UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

Inversores de Modulacin de
Ancho de Pulso
Introduccin
Inversor: convertidor de cd a ac
Funcin de un inversor: cambiar un voltaje de
entrada en cd a un voltaje simtrico de salida
Ganancia K = Vca / Vcd
Inversores ideales: onda de salida sinusoidal
En mediana y baja potencia es aceptable ondas
cuadradas
En alta potencia son necesarias ondas
sinusoidales
Con dispositivos semiconductores de
potencia de alta velocidad se puede
minimizar el contenido de armnicos del
voltaje de salida con las tcnicas de
conmutacin.
Aplicaciones: Propulsin de monitores de ca
de velocidad variable, calefaccin por
induccin, fuentes de respaldo y de poder,
alimentaciones interrumpidas de potencia,
etc.

Salidas monofsicas tpicas:
120 V a 60 Hz.
220 V a 50 Hz y
115 V a 400 Hz.

Para sistemas trifsicos de alta potencia las
salidas tpicas son:
220/380 V a 50 Hz.
120/208 V a 60 Hz.
115 V a 400 Hz.

Contenido
1. Principio de Operacin
2.Parmetros de Rendimiento
3. Inversores Monofsicos en Puente
4. Inversores Trifsicos
5. Control de Voltaje de los Inversores Monofsicos
2. Parmetros de rendimiento
3. Inversores Monofsicos en Puente
4. Inversores Trifsicos
5. Control de voltaje de los Inversores Monofsicos
1. Principio de Operacin
Inversor monofsico de medio puente
circuito
Est formado por dos
pulsadores
Cuando slo el transistor Q1
est activo durante el tiempo
T
0
/2, el voltaje instantneo a
travs de la carga Vo es Vs /2.
Si slo el transistor Q2 est
activo durante un tiempo T
0
/2,
aparece el voltaje Vs/2 a
travs de la carga.
El circuito lgico debe
disearse de tal forma que Q
1

y Q
2
no estn activos
simultneamente.
0
R
D1
D2
a
Q1
Q2
Vao=Vo
+
-
2
s
V
i
0
i
1
i
2
2
s
V
Ondas con carga resistiva La Fig. muestra la de onda
para voltajes de salida y
las corrientes de los
transistores para una
carga resistiva.
Es un inversor de medio
puente.
Requiere de una fuente de
cd de tres conductores,
cuando un transistor est
inactivo, su voltaje inverso
es V
S
en vez de V
S
/2.
El voltaje rms de salida se
puede encontrar a partir
de:

1/ 2
2
0/ 2
0
0
0
2
4 2
T
S
V Vs
V dt
T
| |
= =
|
\ .
}
2
S
V
2
S
V

corriente
fundamental i
01
2
0
T
0
T
0
t
Vao=Vo

1
R
V
S
2
R
V
S
2
2
0
T
0
T
t
0
i
1
i
2
2
0
T
0
T
t
Corriente de la carga con carga altamente
inductiva
fL
V
S
4
i
0
0
t
D1 D1 Q1 D2 Q2
on on on on on
El voltaje instantneo de salida (en serie de Fourier):

(10-2)
Para n=1, la ecuacin proporciona el valor rms de la
componente fundamental como:

(10-3)

Si Q
1
es desactivado en t=To/2, la corriente de la carga
seguir fluyendo a travs de D
2
, la carga y la mitad inferior
de la fuente de cd, hasta que la corriente llegue a cero.
En forma similar, cuando Q
2
se desactiva en t=To, la
corriente de la carga fluye a travs de D1, la carga y la
mitad superior de la fuente de cd.
Cuando el diodo D
1
o D
2
conducen, la energa es
retroalimentada a la fuente de cd por lo que estos se
conocen como diodos de retroalimentacin.

