Amplificadores de RF de Potencia Final

AMPLIFICADORES DE ALTA POTENCIA DE RF CON VALVULAS ELECTRONICAS
Constantino Prez Vega Departamento de Ingeniera de Comunicaciones 2008
Universidad de Cantabria Dpto. de Ingeniera de Comunicaciones Amplificacin de Alta Potencia de RF con Vlvulas Constantino Prez Vega - 2006
INCE DE CONTENIDOS I. Generalidades Introduccin. 1 1. Consideraciones preliminares: Combinacin de potencia. 2 2. Conceptos fsicos relacionados con las vlvulas electrnicas. 5 3. Algunas consideraciones en el diseo de las vlvulas de vaco. 15 4. Diodos. 16 II. Tubos de Rejilla. 5. 6. 7. 8. 9. Triodos. 17 Trodos planos. Tetrodos. 27 Diacrodos. 32 Pentodos. 36 17
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III.Tubos de haz electrnico. 36 10. 11. 12. 13. 14. 15. 16. 17. 18. 19. 20. Klystron. 36 Klystron de colector escalonado. 41 Figura de Mrito. 43 Tubos de salida inductiva (IOT). 43 Principio de funcionamiento del IOT. 45 Circuito de entrada del IOT. 49 Consideraciones sobre el funcionamiento del ctodo. 50 IOT de colector escalonado. 53 Empleo de klystrons e IOTs en transmisin analgica y digital. 55 Tubos de onda progresiva (TWT). 55 TWT de cavidades acopladas. 60
IV. Tubos de Campo Cruzado. 62 21. Magnetrn. 63 22. Magnetrn coaxial. 66 23. Amplificadores de Campo Cruzado (CFA). 67 V. Consideraciones Trmicas. 70 24. Mtodos de enfriamiento. 71
AMPLIFICACION DE ALTA POTENCIA DE RF CON VALVULAS ELECTRONICAS

