ta = 50 C e P=11W, obtm-se Rca=11C/W, assim Rda=11-1=10C/W. recomendvel portanto o emprego do dissipador K5, cuja resistncia trmica igual a 5,7C/W.

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a.4)

Temperaturas resultantes para o dissiador escolhido

Rjc=2,0 C/W Tj Tc

Rcd=1,0C/W Td P=11W

Rda=4,7C/W Ta=50C

Tj=P.Rja+Ta=11.(2+5,7)+50 Tj=134,7C Tc=P.(Rcd+Rda)+Ta=11.5,7+50 Tj=112,7C

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10 BIBLIOGRAFIA
[1] - Barbi, I., ELETRNICA DE POTNCIA, Editora da UFSC, Florianpolis, 1986. (621.38 B236 ELE) [2] - Almeida, J. L.., ELETRNICA INDUSTRIAL, Editora rica, So Paulo, 1985. (621.38 A447 ELE) [3] - Lander, C. W., ELETRNICA INDUSTRIAL-TEORIA E APLICAES, 2a

Edio, Mc Graw-Hill,1988.

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