0
1,3,5
2
0, 2, 4,
x
n
Vs
V sen nwt n
nt
=
= = =

2
1 0.45
2
Vs
V Vs
t
= =
Los transistores pueden substituirse por GTO o por
tiristores de conmutacin forzada.
Si tq es el tiempo de desactivacin de un tiristor, debe
existir un tiempo mnimo de retraso tq entre el tiristor que
se desactiva y el disparo del siguiente tiristor.
En la prctica, incluso los transistores requieren de un
cierto tiempo de activacin y desactivacin.
Para una carga RL, la corriente instantnea de la carga i
0
se puede determinar a partir de:
(10-4)

Si I
01
es la corriente rms de la componente fundamental de la
carga, la potencia de la componente fundamental de salida
(para n = 1) es: P
01
= V
1
I
01
cos u
1
= I
2
01
R (10-5)

0
1,3,5
2
( )
( )
x
m
n
Vs
i sen nwt
n R nwL
u
t
=
=
+

3. Inversores Monofsicos en Puente

4. Inversores Trifsicos
5. Control de Voltaje de los Inversores Monofsicos
1. Principio de Operacin
2. Parmetros de rendimiento
Factor armnico de la
ensima componente, HF
n

:

Distorsin total armnica
THD :


Factor de distorsin DF :es
una media de la eficacia
en la reduccin de las
componentes armnicas
no deseadas



Factor de distorsin de una
componente armnica
individual:

Armnica de menor orden
LOH :es aquella
componente cuya
frecuencia es ms cercana
a la fundamental, y cuya
amplitud es mayor que o
igual al 3% de la
componente fundamental.


1
(10.6)
n
n
V
HF
V
=

1/ 2
2
2,3
1
1
(10.7)
x
n
n
THD V
V
=
| |
=
|
\ .

1/ 2
2
2,3
1
1
(10.8)

x
n
n
V
DF
V n
=
(
| |
=
(
|
\ .
(

1
(10.9)

n
n
V
DF
V n
=
Ejemplo: Un inversor monofsico de medio puente
tiene una carga resistiva R=2.4O y una tensin de
entrada en cd V
S
= 48 V. Determine:
a) La tensin rms de salida a la frecuencia fundamental.
b) La potencia de salida P
0
.
c) Las corriente promedio y de pico de cada transistor,
d) La tensin de bloqueo inverso pico VBR de cada
transistor.
e) La distorsin armnica total THD,
f) El factor de distorsin DF,
g) El factor armnico y el factor de distorsin de la
armnica de menor orden.

Solucin
V
S
= 48 V y R =2.4O
a) De la ecuacin (10-3). V
1
= 0.45 x 48 = 21.6 V
b) De la ecuacin (6-1), V
o
= V
s
/2 = 24 V. La potencia de salida
P
o
= V
0
2
/R = 24/2.4 = 240 W
c) La corriente pico de transistor l
p
= 24/2.4 = 10 A. Dado que cada
transistor conduce durante el ciclo de trabajo de 50%, la
corriente promedio de cada transistor es I
D
= 0.5 x 10 = 5 A
d) El voltaje pico inverso de bloqueo , V
BR
= 2 x 24 = 48V
e) A partir de la ecuacin (10-3), V
1
= 0.45 V
S
, el voltaje armnico
rms V
h
es:
V
h
= (

V
on
2
)
1/2
=(V
0
2
-V
01
2
)
1/2
=0.2176 V
S


n=3,5,7

De la ecuacin de THD:
THD = 0.2176V
S
/ (0.45V
S
) = 48.34%

f) De la ecuacin (10-2) se puede calcular V
on
y despues
determinar:
(

(V
on
/n
2
)

2
)
1/2
=((V
03
/3
2
)
2
+(V
05
/5
2
)
2
+(V
07
/7
2
)
2
+ )

= 0.024 V
n = 3,5,7



De la ecuacin de DF:
DF = 0.24Vs/(0.45Vs) = 5.382%

g) La armnica de menor orden es la tercera,

V
3
= V
1
/3. De la ecuacin (10-6), HF
3
= V
3
/V
1
= 1/3 = 33.33% y,
de la ecuacin (10-9),