I. GENERALIDADES Introduccin Trataremos aqu algunos temas relacionados con los amplificadores de potencia empleados en aplicaciones de RF, en particular, transmisores de alta potencia, tales como los utilizados en sistemas de radiodifusin tanto sonora como de televisin, sistemas de comunicaciones por satlite y algunas otras aplicaciones como radar, medicina y calentamiento industrial por mencionar slo algunas. El tratamiento aqu se centra principalmente en las aplicaciones de las vlvulas de vaco1 a los amplificadores de alta potencia y conviene aqu intentar definir lo que entenderemos por alta potencia ya que trminos alta y baja potencia son ambiguos si no se especifican valores numricos. Aqu consideraremos como alta potencia a aqulla superior a unos 100 w. Actualmente parece abundar la opinin de que las vlvulas o tubos electrnicos son ya piezas de museo y no se utilizan. Efectivamente, los tipos de vlvulas para manejo de seales a potencias pequeas que se utilizaron extensamente en todos los circuitos electrnicos hasta el advenimiento de los transistores y otros dispositivos de estado slido, han dejado de usarse por completo y, aunque vuelven a utilizarse en algunos casos aislados como ciertos amplificadores de sonido, puede afirmarse que efectivamente no encuentran aplicacin en casi ningn equipo profesional o de consumo. Sin embargo, hay numerosas aplicaciones en la vida cotidiana que pasan desapercibidas y en que las vlvulas electrnicas continan desempeando un papel muy importante. Baste mencionar nicamente dos aplicaciones: los tubos de rayos catdicos que constituyen la pantalla de televisores y monitores de computadora y los hornos de microondas. En sistemas de comunicaciones, cierto tipo de vlvulas continan emplendose ampliamente, sin que se vislumbre un futuro cercano en que puedan ser substituidas por componentes de estado slido. Entre ellas, los tubos de onda progresiva (TWT) en los amplificadores de los transpondedores de la mayora de los satlites, los magnetrones utilizados extensamente en radares y los diversos tipos de tubos amplificadores de potencia en los transmisores de radio y televisin. En los terrenos cientfico, industrial y mdico las vlvulas electrnicas se emplean, por ejemplo, en aceleradores de partculas, sistemas de calentamiento industrial y aparatos de rayos X.
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Los trminos vlvula de vaco y tubo de vaco se emplean aqu indistintamente
El estudio de los dispositivos electrnicos al vaco, salvo casos aislados, ha sido prcticamente eliminado de la mayora de los planes de estudio actuales y la mayor parte de los estudiantes desconocen por completo tanto los principios fsicos como las aplicaciones actuales de estos dispositivos. Por ello, es conveniente dedicar, aunque slo sea de forma descriptiva y relativamente superficial, un breve tiempo al estudio de las vlvulas amplificadoras de potencia. 1. Consideraciones preliminares: Combinacin de potencia Factores muy importantes a considerar en el diseo de amplificadores de potencia son, adems de la potencia de salida propiamente dicha, la ganancia y el ancho de banda en que debe funcionar. Supngase, por ejemplo, que la potencia de salida deseada es de 400 w y que la potencia de entrada es de 20 w. La ganancia del amplificador debe ser de 20 (13 dB) El producto de la ganancia por el ancho de banda es constante para un amplificador dado. Si consideramos el ancho de banda de una seal de voz modulada en amplitud, el ancho de banda total es cuando ms, de unos 10 kHz, el producto GBW es igual a 2105. Si ese amplificador se quisiera usar para seales de televisin moduladas con vestigio de banda lateral y con un ancho de banda total de 8 MHz, la mxima ganancia que se obtendra sera de 0.025 (-16 dB). Supongamos ahora un amplificador como el ilustrado en la figura 1, constituido por cuatro amplificadores, cada uno de 13 dB ganancia conectados en la forma mostrada y que el divisor y los combinadores son ideales y, adems que todas las seales se suman en fase.
5W
Amp.
100 W Combinador 2x1 200 W
5W
20 W Divisor 1x4
Amp.
100 W Combinador 2x1 100 W 400 W
5W
Amp. Combinador 2x1
200 W
5W
Amp.
100 W
Fig. 1. Combinacin de potencia. Si quisiramos utilizar el mismo esquema para la seal de televisin la ganancia total del bloque anterior sera nicamente de 0.025, con lo que la potencia de salida sera slo de 0.5 w y seran necesarios una gran cantidad de bloques iguales al de la figura 1 para conseguir 400 w de salida. Podra pensarse que no es necesario utilizar cuatro amplificadores y tres combinadores para conseguir 400 W de salida, cuando bastara un solo amplificador de 13 dB para obtener esa potencia con la misma entrada de 20 W. Esto puede hacerse si se emplea un amplificador con una vlvula de vaco, ya que una sola vlvula es capaz de suministrar esa potencia y ms, pero en general no puede hacerse con transistores, ya que en la prctica, los transistores ms utilizados como amplificadores de potencia no suelen producir potencias superiores a unos
100 W y por ello es necesario combinar sus salidas en forma similar a la de la figura anterior. Este es un aspecto que debe tenerse en cuenta al utilizar dispositivos de estado slido como amplificadores de potencia. En el caso del ejemplo anterior, las seales de los cuatro amplificadores se combinan en paralelo. Esa combinacin debe hacerse de modo tal que las seales sean exactamente de la misma frecuencia y fase. En otras palabras, todas las seales a combinar deben ser coherentes. Aunque las seales a la salida de los amplificadores sean exactamente de la misma frecuencia, si entre ellas hay diferencias de fase la potencia de la combinacin resultante ser menor, dependiendo de la magnitud del defasamiento. Esto se ilustra en la figura 2 y es un aspecto muy importante en el diseo de estos sistemas, en que lo que se pretende es conseguir la mxima potencia posible.
Seales en fase Seales con distinta fase
Fig. 2. Efecto del defasamiento entre seales combinadas, cada una con amplitud de 2 V.
Supngase el combinador de la figura 3, al que se aplican dos seales cuyas potencias son, respectivamente 10 dBm y 7 dBm y se desea conocer el voltaje y potencia a la salida del combinador, (a) si las seales son coherentes y (b) si no lo son. Las impedancias, tanto para las dos entradas como para la salida, son de 50 .
10 dBm 50 7 dBm 50
W0 V0
Fig. 3. Combinador de dos entradas.
a) Seales coherentes (suma de voltajes) W1 = 10 dBm 10 mw = 0.01 w.
V1 = W1 Z = 0.01 50 = 0.707 V
W2 = 7 dBm 5 mw = 0.005 w.
V2 = W2 Z = 0.005 50 = 0.5V
V0 = V1 + V2 = 1.207 V
W0 =
V02 = 0.0291 w Z
14.64 dBm
b) Seales no coherentes (suma de potencias2). W1 = 10 dBm W2 = 7 dBm 10 mw = 0.01 w. 5 mw = 0.005 w. 11.76 dBm
W0 = W1 + W2 = 15 mw La diferencia entre un caso y otro es evidente.
Ahora bien, qu pasa cundo se tienen seales incoherentes?. Un ejemplo sencillo es el de una antena de televisin por la que se transmiten simultneamente dos canales o programas diferentes, por ejemplo uno ocupando un ancho de banda de 600 a 608 MHz y otro de 620 a 628 MHz. Evidentemente estas seales no tienen las mismas frecuencias ni fases y son, por consecuencia, no coherentes. La potencia entregada a la antena es la suma de las potencias de cada una y la potencia radiada por la antena ser igual a la potencia recibida por la antena, multiplicada por la ganancia de sta. Otro aspecto importante, sobre todo en transmisores de alta potencia, particularmente de radiodifusin sonora y televisin en las diferentes bandas de frecuencias, desde MF (300 a 3000 kHz), onda corta o HF (3 a 30 MHz), VHF y UHF, es la eficiencia de los amplificadores y de los transmisores en su totalidad. En el caso de un amplificador la eficiencia es la relacin entre la potencia til de seal a la salida y la potencia de c.c. suministrada por la fuente de alimentacin. La eficiencia total del transmisor est dada por la relacin entre la potencia til de seal entregada a la antena y la potencia suministrada por la red de energa elctrica a la entrada de la subestacin3. De manera similar, la eficiencia es un factor muy importante en
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Es muy importante recordar que la suma de potencias se realiza en unidades fundamentales, watts o miliwatts y no en unidades logartmicas que equivale a la multiplicacin en unidades fundamentales. 3 Una definicin alternativa puede tomar la potencia radiada por la antena en lugar de la potencia entregada a sta por la lnea de transmisin. Aqu hemos preferido la potencia entregada a la antena, porque incluye todas las prdidas reales por calentamiento, desacoplamientos, etc. que inciden directamente en el costo del consumo de energa elctrica.
los amplificadores a bordo de satlites u otros vehculos espaciales y an en la duracin de las bateras de los telfonos mviles. La lgica convencional indica que un sistema digital es, por definicin, de estado slido y excluye a las vlvulas de vaco. Con respecto a los circuitos lgicos, de control, generacin y procesado de seal, la lgica convencional es correcta. Con relacin a los circuitos de alta potencia la situacin es discutible. Los MOSFETs pueden considerarse como interruptores proporcionales, lo mismo que los tetrodos, klystrons y otras vlvulas de desarrollo reciente como los diacrodos y los IOTs. No hay nada intrnsecamente digital en un dispositivo amplificador de estado slido. Los MOSFET han sido utilizados en transmisores analgicos mucho antes de que fuera factible el desarrollo de equipos de transmisin digital, y es conveniente enfatizar algunas de las caractersticas ms importantes de los semiconductores, que los hacen atractivos en los equipos de transmisin. Entre ellas pueden mencionarse: Funcionamiento a voltajes bajos que reduce el riesgo de arcos elctricos y ofrece ciertas ventajas desde el punto de vista de diseo de las fuentes de alimentacin. Degradacin suave de la potencia en caso de fallos, gracias a la aplicacin de redundancia en el diseo de los circuitos. Sistemas de refrigeracin ms simples, basados siempre en aire forzado, que evitan la necesidad de utilizar condensadores de vapor u otros dispositivos de diseo y mantenimiento relativamente ms complejo. Configuraciones de circuito ms eficientes, a pesar de su mayor complejidad.
Por otra parte, entre los incovenientes pueden mencionarse: Necesidad de combinar las salidas de numerosos amplificadores para conseguir potencias elevadas. Necesidad de proteger los circuitos contra relaciones de onda estacionaria elevadas. Los transistores se daan fcilmente si la potencia reflejada es significativa, no as las vlvulas.
2. Conceptos fsicos relacionados con las vlvulas electrnicas. Una vlvula o tubo electrnico es un dispositivo compuesto por un cierto nmero de electrodos contenidos en un recipiente al vaco. Aunque tambin existen vlvulas electrnicas de atmsfera gaseosa, como vapor de mercurio, nen, etc., aqu trataremos nicamente las de vaco. La utilidad de las vlvulas de vaco radica en su capacidad para conducir corriente elctrica, cuya magnitud puede controlarse por los voltajes aplicados a sus electrodos. La operacin de todos los tipos de tubos electrnicos, como su nombre lo indica, depende del movimiento de electrones en su interior. Repasaremos a continuacin algunas definiciones por si acaso se han olvidado.
Electrn volt (eV). Es la energa ganada por un electrn acelerado a travs de un potencial de 1 volt y equivale a 1.6 10-19 J. Potencial de excitacin. Es la energa, expresada en eV, que debe proporcionarse a un tomo o molcula para producir una transicin de un estado dado a otro de mayor energa interna. Potencial de ionizacin. Es la menor energa, expresada en eV, que debe proporcionarse a un tomo o molcula bien sea en estado normal o excitado, para liberar un electrn. Como todos lo tomos, excepto el de hidrgeno, tienen ms de un electrn, un tomo o molcula puede tener, en general, ms de un potencial de ionizacin. El primer potencial de ionizacin se refiere a la liberacin de un electrn de un tomo o molcula en estado normal. El segundo potencial de ionizacin se aplica al caso de liberar un electrn de un tomo o molcula que ya ha perdido un electrn, etc. La ionizacin puede tambin producirse por la liberacin de dos o ms electrones simultneamente. Cuando los potenciales de ionizacin o excitacin se expresan en electrn volts, indican el voltaje mnimo que debe aplicarse entre dos electrodos para causar la ionizacin como resultado de la aceleracin de los electrones u otras partculas cargadas, debido al campo producido entre los electrodos. Ionizacin. En general, un ion es una partcula elemental, o un grupo de partculas, con carga elctrica total positiva o negativa. Los tomos o molculas que han perdido o capturado uno o ms electrones adquieren una carga neta positiva o negativa, segn el caso y constituyen iones. El caso ms simple es un ion negativo, formado por un electrn libre. El proceso de ionizacin puede ocurrir en gases, slidos o lquidos y puede ocurrir por diversas causas entre las que se encuentran: a) Colisin de tomos o molculas con electrones, tomos o molculas excitadas u otros iones. b) Colisin de tomos o molculas con fotones (efecto fotoelctrico). c) Radiacin csmica. d) Altas temperaturas en gases o vapores. e) Accin qumica. Una de las causas ms importantes de ionizacin en los tubos electrnicos es la colisin de electrones rpidos con tomos o molculas. Para que un electrn pueda ionizar a un tomo o molcula, su energa cintica debe ser por lo menos, igual al primer potencial de ionizacin del tomo o molcula con la que choca. En gases o vapores tambin se produce ionizacin cuando se bombardean con electrones cuya energa corresponde al primer potencial de excitacin. Carga de espacio. Un grupo de cargas libre en el espacio constituye una carga de espacio o carga espacial. Si la carga es nicamente de un signo (+ o -), o si un signo predomina sobre el otro, la carga produce un campo electrosttico y la relacin entre la carga neta contenida en un cierto volumen y la intensidad del campo elctrico producido est dada por la ley de Gauss.
El movimiento de una carga espacial da lugar a una corriente espacial, cuya densidad es igual al producto de la densidad volumtrica de carga por la velocidad normal al rea. Convencionalmente se toma como direccin de la corriente elctrica la de las cargas positivas. Electrones libres en metales. En los metales, los electrones estn, por lo general, dbilmente ligados a los tomos y, en slidos o lquidos, pueden pasar fcilmente de un tomo a otro. Estos electrones libres estn en continuo movimiento en la masa metlica y, an cuando en un instante determinado puedan estar ligados dbilmente a un tomo particular, en promedio no experimentan ninguna fuerza en alguna direccin especfica. Son estos electrones libres quienes hacen posible la conduccin elctrica en los metales y desempean un papel fundamental en la emisin termoinica. Cuando, como consecuencia de su movimiento aleatorio, un electrn se escapa de la superficie metlica, induce en sta una carga imagen positiva que tiende a atraerlo de nuevo al interior. Para que un electrn pueda efectivamente escapar del metal debe ceder una parte de su energa cintica para vencer esa fuerza. Esta energa cintica que pierde el electrn para alejarse lo suficiente de los efectos de la fuerza imagen se designa como funcin de trabajo y es distinta para diferentes materiales. De hecho la funcin de trabajo se define como la energa mnima necesaria para liberar a un electrn del nivel de Fermi4 de la superficie de un metal hasta el infinito y se expresa en electrn volts. En la tabla I se dan algunos valores representativos de la funcin de trabajo en eV para varios metales. Tabla I. Funcin de trabajo en electrn volts para diversos metales Tungsteno Platino Tantalio Molibdeno Plata Bismuto Hierro Zinc Aluminio Calcio Litio Titanio Carbn Cobre Torio Magnesio Nquel Sodio 4.52 5.0 4.1 4.3 4.1 3.7 3.7 3.4 3.0 3.4 2.35 2.4 4.5 4.0 3.0 2.7 2.8 1.82
El nivel de Fermi es el nivel de energa al que la funcin de distribucin estadstica de Fermi-Dirac, para un conjunto de partculas es igual a . Tambin se designa como energa de Fermi.
Mercurio Calcio Bario Tungsteno toriado Oxido de nquel
4.4 2.5 2.0 2.63 0.5a 1.5
Potencial de contacto. Es la diferencia de potencial que se produce entre las superficies de dos metales, bien sea en contacto o conectados a travs de un circuito externo y es consecuencia de las diferentes funciones de trabajo de los metales. Es aproximadamente igual a la diferencia entre las funciones de trabajo, dividida por la carga electrnica. Como puede apreciarse de la tabla I, los potenciales de contacto pueden ser del orden de 1 a 4 volts y es necesario tenerlas en cuenta cuando los voltajes aplicados son pequeos o cuando se requiere gran precisin en el anlisis del comportamiento de un dispositivo. Emisin de electrones u otros iones en slidos. Los slidos, y tambin los lquidos, pueden emitir electrones o iones en alguna de las formas siguientes: a) Emisin termoinica. b) Emisin fotoelctrica. c) Emisin secundaria. d) Emisin por campo. e) Desintegracin radioactiva. Emisin termoinica. Es el proceso fundamental en las vlvulas electrnicas y la teora de la emisin de electrones por cuerpos calientes se debe en buena parte a Richardson en 1901 y se basa, en muchos aspectos, en la termodinmica y la teora cintica de los gases. El calor que posee un metal, se supone consecuencia del movimiento aleatorio de molculas, tomos y electrones. Como resultado de las colisiones entre electrones, y entre stos y tomos o molculas, la velocidad y direccin de los electrones cambia continuamente y hace que algunos de ellos incidan sobre la superficie interior del metal. Si la magnitud y direccin de la velocidad de algunos electrones es tal que su energa cintica sea igual o mayor que la funcin de trabajo, estos electrones escaparn del metal. El nmero de electrones que alcanzan la superficie por unidad de tiempo, con una componente de velocidad normal a aqulla y con energa igual o mayor a la funcin de trabajo, es proporcional a la porcin de todos los electrones libres en el metal con tales velocidades. A temperatura ambiente el nmero de electrones que escapan de un metal es sumamente bajo y no es posible detectar ninguna emisin significativa. Si aumenta la temperatura del metal, aumenta tambin el nmero de electrones libres, su velocidad media y por tanto, su energa cintica. La posibilidad de escapar de la superficie metlica aumenta en consecuencia y es posible observar fenmenos de emisin termoinica a temperaturas del orden de 1000 K. Si en una ampolla al vaco se coloca un segundo electrodo que acte como colector o nodo a temperatura ambiente y, entre ste y el emisor o ctodo se conecta externamente un galvanmetro, en la forma que se muestra en la figura 4, se pue-
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de medir una pequea corriente entre los dos electrodos, como consecuencia de la difusin de electrones trmicos en el interior de la ampolla. En el circuito de la figura 4 el ctodo es calentado por un filamento alimentado por una fuente externa y entre el nodo y el ctodo no se aplica ningn voltaje.
Emisor termoinico (ctodo) Colector (nodo)
Calefactor
Ampolla al vaco
Galvanmetro
Fig. 4. Deteccin de la emisin termoinica sin aplicacin de voltaje al nodo (colector).
Los electrones que llegan al nodo vuelven al ctodo por el circuito externo y evitan que se cargue positivamente. Estos electrones son solamente una pequea fraccin de los emitidos por el ctodo, que se mantienen en su cercana formando una nube electrnica. Este fenmeno fue observado inicialmente por Edison y se le designa como efecto Edison. Si se aplica un voltaje positivo al nodo insertando una fuente en el circuito externo en serie con el galvanmetro, se producir en el interior del tubo un campo elctrico que atraer ms electrones de la cercana del ctodo y, por consecuencia, la corriente que registrar el galvanmetro ser mayor. Tal es el principio del diodo en el que se tienen solamente dos electrodos. Si se aumenta gradualmente el voltaje positivo del nodo, la corriente aumentar hasta un punto en que prcticamente todos los electrones emitidos por el ctodo emigran de ste y son capturados por el nodo. Esta corriente se designa como corriente de saturacin y el voltaje de nodo necesario para alcanzarla, como voltaje de saturacin. La corriente de saturacin depende de la temperatura del ctodo y de su funcin de trabajo. Solamente los electrones con suficiente energa cintica pueden escapar del metal del ctodo, por lo que la emisin termoinica da lugar a que se reduzca la energa cintica de los restantes tomos en el metal y, por consecuencia, disminuye su temperatura. Por ello, el calentamiento del ctodo debe mantenerse de forma continua para evitar que se reduzca la temperatura como resultado de la emisin. Un ctodo, utilizado como emisor termoinico debe satisfacer dos requisitos: alta eficiencia de emisin y vida til larga. La eficiencia alta de emisin se consigue con metales de baja funcin de trabajo y la vida til, manteniendo la temperatura del ctodo suficientemente alejada del punto de fusin o de evaporacin del metal.
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Efectos de la carga de espacio. La teora desarrollada por Richardson y Dusham proporciona la densidad de corriente electrnica debida a la emisin termoinica como
W kT
J s = AT e
donde: Js A T k W b1
(1)
= Corriente de emisin en A/cm2. = Constante que depende del material emisor, cuyo valor es del orden de 2. = Temperatura en kelvins. = Constante de Boltzmann (1.3810-23 J/K). = Funcin de trabajo. = Constante que depende de la naturaleza de la superficie emisora y que da una medida del trabajo que debe realizar un electrn para escapar de la superficie emisora.
La ecuacin anterior asume que la intensidad de campo elctrico es cero en la superficie del ctodo y, si se supone un metal para el que A = 2 y W = 1 eV (1.6 10-19 J) se tiene la curva mostrada en la figura 5.
Fig. 5. Densidad de corriente debida a la emisin termoinica en funcin de la temperatura del emisor
Conviene notar que la emisin termoinica no es significativa para temperaturas inferiores a unos 1000 K. Si la funcin de trabajo del metal es mayor a 1 eV la curva se desplaza a la derecha. La ecuacin de Richardson-Dusham asume que la intensidad de campo elctrico en la superficie del ctodo emisor es cero. Si los electrones se acumulan en el exterior del ctodo y cerca de su superficie, forman una nube de carga negativa que puede desplazarse hacia un segundo electrodo positivo. Como consecuencia de ese desplazamiento, las condiciones del campo elctrico en la superficie del ctodo cambian. Langmuir encontr que si el voltaje aplicado al nodo no es suficientemente alto, el aumento indefinido de la temperatura del ctodo no produce un aumento indefinido de corriente, sino que para cada voltaje particular del nodo se alcanza una regin de saturacin, como se ilustra en la figura 6.
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Corriente de nodo Richardson-Dusham
V2 > V1
Voltaje de nodo, V1
Temperatura
Fig. 6. Saturacin de la corriente de nodo debida al efecto de la carga de espacio.
Se obtienen curvas similares para la corriente de nodo en funcin del voltaje de nodo a temperatura constante Emisin secundaria. Adems de la emisin termoinica hay dos tipos de emisin que intervienen de manera importante en el funcionamiento de los tubos electrnicos, con frecuencia con efectos indeseables: la emisin secundaria y la emisin por campo. En algunos tubos, como los multiplicadores electrnicos se aprovecha la emisin secundaria, pero en el caso de las vlvulas de transmisin, es generalmente indeseable. La emisin secundaria se produce cuando un ion o un tomo excitado chocan contra la superficie de un slido y causan la expulsin de algunos electrones secundarios. El nmero de electrones secundarios emitidos por cada electrn primario es funcin no slo de la energa cintica del electrn incidente y de la funcin de trabajo del emisor secundario, sino tambin de la energa trmica interna de ste. La cantidad de electrones secundarios aumenta con la velocidad de los electrones primarios. La emisin secundaria puede tener efectos apreciables en el funcionamiento de los tubos electrnicos a voltajes de aceleracin incluso muy pequeos, del orden de 10 volts. A voltajes ms altos la emisin secundaria tiende a disminuir, posiblemente porque los electrones incidentes penetran ms en el slido y transfieren la mayor parte de su energa a electrones alejados de la superficie. Los electrones primarios pueden ser absorbidos, reflejados o dispersados por la superficie y el nmero de electrones secundarios emitidos es menor si el bombardeo es con iones positivos en lugar de electrones. Uno de los mejores emisores secundarios es el xido de cesio, parcialmente reducido sobre una base de plata. Para energas de electrones primarios comprendidas entre unos 400 y 700 eV, la superficie de este material tiene una relacin de emisin secundaria de 10, es decir, emite diez electrones por cada electrn primario. El bombardeo con iones positivos tambin puede producir emisin secundaria, pero con mucho menor eficiencia que si el bombardeo es con electrones. Esto se debe a que en el proceso de colisin entre un ion pesado y un electrn, slo puede impartirse al electrn una pequea fraccin de la energa del ion, an en un choque frontal. Finalmente hay que mencionar que tambin los aisladores pueden emitir electrones secundarios.
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Emisin por campo. Los campos elctricos sobre las superficies emisoras de electrones tambin tienen influencia en la emisin. En este caso el campo elctrico, si es del signo adecuado, ejerce una influencia extractora sobre los electrones cercanos a la superficie que tiende a arrancarlos de ella, independientemente de la temperatura a la que se encuentre dicha superficie. En el caso de la emisin termoinica, los campos sobre la superficie del ctodo tienden a aumentar la emisin de electrones por ste, mediante dos mecanismos principales. Si el campo aplicado es dbil o moderado, se reduce la barrera de potencial en la superficie del ctodo, lo que resulta en una reduccin de la funcin de trabajo efectiva. Este fenmeno se conoce como efecto Schottky. Si la intensidad del campo aplicado al emisor es elevada, la barrera de potencial se reduce lo suficiente como para producir un efecto de tnel. Este fenmeno es muy importante en las vlvulas de transmisin que funcionan con potenciales elevados y recibe el nombre de emisin por campo y tambin emisin de ctodo fro. En este tipo de emisin por campo intenso, los electrones no necesariamente deben tener la energa necesaria para cruzar la barrera de potencial determinada por la funcin de trabajo. Cualquier electrn puede participar en el mecanismo de tnel relacionado con la emisin de campo intenso y, puesto que en un metal hay una gran cantidad de electrones disponibles para este proceso, an cuando la probabilidad de escape sea muy pequea, pueden alcanzarse densidades de corriente de emisin elevadas. An cuando en algunos dispositivos como el microscopio electrnico de emisin por campo este efecto constituye una fuente til de produccin de electrones, en general es un efecto indeseable que resulta destructivo en el caso de las vlvulas electrnicas, ya que al arrancar literalmente los electrones del ctodo, incluso a bajas temperaturas, provoca su destruccin como fuente de emisin termoinica. Tipos de ctodos. La emisin termoinica puede conseguirse ya sea directamente por un filamento calentado por la accin de una fuente externa o, como se indica en la figura 5.1, con un filamento separado del ctodo que acta como fuente de calor para ste. En el primer caso en que el propio filamento acta como ctodo se dice que el tubo es de caldeo directo. En el segundo, donde el filamento y el ctodo son dos elementos diferentes, la vlvula se designa como de caldeo indirecto. la mayor parte de las vlvulas utilizadas en transmisin, excepto a bajas potencias, son de caldeo directo. Los metales puros con baja funcin de trabajo, tales como los metales alcalinos o el calcio no pueden utilizarse como emisores ya que se evaporan a temperaturas a las que empieza a obtenerse emisin apreciable. Solamente dos metales en estado puro, el tungsteno y el tantalio son adecuados para utilizarse como emisores, si bien el tantalio no se utiliza ya que es ms sensible a la accin de los gases residuales que se producen en el interior del tubo a consecuencia de la elevada temperatura y tambin su temperatura de evaporacin es inferior a la del tungsteno. Segn se mencion, las vlvulas electrnicas para potencias pequeas suelen ser de caldeo indirecto, en que el ctodo consiste de un cilindro o manguito metlico, generalmente de
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nquel o aleaciones de este metal con otros y un revestimiento de una o varias capas de una mezcla de carbonatos de bario y estroncio. Esto permite alcanzar funciones de trabajo muy bajas, del orden de 0.5 a 1.5 eV con lo que se consiguen elevadas eficiencias de emisin a temperaturas del orden de 1000 K. En el interior del ctodo, y sin contacto con l, se encuentra un filamento calefactor que le proporciona la temperatura necesaria de emisin. Las temperaturas de funcionamiento de los ctodos van desde alrededor de 1000 K para ctodos de xido cuya funcin de trabajo es del orden de 1 eV, hasta 2500 para los de tungsteno puro, de caldeo directo, con funcin de trabajo de 4.5 eV. En la figura 7 se ilustran tres tipos de filamentos.
(a)
(b) Fig 7. Tipos de filamentos
(c)
El filamento mostrado en (a) suele utilizarse en vlvulas de caldeo indirecto. El ctodo en este caso es un manguito cilndrico que rodea al filamento sin hacer contacto con l, recubierto con metales de baja funcin de trabajo. Los mostrados en las figuras (b) y (c) pueden utilizarse en tubos de caldeo indirecto, pero ms en los de caldo directo en el el ctodo es el propio filamento, generalmente de tungsteno toriado. Prcticamente todas las vlvulas de potencia son de caldeo directo. An cuando el recipiente de la vlvula est al alto vaco, nunca es posible lograr un vaco total de aire u otros gases, por lo que algunos residuos gaseosos suelen quedar ocluidos en los materiales de los electrodos. La presencia de cantidades significativas de gas en el interior de un tubo electrnico lo hace intil. As, la presencia de oxgeno reduce o anula la emisin electrnica en los ctodos de xido, al dar lugar a oxidacin del metal activo o producir depsitos de iones positivos sobre la superficie del ctodo. El desarrollo de "puntos calientes" en el ctodo, debido a inhomogeneidades del material o a calentamiento no uniforme es, tambin, una causa de deterioro del ctodo. En estos puntos calientes la temperatura aumenta y tambin la emisin, pudiendo dar lugar a efectos acumulativos que traen como consecuencia la destruccin del ctodo. En las vlvulas de caldeo directo, para potencias superiores a unos 100 w, se prefieren los ctodos (filamentos) de tungsteno o de una aleacin de tungsteno con pequeas cantidades de torio, designada como tungsteno toriado, con menor funcin de trabajo que el tungsteno o el torio puros.
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Los ctodos5 de caldeo directo (filamento), generalmente se alimentan con corriente alterna, lo que da lugar a que el potencial en su superficie no sea uniforme y la diferencia de potencial entre reja y ctodo no es la misma en todos los puntos de la reja y vara segn la frecuencia del voltaje de alimentacin del filamento. Este problema no ocurre en los ctodos de caldeo indirecto ya que en stos el potencial es uniforme en toda su superficie. Esa variacin la distribucin del potencial en el ctodo, en las vlvulas de caldeo indirecto, introduce una componente indeseable en la corriente de placa, designada como zumbido. Para reducir este problema se emplea un transformador de filamento con derivacin central a tierra en el secundario, o bien un circuito como el de la figura 8, con lo que el filamento se divide virtualmente en dos partes, de las que el punto central mantiene un potencial constante respecto a la reja de control. Los voltajes de las dos mitades, al estar en fases opuestas producen un efecto global que resulta en una distribucin de potencial prcticamente uniforme en el ctodo. La geometra del filamento contribuye tambin a reducir el zumbido.
Fig. 8. Circuito de alimentacin del filamento
El voltaje de alimentacin del filamento es un factor muy importante para todas las vlvulas de vaco, particularmente las de potencia. Un aumento del 5% en el valor de voltaje respecto al voltaje nominal especificado por el fabricante, puede resultar en una reduccin de la vida de la vlvula hasta del 50%, por lo que en la prctica el voltaje aplicado al filamento suele ser un poco menor que el voltaje nominal, del orden de 3% a 5%. Un aspecto importante en el diseo y construccin de las vlvulas de vaco lo constituyen los sellos entre el metal de las conexiones de los electrodos y el vidrio o cermica de la ampolla envolvente. Todas las vlvulas de potencia funcionan a temperaturas elevadas y los coeficientes de dilatacin de los diversos materiales que la componen son diferentes, de modo que las variaciones de temperatura producen esfuerzos mecnicos que eventualmente pueden destruir el sello o unin entre ellos o causando fracturas, haciendo que la vlvula pierda el vaco y, por consecuencia quede intil. En la figura 9 puede apreciarse la estructura de la unin vidrio-metal en trodos antiguos.
Para las vlvulas de caldeo directo es frecuente utilizar indistintamente los trminos filamento o ctodo.
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Fig. 9. Estructura de los sellos vidrio-metal
En la figura 10, por otra parte, puede apreciarse una vlvula con cuerpo de cermica con uno de los sellos daado.
Fig. 10. Vlvula con el sello metal-cermica daado
3. Algunas consideraciones en el diseo de las vlvulas de vaco La construccin fsica y la geometra de los tubos de vaco da lugar a que la potencia de salida y la ganancia efectiva disminuyan al aumentar la frecuencia. Las principales limitaciones de los tubos de rejilla (trodos, tetrodos y pentodos) se deben a los siguientes factores: Tamao. En condiciones ideales, los voltajes de RF entre los electrodos deben ser uniformes. Sin embargo esta condicin es difcil de satisfacer a menos que las dimensiones mximas de los electrodos sean significativamente menores que /4 a la frecuencia de funcionamiento. Esta condicin no presenta problemas en las bandas de MF, HF y VHF, pero segn aumenta la frecuencia a frecuencias en la bandas V de UHF y de UHF, se imponen restricciones severas en las dimensiones fsicas de los elementos individuales del tubo.
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Tiempo de trnsito. Los electrones que viajan entre el ctodo y el nodo invierten un tiempo de recorrido, designado como tiempo de trnsito. La separacin interelectrdica, principalmente entre ctodo y reja debe dimensionarse en proporcin inversa a la frecuencia de funcionamiento para evitar los problemas asociados al tiempo de trnsito que incluyen reduccin de la ganancia de potencia, carga excesiva sobre la fuente de excitacin del tubo, retrocalentamiento del ctodo a consecuencia del bombardeo electrnico por los electrones retornados por la regin de la reja y reduccin de la eficiencia de conversin. Voltaje de funcionamiento. Los tubos de alta potencia funcionan con altos voltajes, tpicamente de varios kv. En los tubos de microondas esto plantea problemas significativos por la cercana entre los electrodos que puede resultar en arcos elctricos. Por ejemplo, a 1 GHz, la separacin entre reja y ctodo no debe exceder de unas pocas centsimas de milmetro. Por consecuencia, los voltajes aplicados deben ser inferiores al voltaje de ruptura, determinado por el aislamiento, en este caso el vaco, y la separacin interelectrdica. estos problemas son particularmente importantes en tubos como el klystron y otros tubos de ltima generacin. Corriente a travs del tubo. Como resultado de las capacidades interelectrdicas y de las capacidades e inductancias parsitas en el tubo, pueden desarrollarse corrientes substanciales de RF, que dan como resultado calentamiento excesivo de la reja, terminales de conexin y de los sellos de vaco vidrio-metal o cermica-metal. Disipacin trmica. Los tubos de alta potencia deben ser capaces de soportar los considerables esfuerzos mecnicos causados por las elevadas temperaturas, por ello es necesario contar con sistemas de enfriamiento capaces de mantenerlos a temperaturas de funcionamiento adecuadas. 4. Diodos Los diodos al vaco, empleados principalmente como rectificadores en fuentes de alimentacin, prcticamente han dejado de utilizarse en los transmisores de radio y televisin y han sido reemplazados completamente por diodos de estado slido, rectificadores controlados de silicio o tiristores y triacs. Los principios de funcionamiento de los diodos al vaco se han descrito en las secciones anteriores y su inters aqu, es nicamente esbozar los principios fundamentales de las vlvulas de vaco. An cuando desde el punto de vista terico el estudio de los diodos al vaco es interesante, omitiremos aqu un tratamiento ms amplio.
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II. TUBOS DE REJILLA 5. Trodos Los trodos siguen utilizndose extensamente, sobre todo en las bandas de LF (30 a 300 KHz), MF (300 KHz a 3 MHz) y HF u onda corta (3 a 30 MHz). En radiodifusin sonora en FM y televisin se prefieren los tetrodos u otros tipos de tubos como el klystron y el IOT que se tratarn ms adelante. Sin embargo, el estudio de los trodos es importante para comprender el funcionamiento de otros tipos de vlvulas ms complejas y por ello, se resumirn a continuacin algunas de sus propiedades y caractersticas ms importantes. El trodo es una vlvula de vaco de tres electrodos y fue inventada por Lee de Forest en los Estados Unidos en la segunda dcada del siglo XX. En el trodo, adems del ctodo y la placa se tiene un tercer electrodo constituido por una rejilla de alambre muy fino, intercalada entre la placa y el ctodo y fsicamente cercana a ste. Esta reja de control puede tener diversas configuraciones; puede ser una hlice de alambre o un cilindro de malla de alambre y an un cilindro slido con una perforacin para permitir el paso de los electrones hacia la placa. El smbolo habitual para el trodo y su estructura bsica muestran en la figura 11.
Placa
Reja de control
Filamento Ctodo
Figura 11. Trodo Si a la reja de control no se le aplica ningn voltaje o si se la conecta directamente al ctodo, la vlvula se comporta igual que un diodo. Sin embargo si se le aplica un voltaje negativo respecto al ctodo, se producir un campo elctrico entre reja y ctodo de signo opuesto al campo entre placa y ctodo, que se opondr al paso de los electrones por la regin cercana a la reja y reducir la corriente total de placa respecto a la que se tendra si la reja no estuviera polarizada. Si, por el contrario, la reja se polariza positivamente respecto al ctodo, atraer ms electrones de la regin de carga de espacio cercana al ctodo y aumentar la corriente de placa. Adems, al ser la reja positiva, atraer una parte de los electrones que viajan hacia la placa y se establecer una corriente elctrica en el circuito externo entre reja y ctodo. En la prctica, con excepcin de los amplificadores que funcionan en clase C, el voltaje de reja no alcanza valores positivos y la corriente de reja es cero. En estas condiciones la impedancia entre reja y ctodo es prcticamente infinita.
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Curvas de placa. Si el voltaje de reja se mantiene constante, la corriente de placa, al variar el voltaje de placa, sigue una variacin similar a la que se tiene en un diodo. La diferencia en el trodo es que, dependiendo de la magnitud del voltaje de reja, ser necesario mayor voltaje de placa para conseguir la misma corriente de placa cuando el voltaje de reja se hace ms negativo. En la figura 12 se muestra un circuito con el que puede obtenerse la familia de curvas para un trodo. En estas curvas se trazan los valores de corriente de placa para diferentes voltajes de placa, manteniendo constante el voltaje de reja.
A
V VG
VG
VBB
Fig. 12 Circuito para determinar las curvas caractersticas de un trodo.
Si se mantiene el voltaje de rejilla constante y se vara el voltaje de placa, se obtienen curvas como las mostradas en la figura 13. Estas curvas corresponden a un trodo de los utilizados actualmente en amplificadores de audio y se designan como curvas de voltaje de reja constante.
Fig. 13. Curvas caractersticas de un trodo 6N1P
Si se mantiene constante el voltaje de placa y se vara el voltaje de reja, se obtienen curvas como las mostradas en la figura 14.
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Fig. 14. Curvas de voltaje de placa constante.
En el diseo de amplificadores de potencia es ms comn utilizar las curvas de corriente de placa constante como las de la figura 15 y que son funcin de los voltajes de reja y placa. Se observa, adems de las curvas de corriente de placa trazadas con lneas continuas, se las de corriente de reja con lneas punteadas. La corriente de reja circula cuando su voltaje es positivo con respecto al ctodo, lo que ocurre en amplificadores clase C durante cortos intervalos del ciclo de la seal.
Fig. 14. Curvas de corriente constante
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El trodo de la figura 16 es un 3CX400A7, capaz de funcionar en la banda de 30 a 500 MHz a una potencia de salida de hasta 500 W. El voltaje tpico de funcionamiento de placa es de 2 KV. y la potencia requerida a la entrada es de unos 20 W, por lo que su ganancia de potencia es de 25 (14 dB).
Figura 16. Caractersticas de un trodo de potencia 3CX400A7
A causa de la cercana de la reja con el ctodo, cualquier variacin en el voltaje de reja tiene un efecto considerablemente mayor sobre la corriente de placa que una variacin igual en el voltaje de placa, lo que hace posible la amplificacin del voltaje de las seales aplicadas en la reja. Se define un factor de amplificacin de un trodo y, en general de otros tubos de vaco, como la relacin de cambio del voltaje de placa, vp, respecto al voltaje de reja, vg.
v p vg
(2)
Otros parmetros de los trodos son la resistencia de placa (rp) y la transconductancia (gm). La resistencia de placa representa la variacin del voltaje de placa respecto a la corriente de placa, ip, manteniendo constantes los restantes voltajes de tubo y se define como:
rp =
v p i p
(3)
La transconductancia, o conductancia mutua, expresa la variacin de la corriente de placa respecto al voltaje de reja, manteniendo constantes los dems voltajes. Se expresa como:
gm =
i p v g
(4)
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De las expresiones anteriores puede obtenerse la relacin siguiente:

