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Ejemplo TRAN1 Un transistor BJT de tipo npn y = 100 se conecta de la siguiente manera: la base se conecta al terminal positivo de una

pila de 5 V a travs de una resistencia de 100 kohmios; el colector se conecta al terminal positivo de otra pila de 10 V a travs de una resistencia de 100 ohmios el emisor se conecta a los terminales negativos de ambas pilas. En estas condiciones calcule la corriente de colector.

Ejemplo TRAN2 Un transistor BJT del tipo NPN con =100, se conecta a una pila de 30 V de la siguiente manera: el colector se conecta al terminal positivo de la pila a travs de una resistencia de 330 ohmios . La base tambinn se conecta al mismo terminal positivo de la pila a travs de una resistencia de 560 kohmios. El emisor de conecta directamente al terminal negativo de la pila. Calcule la tensin entre colector y emisor.

Reemplazamos nuestro circuito por un modelo equivalente manteniendo, claro esta, la unin de las dos mayas. Podemos plantear la ecuacin de cada uno de los subcircuitos. VbbIb*Rb Vd=0 y VccIc*RcVce, donde Vce es la tensin que cae en nuestro componente equivalente. Basndonos en los datos que conocemos calculamos: 2VIb*10K-0,7V=0 1,3V=Ib*10K Ib=1,3V/10K Ib=0,13ma. Habiendo averiguado la corriente de base y utilizando la formula Ic=*Ib, con un =100, podemos decir que Ic=100*0,13ma Ic=13ma. Reemplazamos los valores en la ecuacin de la segunda maya: 12V13ma*0,5K-Vce=0 Vce=12V6,5V Vce=5,5V. Lo nico que resta por calcular es la corriente del emisor que ya dijimos que es la suma de las corrientes que circulan por las dos mayas, entonces podemos decir que Ie=Ic+Ib Ie=0,13ma+13ma Ie=13,13ma. Basados en el circuito anterior, plantearemos una tabla que nos permite visualizar las diferentes zonas de trabajo de un transistor y las respuestas del mismo en las distintas regiones. En la primera fila el transistor se encuentra en corte, en la segunda y tercera en zona activa y en las dos ltimas se encuentra saturado

Este transistor, a diferencia del anterior es del tipo pnp. Una vez ms plantearemos las ecuaciones del circuito. No debemos perder de vista todos los conceptos utilizados en el ejercicio explicado anteriormente. VbbIb*RbVd=0 y VccIc*RcVce. Basndonos en la primera ecuacin podemos calcular: 3VIb*20K-0,7V=0 Ib=2,3V/20K Ib=0,115ma. Utilizando la formula Ic=*Ib, con un =100, podemos decir que Ic=100*0,115ma

Ic=11,5ma. Reemplazamos los valores en la ecuacin de la segunda maya: 18V11,5ma*1K-Vce=0 Vce=182V11,5V Vce=6,5V. De la misma forma que en el caso anterior solo resta calcular Ie=Ic+Ib Ie=0,115ma+11,5ma Ie=11,615ma.

En este caso la complicacin mayor esta dada por la presencia de una resistencia conectada al emisor. Como el circuito polariza al transistor con la conexin mediante emisor comn, esta resistencia es comn a las dos mayas y la encontraremos en el planteo de las dos ecuaciones, ah reside la complicacin. Intentemos plantear las ecuaciones: 2V0,7VIe*4,7K=0 y 8VIc*1K-Ie*4,7K-Vce=0, contamos con una formula que nos ser de ayuda en este caso Ic=*Ie con lo cual solo resta calcular y luego reemplazar. Con la primera formula podemos plantear: Ie=(2V0,7V)/4,7K Ie=1,3V/4,7K Ie=0,276ma. Con la formula Ic=*Ie calculamos Ic=0,995*0,276ma Ic=0,274ma. Reemplazando la segunda ecuacin: Vce=8V0,274ma*1K-0,276ma*4,7K Vce=8V0,274V1,3V Vce=6,426V

En este circuito debemos averiguar el valor de la resistencia Rc. La otra cuestin en particular es la corriente que circula por la resistencia de 1K, si vemos en el primero de los casos podremos observar que la corriente en esa porcin de la maya es Ic. Las ecuaciones serian: VbbIb*RbVbe=0 y VccIc*RcVceIc*Rc2. 3VIb*22K-0,7V=0 Ib=2,3V/22K Ib=0,104ma. Utilizando la segunda formula planteamos: 6V-0,104ma*RcVce-0,104ma*1K=0, ahora bien, si observamos el valor de que es muy bajo en relacin a los caso anteriores, podemos inferir que el transistor se encuentra saturado por lo cual Vce deber tener un valor de 0.

6V-0,1045ma*Rc0-0,104ma*1K=0 6V-0,104ma*Rc0,104V=0 Rc=4,96V/0,104ma Rc=4,769K.