DF
3
= (V
3
/ 3)/V1 = 1/27=3.704%

Entonces LOH = V
3


2. Parmetros de rendimiento
4. Inversores Trifsicos
5. Control de Voltaje de los Inversores Monofsicos
1. Principio de Operacin
3. Inversores Monofsicos en Puente
Inversores monofsicos en puente
circuito
Est formado por cuatro
pulsadores
Cuando los transistores
Q
1
y Q
2
se activan
simultneamente, el
voltaje de entrada Vs
aparece a travs de la
carga.
Si los transistores Q
3
y Q
4

se activan al mismo
tiempo, el voltaje a travs
de la carga se invierte, y
adquiere el valor: V
S
.
R
D1
D2
a
Q2
2
s
V
i
0
2
s
V
Q1
0
b
D3
D4
Q3
Q4
forma de onda para el voltaje
de salida (Fig.)
El voltaje rms de salida se
puede determinar a partir de


La ecuacin se puede
extender para que exprese el
voltaje instantneo de salida
en una serie de Fourier
como:


La componente fundamental:

Formas de onda
1/ 2
/ 2
2
0
0
0
2
(10 10)
To
S S
V V dt V
T
| |
= =
|
\ .
}
0
1,3,5...
4
n t
x
S
n
V
v sen
n
e
t
=
=

(10 12)
1
4
0.90
2
S
S
V
V V
t
= =
2
S
V
corriente
fundamental Ia
1
0
t

1
2
0
T
0
T
t
0
2
0
T
0
T
t
2
S
V
S
V
0
Vao
v
bo
v
ab
i
a1
La corriente
instantnea de la carga
i
0
para una carga RL:


Cuando los diodos D
1
y
D
2
conducen, se
retroalimenta la
energa a la fuente de
cd por lo que se dice
que D
1
y D
2
son diodos
de retroalimentacin.
Forma de onda (carga RL)

Fig. Corriente con carga
altamente inductiva

0
1,3,5
4
( )
( )
x
n
n
Vs
i sen n t
n R nwL
e u
t
=
=
+

fL
V
S
4
i
0
0
t
D1 D2 Q1 Q2 D3 D4 Q3 Q4
on on on on
EJEMPLO

Un inversor monofsico en puente tiene una carga resistiva
R=2.4O y una tensin de entrada en cd VS= 48 V.
Determine:
a) La tensin rms de salida ala frecuencia fundamental.
b) La potencia de salida P0.
c) Las corriente promedio y de pico de cada transistor,
d) La tensin de bloqueo inverso pico VBR de cada
transistor.
e) La distorsin armnica total THD,
f) El factor de distorsin DF,
g) El factor armnico y el factor de distorsin de la armnica
de menor orden.
Solucin
Vs = 48 V y R = 2.4 O
a) De la ecuacin (10-12). V
1
= 0.90 x 48 = 43.2 V
b) De la ecuacin (10-10), V
o
= V
s
= 48V. La potencia de
salida P
o
= Vs/R = 48/2.4 = 9.60 W
c) La corriente pico de transistor l
p
= 48/2.4 = 20 A. Dado que
cada transistor conduce durante el ciclo de trabajo el 50%,
la corriente promedio de cada transistor es I
D
= 0.5 x 20 =
10 A
d) El voltaje pico de bloqueo inverso, V
BR
= 48V
e) A partir de la ecuacin (10-12), V
1
= 0.9 V
S
, el voltaje
armnico rms V
h
es:



V
h
= De la ecuacin de THD:
THD = 0.4359V
S
/ (0.9VS) = 48.34%
1/ 2
2 2 2 1/ 2
0 1
3,5,7
( ) 0.4352
x
h n
n
V V V V V
=
| |
= = =
|
\ .

f)

De la ecuacin de DF:
DF = 0.03424Vs/(0.9Vs) = 3.804%

(g) La armnica de menor orden es la tercera,
V
3
= V
1
/3. De la ecuacin (10-6), HF3= V
3
/V
1
=
1/3 = 33.33% y, de la ecuacin (10-9), DF
3
=
(V
3
/3/V1 = 1/27=3.704%