= g m rp
(5)
Neutralizacin. En los tubos de vaco estn presentes capacidades interelectrdicas e inductancias de terminal que constituyen elementos designados como parsitos y que actan, entre otras cosas, como elementos de realimentacin que dan lugar a oscilaciones parsitas. En los trodos es particularmente importante la capacidad interna entre reja y placa, ya que constituye un elemento de acoplamiento entre la salida y la entrada que, en las condiciones adecuadas de fase, es capaz de hacer que el amplificador entre en oscilacin. Este efecto es indeseable en un amplificador y es necesario eliminarlo. Para ello, una tcnica habitual es utilizar una red de desacoplamiento entre la entrada y la salida que, con frecuencia, se reduce a un condensador externo conectado entre placa y reja. Algunos de estos circuitos se ilustran en la figura 16.
Fig. 16. Circuitos tpicos de neutralizacin. Aplicaciones de los trodos. En los sistemas industriales los trodos siguen utilizndose principalmente como osciladores de alta potencia, en circuitos de configuracin similar a los ilustrados en la figura 17.
Fig. 17. Osciladores Hartley y Colpitts con trodo.
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Es evidente que la estabilidad de este tipo de osciladores es pobre, por lo que estos circuitos se utilizan principalmente en aplicaciones en que no es necesaria una gran estabilidad y que no se radia energa. Una aplicacin interesante fue en osciladores empleados para diatermia, es decir, calentamiento de tejidos con fines teraputicos. En la figura 18 se ilustra un circuito antiguo para este fin que incluye el oscilador con trodo y la fuente de alimentacin, en este caso con rectificadores de vapor de mercurio.
Fig. 18. Oscilador para diatermia Una aplicacin industrial importante de los trodos es en el calentamiento por induccin. Este es un mtodo para calentar materiales conductivos somentindolos a un campo electromagntico, a frecuencias por lo general entre 100 y 500 kHz.
Fig. 19. Calentamiento por induccin
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Una bobina, como se muestra en la figura 19 acta como el primario de un transformador y rodea al material a calentar, que acta como secundario. En la bobina se hace circular la corriente de radiofrecuencia, la cual genera corrientes de Foucault (eddy) en el secundario calentndolo. La profundidad de penetracin de estas corrientes est determinada por la frecuecia, la permeabilidad del material y su resistividad. Como generadores de RF por lo general se usan osciladores con trodos como los mostrados en las figura 20 y 21.
Fig. 20. Trodo de 3 kw para calentamiento industrial (Thales, antes Thomson CSF)
Fig. 21. Trodo de 100 kw para aplicaciones industriales y de comunicaciones
Otro tipo de aplicacin industrial en que tambin se utilizan trodos como osciladores es el calentamiento dielctrico tambin designado como calentamiento capacitivo utilizado para calentar materiales no conductores. El material a calentar se coloca entre dos electrodos a tra-
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vs de los cuales se conecta una fuente de alta frecuencia. El campo oscilatorio atraviesa el material y al cambiar la direccin del campo, invierte la polarizacin de las molculas causando rozamiento y, por consecuencia calor. Cuanto mayor sea la frecuencia, mayor ser el movimiento de las molculas. Las frecuencias tpicas utilizadas en estas aplicaciones suelen estar entre 5 y 80 MHz. Algunas otras aplicaciones incluyen la soldadura de tuberas y de plsticos, pegamento de madera, deshidratacin de alimentos para su preservacin, excitacin de lseres de CO2, etc. En aplicaciones de calentamiento industrial, tanto inductivo como dielctrico, generalmente se prefieren trodos con factores de amplificacin () o medios. Ello es debido a que cuando se emplean como osciladores, la corriente de reja vara menos con las variaciones de la carga. La corriente de reja aumenta cuando la carga disminuye. Los tubos diseados especficamente para calentamiento industrial deben funcionar en condiciones adversas, por lo que su reja es ms robusta y debe tener mayor capacidad de disipacin de potencia que en los de RF. En los sistemas actuales de comunicaciones los trodos se emplean casi nicamente en amplificadores de alta potencia de RF, entendindose aqu, un tanto ambiguamente el trmino de alta potencia, como aqullas potencias superiores a unos 500 w. principalmente. En los ltimos aos han vuelto a encontrar aplicacin en amplificadores de audio, ya que los audifilos encuentran ms agradable el sonido obtenido con amplificadores a vlvulas que con los de estado slido. En la figura 11 se muestran algunos de los trodos de alta potencia de diseo y manufactura reciente. En general este tipo de tubos se emplea en radiodifusin sonora en las bandas de frecuencias medias (540-1650 KHz) y altas (3-30 MHz). En las bandas de VHF y UHF por lo general se emplean tetrodos. En la figura 22 se ilustran tres tipos de trodos de potencia, a la izquierda un trodo antiguo de los aos veinte-treinta. Al centro, trodo utilizado en transmisores de AM en los aos cincuenta, enfriado por aire forzado y, a la derecha, un trodo moderno de 50 kw, enfriado por agua y utilizado en transmisores de AM.
Fig. 22. Tres tipos de trodos
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Aplicaciones en RF. Los trodos se emplean en amplificadores de RF, generalmente en clase B o C, con carga sintonizada. El circuito bsico de un amplificador con trodo se ilustra en la figura 23.
Fig. 23. Circuito amplificador bsico con trodo
La ganancia de voltaje de un amplificador con trodo est dada por:
AV =
RL
rp + RL
(6)
Donde RL es la resistencia de carga o la impedancia a resonancia del circuito sintonizado. Una de las aplicaciones ms comunes es como amplificador clase C modulado en placa. Un circuito tpico se ilustra en la figura 24.
Fig. 24. Amplificador clase C modulado en placa.
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6. Trodos planos Se han desarrollado algunos tubos de rejilla para aplicaciones a frecuencias de microondas, de los que los ms importantes los trodos planos o planares, designados as por la geometra plana de sus electrodos y capaces de funcionar a frecuencias de varios gigahertz con potencias de salida hasta de unos 2 kw en funcionamiento pulsante y con eficiencias de 30% a 60% dependiendo de la frecuencia.
Fig. 25. Estructura de un trodo plano En la figura 25 se muestra la estructura de un trodo plano y su apariencia y tamao. La ampolla que contiene los electrodos es de cermica, con elementos metlicos a travs de ella para proporcionar las conexiones necesarias. Los elementos metlicos tienen forma de discos o de discos con proyecciones cilndricas. El ctodo es, tpicamente, de recubrimiento de xidos metlicos y de caldeo indirecto. La razn para ello es conseguir elevada emisin electrnica y vida til larga. Suelen preferirse emisores termoinicos de baja temperatura, ya que las temperaturas elevadas producen ms evaporacin y reducen la vida del tubo. La reja es, quiz, el elemento que representa el mayor reto en el diseo del tubo, ya que es necesario que se coloque a muy corta distancia del ctodo y con gran precisin. Tambin es necesario que la reja tenga buena estabilidad trmica ya que est sujeta a calentamiento y bombardeo electrnico por la proximidad al ctodo y por las corrientes que circulan por ella. El nodo generalmente es de cobre y conduce el calor generado por el bombardeo electrnico a una radiador externo que se aprecia en la parte superior de la fotografa anterior y que, a su vez, es enfriado por aire forzado. Los trodos planos pueden funcionar a frecuencias superiores a 1 GHz y se emplean en una variedad de circuitos, comnmente en configuracin de reja comn. El circuito resonante de placa est basado en una cavidad, utilizando una gua de onda, o bien una lnea coaxial o de microcinta. Desde el punto de vista elctrico, el funcionamiento del trodo plano es mucho ms complicado a frecuencias de microondas que a bajas frecuencias, ya que intervienen de
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manera importante las capacidades e inductancias parsitas de lo elementos del tubo, los efectos de los anillos y elementos de conexin, la reactancia distribuida de la cavidad resonante y del propio dispositivo y, finalmente, los efectos del tiempo de trnsito electrnico que dan como resultado cargas resistivas y defasamientos. Las ganancias que pueden conseguirse con estos trodos son del orden de 5 a 10 dB o superiores si se conectan varias etapas en cascada. El acoplamiento entre etapas se puede realizar con guas de onda o con lneas coaxiales y la sintona se consigue variando la inductancia o la capacidad de la cavidad. Es posible aumentar el ancho de banda empleando varias etapas sintonizadas de manera escalonada. Como un detalle interesante, la sonda espacial Pioneer utiliz como amplificador un trodo plano como el que se muestra en la figura 26.
Fig. 26. Trodo plano del tipo utilizado en la sonda espacial Pioneer
El primero de los dos vehculo Pioneer tena como misin la exploracin del sistema planetario, en particular Jpiter y fue lanzado el de marzo de 1972. Su fuente de energa eran cuatro pilas atmicas, cada una capaz de proporcionar 400 watts y su transmisor inclua un trodo plano. La antena tena 2.7 metros de dimetro. El Pioneer 1 continu funcionando durante 30 aos; sus ltimas transmisiones se recibieron el 23 de ero de 2003, aunque muy dbiles pues su distancia actual a la tierra es de ms de ciento diez mil millones de kilmetros. Se desconoce si sigue transmitiendo, aunque es posible. El hecho de que su transmisor utilizara una pequea vlvula de vaco (un humilde triodito) que funcion sin problemas durante treinta aos es, sin duda, una prueba de la bondad de estos dispositivos. 8. Tetrodos Un tetrodo es una vlvula de vaco de cuatro electrodos que, adems del ctodo, la reja de control y la placa incluye una reja adicional entre la placa y la reja de control, a la que se designa como reja pantalla y habitualmente se abrevia como SG (screen grid). La forma de esta reja es similar a la de la reja de control, es decir, una hlice o una malla metlica fina. El smbolo utilizado para el tetrodo se muestra y su estructura en la figura 27.
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Placa
Reja pantalla Reja de control
Ctodo Filamento
Fig. 27. Smbolo y estructura del tetrodo La reja pantalla o simplemente, pantalla, se introdujo originalmente para eliminar algunos de los inconvenientes inherentes a los trodos, causados principalmente por la relativamente elevada capacidad entre reja y placa. Tales efectos son, primero, el efecto Miller, que hace que la capacidad de entrada de un trodo aumente con su ganancia y, segundo, la necesidad de neutralizar un trodo sintonizado para evitar la realimentacin a travs de la capacidad reja-placa, que produce oscilaciones indeseables. Puesto que la reja pantalla forma un blindaje electrosttico entre la reja de control y la placa, la capacidad entre estos dos electrodos se reduce considerablemente, minimizando as el efecto Miller y eliminando la necesidad de neutralizacin de los amplificadores con tetrodos sintonizados a frecuencias bajas o moderadas. Puesto que la pantalla constituye un blindaje electrosttico entre el ctodo y la placa, el voltaje de placa tiene muy poco efecto sobre el gradiente de potencial en la superficie del ctodo y, por consecuencia, muy poco efecto sobre la corriente en la vlvula. La pantalla por lo general funciona con voltajes positivos que se sitan entre 0.25 y 1.0 del voltaje de placa. Curvas caractersticas de los tetrodos. Las curvas caractersticas de la corriente de placa respecto al voltaje de placa se muestran en la figura 5.10. Segn aumenta el voltaje de placa desde 0 V, la corriente de placa aumenta inicialmente, pero luego empieza a disminuir en la zona en que el voltaje de placa es ligeramente inferior al de pantalla. Esta caracterstica de resistencia negativa es debida a la emisin secundaria en la placa. Es decir, los electrones que chocan con la placa provocan desprendimiento de electrones secundarios de sta, que son atrados por la pantalla cuando su voltaje es superior al de placa. A voltajes de placa superiores a unos 25 V la velocidad adquirida por los electrones es suficiente para producir emisin secundaria en la placa. As, para un voltaje constante de la reja de control, la corriente de placa disminuye al aumentar el voltaje de placa y la resistencia dinmica de la placa es negativa, hasta que el voltaje de placa es mayor que el de pantalla. Esto se ilustra en la grfica de la figura 5.11, en que se muestra la corriente de pantalla respecto al voltaje de pantalla, para un voltaje de pantalla constante, de 65 V y con la reja de control a 3 V. Tan pronto el voltaje de placa aumenta sobre el de pantalla, los electrones secundarios emitidos por la placa que regresan a ella aumentan considerablemente y, a voltajes de placa ligeramente superiores al de pantalla, la corriente de pantalla disminuye considerablemente, como se puede apreciar en la figura 28.
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Fig. 28. Curvas caractersticas de un tetrodo A su vez, la reja pantalla tambin emite electrones secundarios, como consecuencia de los electrones que llegan a ella de la regin del ctodo y la reja de control. Sin embargo, estos electrones secundarios contribuyen muy poco a la corriente total de placa ya que su nmero es proporcionalmente menor y, adems, porque en general se emiten del lado de la reja de control y no del de la placa, de modo que no se ven afectados directamente por el voltaje de placa. De las figuras 28 y 29 puede inferirse que las corrientes de placa y pantalla son prcticamente constantes para un voltaje de pantalla dado, igual o menor que el voltaje de placa, independientemente del valor de ste.
Fig. 29. Caracterstica de la corriente de pantalla respecto al voltaje de placa.
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Aunque en la regin de resistencia negativa el tetrodo puede funcionar como oscilador, por lo general no se utiliza para esta funcin. En las aplicaciones como amplificador, la regin de resistencia negativa constituye una desventaja importante del tetrodo que, si bien puede eliminarse aadiendo una tercera rejilla entre la pantalla y la placa6, tambin puede eliminarse mediante un diseo especial del tetrodo en que en el interior del tubo se conforman haces electrnicos de alta densidad entre el ctodo y la placa y utiliza los efectos de la carga de espacio en la regin entre la pantalla y la placa para eliminar los efectos de la emisin secundaria. Las vlvulas de este tipo se designan como tetrodos de haz de potencia. La estructura interna de un tubo de este tipo se muestra en la figura 30.
Fig. 30. Estructura interna de un tetrodo de haz de potencia. La superficie del ctodo es plana y los hilos de las hlices de la reja de control y la pantalla estn alineados, de modo que la primera constituye un blindaje elctrico entre la pantalla y el ctodo. Las placas conformadoras del haz electrnico se localizan a los lados del ctodo y estn conectadas internamente a ste. Estas placas hacen que la corriente en la vlvula forme haces electrnicos estrechos y con densidad relativamente alta. La distancia entre la pantalla y la placa es mayor que en los tetrodos convencionales de modo que la mayor parte de los electrones que constituyen la corriente del tubo se encuentran entre la pantalla y la placa en cualquier instante. Estos electrones forman una carga de espacio en la regin pantalla-placa y producen campos electrostticos en el plano de la pantalla y en la superficie de la placa. La densidad de esta carga de espacio es inversamente proporcional al voltaje de placa y directamente proporcional a la corriente en la vlvula. El efecto de esta carga de espacio es doble: por una parte hace que los electrones secundarios emitidos por la placa regresen a ella y, por otra desacelera a los electrones que penetran en la regin entre la pantalla y la placa, lo que a su vez, hace que aumente la carga de espacio. El resultado de estos efectos produce curvas caractersticas del tipo que se muestra en la figura 31, en este caso para un tetrodo antiguo, del tipo GU-13. Este tetrodo, utilizado para comunicaciones en la banda de HF (3-30 MHz),
A esta tercera rejilla se la designa como supresora y la vlvula con tres rejas se llama pentodo. Los pentodos no suelen utilizarse en amplificadores de potencia de RF.
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puede entregar en condiciones tpicas, 220 W a 15 MHz a voltajes de funcionamiento, UA = 2 KV, USG = 400 V, UG1 = -35 V, con una corriente de placa del orden de 50 mA.
Fig. 31. Curvas caractersticas de placa de un tetrodo de haz de potencia tipo GU-13 En la regin de voltaje de placa bajo y de corriente inyectada constante y de alta densidad, la carga de espacio entre la pantalla y la placa es suficientemente grande como para reducir el potencial a cero en un plano entre la pantalla y la placa, formando un ctodo virtual en dicho plano. En esas condiciones, el gradiente de potencial en el plano de la pantalla es tal que solo los electrones inyectados con suficiente velocidad para vencer la fuerza del campo negativo, llegarn a la placa y todos los dems electrones regresarn hacia la pantalla y sern, o bien capturados por ella, o pasarn a la regin de carga de espacio entre la pantalla y el ctodo. Un aumento relativamente pequeo del voltaje de placa produce, en la regin de la izquierda de las curvas de la figura 14, un aumento considerable de la corriente de placa, ya que el ctodo virtual se desplaza hacia la placa segn aumenta el voltaje de placa. Cuando el voltaje de placa aumenta hasta un valor en que la corriente de placa es igual a la corriente inyectada, la corriente de placa ya no aumenta, puesto que toda la corriente inyectada a la regin pantalla-placa va a parar a esta ltima. En estas condiciones, el aumento en el voltaje de placa ya no produce aumento de la corriente de placa ya que la accin de blindaje de la pantalla impide que el potencial de la placa altere la corriente de ctodo y el ctodo virtual prcticamente ha desaparecido. Debido a que la pantalla est bien aislada del ctodo a causa de su alineamiento con la reja de control, el nmero de electrones interceptados por la pantalla es bajo y la corriente de pantalla es pequea respecto a la corriente de placa, de modo que la linealidad de las curvas de la figura 14 permite excursiones grandes de seal con poca distorsin y esto, aunado a la baja relacin entre las corrientes de pantalla y placa, permite obtener altas eficiencias en los tetrodos de haz.
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En la figura 32 se muestra un tetrodo de haz del tipo 4X250, capaz de entregar una potencia de salida del orden de 350 W. Este tipo de vlvula se ha usado, y an se emplea ampliamente en aplicaciones de RF. La placa en la parte superior contiene numerosas aletas entre las que circula aire forzado, suministrado generalmente por la parte inferior a travs de conductos adecuados. La finalidad de las aletas es aumentar la superficie de radiacin de calor. La ausencia de ventilacin forzada en este tipo de tubos, da lugar a la fusin de la placa y la consiguiente destruccin del tubo en pocos minutos.
Fig. 32. Tetrodo de potencia 4CX250 Durante dcadas, los tetrodos fueron mejorndose y se consiguieron tubos capaces de entregar potencias superiores a 20 KW en UHF y aunque su ganancia es relativamente baja y su vida media til del orden de 15000 a 20000 horas, continan utilizndose, ya que su eficiencia es buena 9. Diacrodos El diacrodo es un tubo desarrollado en los ltimos aos, que comenz a utilizarse en transmisores de televisin en la banda de UHF, en radares y aceleradores de partculas alrededor de 1994. Su principio de funcionamiento es, bsicamente, el mismo que el de un tetrodo de haz de potencia en que la corriente de nodo es modulada por un voltaje de RF aplicado entre el ctodo y la reja de control. En la figura 5.16 se muestra un diacrodo usado en amplificadores potencia de transmisores de televisin en UHF. En la figura 33(a) se trata de un tubo enfriado por aire y en la 33(b) de uno enfriado por agua o vapor.
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Fotografa cortesa de Thomson Tubes Electroniques
(a)
(b)
Fig.33. Diacrodos. (a) Enfriado por aire. (b) Enfriado por vapor. La principal diferencia entre el diacrodo y el tetrodo es la posicin de las zonas activas en el tubo, es decir, sus electrodos: ctodo, reja de control, reja pantalla y placa en los circuitos coaxiales resonantes, lo que da como resultado una mejora en la distribucin de la corriente reactiva en los electrodos del tubo. El circuito del tetrodo se realiza de modo que quede un nodo de corriente al final de un circuito de un cuarto de longitud de onda (/4). El tetrodo, en un amplificador, es parte del circuito resonante de un cuarto o tres cuartos de longitud de onda. Asimismo, sus dimensiones geomtricas juegan un papel importante y condicionan los voltajes y corrientes de RF. La potencia que entrega un tetrodo es el producto del voltaje de RF de placa y la corriente de nodo a la frecuencia fundamental. El voltaje de nodo se limita a un mximo del orden de 30 KV y, por consecuencia, para conseguir un rendimiento elevado es necesario que el ctodo tenga un rea grande7. El aumento del rea del ctodo puede conseguirse de dos formas: aumentando el dimetro del ctodo o su altura. El aumento del dimetro del ctodo tiene dos efectos sobre sus parmetros elctricos: a) Disminucin de la frecuencia de resonancia en el modo TE11. Si esta frecuencia es muy cercana a la frecuencia nominal o a su primer armnico, es muy difcil, sino imposible, amortiguar las oscilaciones parsitas. b) Aumento de las capacidades parsitas del tubo.
G. Clerc, J.P. Ichac and C. Robert. A New Generation of Grided Tubes for Higher Power and Higher Frequencies. IEEE, 1998.
7
35
Altura del ctodo. La regla que, de acuerdo a la experiencia, ha sido adoptada por los fabricantes de tubos, es no exceder nunca 1/16 para la altura del ctodo a la mxima frecuencia de funcionamiento cuando el tubo opera con un elevado ciclo de trabajo. Por ejemplo, a 80 MHz, la mxima altura del ctodo sera de 234 mm. Esta regla debe interpretarse, y es dictada, por las prdidas a RF generadas en los electrodos del tubo, en particular, la reja pantalla. En el circuito de salida, en el espacio entre la reja pantalla y el ctodo, los voltajes y corrientes de RF pueden expresarse mediante las siguientes ecuaciones:
V ( x) = Vmax cos x = Psal RL cos x

