PUENTE RECTIFICADOR CON DIODOS

Aura Mara Hernndez Castellanos, Juan Manuel Ortiz Vargas

Universidad Distrital Francisco Jos de Caldas Bogot D.C, Colombia
aumhernandezc@correo.udistrital.edu.co jmortizv@correo.udistrital.edu.co

Abstract This document describes the seventh embodiment of the analytical laboratory practice circuit I, is verified experimentally the full wave rectification of a, by means of a bridge rectifier, which is constructed with four diodes type 1N4148. Resumen - En este documento se describe la realizacin de la septima practica de laboratorio de anlisis de circuitos I, se verifica experimentalmente la rectificacin de una onda completa, por medio de un puente rectificador, el cual esta construido con cuatro diodos de tipo 1N4148.
Fig.1 Generador de Seales.

I. INTRODUCCIN Esta prctica de laboratorio consisti en la construccin y anlisis de un circuito conformado por cuatro diodos y una resistencia, para observar la relacin y comportamiento entre las seales tanto de entrada como de salida, es decir sobre la carga. II. MARCO TEORICO El comportamiento de los dispositivos que hacen parte de un circuito electrico puede ser analizado de diferentes formas, una de ellas es experimentalmente, con ayuda de dispositivos como el generador de seales y el osciloscopio.
Fig.2 Osciloscopio.

A. Generador de seales Es un aparato electrnico que genera diferentes formas de onda cuyas frecuencias son ajustables desde una fraccin de hertz hasta varios cientos de kilo hertz. Las seales ms frecuentes son ondas sinusoidales, triangulares, cuadradas. Fig. 1. B. Osciloscopio El osciloscopio es bsicamente un dispositivo de visualizacin grfica que muestra seales elctricas variables en el tiempo. En el eje Y se representa el voltaje; mientras que el eje X, representa el tiempo, con este instrumento podemos determinar el periodo, el voltaje y la frecuencia de una seal entre otras.Fig.2.

C. Puente rectificador Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Un diodo semiconductor est hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en l para crear una regin que

contiene portadores de carga negativos (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una regin en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin. El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar, al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p. Al establecerse esta corriente aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona de carga. Fig.3.

Fig.3.1 En la zona de carga aparece un campo elctrico que se opone al movimiento por difusin de los electrones.

Polarizacin directa de un diodo Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. Fig.3.2. En estas condiciones se observa que: El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto, el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera. De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

Fig.3. Al poner en contacto una zona p y una zona n aparece en las proximidades de la unin una zona en la que no existen cargas libres. Es la zona de carga espacial.

A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos. Fig. 2.1 Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio. La anchura de zona de carga una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.

Fig.3.2 Polarizacion de un diodo en directa, cuando el voltaje de V es mayor que el de Vy.

Polarizacin inversa de un diodo En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin: El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos. Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, est tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable. Fig3.3

Fig.3.3 Polarizacion de un diodo en inversa, el voltaje Vo alcansa a ser igual al voltaje de la bateria V. La zona espacial de carga es mucho mayor. Curva caracterstica del diodo Tensin umbral, de codo o de partida (V ). La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. Corriente mxima (Imax ). Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo

del mismo. Corriente inversa de saturacin (Is ). Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitiendo que se duplique por cada incremento de 10 en la temperatura. Corriente superficial de fugas. Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas. Tensin de ruptura (Vr ). Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.

Fig.5. Onda sinusoidal antes del puente de diodos.

Convenciones: VPk-Pk= Voltaje pico a pico. Duty% =Congruencia entre +V(t) y V(t) VPk= Voltaje de 0V a +Vmax. A. SEAL SINUSOIDAL. En primera instancia analizamos el comportamiento de una seal sinusoidal los resultados se encuentran continuacin Fig.5.y Fig.6. : Tabla 1
Medidas en entrada y salidas.

Fig.3.4

Entrada Salida Duty% 50% 50%

VPk-Pk 20.8V 10V VPk 10.4V 5.2V

Frecuencia 200Hz 416.6Hz Periodo 5ms 2.4ms

Entrada Salida

Fig.3.4. Curva caracteristica del diodo

II. MARCO TEORICO Durante esta primera parte del laboratorio, se presentara un anlisis sobre el puente de diodos, analizando el comportamiento de el voltaje en AC antes de entrar al puente de diodos y despus de puente de diodos.Fig.4.
Fig.6. Onda sinusoidal despus del puente de diodos.

Fig.4. Circuito de implementacin.

Fig.7. Onda sinusoidal despus del puente de diodos.

B.SEAL TRIANGULAR. Ahora se analizara el comportamiento de una seal triangular los resultados se encuentran continuacin Fig.7.y Fig.8. : Tabla 2
Medidas en entrada y salidas.

Entrada Salida

Duty% 48.41% ----

VPk 23.2V ----

Periodo 5.4ms ----

Entrada Salida Entrada Salida Duty% 48.8% 48.8%

VPk-Pk 19.6V 9.8V VPk 9.8V 4.9V

Frecuencia 200Hz 378.7Hz Periodo 5ms 2.64ms

C.SEAL CUADRADA. Ahora se analizara el comportamiento de una seal cuadrada o a pulsos, los resultados se encuentran continuacin Fig.9.y Fig.10. :
Fig.10. Onda sinusoidal despus del puente de diodos.

V. CONCLUSIONES + Se puede concluir que la salida de voltaje tiene una perdida en el mismo, debido a que los diodos consumen un poco de voltaje, ya sea de 0.7V para diodos de silicio y 0.3V para diodos de germanio. +Se observa que la salida de frecuencia es casi el doble ya que en la salida del puente rectificador los lapsos de tiempo donde la onda sinodal es V(t) antes del puente rectificador, est saliendo al mismo tiempo una parte +V(t), lo cual hace que se duplique el numero de ciclos por segundo. +Al duplicarse la frecuencia el Periodo(T) disminuye a la mitad por ser ms corto el lapso de tiempo en el que vuelve a iniciar el ciclo. + El pico va a ser la mitad del voltaje pico a pico, donde el voltaje pico ser el que se utilice para implementar en el circuito de la fuente. +En las seales tipo triangular y sinusoidal las condiciones anteriormente mencionadas en las conclusiones se aplican, pero en la seal cuadrada no, ya que en la salida despus de puente rectificador la seal cuadrada al tener lapsos de tiempo donde el voltaje es estable , la salida ser la sucesin de todos los ciclos estables de +V , por lo cual la salida mas aproximada ser una seal DC. Referencias [1] Fundamentos de Circuitos elctricos. Sadiku. Capitulo 2 Leyes Bsicas. [2] Anlisis de circuitos en ingeniera, 7ma ed. Willian H. Hayt, Jr Jack E. Kemmerly Steven M. Durbin. [3] Introduccin al Anlisis de Circuitos, 10ma Edicin Robert L. Boylestad. [4]Malvino , Albert Paul Principios de Electronica.

Fig.8. Onda sinusoidal despus del puente de diodos.

Tabla 3
Medidas en entrada y salidas.

Entrada Salida

VPk-Pk 23.2V 9.8V

Frecuencia 198.4Hz ----

Fig.9. Onda sinusoidal despus del puente de diodos.