1/ 2
2
3,5,7
0.03424

,
n
n
V
V
n

=
(
| |
=
(
|
\ .
(

Ejemplo
El inversor puente de la fig.10.2-a tiene una carga RLC con
R=10 O, L=31.5 mH, y C=112 F.
La frecuencia del inversor, f
o
= 60 Hz. y el voltaje de
entrada en cd, Vs = 220V,
a) Exprese la corriente instantnea de la carga en series de
Fourier. Calcule:
b) La corriente rms de la carga a la frecuencia fundamental I
1
;
c) La distorsin armnica total THD de la corriente de la
carga;
d) La potencia demandada por la carga P
o
y la potencia
fundamental P
o1
;
e) La corriente promedio de la alimentacin en cd I
S
; y
f) La corriente rms y pico de cada transistor,
g) Dibuje la forma de onda de la corriente fundamental de la
carga y muestre los intervalos de conduccin de los
transistores y de los diodos.
h) Calcule el tiempo de conduccin de los transistores y los
diodos.
Solucin
Para la ensima armnica tenemos:



De la ecuacin (8-11), el voltaje instantneo de salida puede
expresarse como:
Vo(t) = 280.1 sen(377t)+93.4sen(3x377t)+56.02sen(5x377t)
+ 40.02 sen (7 x 377t) + 31.12 sen (9 x 377t) + ...
Luego
i
0
(t) = 18.1 sen (377t + 49.72) + 3.17 sen (3 x 377t 10.17) +
sen (5 x 377t 96.63) + 0.5 sen (7 x 377t 82.85) + 0.3
sen (9 x 377t - 84.52) + .
(b) La corriente fundamental pico de la carga, I
m1
= 18.1 A. La
corriente rms de la carga a la frecuencia fundamental, I
01
=
12.8A.
XL = j2n x 60 31.5 x 10-3 = j 11.87 n
6
10 23.68
2 60 112
j j
Vc
n x x n t

= = O
| | | |
1/ 2
10 (11.87 23.68/
n
Z n n = +
1 1
11.87 23.68/ 2.368
tan tan 1.187
10
n
n n
n
n
u

| |
= =
|
\ .
(c) Considerando hasta la noventa armnica, la corriente pico
de la carga.
I
m
= (18.1 + 3.17 +1.0 + 0.5 + 0.3)1/2 = 18.41 A
La corriente armnica rms de la carga es:





(d) la corriente rms de la carga I
o

y la potencia de la carga P
o
= 13.022 x 10 = 1695 W. Utilizando
la ecuacin (10-5), la potencia fundamental de salida es:

P
01
= I
2
01
R = 12.82 x 10 = 1638.4 W
La corriente promedio de alimentacin:
I
S
=1695/220=7.7 A
( )
1/ 2
2 2
1
18.41 18.1
2.3789
2
b m m
I I I A

= = =
( )
( )
1/ 2
1/ 2
2
2 2
1
1
18.41
1 18.59%
18.1
m m
m
I I
THD
I
(

| |
( = = =
|
(
\ .

Io Im/ 2 18.41/ 2 13.02 , A ~ = =
f) La corriente pico del transistor Ip=Im=18.41 A.
La corriente rms mxima permisible de cada
transistor,

g) La forma de onda para la corriente fundamental
de la carga, i
1
(t), aparece en la fig.10-3.
De la fig.10.3-a, el tiempo aproximado de
conduccin de cada transistor se determina a
partir de: et
0
=180 49.72 = 130.28 o bien,
t
0
= 130.28 x t/(180 x 377) = 6031 s.
h) El tiempo de conduccin de cada diodo es
aproximadamente:

R
Io 18.41
I 9.2 A
2 2
2
p
I
= = = =
td = (180 - 130.28) x = 2302 s
180 x 377
t
Contenido
2.Parmetros de rendimiento
3. Inversores Monofsicos en Puente
5. Control de Voltaje de los Inversores Monofsicos
1. Principio de Operacin
4. Inversores Trifsicos
INVERSORES TRIFASICOS
Los inversores trifsicos se utilizan normalmente en
aplicaciones de alta potencia.
Tres inversores monofsicos de medio puente (o de puente
completo) pueden conectarse en paralelo para formar la
configuracin de un inversor trifsico.
Las seales de compuerta de los inversores monofsicos deben
adelantarse o retrasarse 120 uno con respecto al otro, a fin de
obtener voltajes trifsicos balanceados (fundamentales).
Los embobinados primarios del transformador deben aislarse
unos de otros, en tanto que los embobinados secundarios
pueden quedar conectados en estrella o en delta. Por lo
general, el secundario del transformador se
conecta en estrella, a fin de eliminar armnicas mltiplos de tres
(n = 3, 6, 9, ...) que aparecen en los voltajes de salida (la
disposicin del circuito se muestra en la fig.10.4-b).
Este dispositivo requiere de tres transformadores monofsicos,
12 transistores y 12 diodos.
Si los voltajes de salida de los inversores monofsicos no estn
perfectamente equilibrados en magnitud y en fase, los voltajes
de salida trifsicos tambin estarn desequilibrados.
Diagrama esquemtico
Inversor
1
Inversor
2
Inversor
3
+
-
A
B
C
D
E
F
Vs
a
b
c
n
V
AD
V
BE
V
CF
V
an
V
bn
V
cn
Diagrama de circuito

2
s
V
2
s
V
.
.
.
0
A
B
D
E
C F
Q1
D1
Q2
Q3
Q4
Q5
D2
D3
D4
D5
D6
Q6
D1'
D2'
D3'
D4'
D5'
D6'
Q1'
Q2'
Q3'
Q4'
Q5'
Q6'
a
b
c
n
R
.
n
.
R
R
.
Se puede obtener una salida trifsica a partir de una
configuracin de seis transistores y seis diodos, tal como la que
se muestra en la figura
A los transistores se les puede aplicar dos tipos de seales de
control: conduccin a 180 o conduccin a 120.
Fig. circuito
D1
a
2
s
V
2
s
V
Q1
0
D4
Q4
b c
g
1
Q3 Q5
Q2 Q6
D3 D5
D6 D2
i
a
i
b
i
c
Conduccin a 180
Cada transistor conducir durante 180.
Tres transistores se mantienen activos durante
cada instante del tiempo.
Cuando el transistor Q1 est activado, la terminal
a se conecta con la terminal positiva del voltaje de
entrada.
Cuando se activa el transistor Q4, la terminal a se
lleva a la terminal negativa de la fuente de cd.
En cada ciclo existen seis modos de operacin,
cuya duracin es de 60.
Los transistores se numeran segn su secuencia
de excitacin (por ejemplo, 123, 234, 345, 456,
561, 612).
Formas de onda para conduccin a 180
g
2
g
1
g
3
g
4
g
5
g
6
0
0
0
0
0
0
0
0
0
wt
wt
wt
wt
wt
wt
wt
wt
wt
Vs
Vca
Vab
Vbc
Vs
Vs
2
2
2
2

Las seales de excitacin mostradas en las Fig. anterior estn

desplazadas 60 unas de otras, para obtener voltajes trifsicos
balanceados (fundamentales).
La carga puede conectarse en estrella o en delta, como se
muestra en la Fig. siguiente.

Fig. conectado en delta y estrella
R
n
R
R
R R
R
a
b
c
a
b
c
En el caso de una carga
conectada en delta, las
corrientes de fase se obtienen
directamente de los voltajes
lnea a lnea. Una vez que se
conocen las corrientes de
fase, pueden determinarse las
corrientes de lnea.
En caso de una carga
conectada en estrella, los
voltajes de lnea a neutro
deben determinarse a fin de
encontrar las corrientes de
lnea o de fase.
Existen tres modos de
operacin en un medio ciclo,
los circuitos equivalentes
aparecen en la Fig.., para el
caso de una carga conectada
en estrella.
Circuitos
equivalentes
R
R
R
n
c
b
a
i
1
S
V
R
R
R
n
c
b
a
S
V
i
3
i
2
R
R
R
n
c
b
a
S
V
+
-
Durante el modo 1 para: 0 <
et < t/3:






Durante el modo 2 para: t/3
et < 2t/3:



Durante el modo 3
para: 2t/3 < et < t:

3
2 2
eq
R R
R R = + =
1
2
3
s s
eq
V V
i A
R R
= =
1
2 3
s
an cn
V i R
v v = = =
1
2
3
s
bn
V
v i R

= =
3
2 2
eq
R R
R R = + =
1
2
3
s s
eq
V V
i
R R
= =
2
2
3
s
bn
V
v i R = =
2
2 3
s
an cn
V i R
v v

= = =
3
2 2
eq
R R
R R = + =
1
2
3
s s
eq
V V
i
R R
= =
3
2 3
s
an cn
i R V
v v = = =
3
2
3
s
bn
V
v i R

= =



En la Fig. se muestra los voltajes lnea a neutro

2
2
2
3
3
3
t
t
t
3
S
V
3
2
S
V
3
2
S
V

3
S
V

3
S
V
3
S
V
Van
Vbn
Vcn
0
0
0
El voltaje instantneo lnea a lnea v
ab
, del inversor de
conduccin a 180, se puede expresar en una serie de
Fourier, reconociendo que v
ab
est desplazada en t/6 y las
armnicas pares son cero.


v
bc
y v
ca
pueden determinarse a partir de la ecuacin
mediante el desplazamiento de fase de v
ab
en 120 y 250,
respectivamente:




Podemos observar que las ecuaciones, que en los voltajes
lnea a lnea, las armnicas mltiplos de tres (n = 3,9,15...)
son cero.
1,3,5...
4
cos n t- (10.15)
6 2
x
s
bc
n
V n
v sen
n
t t
e
t
=
| |
=
|
\ .

1,3,5...
4 7
cos n t- (10.16)
6 2
x
s
ca
n
V n
v sen
n
t t
e
t
=
| |
=
|
\ .

1,3,5...
4
cos n t- (10.14)
6 6
x
s
bc
n
V n
v sen
n
t t
e
t
=
| |
=
|
\ .

Podemos observar que las

ecuaciones, que en los
voltajes lnea a lnea, las
armnicas mltiplos de tres
(n = 3,9,15...) son cero.
El voltaje rms lnea a lnea
se puede determinar a partir
de:



De la ecuacin, la ensima
componente rms del voltaje
de lnea es:




que, para n = 1, da el
voltaje de lnea
fundamental


El valor rms de los voltajes
de lnea a neutro se puede
determinar a partir del
voltaje de lnea:

1/ 2
2 / 3
2
0
2 2
( ) 0.8165 (10.17)
2 3
L s s
V V d wt Vs V
t
t
(
= = =
(

}
4
cos
6
2
s
Ln
V n
V
n
t
t
=
0
1 S
4 cos 30
0.7797 V
2
s
L
V
V
t
= =
s
2
0.4714 V (10.20)
3 3
l s
P
V V
V = = =
Con las cargas resistivas, los diodos a travs de los transistores
no tienen funcin.
Si la carga es inductiva, la corriente de cada brazo del inversor
se reemplazar en relacin con su voltaje, tal y como se
muestra en la Fig.
t
3
S
V
3
2
S
V
Van
2
0
T
0
T
t
0
D1
Q1

D4
Q4
t1 t2
Los transistores deben ser disparados
continuamente, dado que el tiempo de conduccin
de los transistores y de los diodos depende del
factor de potencia de la carga.
En el caso de una carga conectada en estrella, el
voltaje de fase es v
an
= v
an
/\3 con una retraso de
30.
Utilizando la ecuacin, la corriente de lnea ia para
una carga RL est dada por:




donde u
n
= tan-1 (nwL/R).
0
1,3,5
4
cos ( )(10.21)
6
3 ( )
x
n
n
Vs n
i sen nwt
n R nwL
t
u
t
=
(
=
(
+
(