I ( x) = J Vmax sen x Zc
(7)
(8)
Donde, = 2/ x = Distancia desde el extremo superior del tubo. RL= Impedancia de carga a la que est conectado el tubo. Vmax = Voltaje sobre el eje del tubo en x = 0. ZC = Impedancia caractersitca del espacio entre el nodo y la reja pantalla. J = Constante que depende de la geometra del tubo y del tipo de ctodo. Las ecuaciones anteriores muestran que las distribuciones de corriente y voltaje en el espacio entre el nodo y la reja pantalla no son uniformes y, por consecuencia, la distribucin de potencia tampoco es uniforme, tenindose la potencia mxima en la parte superior. De hecho, el diseo del diacrodo combina en un tetrodo las capacidades y ventajas de una tecnologa avanzada con el concepto desarrollado por la empresa RCA hace muchos aos, en sus trodos de doble terminacin y muy alta potencia. El diacrodo es, en realidad, un tetrodo de doble terminacin, en el que las variaciones en las prdidas son proporcionales al cuadrado de la altura del ctodo. Por tanto, la idea es obtener la misma altura equivalente del ctodo, poniendo en paralelo dos medios tetrodos. En tales condiciones, las conexiones se duplican y, con un circuito adecuado de salida, el dispositivo puede sintonizarse en un circuito de /2 con el mximo voltaje de nodo situado a la mitad de la parte activa, de modo que las prdidas son mnimas. En la figura 34 se muestra la estructura interna de un diacrodo y, en la 35, las distribuciones de corriente y voltaje en un tetrodo y un diacrodo.
36
Fig. 34. Estructura interna de un diacrodo

Imagen cortesa de Thomson Tubes Electroniques
Como consecuencia de lo anterior, con este tipo de tubo, la longitud mxima aceptable para el ctodo no es de 1/16, sino de 1/8 y la potencia puede duplicarse, asumiendo que el punto de funcionamiento se elige cuidadosamente.
Fig. 35. Distribucin de corriente y voltaje en un tetrodo y un diacrodo
Por ejemplo, en transmisin de televisin, el tetrodo con mayor capacidad de potencia, fue el TH563 fabricado por Thomson, que poda entregar 30 KW en amplificacin comn de vdeo y audio. El diacrodo TH680, con un ctodo de doble altura, es capaz de entregar 60 KW en amplificacin comn. En otras aplicaciones en operacin pulsada, tal como se requiere en radares y aceleradores de partculas, el diacrodo TH526 puede entregar una potencia pico de 1600 KW y el TH628, hasta 3000 KW, con potencias efectivas de 240 y 600 KW respectiva-
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mente. La corriente de placa en estos tubos, alcanza los 124 A en el TH526 y 164 A en el TH628. La ganancia tpica de estos tubos es del orden de 14 dB. 9. Pentodos Las desventajas de los tetrodos convencionales se superan con los tetrodos de haz y, tambin, agregando una tercera reja entre la pantalla y la placa, que se designa como reja supresora. La vlvula contiene ahora cinco electrodos y de ah su nombre: pentodo. La reja supresora va generalmente conectada al ctodo o a tierra y su funcin es la de producir una regin de bajo potencial entre la pantalla, de manera anloga a la que se consigue con las placas formadoras del haz en los tetrodos. En otras palabras, la reja supresora da lugar a un ctodo virtual retornando a la placa los electrones secundarios emitidos por ella y eliminando la regin de resistencia negativa. Adems, la reja supresora acta como un blindaje electrosttico adicional entre la placa y el ctodo, reduciendo el efecto del voltaje de placa sobre la corriente de ctodo. Las curvas caractersticas de un pentodo son muy similares a las de un tetrodo de haz en que, en la regin lineal, la corriente de placa es prcticamente independiente del voltaje de sta. En la actualidad los pentodos ya prcticamente no se utilizan en aplicaciones de RF. Sin embargo, vuelven a emplearse en amplificadores de audio. En la figura 36 se muestra una vlvula de este tipo, en que la conexin de la placa se realiza mediante el capuchn en la parte superior y las rejas y ctodo se conectan a travs de las patas en la parte inferior.
Fig. 36. Pentodo
III. TUBOS DE HAZ ELECTRONICO 10. Klystron Los trodos y tetrodos convencionales, utilizados extensamente en amplificadores de potencia en los transmisores de radio y televisin tienen limitaciones de funcionamiento a frecuencias superiores a unos 500 MHz, a causa de los efectos de las capacidades interelectrdicas y a las inductancias parsitas intrnsecas de sus terminales, as como del tiempo de trnsito de los electrones entre ctodo y nodo. Estas limitaciones dieron lugar al desarrollo de tubos planos o planares, en que los electrodos se conectan al exterior mediante discos a fin de reducir los efectos de las inductancias y capacidades parsitas, con lo que fue posible su empleo hasta frecuencias cercanas a 1 GHz. An as, las limitaciones inherentes a la geometra de este tipo de tubos hacen que sean poco adecuados a frecuencias superiores. Esto motiv el desa-
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rrollo de otros dispositivos de vaco para amplificacin a frecuencias de microondas, en los que es posible reducir el tiempo de trnsito y los efectos de los elementos parsitos. Entre ellos se encuentran el magnetrn, el klystron y el tubo de onda progresiva (TOP o TWT). Los dos ltimos se designan como de haz lineal y se basan en la interaccin de un haz electrnico con campos elctricos, en tanto que el magnetrn emplea otro principio. En particular, los klystrons han encontrado amplia aplicacin a frecuencias a partir de unos 500 MHz, como amplificadores de potencia en transmisores de televisin, transmisores de microondas, radares y aceleradores de partculas. En la dcada de 1990 se desarrollaron dos tipos de vlvulas considerablemente ms eficientes que los tetrodos y que los klystrons. El diacrodo, que es una variante del tetrodo segn se mencion en la seccin 4 y el tubo de salida inductiva o IOT, que puede considerarse como una variante del klystron. Estos tubos estn reemplazando el empleo de tetrodos y klystrons en los transmisores de alta potencia de diseo reciente. Researemos aqu algunas de las principales caractersticas del klystron. El klystron es un tubo o vlvula al vaco, utilizado en la generacin y amplificacin de seales de muy altas frecuencias, inventado por R. H. Varian en 1937. El funcionamiento del klystron, tanto como oscilador o como amplificador se basa en la modulacin de velocidad de los electrones de un haz, sometidos a aceleraciones y frenados como consecuencia de la aplicacin de una seal variable en el tiempo. En la aplicacin como amplificador, la versin ms simple del klystron es la de un tubo electrnico con varias cavidades, como se ilustra en la figura 37 y en el que se definen tres regiones: ctodo, nodo y regiones o tubos de arrastre, deriva8 o de interaccin de RF, a las porciones intermedias entre las cavidades. La porcin principal del tubo la constituye un cierto nmero de cavidades resonantes, tres en la figura, de las que una es la cavidad de entrada a la que se aplica la seal de RF y otra, la de salida, de la que se extrae la seal amplificada. Entre stas pueden localizarse una o ms cavidades intermedias, todas ellas interconectadas por secciones de tubo metlico designadas como tubos de arrastre. Las cavidades resonantes se disean de forma que no propaguen energa electromagntica a la frecuencia de funcionamiento del tubo, con lo que se consigue un gran aislamiento entre las cavidades de entrada y salida sin recurrir al empleo de atenuadores en el interior del klystron, caracterstica muy importante y deseable en los amplificadores de alta potencia. En el can electrnico se origina un haz de electrones, que es acelerado a travs de un alto voltaje aplicado al nodo y que luego pasa a travs de los tubos de arrastre, frente a las cavidades, hasta impactar en el colector. El cuerpo principal del tubo, incluyendo el colector, se mantiene generalmente a potencial de tierra, en tanto que al ctodo y electrodos de enfoque del haz que constituyen el can electrnico, se les aplica un potencial negativo elevado, del orden de -20 a -30 KV.
Drift
39
Cavidad de entrada
Cavidad intermedi a
Imanes de confinamiento del hazelectrnico Cavidad de salida
Can electrnico
Colector Haz Electrnico Tubo de arrastre
Ctodo +
Anodo Seal de entrada Seal de salida
Fig. 37. Esquema de un klystron de tres cavidades En la cercana del ctodo, un sistema de enfoque electrosttico confina el haz y lo dirige hacia el interior del primer tubo de arrastre. Para mantener el confinamiento del haz en el interior del tubo de arrastre y evitar que se disperse hacia las paredes, se aplica un campo magntico axial. En un procedimiento de colimacin, designado como enfoque de Brillouin, el confinamiento del haz se consigue hacindolo pasar a travs de una placa magntica, que acta como pantalla de blindaje contra el campo magntico externo y evita sus efectos en la regin del can electrnico. La componente del campo magntico transversal en la abertura de la placa de Brillouin proporciona al haz electrnico un movimiento de rotacin sobre su eje, que al interactuar con el campo magntico longitudinal (axial) a lo largo deltubo de arrastre, produce una fuerza centrpeta sobre los electrones del haz, en direccin al eje del tubo que, mediante el ajuste adecuado de la intensidad del campo magntico axial, acta anulando a la fuerza centrfuga debida a la repulsin producida por la carga de espacio en el haz electrnico. Con este mtodo, empleado tambin en aceleradores de partculas, es posible confinar el haz electrnico a lo largo de trayectos grandes con mnima intercepcin de los electrones del haz por las paredes del tubo. En los klystrons prcticos esta intercepcin representa menos del 1% del haz electrnico. El nodo colector tiene, por lo general, forma escalonada o dentada, para aumentar el rea de disipacin trmica y reducir, adems, la posibilidad de que los electrones secundarios producidos por el impacto del haz electrnico sobre el nodo, regresen al interior del tubo de arrastre. La alimentacin y extraccin de las seales en las cavidades puede hacerse mediante lneas coaxiales terminadas en lazos acoplados o bien con guas de onda. En la figura 18 se ilustra, con algo ms de detalle la estructura interna de un klystron de tres cavidades. En los klystrons de cavidades mltiples o multicavidad, el haz electrnico es largo y requiere ser enfocado o confinado para que mantenga una seccin transversal pequea a lo largo del tubo. En tubos pequeos, o en los que es importante la influencia de campos magnticos pa-
40
rsitos o en que se requiere bajo peso, se utilizan lentes electrostticas, pero en la mayora de los klystrons se emplea un campo magntico uniforme, paralelo al haz electrnico. En tubos de alta potencia (>5 KW), los tubos se insertan en el interior de electroimanes toroidales para confinar el haz electrnico en el centro del tubo. En la figura 38(a) se muestra un klystron de cuatro cavidades. Las cavidades en este tipo de tubo no son internas, sino que se acoplan externamente, como puede apreciarse en la figura 38(b). Las zonas de acoplamiento de las cavidades corresponden a las porciones blancas del tubo, en tanto que las secciones metlicas entre las cavidades corresponden a los tubos de arrastre.
(a)
(b)
Fig. 38. (a) Klystron de cuatro cavidades. La parte inferior corresponde al ctodo y lasuperior al colector. (b) Klystron de cuatro cavidades, montado en el carro para su instalacin en el transmisor. Se aprecian las cavidades externas y las bobinas de confinamiento del haz, localizadas entre las cavidades. En la parte superior se tiene el colector y el boiler o caldera para el enfriamiento del tubo.
(Fotografas cortesa de English Electric Valve Co. Ltd.)
Con el fin de dar una idea de las dimensiones de los klystrons, en la figura 39 se muestra un klystron del tipo utilizado en aceleradores de partculas, capaz de entregar potencias pulsantes del orden de megawatts. El cilindro metlico en la parte superior es el caldern para enfriar el colector con vapor.
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Fig. 39. Klystron utilizado en aceleradores de partculas

