Introduccin

EL BJT COMO INTERRUPTOR MODOS CORTE-SATURACIN

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Para operar el BJT como un interruptor, se utilizan de manera combinada los modos de operacin corte y saturacin. La interrupcin de corriente slo puede ser del tipo de corriente directa. El camino de interrupcin es entre el colector y el emisor. Su aplicacin es principalmente en circuitos de control y en circuitos digitales.
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Modo de operacin Saturacin

La Figura 11 muestra la regin de operacin en modo saturacin. Un diodo en polarizacin directa necesita al menos 0 4 V antes d este valor 0.4 V; t de t l el diodo se puede decir que se encuentra en polarizacin inversa. inversa Si esto se aplica al transistor npn en la unin basecolector, el transistor se mantiene en modo activo. Por lo activo tanto es necesario un voltaje de polarizacin directo superior a 0.4 V, entre la base y el colector, , , para que el transistor entre en modo de saturacin.

Modelado de un transistor npn en saturacin

Cuando el diodo DC, Figura 12,de la unin BC comienza a conducir la corriente iBC se resta de la fuente controlada de corriente, el resultado es la reduccin de iC. Por lo tanto la corriente iB a travs de el diodo DC se incrementa. La corriente de colector est dada por iC = I S e vBE /VT I SC e vBC /VT la corriente de base es I iB = S evBE /VT I SC evBC /VT Combinando las ecuaciones se obtiene l relacin iC/iB para modo bi la l i d de saturacin, llamada forzada.

forzada =

iC iB

saturacin

El voltaje colector-emisor en saturacin es VCEsat = VBE VBC 0.1 a 0.3V Tpicamente se considera VCEsat = 0.2V

Figura 11. Relacin iC - vCB. iE se mantiene constante en modo activo, en modo saturacin iC decrece.
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Figura 12. Modelado de un transistor tipo npn en modo de operacin 49 saturacin.

Anlisis BJT. Interruptor abierto BJT

Para valores de vI < 0.5 V, el transistor se considera en corte. As que iB = 0, iC = 0 y vC = VCC. En este estado, el nodo C se considera desconectado de la referencia. El interruptor est en posicin de abierto abierto. Para encender el transistor, se tiene que incrementar el valor de vI por arriba de 0.5 p V; un valor tpico es de VBE = 0.7 V, por lo tanto vI debe de ser mayor a VBE. La corriente de base es v VBE iB = I RB y la corriente de colector iC = iB la l cual aplica i l li nicamente si el BJT est en i l modo activo.

Anlisis BJT. Interruptor cerrado BJT

Si se incrementa vI, iB tambin se incrementa y vC decrecer. vC puede llegar a un valor menor a 0.4 V menos que vB, lo que hace que el transistor salga del modo activo y entre a la regin de saturacin. Este punto se define como borde de la saturacin (EOSEdge Of Saturation) V 0.3V I C ( EOS) = CC RC donde la corriente de base en esta situacin es it i I C ( EOS) I B( EOS) = Para un valor de vI >VI(EOS), la corriente de base se incrementa hasta llevar al transistor a una saturacin profunda. El voltaje colector emisor decrece colector-emisor ligeramente hasta un valor razonable denominado VCEsat=0.2 V. La corriente de colector se mantiene constante y est expresada por VCC VCEsat RC En este momento el transistor se encuentra como interruptor cerrado, cerrado con una resistencia RCEsat muy baja y un pequeo VCEsat I Csat =
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Esto significa que la unin BC no est en polarizacin directa,vC > ( vB 0.4V ),donde vC est dado por p
vC = VCC RCiC
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El valor requerido de vI para que el transistor entre en saturacin es VI ( EOS) = I B( EOS) RB + VBE

Ganancia y Factor de Saturacin

Ganancia en corriente La ganancia en corriente de emisor comn disminuye y la nueva relacin se llama forzada. Queda expresada por Factor de saturacin La relacin de la corriente de base y la corriente de base al borde de saturacin se llama factor de saturacin
IB I B( EOS)

Anlisis en modo saturacin (1)

Calcular todos los voltajes y corrientes en el siguiente circuito Asumir que el circuito. valor de es muy grande y VBE = 0.7 V. V no es posible, V no
Si el transistor estuviese en modo activo,
C E

es =
e

+1

I I I E = C = IC , I B = C

=0

forzada

I = Csat IB

El voltaje en el emisor es VE = 6V VBE = 6V 0.7V=5.3V

puede ser mayor que VC. La solucin es inconsistente para operar en modo activo, Por lo tanto el transistor se encuentra en modo saturacin. saturacin IC IE, e IB 0 A
El voltaje colector-emisor en saturacin es 0 2 V 0.2 V,
el voltaje en el colector es VC = VE + VCEsat = 5.3 V + 0.2 V = 5.5 V La corriente de colector es

FS =

La corriente de emisor es V 0 V 5.3 V 1.6 mA IE = E = 3.3 k RE

Si la suposicin de I C = I E es correcta,
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el voltaje en el colector es

IC =

VCC VC 10 V- 5 5 V V 5.5 = = 0.957 mA RC 4.7 k

VC = VCC I C RC = 10 V (1.6 mAi4.7 k ) = 2.58 V

53 I = I E I C = 1.6 mA 0.957 mA = 0.643 mA

Referencias
Sedra Adel S., Smith Kenneth C., Microelectronic , , Circuits, Fourth edition, Oxford University Press, 1998. Boylestad, Robert L., Louis Nashelsky, Electrnica: B l t d R b t L L i N h l k El t i Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, 10a edicin, Mxico: Pearson Educacin, 2009. Sedra Adel S., Smith Kenneth C., Microelectronic Circuits, Sixth edition, Oxford University Press, 2010. Semiconductor T h i l D t MPS 2222/D S i d t Technical Data, 2222/D, Motorola.
Todas las figuras son propiedad de Microelectronics Circuits, Fourth Ed.
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