Ejemplo
El inversor trifsico de la fig.10.5-a tiene una carga resistiva
conectada en estrella de R=5 O y L=23 mH.
La frecuencia del inversor es
0
=60 Hz. y el voltaje de
entrada de cd es Vs = 220 V.
a) Exprese el voltaje instantneo lnea a lnea v
ab
(t) y la
corriente de lnea ia(t) en series de Fourier. Determine:
b) el voltaje rms de la lnea V
L
;
c) el voltaje rms por fase V
p
;
d) El voltaje rms de lnea V
L1
a la frecuencia fundamental;
e) El voltaje rms por fase a la frecuencia fundamental, Vp1;
f) la distorsin armnica total, THD;
g) el factor de distorsin DF;
h) el factor armnico y el factor de distorsin de la armnica
de orden menor;
i) la potencia de la carga Po:
j) la corriente promedio del transistor ID; y
k) la corriente rms del transistor IR.
solucin
Vs = 220 V, R =5 O, 0 = 60 Hz. y e=2t x 60=377 rad/s.
(a) Utilizando la ecuacin (10-14), el voltaje instantneo
lnea a lnea v
ab
(t) se puede escribir como:
v
ab
(t) = 242.58 sen(377t + 30) 48.52 sen 5(377t +30)- 34.66
sen 7(377t + 30) + 22.05 sen11(377t+30)
+ 18.66sen13(377t + 30) 14.27 sen17(377t+30)


Utilizando la ecuacin (10-21), la corriente instantnea de
lnea (o de fase) est dada por:
ia(t) =14 sen(377t 60) - 0.64 sen(5x377t 83.4)
-0.33 sen(7x377t 85.3) + 0.13 sen(11x377t-87)
+0.10 sen(13x377t-87.5) 0.06sen(17x377t88)-
( ) ( )
2 2
2 2
ZL= tan-1(n L/R) 5 8.67 tan-1(8.67n/5) R nwL n + = +
(b) De la ecuacin (10-17):


(c) De la ecuacin (10-20):


(d) De la ecuacin (10-19):
V
L1
= 0.7797 x 220 = 171.53V.
e) V
p1
= VL1/3 = 99.03 v.
f) De la ecuacin (10-17):






2
0.8165 0.8165 x 220 179.63V
3
L s
V Vs V = = = =
s
2
0.4714 V 0.4714 x 220 103.7V
3
3
l s
P
V V
V = = = = =
0
1 S
4 cos 30
0.7797 V
2
s
L
V
V
t
= =
1/ 2
2
5,7,11...
= (VL - VL1)1/2 = 0.24236Vs
X
Ln
N
V
=
| |
|
\ .

De la ecuacin (10-17):
THD=0.24236VS/(0.7797Vs)=31.08%.
El voltaje armnico rms de la lnea es:


De la ecuacin (10-8): DF = 0.00666Vs/(0.7797Vs) =0.854%
h) La armnica de orden menor es la quinta, VLS=VL1/5.
De la ecuacin (10-6): HF5=VL5/VL1=1/5= 20%, y de la
ecuacin (10-9): DF5=(VL5/5)/VL1=1/125 = 0.8%
(i) Para cargas conectadas en estrella, la corriente de lnea es
la misma que la corriente de fase y la corriente rms de lnea.
1/ 2
2
2
5,7,11...
VLh = = 0.00666Vs
x
Ln
n
V
n
=
(
| |
(
|
\ .
(

( )
1/ 2
2 2 2 2 2 2
14 0.64 0.33 0.13 0.10 0.06
IL = = 9.91 A
2
+ + + + +
La potencia de la carga
P0 = 3lLR = 3 x 9.91 x 5 = 1473W.
(j) La corriente promedio de la alimentacin:
Is = Po/220=1473/220=6.7 A y la corriente
promedio del transistor: ID=6.7/3=2.23 A.
(k) Dado que la corriente de lnea est
compartida entre dos transistores, el valor
rms de la corriente del transistor es
IR = IL/3 = 9.91 /3 = 5.72 A.
Conduccin a 120
En este tipo de control, cada transistor
conduce durante 120. En cualquier
instante del tiempo, slo conducen dos
transistores.
Las seales de excitacin se muestran en
la siguiente
La secuencia de conduccin de los
transistores es 61, 12, 23, 34, 45, 56, 61.