Foto cortesa de Marconi Applied Technologies
El haz electrnico que emerge del can, alcanza una gran velocidad como consecuencia de la elevada diferencia de potencial entre ctodo y nodo. En la primera regin del tubo de arrastre, entre el ctodo y la primera cavidad, slo acta el campo elctrico uniforme debido a esta diferencia de potencial, por lo que los electrones en esa regin tienen la misma velocidad. En la regin del tubo de arrastre frente a la cavidad de entrada, a la que se aplica la seal de RF, el campo elctrico es variable e interacciona con el haz electrnico, acelerando o frenando a los electrones que entran a esa regin con densidad y velocidad uniformes. Por consecuencia, los electrones que emergen de esa regin tendrn diferentes velocidades y formarn grupos. Este proceso, que se repite en la regin de la cavidad intermedia de la figura 5.20, se designa como modulacin de velocidad. La modulacin de velocidad en las cavidades da lugar, despus de un recorrido suficiente por las secciones del tubo de arrastre libres de campo variable, a modulacin de densidad del haz. Un aspecto importante de este proceso es que, si el voltaje de excitacin es suficientemente grande como para superar las fuerzas debidas a la carga de espacio, los electrones acelerados pueden adelantar a los retrasados a lo largo de las secciones del tubo de arrastre, a una distancia que se designa como distancia de cruce. Cuando esto ocurre, la corriente comienza a tener un contenido apreciable de armnicos y se ha encontrado9 que el valor ptimo de la componente fundamental ocurre a 1.84 veces la distancia de cruce. Los armnicos de la corriente son sorprendentemente grandes y alcanzan valores mximos a distancias ligeramente inferiores del parmetro de agrupamiento, que corresponden a dis-
Davis, D.C. Vacuum Tubes. Cap. 9 de Electronics Designers Handbook. Ed. L. J. Giacoletto. McGraw Hill Book Co. 1977
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tancias de arrastre ms cortas, o a valores de excitacin menores que los de la distancia ptima de la fundamental. Extraccin de la energa. La energa se extrae en el espacio (gap) de la ltima cavidad y puede explicarse por el hecho de que en el klystron, el campo elctrico axial de la cavidad de salida est sometido a la accin de una serie de grupos de electrones que llegan con una frecuencia exactamente igual que la frecuencia de resonancia de la cavidad. Adems, la fase del voltaje variable de salida es tal que se opone al movimiento de los electrones a travs del gap, lo que significa que el campo es desacelerador, alcanzando un valor mximo cuando un grupo de electrones pasa a travs del gap. Medio ciclo despus, el campo proporciona mxima aceleracin a los electrones, pero puesto que el haz est formado por grupos peridicos, se aceleran menos electrones de los que son frenados y, por consecuencia, hay un flujo neto de potencia del haz hacia el campo de la cavidad. Esta energa, que puede extraerse mediante un lazo o espira acoplada, o bien a travs de una abertura (iris) seguida de una gua de onda, constituye la potencia til de salida del tubo. La corriente efectiva inducida en la cavidad de salida es casi igual a la componente de la fundamental de la corriente del haz. En klystrons de dos cavidades, en que a la primera se aplica la seal de entrada y se extrae en la segunda, la ganancia de potencia producida por la interaccin entre el haz electrnico y las cavidades es de aproximadamente 10 dB. Cada cavidad intermedia adicional sintonizada a la frecuencia de la seal, aumenta la ganancia del klystron del orden de 20 dB10. Estas cavidades intermedias no estn acopladas externamente entre s y son excitadas por el haz de corriente de RF que, a su vez, remodula la velocidad del haz. En klystrons de cuatro cavidades pueden conseguirse ganancias de potencia hasta de 60 dB. Para lograr anchos de banda grandes, como en el caso de televisin, algunas de las cavidades estn desintonizadas ligeramente en forma escalonada. En estas condiciones, el aumento en la ganancia se logra a expensas de reducir la ganancia. Para aumentar la eficiencia de funcionamiento del klystron de dos cavidades, es necesario agregar ms cavidades y, adems, desintonizar la penltima cavidad, de modo que su frecuencia de resonancia sea mayor que la de funcionamiento, es decir, sintonizar la cavidad del lado alto de la banda.. Esto tiene como consecuencia una moderada reduccin en la ganancia, pero mejora considerablemente la eficiencia. 11. Klystron de colector escalonado11 Una de las desventajas del klystron convencional es que el haz electrnico de alta velocidad, al impactar en el colector disipa una gran cantidad de energa que se pierde en forma de calor. Esto da como resultado una eficiencia relativamente baja y, por otra parte, obliga a extraer rpidamente el calor generado en el colector. Con el fin de reducir este problema y aumentar la eficiencia del tubo, se desarroll el klystron de colector escalonado, en que el colector en lugar de formar un cuerpo nico, se constituye por varias estructuras anulares,
10
Nelson, Richard, B. Klystrons. en Electronics Engineers Handbook. D. G. Fink y D. Christiansen, Editores. McGraw Hill Book Co. 1982. 11 El trmino en ingls es depressed collector klystron
43
aisladas entre s, a las que se aplican voltajes escalonados crecientes negativamente, como se ilustra en la figura 40.
Fig. 40. Klystron de colector escalonado.

