Transistores: en el capitulo anterior se estudiaron diodos semiconductores, estos son dispositivos de dos patas, que tienen propiedades nicas

que lo hacen tiles para muchas aplicaciones (rectificacin de seales, limitacin, regulacin de voltaje, fijacin de voltaje, conformacin de ondas, etc.). Sin embargo, tienen muchas limitaciones que impiden usarlos por ejemplo como amplificadores, de all que los diodos P-N, se aplican principalmente donde se pueden aprovechar sus caractersticas de resistencia no lineal.

Materia Semiconductor

R variable con caractersticas no lineales

Transistor Bipolar o BJT Transistor es un elemento de tres patas. Bipolar, porque tiene portadores de las dos polaridades. Fue desarrollado por fsicos estadounidenses Walter Houser, John Bardien y William Bradford de laboratorio Bell. Con este descubrimiento lograron el premio nobel de 1956. El Transistor fue diseado para amplificar seales, pero tambin se utiliza para circuitos lgicos. El principio bsico de un amplificador es una fuente controlada. Ejemplo:

Por lo tanto un dispositivo con estas caractersticas debe tener como mnimo tres patas. Donde voltaje o una corriente entre dos terminales controla la corriente que fluye en la tercera. Se puede hacer una analoga del transistor como una llave de agua donde el control del paso de flujo de agua se realiza con el control del grifo.

La base del diseo es crear una fuente controlada. Para esto se utilizan tres placas semiconductoras.

Emisor: Inyectado intenso, proporciona muchos portadores mayoritarios.

Colector: Poco inyectado, pero de tamao mayor para dar los portadores requeridos. Base: Poco inyectado y delgado solo tiene unos cuantos portadores mayoritarios y minoritarios. Si el emisor es P el colector es P y la base debe ser N si por el contrario el emisor es N el colector N la base debe ser P. Smbolos:

El emisor suministra los portadores mayoritarios para el flujo de corriente. Caractersticas de Operacin: Modo convencional: Amplificar y como interruptor En el caso del NPN el colector es ms positivo con respecto al emisor.

controlado.

Modo Inverso: Solo aplicaciones muy especiales. La tensin del emisor es ms positiva con respecto al colector en el caso del transistor NPN. Caractersticas elctricas en modo convencional Transistor NPN Entre base y emisor hay un diodo por lo tanto:

Primero se vara Vbb, Vcc fija y se mide Ib I =

V R

Segundo se ajusta Vbb, se mide Ib, Ic, Vce y se varia Vcc para cada Vbb constante.

Modelo circuital del Transistor NPN Regin Corte: En esta regin la Ib es muy pequea. El transistor estar en esta regin si la tensin base-emisor es insuficiente para alcanzar la polarizacin directa. I =I =I =0

Regin Activa: Trabajar en esta regin si el diodo que aparece en la unin base-emisor es polarizado directamente y comienza a circular corriente, la I b e Ic. Produciendo un V > V y V 0.7V. | V > |V I = I ( + 1)

En esta regin el transistor, se utiliza como amplificador ya que el en los transistores es mucho mayor a 1 ( 1) y es la ganancia de corriente = polarizado directamente y el V Regin de Saturacin: Un transistor trabajar en esta regin siempre y cuando el diodo est

=V

se debe cumplir que I

>

Los modelos circuitales de las regiones son aproximados por las siguientes curvas.

Mtodo para solucin de circuitos con transistores NPN en corriente contina. 1. Asumir una regin de operacin del transistor (se utiliza el modelo de la regin seleccionada). 2. Se dibuja el circuito y se comprueba la regin. Regin de Corte: I = I = I = 0 Regin Activa: V >V

3. Si se comprueba y se finaliza el circuito, de lo contrario se asume otra regin Nota: Para los Transistores PNP se utiliza el mismo mtodo a excepcin de los modelos.

Regin de Saturacin: I

>

Modelo circuital para el Transistor PNP

Regin Corte: I = I = I = 0 Regin Activa: V < |V |

Regin Saturacin:

V V

= 0.7V = 0.3V I I >