Ejercicios Resueltos de Dispositivos Electrnicos I Examen de Septiembre de 2001 - Ejercicio 41 Enunciado

Calcular razonada y justicadamente el punto de trabajo del circuito de la gura, justicando los resultados obtenidos. Datos: VSS 18V , RG1 390K; RG2 270K; RS 3 3K y para el transistor M: VP 5 5V e IDss 30mA. Considerar la curva del transistor ideal.

RG 1

ID M VG S

RG 2

VR G 2

VR s VS S

RS

Figura 1: Sentidos de corrientes y tensiones para la solucin

Solucin
Este ejercicio es similar al ejercicio 4 del examen nal de septiembre de 2000, siendo diferentes los valores de las resistencias, el valor y polaridad de la fuente de alimentacin y el transistor es un JFET de tipo P. La manera de solucionarlo es similar, teniendo especial cuidado con los sentidos y signos de las tensiones y corrientes en el circuito. Para resolver el problema es necesario establecer el estado del transistor, realizar las operaciones en consecuencia y comprobar que los resultados numricos sean coherentes con la suposicin. Debido a la conguracin del circuito es posible que el transistor este en saturacin. Dando esta suposicin por vlida y teniendo en cuenta los sentidos de la tensiones y corrientes de la Figura 1 podemos calcular la tensin que cae en el resistor R G2 , teniendo en cuenta que la corriente que entra por la puerta del transistor es despreciable

que tiene el sentido indicado y valor negativo (como es el resultado de una operacin, conservamos 5 cifras). Sabemos que para el transistor M, que es un FET de canal P, la corriente de drenador ID cumple

y de la malla inferior del circuito

1 Resuelto

por el Prof. Andrs A. Nogueiras Melndez, aaugusto@dte.uvigo.es, 2001

ID

IDss 1

VGS Vp

     

VRG2

RG2 RG1 RG2

VSS

270k 270k 390k

18 v

7 36364V

  



(1)

(2)

ID

VRG2 VGS RS

Esta ltima ecuacin requiere especial atencin y anlisis para reemplazar el valor de la tensin puerta surtidor por su mdulo. Al ser M un transistor tipo P, la tensin entre puerta y fuente aplicada debe ser cero o positiva. Por lo tanto es posible escribir la ecuacin 3 como: VRG2 VGS ID (4) RS igualando las ecuaciones 2 y 4 y operando para despejar el valor de VGS 0

IDss

VRG2 RS

2 IDss Vp

1 RS

30 mA

7 364 V 3 3K
3

Vp 2 30 mA 5 5V
3

VGS

IDss

27 76960 10

11 21212 10

Vgs

resolviendo la ecuacin de segundo grado, obtenemos dos posibles valores: VGS 1 7 64122V, que no vale como solucin, pues al ser mayor que Vp 5 5V , estara el transistor en corte (que es incoherente con la suposicin inicial) y VGS 2 3 66434V, que es el valor correcto con las suposiciones que hemos hecho. El valor real de la tensin entre puerta y surtidor, de acuerdo con lo expuesto anteriormente es VGS 3 66434V. Luego el valor de la corriente de drenador de la ecuacin 3 es 7 36364 V 3 66434V ID 3 342mA (8) 3 3K y la tensin entre drenador y surtidor es VDS

VSS

RS ID

18 V

3 3K

Falta por comprobar que los valores calculados son coherentes con la suposicin del transistor en zona de saturacin

6 972

55

3 664

y por lo tanto la suposicin es correcta. Por lo tanto el punto de trabajo del transistor es: VDS

6 972V y ID

3 342mA

Comprobaciones
Si se escoge que el transistor est bien en zona ohmica o en corte se llegan a resultados incoherentes. Comenzemos por el transistor en zona ohmica. Su resistor equivalente entre drenador y surtidor es rDS 183 33333

la corriente que atraviesa el transistor y el resistor de surtidor es ID rDS

como la corriente por la puerta del transistor sigue siendo despreciable, el valor de la caida de tensin en el resistor R G2 es VRG2 7 36364V, consecuentemente la caida de tensin entre puerta y surtidor es VGS VRG2 ID RS 7 36364 V 5 16746 mA 3 3K

este valor implicara que el transistor est en corte y no en zona ohmica. Por lo tanto la suposicin es incorrecta. Si suponemos que el transistor est en zona de corte, no circula corriente por el transistor ni por la resistencia R S , y la tensin VGS 7 36364V, que al ser negativa est fuera de las condiciones de funcionamiento del JFET.



VSS RS

18V 183 33333 3 3K

Vp IDss

5 5V 30mA

VDS

Vp

VGS

3 34181 mA

5 16746mA

    

   

(3)

VGS

(5)
2

1 3 3K

VGS

30 mA
2 6

5 5V

VGS

(6) (7)

991 73554 10

Vgs



6 972V

(9)

(10) (11)

9 68898V