(Fuente: M. Skolnik. Radar Handbook, 2nd Ed. McGraw-Hill, 1990)
Los electrones ms lentos son capturados por el anillo colector ms cercano al cuerpo del tubo, cuyo potencial es mximo respecto al ctodo, en tanto que los electrones ms rpidos son frenados por los voltajes escalonados de los anillos colectores siguientes e impactan en estos, de modo que los que llegan a la porcin final del colector lo hacen con, relativamente, baja velocidad. Como resultado de esta accin, la energa disipada en el colector es menor que en un klystron convencional y, por consecuencia, la eficiencia es mayor. Sin embargo una desventaja de los klystrons de colector escalonado es la posibilidad de que ocurran arcos entre los anillos del colector, que deben estar aislados entre s, a poca distancia entre ellos y con diferencias de potencial muy grandes. Esta situacin puede darse tambin en la regin entre el nodo y el ctodo no slo en este tipo de klystrons, sino tambin en los klystrons convencionales. La consecuencia de estos arcos puede dar lugar a la destruccin del tubo, en el sentido de que quede intil para su funcin. La destruccin no tiene que ser necesariamente por implosin o fusin de los materiales del tubo, ya que basta nicamente que ocurra una pequea perforacin en el metal o la cermica del cuerpo del tubo para que ste pierda el vaco y quede intil. Dado que el costo de los klystrons y otros tubos de potencia como los diacrodos y los IOTs es elevado, los fabricantes suelen garantizarlas por un mnimo de horas de funcionamiento, generalmente superior a 20,000, siempre que la manipulacin de la vlvula y sus parmetros de funcionamiento cumplan con las normas y valores especificados por el fabricante que en tales condiciones, suele garantizar la reposicin del tubo. La destruccin de un tubo por per-
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foracin del cuerpo cermico o deterioro de los sellos cermica-metal, en general no sera imputable a un posible mal ajuste de los parmetros de funcionamiento (corrientes y voltajes de los electrodos), sino que muy probablemente sera causada por deficiencias estructurales en el propio tubo, bien sea por pequeos defectos en el material cermico o en los sellos cermica metal durante el proceso de fabricacin. En cualquier caso la probabilidad de ocurrencia de este tipo de problemas es muy baja. 12. Figura de Mrito12 El concepto de figura de mrito se usa principalmente en las vlvulas de haz electrnico como el klystron y el IOT y no debe confundirse con el eficiencia, aplicable con mayor frecuencia a las vlvulas de rejilla (trodos y tetrodos). La eficiencia de un amplificador se define como la relacin entre la potencia til de RF a la salida del amplificador, entre la potencia suministrada por la fuente de alimentacin. Definida en esta forma, la eficiencia siempre es menor que 1, ya que no toda la energa de c.c. suministrada por la fuente se convierte en energa til de seal. Siempre hay prdidas por calentamiento. Por potencia til de seal se puede entender la potencia pico o la potencia efectiva o potencia promedio. Por lo general, se define en trminos de la potencia promedio. En los tubos de haz electrnico, como los klystrons y los IOTs, se prefiere definir una figura de mrito como :
FOM =
PPK 100% PAV
(9)
Donde PPK es la potencia pico de la seal entregada a la salida y PAV es la potencia promedio del haz electrnico. De acuerdo a esta definicin no es extrao obtener figuras de mrito superiores al 100%, lo que no significa que el amplificador est generando ms potencia que la que le suministra la fuente de alimentacin. Podra decirse que la figura de mrito da una medida de la bondad del amplificador para generar potencia til de seal, en tanto que la eficiencia da una medida de la energa que se pierde en el amplificador en forma de calor. 13. Tubos de salida inductiva (IOT) En el tubo de salida inductiva se combinan caractersticas de los tubos de rejilla como el trodo o el tetrodo y de los tubos de haz electrnico modulado como el klystron. El IOT fue concebido por Andrew Haeff13 en 1939 para aplicaciones en radar, poco despus de la invencin del klystron. La RCA fabric alguno en 1940 pero no tuvo mayor aplicacin ni desarrollo. En la poca de la Segunda Guerra Mundial y aos posteriores los esfuerzos encaminados al desarrollo de dispositivos electrnicos de alta frecuencia se centraron casi exclusivamente hacia los tubos de haces electrnicos modulados en velocidad como el klystron y el tubo de onda
12
El trmino correcto en espaol es cifra de mrito, sin embargo, el uso comn ha hecho que se traduzca el trmino en ingls figure, que siginifica tanto cifra como figura, aqu hemos preferido seguir el uso comn. 13 Haeff, A. V. "A UHF power amplifier of novel design. Electronics. p. 30-32, February 1939
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progresiva14 (TWT). La idea concebida por Haeff qued prcticamente olvidada hasta finales de la dcada de 1980. Hasta mediados de la dcada de 1960 en los amplificadores de potencia de los transmisores de televisin, prcticamente slo se empleaban tetrodos capaces de entregar potencias hasta de algo ms de 10 KW. Los tetrodos son eficientes y fiables, aunque su vida til no suele exceder las 20000 horas. Los klystrons, por otra parte, se venan utilizando en radares, aceleradores de partculas y sistemas de comunicaciones troposfricas en la banda de UHF (0.3 a 3 GHz) y SHF (3 a 30 GHz). A finales de los sesentas, con el aumento de las transmisiones de televisin en la banda de UHF, comenzaron a utilizarse klystrons como amplificadores de potencia, con resultados bastante satisfactorios. La ganancia de un klystron es superior a la de un tetrodo y su vida til, mayor. En esa poca la eficiencia, aunque un factor importante, no lo era tanto como ahora, ya que el costo de la energa elctrica, aunque nada despreciable, era bastante inferior al actual. La escalada de los conflictos blicos en Oriente Medio a lo largo de la dcada 1970-80 dio lugar a un considerable aumento de los precios del combustible y, por consecuencia, de la energa elctrica, de modo que el costo por el consumo de sta en los transmisores de alta potencia aument tambin y, en buena medida, fue la causa de acelerar la bsqueda de mejoras en los dispositivos amplificadores de potencia para aumentar su eficiencia y su vida media til. Los klystrons haban demostrado ser dispositivos fiables y muy estables en su funcionamiento, pero su eficiencia es relativamente baja, por lo general inferior al 40%, de modo que se trabaj intensamente en desarrollar klystrons ms eficientes, dando lugar a dos tendencias principales: el desarrollo del klystron de colector escalonado, ya mencionado en la seccin 5.7 y el funcionamiento pulsante. La causa principal de la, relativamente baja eficiencia del klystron, es que el haz electrnico, acelerado a gran velocidad a lo largo de la regin de arrastre del tubo, se estrella ntegramente en el colector, perdiendo por completo su energa en forma de calor. Si el haz electrnico puede reducirse durante ciertos intervalos de la seal, o bien frenarse, de modo que se reduzca la energa cintica del haz electrnico, se perder menos energa en el impacto y, por consecuencia se conseguir aumentar la eficiencia. Durante bastantes aos los klystrons se hacan funcionar al mximo de la corriente del haz, es decir, a saturacin. En modo pulsante, la corriente del haz es mxima en el pico de los pulsos de sincronismo y se reduce durante la seal de vdeo, con lo que se llegan a obtener cifras de mrito del orden de 77%15. Esta forma de funcionamiento pulsado se consigue agregando un electrodo de control del haz en la regin del can electrnico, de modo que la corriente del haz puede pulsarse entre dos valores, uno mximo en los picos de sincronismo y otro menor, durante el perodo de la lnea de vdeo. Este modo de funcionamiento introdujo complejidades adicionales en el diseo de los transmisores que, si bien ms eficientes, resultaron ms caros y, adems, requeran de ajustes ms complicados para lograr el mximo rendimiento y un funcionamiento estable a largo plazo.
14
15
Pierce, J.R. and Field, L.M. Traveling-wave tubes. Proc. IRE, vol. 35, p. 108. Feb. 1947. Engineering Handbook. 8th Ed. National Association of Broadcasters. Washington, 1992.
46
Tambin en esa poca creci la fabricacin de transmisores con amplificadores de potencia de estado slido. Sin embargo, en tanto que los amplificadores de estado slido cumplen las necesidades de los transmisores para potencias hasta de unos 30 KW en el modo analgico y unos 4 KW promedio en digital, no pueden utilizarse a potencias mayores ya que su eficiencia es menor y su costo mayor que el de los dispositivos de vaco16. Otro tubo que se desarroll en esa poca fue el klystrodo, nombre registrado por la empresa Eimac que, de manera similar al IOT combina tecnoclogas del klystron y del tetrodo, de ah su nombre, por lo que hablar de klystrodo o de IOT tiene prcticamente el mismo significado. En la figura 41 se muestran un IOT fabricado por English Electric Valve y un klystrodo de Eimac Division, CPI Inc.
(a) IOT
(b) Klystrodo
Fig. 41. IOT y Klystrodo.
14. Principio de funcionamiento del IOT17. Como ya se mencion, el IOT combina varios aspectos de la tecnologa del tetrodo y del klystron para dar lugar a un amplificador de alta eficiencia, compacto y con un rango de frecuencias que cubre prcticamente en su totalidad la banda de UHF. La principal diferencia entre el funcionamiento de un klystron y un IOT es el mtodo utilizado para conseguir los agrupamientos de los electrones del haz. En un klystron el haz electrnico se modula en velocidad a partir de la cavidad de entrada de RF y se tiene despus un espacio de arrastre en el que los electrones ms rpidos alcanzan a los ms lentos formando grupos, con lo que el haz resulta modulado en densidad. En el IOT el proceso es diferente. La seal de entrada de RF se aplica entre una reja cercana al ctodo y ste, con lo que se produce un haz electrnico
16
17
Bel, C. UHF TV transmission using IOT amplifiers. Broadcast Engineering, 18 January 2005. Heppinstall, R. and Cayworth, G. T. "The Inductive Output Tube - a Modern UHF Amplifier for Terrestrial Television Transmitter. GEC Review. Vol. 13, N 2. pp. 76-85, 1998.
47
modulado directamente en densidad en la regin del propio can electrnico, como se ve en el esquema de la figura 42.
Entrada de RF del excitador Choke de RF
Filamento calefactor
Ctodo (-30 KV) Placa para ajuste de sintona de la cavidad Cavidad de entrada Cavidad de entrada
Reja de control (-30 KV)
Placa para ajuste de sintona de la cavidad
Choke de RF
Anodo (conectado a tierra) Haz electrnico hacia el colector
Fig. 42. Esquema de la regin del can electrnico de un IOT
El tubo de salida inductiva est formado por un can electrnico que contiene un ctodo emisor de electrones y una reja de control, ambos de forma semiesfrica. Esta geometra propicia la conformacin de los electrones emitidos en un haz incipiente que se ve modulado en densidad por el voltaje de RF inducido entre la reja y el ctodo mediante una cavidad de entrada externa al tubo. El haz as producido se enfoca y confina mediante un campo magntico generado por bobinas de enfoque, tambin externas al tubo. El haz modulado por la seal de RF es acelerado hacia el colector del tubo y, a su paso por la cavidad resonante de salida, cede a sta parte de su energa que pasa de la cavidad al circuito de salida del transmisor. El IOT combina la elevada eficiencia del tetrodo con la elevada capacidad de potencia, larga vida til y fiabilidad del klystron. Se aplica un voltaje fijo del orden de -80 V a la reja con respecto al ctodo, de modo que en ausencia de seal fluye una corriente hacia el nodo de alrededor de 500 mA. El ctodo, de manera semejante al klystron, se mantiene a un potencial negativo del orden de -30 KV, con lo que el haz electrnico modulado en densidad es acelerado a travs de una abertura en un nodo situado en el propio can electrnico y conectado a potencial de tierra, hacia la seccin de salida en que se extrae la potencia mediante una cavidad resonante externa, similar a la usada en el klystron, excepto que en el IOT se utiliza una cavidad de doble sintona para conseguir el ancho de banda requerido por un canal de televisin. Finalmente, la energa restante en el haz electrnico se disipa en un colector de cobre de diseo tradicional, que puede ser enfriado por aire o agua, dependiendo del nivel de potencia de que se trate. La estructura interna del IOT se aprecia mejor en la figura 43.
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Circuito de enfriamiento del colector
Colector Espacio al vaco en el interior del colector
Circuito de enfriamiento del cuerpo del tubo
Tubo de arrastre Anodo Can electrnico
Fig. 43. Estructura interna del IOT.
Can electrnico. Estructuralmente, el can electrnico del IOT es similar al del klystron y continene un ctodo cncavo, semiesfrico de tungsteno como se muestra en la figura 44. Este tipo ctodo se designa como dispensador o distribuidor en el sentido de que, por su geometra, la emisin electrnica se orienta hacia el centro del tubo, facilitando as la conformacin del haz electrnico.
Fig. 44. Estructura del ctodo de un IOT.
La reja de control es de grafito piroltico, una forma de carbn fabricada por descomposicin de un hidrocarburo gaseoso a muy alta temperatura en un horno al vaco lo que da lugar a
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un producto muy puro con un coeficiente de expansin trmica prcticamente nulo18,19 de elevada conductividad y gran resistencia mecnica, lo que lo hace ideal para esta aplicacin. La reja es de la misma geometra que el ctodo, es decir, semiesfrica y muy cercana a ste, situada con gran precisin a una distancia del orden de unas milsimas de pulgada y soportada por una estructura cilndrica metlica, aislada del ctodo por un aislador de cermica que tambin forma parte del cuerpo del tubo. La estructura de la reja se ilustra en la figura 45.
Fig. 45, Estructura de la reja de control de un IOT.
Es a travs de la cermica aislante entre reja y ctodo por donde se acopla al tubo la energa de RF del circuito de entrada para aplicar el voltaje de RF a la reja. Este voltaje inducido entre reja y ctodo modula la densidad del haz electrnico, cuya seccin transversal es de pequeo dimetro a consecuencia del campo magntico de confinamiento producido por las bobinas externas. El haz as formado es relativamente hueco ya que los electrones se concentran ms en la periferia que en el centro, como resultado natural de los campos electrostticos que conforman el haz. Esto se ilustra en la figura 46.
Trayectoria helicoidal de los electrones Lneas de flujo
La fuerza sobre los electrones se dirige radialmente hacia el centro
Fig. 46. Conformacin del haz electrnico.
Un segundo aislador de cermica soporta todo el can electrnico a la distancia correcta del nodo aterrizado. La diferencia de potencial entre el nodo y el ctodo es del orden de 30 KV o superior. El espacio entre reja y ctodo del can electrnico forma la parte final de una
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http://www.advceramics.com/geac/products/pyrolytic_graphite/. (31 enero 2005). http://www-edd.tw.1-3com.com/edd/html/news/news_pyrolytyc.htm. (31 enero 2005).
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lnea de transmisin compleja desde el conector de entrada de RF al sistema de la cavidad de entrada. La estructura del can electrnico se ilustra esquemticamente en la figura 46. 15. Circuito de entrada del IOT. El circuito de entrada del IOT consiste de la cavidad de entrada, externa al cuerpo del tubo y del can electrnico, en el interior del tubo. La seal de RF se aplica a la cavidad de entrada mediante una espira abierta, como se aprecia en la figura 41. En el interior de la cavidad de entrada se encuentra una paleta mvil y, en su parte superior un stub en corto circuito para ajustar la impedancia de entrada a resonancia a la frecuencia deseada. El campo generado por la seal en la cavidad de entrada induce un voltaje entre la reja y el ctodo del tubo, que causa la modulacin en densidad del haz electrnico. La principal diferencia entre el IOT y el klystron reside en que en este timo no hay reja de control, de modo que el campo generado en la cavidad de entrada modula al haz en velocidad, no en densidad. La reja de control es la caracterstica comn entre el IOT y el tetrodo.
Electrodos de enfoque
Piezas polares
Lneas del campo magntico Ctodo Haz electrnico Tubo de arrastre
Reja Anodo
Bobina magntica
Fig. 46. Estructura esquemtica del can electrnico de un IOT.
En los klystrons generalmente se utilizan cavidades resonantes externas al cuerpo del tubo, por lo general, partidas para permitir su colocacin alrededor de ste y atornillarse luego para formar un solo cuerpo. La cavidad ms cercana al ctodo es la cavidad de entrada. Cada una de las mitades de la cavidad tiene en su interior placas o puertas deslizantes a fin de ajustarlas para conseguir la sintona deseada. En el IOT se emplea una estructura similar, con una diferencia, ya que la pared interior de la cavidad tiene que conectarse entre el ctodo y la reja, dos electrodos que se mantienen a un potencial altamente negativo, en tanto que la pared exterior de la cavidad debe conectarse a tierra. Por esta razn en la cavidad es necesario incorporar chokes de RF entre sus partes externa e interna, como se ve en la figura 5.25, con el fin de por una parte, proporcionar el aislamiento necesario entre las dos partes y, por otra impedir fugas de corriente de RF manteniendo al mismo tiempo todo el voltaje del haz electrnico. Esta condicin impone requisitos muy severos para la eleccin de los materiales aislantes de los chokes, que deben proporcionar un aislamiento total a la corriente continua en las condiciones de humedad y temperatura que prevalecen en el ambiente del transmisor.
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16. Consideraciones sobre el funcionamiento del ctodo. A fin de conseguir la mxima emisin termoinica del ctodo, a una temperatura de aproximadamente 1100C, el ctodo del IOT est constituido por una base de tungsteno puro, relleno de xidos de bario, calcio y aluminio, reforzado por una fina pelcula de unos centenares de angstroms (10-10m) de espesor, que contiene osmio, iridio y renio, lo que da como resultado una funcin de trabajo muy pequea. La emisividad trmica del ctodo es, por consecuencia, muy elevada. Para cualquier tubo termoinico, la vida til depende principalmente de la capacidad de emisin del ctodo. Si la temperatura de funcionamiento del ctodo es muy elevada, se produce evaporacin de los materiales emisores de su superficie, con abundante produccin de iones que deterioran el funcionamiento y reducen considerablemente su vida til. Si hay evaporacin, parte del material evaporado se puede depositar en la reja, dando lugar a emisin secundaria y a emisin por campo que puede causar el desbocamiento incontrolado de la corriente del haz. Los vapores tambin pueden depositarse en la pared interior de cermica que asla al can electrnico del nodo, reduciendo el voltaje de ruptura, con el riesgo potencial de la formacin de arcos internos entre reja y nodo que pueden inutilizar el tubo. En el aire, o en un vaco pobre, los electrones slo pueden viajar distancias muy cortas antes de recombinarse o chocar con otras partculas en el medio. En los tubos de vaco y, en particular en klystrons e IOTs, los electrones deben viajar distancias considerables sin que ocurran colisiones significativas con otras partculas, por lo que se requiere un alto vaco en el interior del tubo. Si el vaco es pobre, o si se produce un arco, se producen tambin iones que por la polarizacin del ctodo, impactan en ste, reduciendo su capacidad de emisin o dandolo definitivamente. Para evitar o reducir al mximo esta situacin, se utilizan circuitos de proteccin que cortan el funcionamiento del IOT para evitar daos mayores. Una de las rutinas importantes en el mantenimiento preventivo de los amplificadores de potencia con IOTs y klystrons es la comprobacin y calibracin peridica de estos circuitos de proteccin. Papel del nodo. En los tubos de haz como el klystron y el IOT el nodo no tiene la misma funcin que la placa en los tubos de rejilla, en la que acaban todos los electrones procedentes del ctodo. En estos tubos de haz, el nodo acta slo como un acelerador de los electrones emitidos por el ctodo, confinado en un haz de pequea seccin transversal, en parte por la geometra del ctodo o del can electrnico y principalmente por el campo magntico producido externamente por las bobinas de enfoque. El nodo, bien sea de forma cilndrica o cnica, hueco en el centro, acelera a los electrones prcticamente sin atraerlos ni dispersar el haz. La corriente del haz modulado en densidad se acelera, en la regin entre el can electrnico y el nodo, desde una energa de unos pocos electrn-volts hasta una energa total de decenas de miles de eV, alcanzando una velocidad de alrededor de 1/3 de la velocidad de la luz en el corto espacio entre reja y nodo. En estas condiciones la energa del haz es considerablemente mayor que la energa requerida para modular el haz en la reja de control,del orden de 26 dB o ms. La energa cintica y la velocidad de cada electrn en el haz es bsicamente
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la misma mientras el haz est en la zona de arrastre del nodo, pero la densidad del haz vara segn la modulacin a que fue sometido por la reja de control. El haz, acelerado a gran velocidad pasa a travs del interior hueco del nodo hacia el tubo de arrastre a la salida, en direccin al colector. La resistencia efectiva del haz, o perveancia20 cambia con la modulacin y durante el ciclo de RF, ya que el haz siempre est acelerado al mismo potencia de c.c.
Cavidad de salida. La energa del haz se extrae en la abertura o ventana (gap) de salida, que es donde los electrones agrupados del haz salen del tubo de arrastre hacia el colector. La ventana de salida se localiza cerca de la parte superior central de la cavidad primaria de salida. El haz electrnico transfiera una parte considerable de su energa a esta cavidad resonante, en forma de campo electromagntico. El trabajo realizado en esta transferencia de energa reduce la energa cintica del haz y el voltaje presente en el espacio de la ventana de salida es funcin de la potencia almacenada en la cavidad y de la resistencia relativa de la ventana que, a su vez depende de la sintona de la vidad y de la potencia del haz. A potencias elevadas, la resistencia de la ventana es menor y tambin disminuye con el ancho de banda. Un requisito importante en los tubos que emplean cavidades resonantes es conseguir en ellas el ancho de banda necesario, en este caso de 8 MHz para la seal analgica PAL o la digital DVB-T o bien de 6 MHz para seales NTSC o DTV. En el klystron, las cavidades se sintonizan de forma escalonada cuyo principio se ilustra en la figura 47.
Respuesta del conjunto de cavidades Respuesta individual de cada cavidad
f1
f2 Ancho de banda del conjunto
f3
Frecuencia
Fig. 47. Principio de la sintona escalonada Cada cavidad se sintoniza a una frecuencia ligeramente distinta a la otras cavidades, con lo que se consigue una respuesta prcticamente plana en la banda de paso. En el klystron esto es relativamente simple, ya que se tienen tres o cuatro cavidades, pero no lo es en el IOT en que no hay cavidades intermedias entre la de entrada y la de salida. Para evitar este problema en el IOT se utiliza una cavidad de salida doblemente sintonizada. Esta cavidad est for-
La perveancia se define como la corriente de ctodo, limitada por la carga de espacio, dividida por el voltaje del nodo elevado a la potencia 3/2.
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mada, de hecho, por dos cavidades convencionales, dispuestas ortogonalmente, como se puede apreciar en la figura 48. La primera de estas dos cavidades se designa como cavidad primaria y est fija alrededor del cuerpo del tubo. Contiene una espira mediante la que se puede ajustar el acoplamiento de RF a la segunda cavidad mediante una lnea de transmisin corta a travs de un iris y una paleta. La segunda cavidad contiene una estructura en forma de domo cuyas dimensiones son tales que permite cubrir la banda de frecuencias requerida. Un acoplador de salida, similar al utilizado en los klystrons conecta la cavidad al circuito de salida. Las paredes, tanto de la cavidad primaria como de la secundaria, son mviles para permitir su ajuste a resonancia a la frecuencia deseada en la banda de UHF. El ancho de banda del sistema se ajusta mediante la posicin de la paleta en el iris, que puede moverse de 0 a 180 grados, correspondientes a los anchos de banda mnimo y mximo. La energa de salida se extrae mediante una sonda coaxial localizada a la salida de la cavidad secundaria. Mediante el ajuste de la sonda se controla el acoplamiento a la carga de la cavidad de salida
Lazo de acoplamiento de salida Manivela para ajuste de sintona de la cavidad de salida Bobina de enfoque Circuito de enfriamiento para la cavidad de salida y el can electrnico Cavidad de entrada Parte de la cavidad de entrada de pequeo dimetro Excitador de estado slido Cavidad primaria de salida Acoplamiento de banda ancha Cavidad secundaria de salida
Stub de ajuste para la seal de entrada Carro de soporte
Fig. 48. Montaje completo del IOT en carro transportable para facilitar su montaje en el transmisor.
Sintona. La sintona es el proceso de ajuste de las cavidades de entrada y salida para conseguir la correcta respuesta en frecuencia en el ancho de banda del canal. En la cavidad de entrada no se puede ajustar la sintona, que se consigue simplemente buscando la mxima corriente del haz y la mnima potencia reflejada a la salida del excitador. Para obtener el mejor rendimiento a una potencia de salida, eficiencia y condiciones de linealidad dadas, deben ajustarse adecuadamente la sintona de la cavidad de salida, el punto de funcionamiento (voltaje de polarizacin de la reja) y el voltaje del haz. El ancho de banda de salida controla la impedancia que presenta la cavidad de salida al haz electrnico. Bsicamente, la reduccin del ancho de banda aumenta la impedancia. La mejor
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eficiencia a cualquier nivel de potencia se consigue cuando la impedancia presentada por la cavidad al haz est acoplada a la impedancia del haz. Sin embargo, el ajuste ideal a potencias bajas, no es bueno a potencias altas. Cuando se cambia el ajuste potencia es necesario retocar el ajuste de los circuitos tanto de entrada como de salida. A plena potencia, los mejores resultados por lo general se obtienen cuando el ancho de banda se ajusta a 8 MHz a -0.5 dB del mximo con un rizado no superior a 0.25 dB. El funcionamiento a potencias bajas puede requerir la disminucin de la corriente de ctodo, reduccin del alto voltaje del haz, reduccin del ancho de banda de salida y ajuste de la corriente de polarizacin de reja, para conseguir la linealidad necesaria. 17. IOT de colector escalonado Con el fin de aumentar an ms la eficiencia de los IOTs, en los ltimos aos se han desarrollado tubos de salida inductiva de colector escalonado, con la misma filosofa ya utilizada en klystrons de este tipo (seccin 12), de la forma que se ilustra en la figura 49. Este tipo de IOT se designa como MSDC IOT (Multiple Stage Depressed Collector IOT).
Colector 1 Anodo Ctodo Tubo de arrastre Tubo de salida Colector 3
Electrodo de enfoque
Ventana cermica Piezas polares Fundas de refrigeracin Colector 2
Fig. 49. IOT de colector escalonado en que se muestran las trayectorias electrnicas
En un IOT de un solo colector, la energa cedida por el haz a la cavidad de salida se sita entre un 30 y un 50% de la energa total del haz. Por consecuencia la energa perdida en forma de calor en el colector puede llegar a un 70% o ms de la energa total del haz. Esta situacin, aunque considerablemente mejor que en el caso de los klystrons, representa una parte importante de la energa suministrada al transmisor, que no slo no se aprovecha, sino que es necesario disiparla mediante un sistema de enfriamiento e incide tambin en el costo total del sistema transmisor. El empleo de un colector escalonado, en lugar de un colector nico permite mejorar la eficiencia del transmisor reduciendo el costo de operacin. Por otra parte, el costo de un MSDC IOT es mayor que el de un IOT de colector simple. An as, la reduccin en el costo de operacin en transmisores de alta potencia hace atractivo el empleo de este tipo de IOT, que se encuentra an en su etapa inicial.
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Al igual que en el klystron de colector escalonado, tratado en la seccin 5.8, en el MSDC IOT, los electrones del haz son frenados antes de impactar en el colector, permitiendo as recuperar parte de la energa elctrica del haz, en lugar de perderla en forma de calor. El colector se divide en dos o ms secciones, aisladas entre s, como se aprecia en la figura 5.29, que se polarizan a voltajes crecientes, inferiores al voltaje entre ctodo y nodo. Estos voltajes dan lugar a campos equipotenciales en el colector que frenan a los electrones del haz residual. En el caso ideal, los electrones llegaran con velocidad nula a las secciones respectivas del colector. El nmero de etapas escalonadas del colector y sus voltajes dependen de la distribucin de las velocidades electrnicas en el haz. En el IOT, la distribucin de energa de los electrones en el haz residual es bastante uniforme, principalmente debido a la modulacin en densidad del haz, en lugar de los agrupamientos a que da la lugar la modulacin de velocidad en el klystron. El resultado es que la recuperacin de energa resulta algo ms sencilla que en el klystron y con menos nmero de etapas escalonadas. En estos ltimos aos se han probado MSDC IOTs con tres a cinco etapas. Un mayor nmero de etapas no produce mejoras apreciables en la eficiencia. Con los IOTs de colector escalonado se han conseguido eficiencias hasta de un 20% que con los IOTs de colector simple. Una designacin actual para los amplificadores que emplean MSDC IOTs es la de amplificadores de eficiencia constante o CEA (Constant Efficiency Amplifier)21, una de cuyas versiones, de colector de cuatro escalones o etapas se ilustra en la figura 50.
Fig. 50. MSDC IOT de cuatro etapas. Una de las consecuencias del empleo de IOTs de colector escalonado es una mayor complejidad del sistema de enfriamiento del colector. En los IOTs de colector simple, ste se polariza al potencial de tierra y puede ser enfriado directamente por agua o una mezcla de agua y glicol. Los diferentes voltajes aplicados a las diferentes etapas del colector, hacen necesario el empleo de un material dielctrico para echar fuera el calor generado en ellas, por lo que en su enfriamiento se emplea aire, agua deionizada o aceite dielctrico.
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http://www-edd.tw.l-3com.com/sbe.htm
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18. Empleo de klystrons e IOTs en transmisin analgica y digital En televisin digital la seal de entrada al transmisor es nica: un flujo binario continuo que contiene la informacin de vdeo, audio y datos. En el caso analgico la situacin es diferente, ya que se tienen dos seales distintas, una de vdeo y otra de audio, con diferente tipo de modulacin y distinto ancho de banda y entre las que la relacin de potencias entregadas a la salida es de 10:1; es decir, la potencia de audio es la dcima parte de la de vdeo. En el Captulo 1 se trat de la arquitectura de los transmisores y, en el modo analgico, puede ser de dos tipos, el primero, de amplificacin separada en que las seales de audio y vdeo utilizan amplificadores distintos y slo se combinan al final para proporcionar una seal compuesta y nica, a la antena. El segundo modo de funcionamiento es en amplificacin comn, en que las seales de audio y vdeo se combinan a baja potencia a la salida de los respectivos moduladores y luego se amplifican ambas conjuntamente por los mismos amplificadores hasta la salida del transmisor. En este modo de funcionamiento la linealidad de los amplificadores es de importancia primordial ya que cualquier no linealidad generar productos indeseables de intermodulacin con el consecuente deterioro de la seal, si estos productos ocurren dentro de la banda de paso, o bien la produccin de seales interferentes sobre otros servicios de comunicaciones si ocurren fuera de la banda de paso y no son filtradas adecuadamente a la salida del transmisor. El mximo nivel de los productos de intermodulacin no debe ser superior a unos -55 dB en condiciones de buen funcionamiento. Niveles superiores dan lugar al deterioro inaceptable tanto del audio como del vdeo transmitidos. Por esta razn, en los transmisores es necesario realizar una precorreccin o predistorsin de la seal a la entrada del transmisor o a la salida del modulador a fin de compensar y corregir las no linealidades introducidas en las etapas de amplificacin de potencia. En estas condiciones, las prestaciones de los klystrons y de los IOTs son diferentes. En los klystrons que funcionen en modo comn es necesario reducir la potencia unos 4 dB para evitar las no linealidades, lo que reduce su eficiencia y en este modo, no pueden funcionar en modo pulsante. Los IOT, por otra parte, ofrecen muy buenas caractersticas de linealidad an a niveles altos de potencia en modo comn, con niveles de intermodulacin que pueden precorregirse con relativa facilidad. Esta caracterstica de los IOTs ha hecho que en la ltima dcada se hayan convertido en el dispositivo amplificador preferido en los transmisores de televisin tanto analgica como digital. 19. Tubos de onda progresiva (TWT22) El tubo de onda progresiva es, de manera similar al klystron, un tubo de haz lineal que basa su funcionamiento en la interaccin de un haz electrnico con una onda electromagntica que viaja a lo largo del tubo. Su estructura se ilustra en la figura 51 y est formado por un ctodo que produce un haz electrnico que es enfocado por el campo magntico producido por bobinas externas y que viaja hacia el colector, movidose en el interior de una hlice metlica que se extiende a lo largo del tubo.
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Traveling Wave Tube.
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La hlice acta como una lnea de retardo en que la seal de RF viaja a lo largo del tubo a la misma velocidad que el haz electrnico como una onda lenta. El campo electromagntico debido a la corriente en la hlice interacta con el haz electrnico, modulando en velocidad a los electrones y causando agrupamientos de stos a lo largo del tubo, de manera similar al klystron. El campo electromagntico debido a la corriente del haz induce a su vez ms corriente en la hlice, de modo que el efecto neto es la amplificacin de sta. La corriente as amplificada es colectada mediante un acoplador direccional cercano al colector, en el que se estrella el haz electrnico. Un atenuador, el n 4 en la figura impide que cualquier onda reflejada llegue al ctodo. Los tubos de onda progresiva pueden funcionar en rangos de frecuencia desde unos 300 MHz hasta 50 GHz y manejar anchos de banda hasta de una octava, considerablemente ms que los klystrons. Su ganancia puede ser hasta del orden de 30 dB hasta 60 dB.
Fig. 51. Tubo de onda progresiva (TWT)

1. Can electrnico. 2. Entrada de RF. 3. Imanes externos. 4. Atenuador. 5. Hlice. 6. Salida de RF. 7. Envolvente del tubo de vaco. 8. Colector
La seal de entrada se aplica mediante un acoplador direccional, que puede ser una gua de onda o una bobina situada cerca del emisor y que induce corriente en la hlice, como se ilustra en la figura 52, en la que se aprecian tambin el ctodo, el filamento calefactor, la hlice y los imanes o bobinas para el confinamiento del haz electrnico.
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Fig. 52. Seccin del can electrnico y entrada de RF de un tubo de onda progresiva.
EL circuito de la hlice es de, relativamente, baja impedancia comparado con una cavidad resonante como las utilizadas en los klystrons. De ah que se puedan conseguir anchos de banda considerables con este tipo de tubos. El sistema de enfoque magntico es similar al del klystron, mediante bobinas o imanes externos al cuerpo del tubo y es sumamente importante en el diseo de ste, ya que debe confinar el haz electrnico cuya seccin transversal debe tener un dimetro reducido y situarse precisamente en el centro de la hlice con un mnimo de intercepcin con ella. La estructura de la hlice en algunas de sus formas se ilustra en la figura 53.
Lazo de anillos
Barra de anillos Hlice convencional
Fig. 53. Estructura de la hlice de un TWT.
El colector puede ser de una pieza, si bien actualmente se prefieren colectores escalonados para frenar paulatinamente los electrones del haz y aumentar la eficiencia del tubo, como se ilustra en la figura 54. La salida de RF se realiza mediante un acoplador direccional, generalmente una gua de onda, en el extremo de la hlice cercano al colector.
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Fig. 54. Colector y salida de RF en un TWT.
Para conseguir un buen enfoque del haz, el ctodo debe estar alineado con precisin respecto a los dems electrodos y para reducir el bombardeo del ctodo por iones positivos que se forman en la regin de la hlice cercana al colector y aumentar la vida til del tubo, el perfil de los voltajes de c.c. en el tubo, se dispone de forma que los iones sean drenados hacia el colector. Casi todos los electrones secundarios generados en el colector pueden atraparse mediante configuraciones adecuadas de ste y de la configuracin del campo magntico alrededor del colector. Al igual que en el klystron, la considerable energa cintica de los electrones que inciden sobre el colector, es causa de considerable disipacin trmica y reduccin de la eficiencia. Para facilitar la disipacin y extraccin de calor la configuracin externa del colector puede ser en forma de aletas como se muestra en la figura 55. La eficiencia se aumenta haciendo el colector escalonado.
Fig. 55. Estructura externa del colector de un TWT
En los TWT se utilizan diversas estructuras para el colector, ste puede ser una placa, un cono, un cono curvado, colector cilndrico, colector cilndrico de potencial escalonado y colector de dos o tres etapas. Este ltimo tipo se aprecia en la figura 54. Cuando un tubo de onda progresiva se integra junto con una fuente de alimentacin regulada y los correspondientes circuitos de proteccin, el conjunto se designa como amplificador de
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onda progresiva o TWTA23. En la figura 56 se ilustra un conjunto amplificador de onda progresiva de 350 w utilizado en radar, que incluye el TWT, la fuente de alimentacin y los circuitos de control.
Fig. 56. TWTA de 350 w.
Principio de funcionamiento. La hlice del TWT constituye una estructura peridica designada como de onda lenta, ya que la onda viaja a lo largo de la hlice y no en el espacio libre hasta el colector, de modo que aunque la onda viaje sobre la hlice a velocidad cercana a la de la luz, su velocidad media a lo largo del tubo es menor y aproximadamente igual a la velocidad con que viajan los electrones en el haz entre ctodo y colector, en el centro de la hlice, del orden de 1/10 de la velocidad de la luz. La interaccin entre la onda en la hlice y los electrones del haz es continua y da lugar a agrupamientos electrnicos a lo largo del tubo, de forma similar a lo que ocurre en un klystron. Es decir el haz electrnico resulta modulado en densidad como se ilustra en la figura 57.
Fig. 57. Principio de funcionamiento del TWT.
Al avanzar hacia el colector, los grupos de electrones se van haciendo ms densos y su interaccin con la hlice da lugar a que la onda progresiva aumente de amplitud, es decir, amplificndola hasta ser extrada hacia el circuito de salida. El lmite de amplificacin en baja frecuencia se debe a la prdida de sincronizacin entre la velocidad de la onda en la hlice y la velocidad del haz, cuando la de aqulla es mayor que la del haz. En alta frecuencia, el lmite se produce a causa del desacoplamiento entre la hlice y el haz, que ocurre porque la amplitud de la onda vara apreciablemente cuando la longitud
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Traveling Wave Tube Amplifier.
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de onda se aproxima al dimetro de la hlice. La principal ventaja del TWT sobre el klystron es su considerable ancho de banda de funcionamiento. Los tubos de onda progresiva, al igual que los klystrons, se disean para funcionamiento tanto en onda continua (CW) como pulsante y pueden tener ganacias de 30 a 60 dB en todo el ancho de banda. Su capacidad de potencia, dependiendo de la aplicacin va desde miliwatts hasta decenas de kilowatts. En la figura 58 se ilustra un tubo de onda progresiva de 200 w.
Fig. 58. TWT de 200 w.
20. TWT de cavidades acopladas Los tubos de onda progresiva se clasifican en dos tipos principales: de hlice, como los discutidos en las secciones anteriores y de cavidades acopladas. Los de hlice estn limitados en la potencia de pico de RF que pueden manejar a causa de la corriente que puede circular por ellos y, por consecuencia el dimetro del alambre de la hlice. Al aumentar la potencia, la hlice puede sobrecalentarse y deformarse. El dimetro del alambre puede aumentarse, pero si es muy grueso, no es posible mantener el paso de la hlice, es decir la distancia entre espiras sucesivas. Tpicamente los TWT de hlice proporcionan una potencia mxima del orden de 2.5 kw. Esta limitacin se supera si se reemplaza la hlice por una serie de cavidades resonantes acopladas, dispuestas axialmente a lo largo del haz, en la forma que se ilustra en forma esquemtica en la figura 59.
Fig. 59. Estructura esquemtica de las cavidades acopladas.
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Conceptualmente, esta estructura puede considerarse como una gua de onda helicoidal y permite tambin conseguir amplificacin por modulacin en velocidad del haz electrnico. Las guas de onda helicoidales tienen alta dispersin no lineal y son, por consecuencia estructuras de banda estrecha, si bien ms ancha que las cavidesde de un klystron. Un TWT de cavidades acopladas puede proporcionar potencias superiores a 15 kw. Su funcionamiento es similar al del klystron, excepto que los TWT de cavidades acopladas se disean con atenuacin en la propia estructura de onda lenta en lugar del atenuador que se emplea en los TWT de hlice.
Fig. 60. TWT de cavidades acopladas y 50 kw de potencia pulsante.

(Imgenes cortesa de L3 Communications Electron Devices)
Los TWT, tanto de hlice como de cavidades acopladas se utilizan extensamente en aplicaciones de comunicaciones, industriales y mdicas. La mayora de los transpondedores de los satlites y vehculos espaciales utilizan este tipo de tubos, as como numerosos tipos de radares. En la figura 60 se muestra un TWT de cavidades acopladas, capaz de proporcionar una potencia pulsante de salida mnima de 50 kw en un ancho de banda de 9.2 a 10 GHz. La ga-
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nancia tpica a saturacin es de 55 dB y la potencia de RF de entrada necesaria en esas condiciones es de solamente 20 dBm (100 mw). El tubo mostrado es de colector escalonado de dos etapas, con un voltaje tpico del colector 1 de 15.5 kV y de 21.6 kV el colector 2. El voltaje de ctodo es de -34 kV a una corriente pico de 7 A. En condiciones tpicas de funcionamiento en forma pulsante, el ciclo de trabajo es de 1%, para una potencia promedio mnima de 500 w. El enfriamiento es por aire forzado. Enfriamiento. En los TWT de baja potencia, el enfriamiento se realiza fijando el tubo a una placa metlica, montada a su vez en un disipador enfriado por aire o por lquido refrigerante. Los tubos de cavidad acoplada de potencia promedio inferior a 1 kw se enfran por aire, hacindolo circular por todo el cuerpo del tubo. Los de alta potencia, suelen enfriarse por lquido circulante sobre el cuerpo del tubo y el colector.
IV. TUBOS DE CAMPO CRUZADO
Los dispositivos de campo cruzado convierten energa de c.c. en energa de RF por un proceso de conversin electrnica de energa. Difieren de los dispositivos de haz lineal en que son conversores de energa potencial y no energa cintica, como es el caso de los tubos de haz. El trmino campo cruzado se deriva de las caractersticas ortogonales del campo elctrico producido por la fuente de alimentacin y el campo magntico requerido para enfocar el haz electrnico en la regin de interaccin. El campo magntico por lo general es suministrado por una estructura de imanes permanentes. Estos dispositivos tambin reciben el nombre de tubos-M ya que basan su funcionamiento en la propagacin de ondas en un campo magntico. Los dispositivos prcticos basados en los principios del campo cruzado pueden clasificarse en dos amplias categoras24: Tubos de campo cruzado de inyeccin de haz. En stos, la corriente electrnica es producida por un can electrnico externo a la regin de interaccin25, de manera similar a los tubos de onda progresiva. Tubos slo de emisin. En ellos la corriente de electrones se produce directamente en el interior de la regin de interaccin por emisin de electrones secundarios que son el resultado de que algunos electrones se llevan al electrodo negativo y chocan contra l. El electrodo negativo est constituido por material capaz de producir emisin secundaria significativa.
Otra clasificacin, quiz ms adecuada desde el punto de vista de sus aplicaciones es:
Whitaker, J.C. The RF Transmission Handbook. CRC Press. 2002. La regin de interaccin es aquella en que tiene lugar la interaccin de los campos elctrico y magntico sobre el haz o corriente de electrones.
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Tubos resonantes. Son, bsicamente, osciladores de RF, de los que el ms comn es el magnetrn, utilizado en radares, hornos de microondas y otras aplicaciones idustriales y mdicas. Tubo no resonantes. Son, por lo general, amplificadores de RF que, a su vez se clasifican en dos clases segn utilicen la onda hacia adelante (forward wave) o hacia atrs (backward wave) y si son reentrantes, en el sentido de que la carga que retorna al ctodo puede reentrar en la carga que viaja hacia el nodo o bien se pierde. Solamente un tipo de tubo no resonante ha encontrado gran aplicacin en radar, el amplificador de campo cruzado o CFA26 que, adems de no ser resonante es de onda hacia atrs y reentrante.
21. Magnetrn El magnetrn es el tubo de campo cruzado ms utilizado. Aunque hay versiones lineales del magnetrn, cuyo funcionamiento se asemeja al del klystron, aqu nos limitaremos a tratar la versin ms utilizada, de geometra circular cilndrica. Bsicamente el magnetrn es un diodo con un ctodo y un nodo, sin reja de control. El nodo no tiene la misma configuracin que en los tubos ordinarios, sino que es una estructura cilndrica con una serie de cavidades resonantes como se muestra en la figura 61.
Fig. 61. Magnetrn de geometra cilndrica
La estructura del ctodo y del filamento es cilndrica y localizada rgidamente en el centro del tubo. La placa o nodo es un bloque cilndrico slido con una serie de cavidades que pueden ser cilndricas o en forma de sol naciente como se ilustra en la figura 62. Externamente se aplica un intenso campo magntico mediante imanes permanentes y es la interaccin entre este campo magntico y el campo elctrico producido en el interior del tubo, la que da lugar a las caractersticas de funcionamiento del magnetrn.
26
Crossed Field Amplifier.
65
Fig. 62. Anodo con cavidades en forma de sol naciente.
Las cavidades estn comunicadas con la parte central del tubo mediante ranuras estrechas, de modo que el la regin interna o de interaccin se divide en tantos segmentos como cavidades haya. Las cavidades alternas estn unidas mediante cintas o bandas metlicas circulares, colocadas en la parte superior del bloque y a la entrada de las cavidades. El ctodo es de caldeo indirecto, debe funcionar a elevada temperatura y tener buenas caractersticas de emisin, particularmente bajo el bombardeo a que se ve sometido, ya que buena parte de la potencia de salida se deriva de la gran cantidad de electrones secundarios emitidos por el nodo al ser, a su vez, bombardeado por electrones de alta energa procedentes del ctodo. El espacio entre el ctodo y el nodo es la regin de interaccin en la que se combinan las fuerzas ejercidas por los campos elctrico y magntico sobre los electrones. Las lneas del campo magntico son paralelas al eje del tubo y la direccin del campo elctrico es radial, del ctodo al nodo. Los electrones emitidos por el ctodo, generalmente no siguen trayectorias perpendiculares a ste, sino oblicuas al azar, de modo que los electrones tienden a seguir las lneas de fuerza hacia el nodo, pero al estar sumergidos en el campo magntico sus trayectorias son helicoidales como se ilustra en la figura 59. La direccin de la fuerza es tal que las trayectorias electrnicas son en sentido de las manecillas del reloj cuando se ven en la direccin de las lneas del campo magntico. Los magnetrones de simetra radial son esencialmente osciladores, en tanto que los magnetrones lineales son, inherentemente, amplificadores. Los magnetrones osciladores se pueden dividir en dos clases: de resistencia negativa y de resonancia electrnica. Magnetrones de resistencia negativa. Si el nodo de un magnetrn se separa en dos mitades y el voltaje de una de ellas se hace mayor que el de la otra, bajo ciertas condiciones la mayora de los electrones irn a la porcin de menor voltaje. En estas condiciones se tiene una caracterstica de resistencia negativa entre las dos mitades del nodo y podrn mantenerse oscilaciones en un circuito tanque conectado entre ellas. Este tipo de magnetrn puede funcionar a mayor frecuencia y proporcionar ms potencia que un magnetrn convencional. Magnetrones de resonancia electrnica. En este caso, el principio de funcionamiento se basa en el tiempo de trnsito de los electrones. Un magnetrn es, si no se le aplica campo magntico, simplemente un diodo de vaco. Si se aplica voltaje al nodo, fluye una corriente entre el ctodo y ste. Si se aplica el campo magntico transversal, la corriente de nodo sigue fluyendo, aproximadamente con la misma magnitud inicial mientras el voltaje de nodo se
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mantenga constante. Los electrones siguen una trayectoria semejante a la de la figura 63(a). A un cierto valor de densidad de flujo magntico B, la corriente de nodo se reducir a un valor muy pequeo, lo que indica que la intensidad del campo magntico es suficientemente grande como para hacer que la trayectoria de los electrones se curve excesivamente, como se ilustra en la figura 63 (b).
(a)
(b)
Fig. 63. Trayectorias electrnicas en el magnetrn.
En estas condiciones, los electrones no pueden alcanzar el nodo y a ese valor de la densidad de flujo magntico se le designa como densidad de flujo de corte. La oscilacin del magnetrn generalmente se tiene cerca de la densidad de flujo de corte. La relacin entre el voltaje de nodo Va, la densidad de flujo de corte, B y los radios del ctodo rc y del nodo ra est dada por27:
Bc = 45, 5 Va ra ra2 rc2
Los electrones, al pasar frente a las cavidades, excitan la oscilacin. Las cavidades, junto con el bloque del nodo forman el sistema resonante que determina la frecuencia de oscilacin. La forma de la cavidad no es particularmente importante y se emplean varios tipos como se muestra en la figura 64.
Fig. 64. Tipos de cavidades resonantes

(a) Cilndricas con ranura; (b) Ranuras; (c) Aletas.
27
Ishii, T.K. Other Microwave Vacuum Devices. Seccin 6.4 en The Electronics Handbook, 2nd Ed. J.C. Whitaker, Editorin Chief. Taylor and Francis Group, 2005.
67
Las oscilaciones asociadas con las cavidades son de naturaleza tal que las lneas de flujo magntico alterno pasan a travs de las cavidades paralelas al eje del ctodo, en tanto que los campos elctricos alternos estn confiados principalmente a la regin en que las cavidades se comunican con el espacio de interaccin. Los factores ms importantes que determinan la frecuencia de resonancia son las dimensiones y forma de las cavidades en el plano perpendicular al eje del ctodo. Los osciladores con magnetrones en modo pulsante son capaces de generar potencias de pico muy elevadas, tales como 40 Mw a 10 GHz, con voltaje de c.c. de 50 kV. La eficiencia de conversin de c.c. a RF se sita entre 40% y 70%. En hornos domsticos de microondas la potencia tpica es del orden de 1 kw a 2.4 GHz. 22. Magnetrn coaxial La estabilidad en frecuencia de los magnetrones convencionales se ve afectada por variaciones en la impedancia de carga y las fluctuaciones de la corriente de ctodo. Dependiendo de la magnitud de stas, el magnetrn puede fallar ocasionalmente. En el magnetrn coaxial estos efectos se reducen considerablemente, utilizando la geometra ilustrada en la figura 64. Las cavidades del nodo se acoplan con una segunda cavidad alrededor de ste y conectada con las cavidades interiores por ranuras de acoplamiento. La frecuencia de oscilacin se controla por la combinacin del sistema de cavidades de aletas y la cavidad ajustable externa.
Fig. 64. Magnetrn coaxial
68
23. Amplificadores de campo cruzado (CFA28) Un amplificador de campo cruzado es un dispositivo electrnico de vaco que puede describirse en parte como magnetrn y, en parte, como tubo de onda progresiva. Es semejante al magnetrn en el sentido de que utiliza el mismo tipo de interaccin electrnica que ste, es decir, campos elctrico y magntico cruzados y, por consecuencia sus caractersticas son similares y puede generar potencia con alta eficiencia a niveles semejantes a los de un magnetrn. Sin embargo es diferente al magnetrn ya que en tanto ste slo tiene circuito de salida, el CFA tiene circuitos de entrada y salida, semejante a un TWT y, adems, la interaccin electrnica es con una onda progresiva, a diferencia del magnetrn en que la interaccin es con una onda estacionaria. Al nombre de amplificador de campo cruzado se deriva del hecho de que la interaccin electrnica ocurre en una regin de campos elctrico y magntico cruzados, a diferencia del TWT convencional. Por otra parte el CFA contiene los mismos elementos bsicos que el tubo de onda progresiva: sistema de entrada y salida, circuito de onda lenta y sistema electrnico. Algunos otros nombres con que se ha designado este dispositivo desde su invencin en 1953 son29: amplificador de campo cruzado de haz reentrante, platinotrn y Amplitrn, este ltimo, marca registrada de la empresa Raytheon. Una necesidad comn para el funcionamiento, tanto del CFA como del magnetrn es el campo magntico axial. La funcin de este campo es hacer que los electrones emitidos por el ctodo giren alrededor de ste en crculos concntricos. Los electrones se mueven en respuesta al voltaje aplicado entre el nodo y el ctodo del tubo. Segn este voltaje aumenta lo electrones se mueven en crculos concntricos cada vez ms grandes aumentando su velocidad angular, hasta que sta alcanza un valor en que las microondas empiezan a propagarse en la regin del nodo nodo. En este punto se se forman haces o rayos que inducen potencia en el circuito del nodo. El magnetrn y el CFA obedecen las mismas relaciones de escala entre la frecuencia de funcionamiento, el campo magntico aplicado, el voltaje, las dimensiones fsicas del rea de interaccin y el nmero de haces de carga espacial30. El circuito de onda lenta o lnea de retardo es una estructura peridica con caractersticas de filtro de paso de banda, que debe ser capaz de propagar la energa de RF en el rango de frecuencias de inters y, al mismo tiempo debe estar rodeado de lneas de fuerza del campo elctrico con el que puedan interactuar los electrones. Estos campos tienen una velocidad de fase aproximadamente igual a la velocidad del haz electrnico. El sistema de entrada y salida proporciona el acoplamiento de impedancia entre la lnea de transmisin o gua de onda externa al amplificador y el circuito interno de onda lenta. Finalmente, el sistema electrnico genera un haz de electrones y lo confina al rea de interaccin. Los CFA de haz inyectado tienen un can electrnico que inyecta el haz en la regin de interaccin. Otros CFA tienen un ctodo emisor relativamente largo que se extiende a toda la longitud del circuito de onda lenta. Este tipo de amplificadores se designan como de emisin distribuida y al ctodo se le
28
29
Crossed Field Amplifier. El CFA fue inventado por William C. Brown (1916-1999) 30 Brown, William, C. The History of the Reentrant Beam Crossed Field Amplifier with Emphasis on Noise Comparison with the Magnetron. www-ners.engin.umich.edu/labs/ plasma/research/magnetron/brown9.pdf
69
designa tambin como suela31. En la actualidad, los CFA de haz inyectado son poco utilizados. En la figura 65 se ilustra esquemticamente un CFA de haz reentrante.
Fig. 65. CFA (Amplitrn)

1. Ctodo. 2. Anodo con cavidades resonantes. 3. Nube electrnica. 4. Anillos que constituyen la lnea de retardo.
El ancho de banda de un CFA es, aproximadamente 5% de la frecuencia central nominal. Cualquier seal en este ancho de banda es amplificada y, las potencias pico en funcionamiento pulsante pueden alcanzar valores de decenas de megawatts, con potencias promedio de algunas decenas de kw. En la figura 66 se ilustran algunos tipos de amplificadores de campo cruzado. Los de mayor tamao, capaces de entregar potencias pico hasta de 6 Mw con eficiencias de ms de 70%.
Fig. 66. Algunos tipos de CFA.
Como una curiosidad, en la figura 67 se ilustra un amplificador de campo cruzado como el utilizado para las comunicaciones de datos de alta velocidad de la luna a la tierra durante el proyecto Apolo, hace ya algo ms de treinta aos. Este CFA proporcionaba 25 w en onda continua (CW) y se aprecian claramente los puertos de entrada y salida. Este tubo se us satisfactoriamente durante toda la duracin del proyecto Apolo, sin embargo el CFA no consigui ser utilizado para comunicaciones, principalmente a causa de la reducida vida del ctodo, causada por el bombardeo de electrones sobre ste, que motivaba la destruccin del recubrimiento de xido de bario. En esa poca, hace cerca de cuarenta aos, no se haba reconocido plenamente que el empleo de carburo de tungsteno toriado podra haber evitado ese problema y el CFA habra tenido una extensa aplicacin en comunicaciones32.
31 32
En ingls, literalmente sole. Brown, William, C. The History of the Reentrant Beam Crossed Field Amplifier with Emphasis on Noise Comparison with the Magnetron. www-ners.engin.umich.edu/labs/ plasma/research/magnetron/brown9.pdf
70
Fig. 67. CFA (Amplitrn) de 25 w onda continua utilizado en la misin Apolo para comunicaciones luna-tierra.
Una aplicacin adicional de los CFA es en aceleradores de partculas como el ilustrado en la figura 68 del CERN (Organizacin Europea para Investigaciones Nucleares), con sede en la cercana de Ginebra, Suiza. En este caso se trata de un LHC (Large Hadron Collider), un acelerador de partculas que entrar en funcionamiento en 2007 y est formado por cuatro CFA de gran potencia.
Fig. 68. LHC del CERN, con amplificadores de campo cruzado.
El LHC permitir colisionar haces de protones a una energa de 14 TeV (1 TeV = 1012 eV), as como ncleos de plomo con una energa de colisin de 1150 TeV.
71
V. CONSIDERACIONES TRMICAS En el terreno de las comunicaciones, casi todos los transmisores actuales suelen ser de estado slido hasta potencias del orden de 10 kw, en los que se combinan las salidas de mltiples mdulos amplificadores enchufables, lo que da una considerable flexibilidad para su operacin y mantenimiento. Algunos transmisores de estado slido se fabrican para potencias an mayores, con mdulos de mayor potencia y con un aumento importante en su complejidad. Sin embargo, al aumentar la potencia de los mdulos de estado slido, se cae en los mismos viejos problemas, de los que el principal es la dispacin trmica, en otras palabras, el calentamiento. Cuanto menor sea el mdulo ms difcil se hace su enfriamiento. En algunos casos se resuelve este problema enfriando cada mdulo con refrigerante lquido. La potencia disipada en forma de calor por un equipo, un circuito o un dispositivo puede calcularse como:
1 PD = P0 1
(1.2)
Donde P0 es la potencia til de salida y es la eficiencia, dada por la relacin de la potencia til de salida entre la potencia de c.c. suministrada. Independientemente de que se trate de amplificadores de estado slido o de vlvulas, su enfriamiento adecuado es un aspecto crtico en el diseo. En el caso de circuitos que funcionan con altos voltajes, el enfriamiento suele ser necesario a nivel de los componentes individuales. Por ejemplo, en el caso de vlvulas, tanto las de rejilla como los klystron, TWT, IOT, magnetrones y CFA, el haz electrnico interacta con campos electromagnticos, cediendo parte importante de su energa, pero conservando una cantidad significativa de energa cintica que se pierde en forma de calor al estrellarse contra el nodo y disiparse en forma de calor, que es necesario extraer con eficiencia para mantener la temperatura de funcionamiento en niveles que no causen dao a los dispositivos. Cabe decir que las vlvulas de vaco, en general, ofrecen considerablemente mayor robustez ante los efectos trmicos que los transistores y otros dispositivos de estado slido, por lo que el diseo trmico de circuitos con estos dispositivos es an ms crtico. Mecanismos de transferencia de calor. La energa trmica se transfiere de los objetos ms calientes a los ms fros por tres mecanismos fundamentales: Radiacin: Es la transferencia de de energa entre masas a diferentes temperaturas, predominantemente a longitudes de onda infrarrojas. Conveccin: Transferencia de energa trmica a travs de medios lquidos o gaseosos. Conduccin: Transferencia de energa trmica a travs de medios slidos. Si bien los tres mecanismos anteriores estn presentes en todas las aplicaciones, el de conveccin es el predominante.
72
24. Mtodos de enfriamiento. En las vlvulas de vaco, una vez que el haz electrnico ha cedido su componente de energa como seal til, la energa restante se disipa en forma de calor en una porcin adecuada del tubo. Para remover el calor, se utiliza generalmente uno de los cinco procesos siguientes: radiacin, enfriamiento por aire forzado, enfriamiento por agua, enfriamiento por vapor y conduccin. Enfriamiento por radiacin. En este tipo de enfriamiento la porcin del tubo en que se disipa la potencia alcanza una temperatura tal que el calor se radia a los alrededores. La cantidad de calor que puede removerse por este procedimiento est dada, bsicamente por la ley de Stefan-Boltzmann:
P = t (T 4 T04 )
(1.3)
Donde: P = Potencia radiada en w/cm2. t = Emisividad trmica total de la superficie radiante. = Constante de Stefan-Boltzmann (5.6710-12 w cm-2 K-4). T = Temperatura de la superficie radiante en kevins. T0 = Temperatura de los alrededores en kelvins. Las emisividades trmicas de algunos materiales se dan en la tabla siguiente.
Material Aluminio Grafito de nodos Cobre Molibdeno Nquel Tantalio Tungsteno Porcelana vtrea Agua o hielo t 0.1 0.9 0.07 0.13 a 0.5 0.5 0.18 0.3 0.91 a 0.94 0.95 a 0.99
Enfriamiento por aire forzado En el enfriamiento por este mtodo, se hace circular un chorro de aire sobre los dispositivos a enfriar como se ilustra en la figura 69.
73
Flujo de aire
Fig. 69. Enfriamiento por aire forzado.
El calor que se puede extraer mediante este proceso se calcula como:

T P = 4.785QA 2 1 T1
(1.4)
Donde: QA = Flujo de aire en m3/min. T2 = Temperatura del aire extrado. T1 = Temperatura del aire suministrado. Un sistema completo de enfriamiento por aire en un transmisor de 2 kw, se ilustra en la figura 70.
Fig. 70. Sistema de enfriamiento por aire forzado.
74
En los equipos enfriados por aire forzado que utilizan vlvulas de vaco, el sistema de enfriamiento debe funcionar antes de que se apliquen a las vlvulas los voltajes de funcionamiento, en particular los de alta tensin y deben mantenerse funcionando durante unos minutos despus de apagar el equipo. La temperatura, flujo y presin del aire deben mantenerse correctamente, para lo que se utilizan sensores trmicos y de flujo, estos ltimos en forma de simples interruptores de paleta en los conductos de aire y activados por la presin de ste. Si la temperatura aumenta ms all del valor establecido por el fabricante o se reduce el flujo de aire, se corta automticamente el alto voltaje. Tambin en la secuencia de encendido, el alto voltaje no se aplica hasta que el sistema de enfriamiento est funcionando. Enfriamiento por agua En los tubos enfriados por agua, el nodo est embutido en una funda refrigerante que, a su vez, puede tener doble pared, en cuyo caso el agua fra entra entre el nodo y la cara interior de la funda y de salida, fluye entre las paredes interior y exterior. En vlvulas de alta disipacin, la turbulencia del agua y, por tanto, la velocidad con puede extraerse el calor, se aumenta mediante un devanado en hlice soldado en el interior de la funda, como se aprecia en la figura 71.
Fig. 71. Trodo enfriado por agua
Los factores fundamentales que intervienen en el intercambio de calor entre un cuerpo y el medio lquido refrigerante son: el calor especfico, la temperatura de ebullicin, la viscosidad y la velocidad del lquido refrigerante. Un aspecto importante es que no debe la temperatura mxima permisible del tubo de vaco. En tubos que utilizan cobre, esta temperatura no debe exceder los 300C. Debido a los elevados voltajes de funcionamiento, el agua refrigerante debe estar deionizada33, doblemente destilada y debe introducirse de forma tal que la resistencia de aislamiento entre nodo y tierra no se vea reducida. Si es necesario reducir el punto de congelamiento, puede utilizarse un anticongelante tal como una solucin de agua y glicol etlico en un sistema completo de circuito cerrado, con circuito de purificacin. En estos casos es necesario un flujo mayor, ya que las mezclas anticongelenates por lo general no enfran tan bien como el agua.
33
El agua demonizada es qumicamente estable y tiene elevada capacidad de transferencia de calor.
75
Los materiales de fontanera, as como las bombas y otros materiales que conforman el sistema refrigerante deben ser de cobre, nquel, bronce, Monel34, Inconel35 o acero inoxidable 347 y, de ste ltimo para las partes que requieran soldadura a fin de minimizar la accin galvnica. En contacto directo con el refrigerante no deben usarse acero, hierro, ni acero o hierro galvanizados, aluminio y magnesio. El latn debe utilizarse en la menor cantidad posible. El calor que se puede extraer mediante el enfriamiento por agua puede calcularse como:
P = QW (T2 T1 )
(1.5)
Donde QW es el caudal de agua en m3/min y T2 y T1 las temperatura del agua a la salida y entrada del sistema, respectivamente. Especificaciones de la pureza del agua El agua utilizada en los sistemas de enfriamiento por agua o vapor debe cumplir las siguientes especificaciones36: 1. La resistividad del agua 30C debe mantenerse a un nivel de 100 k-cm o superior. 2. El oxgeno en disolucin no debe exceder 0.5 partes por milln. 3. El facto pH debe mantenerse en un rango de 6 a 8. 4. El tamao de las partculas materiales disueltas no debe ser superior a 50 micras. 5. La temperatura del agua de entrada no debe exceder los 60C y se recomienda que est regulada en 5%. Enfriamiento por vapor Prcticamente todo lo mencionado en la seccin anterior es aplicable al enfriamiento por vapor. En este caso el agua al entrar en contacto con el tubo se convierte en vapor y ste es extrado hacia un circuito externo en que nuevamente se condensa, se enfra en intercambiadores de calor y se recicla de nuevo hacia el tubo. Conceptualmente el sistema de enfriamiento es similar al de enfriamiento por agua y, en la figura 72 se muestra esquemticamente un sistema de este tipo.
34
El Monel es una aleacin de nquel y cobre en proporcio de 2:1. Es ms duro que el cobre y extremadamente resistente a la corrosin. 35 Aleacin de nquel/cromo/molibdeno que ofrece una excelente combinacin de resistencia a la oxidacin, resistencia a las temperaturas elevadas y fabricacin snecilla. Su capacidad de resistencia a las grietas debidas a la corrosin bajo carga es excelente. 36 Water Purity Requurements in Water and Vapor Cooling Systems. CPI Application Note AEB-31, Pub. 2696, Rev. A 4/28/03.
76
Fig. 72 Sistema de enfriamiento por vapor. Al caldern (boiler) que encierra al nodo o al colector del amplificador de potencia, se le suministra agua mediante una tubera de material aislante, que al penetrar en el caldern se evapora de inmediato. Mediante otro tubo, tambin aislante, el vapor generado se extrae y es conducido a un condensador en donde vuelve de nuevo al estado lquido. Este condensador est enfriado por un ventilador de la capacidad suficiente y el agua resultante vuelve a circular de nuevo hacia el amplificador, constituyendo as un circuito cerrado de enfriamiento. El sistema cuenta con elementos de deteccin, tanto de la presin del vapor generado, como del nivel de agua. Si ste disminuye, se alimenta agua de un tanque de reserva mediante una vlvula solenidal.
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77
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Amplificadores de RF de Potencia Final

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AMPLIFICADORES DE ALTA POTENCIA DE RF CON VALVULAS ELECTRONICAS

Constantino Prez Vega Departamento de Ingeniera de Comunicaciones 2008

AMPLIFICACION DE ALTA POTENCIA DE RF CON VALVULAS ELECTRONICAS

Los trminos vlvula de vaco y tubo de vaco se emplean aqu indistintamente

100 W Combinador 2x1 200 W

100 W Combinador 2x1 100 W 400 W

Amp. Combinador 2x1

Seales en fase Seales con distinta fase

Fig. 3. Combinador de dos entradas.

a) Seales coherentes (suma de voltajes) W1 = 10 dBm 10 mw = 0.01 w.

W0 = W1 + W2 = 15 mw La diferencia entre un caso y otro es evidente.

Mercurio Calcio Bario Tungsteno toriado Oxido de nquel

4.4 2.5 2.0 2.63 0.5a 1.5

Fig. 4. Deteccin de la emisin termoinica sin aplicacin de voltaje al nodo (colector).

Corriente de nodo Richardson-Dusham

Fig. 6. Saturacin de la corriente de nodo debida al efecto de la carga de espacio.

(b) Fig 7. Tipos de filamentos

Fig. 8. Circuito de alimentacin del filamento

Fig. 9. Estructura de los sellos vidrio-metal

Fig. 10. Vlvula con el sello metal-cermica daado

Fig. 12 Circuito para determinar las curvas caractersticas de un trodo.

Fig. 13. Curvas caractersticas de un trodo 6N1P

Fig. 14. Curvas de voltaje de placa constante.

Fig. 14. Curvas de corriente constante

Figura 16. Caractersticas de un trodo de potencia 3CX400A7

De las expresiones anteriores puede obtenerse la relacin siguiente:

Fig. 17. Osciladores Hartley y Colpitts con trodo.

Fig. 19. Calentamiento por induccin

Fig. 21. Trodo de 100 kw para aplicaciones industriales y de comunicaciones

Fig. 22. Tres tipos de trodos

Fig. 23. Circuito amplificador bsico con trodo

La ganancia de voltaje de un amplificador con trodo est dada por:

Fig. 24. Amplificador clase C modulado en placa.

Reja pantalla Reja de control

Fig. 29. Caracterstica de la corriente de pantalla respecto al voltaje de placa.

Fotografa cortesa de Thomson Tubes Electroniques

V ( x) = Vmax cos x = Psal RL cos x

Fig. 34. Estructura interna de un diacrodo

Fig. 35. Distribucin de corriente y voltaje en un tetrodo y un diacrodo

Fig. 36. Pentodo

Imanes de confinamiento del hazelectrnico Cavidad de salida

Colector Haz Electrnico Tubo de arrastre

Anodo Seal de entrada Seal de salida

Fig. 39. Klystron utilizado en aceleradores de partculas

Fig. 40. Klystron de colector escalonado.

PPK 100% PAV

Fig. 41. IOT y Klystrodo.

Entrada de RF del excitador Choke de RF

Reja de control (-30 KV)

Placa para ajuste de sintona de la cavidad

Anodo (conectado a tierra) Haz electrnico hacia el colector

Fig. 42. Esquema de la regin del can electrnico de un IOT

Circuito de enfriamiento del colector

Colector Espacio al vaco en el interior del colector

Circuito de enfriamiento del cuerpo del tubo

Tubo de arrastre Anodo Can electrnico

Fig. 43. Estructura interna del IOT.

Fig. 44. Estructura del ctodo de un IOT.

Fig. 45, Estructura de la reja de control de un IOT.

La fuerza sobre los electrones se dirige radialmente hacia el centro

Fig. 46. Conformacin del haz electrnico.

http://www.advceramics.com/geac/products/pyrolytic_graphite/. (31 enero 2005). http://www-edd.tw.1-3com.com/edd/html/news/news_pyrolytyc.htm. (31 enero 2005).

Lneas del campo magntico Ctodo Haz electrnico Tubo de arrastre

Fig. 46. Estructura esquemtica del can electrnico de un IOT.