Seales de compuerta para conduccin a 120
t
t
t
t
t
t
t
t
t
g
1
g
2
g
3
g
4
g
5
g
6
0
Vs
Van
Vbn
Vcn
Vs
Vs
0
0
Existen tres modos de
operacin en un medio ciclo,
los circuitos equivalentes
para una carga conectada en
estrella se muestran en la
fig.10.10-a.

Fig. 10.10 a. modo 1

Fig. 10.10 b modo 2






Fig. 10.10 c. modo 3

R
R
R
n
c
b
a
S
V
R
R
R
n
c
b
a
S
V
R
R
R
n
c
b
a
S
V
Durante el modo 1:
Para: 0 s et s t/3, conducen los transistores 1 y
6.

Durante el modo 2:
Para: p/3 s ets 2p/3, conducen los transistores 1 y
2.


Durante el modo 3:
Para: 2t/3 s et s 3t/3, conducen los transmisores
2 y 3.
Van = ; bn = ;Vcn = 0
2 2
s s
V V
V
Van = ; bn = 0;Vcn =
2 2
s s
V V
V
Van =0; bn = ;Vcn =
2 2
s s
V V
V
Los voltajes de lnea a neutro que se muestran en la
fig.10.10-b se pueden expresar en una serie de Fourier
como:






El voltaje de lnea ab es v
ab
= v
an
con un adelanto de fase de
30.
Existe un retraso de t/6 entre la desactivacin de Q1 y la
activacin de Q4. por lo tanto, no debe existir un corto circuito
en la alimentacin de cd a travs de un transistor superior y
uno inferior.
1,3,5.....
2Vs n
Van = cos sen n wt
n 6 6
x
n
t t
t
=
| |
+
|
\ .

1,3,5.....
2Vs n
Vbn = cos sen n wt
n 6 2
n
t t
t

=
| |
+
|
\ .

1,3,5.....
2Vs n 7
Vcn = cos sen n wt
n 6 6
n
t t
t

=
| |
+
|
\ .

En cualquier momento, dos terminales de la

carga estn conectadas con la alimentacin de
cd y la tercera se conserva abierta.
El potencial de este terminal abierta depende de
las caractersticas de la carga y es impredecible.
Dado que un transistor conduce durante 120,
para una misma condicin de la carga los
transistores se utilizan menos que en la
conduccin a 180.
2. Parmetros de rendimiento
3. Inversores Monofsicos en Puente
4. Inversores Trifsicos
1. Principio de Operacin
5. Control de Voltaje de los Inversores Monofsicos
Control de voltaje de los inversores
monofsicos
En muchas aplicaciones industriales, a menudo es
necesario controlar el voltaje de salida de los
inversores para hacer frente a las variaciones de
entrada de cd, para la regulacin del voltaje de los
inversores y para los requisitos de control
constante del voltaje y la frecuencia.
Existen varias tcnicas para modificar la ganancia
del inversor.
El mtodo ms eficiente de controlar la ganancia
(y el voltaje de salida) es incorporar en los
inversores el control de modulacin del ancho de
pulso (PWM).
Las tcnicas comnmente utilizadas son:
1) Modulacin de un solo ancho de pulso
2) Modulacin de varios anchos de pulso
3) Modulacin sinusoidal del ancho de pulso
4) Modulacin sinusoidal modificada del
ancho de pulso
5) Control por desplazamiento de fase.
1) Modulacin de un solo ancho de pulso
Fig.. seales
Ac
Ar
Seal portadora
Seal de referencia
Ac
Ar
t
d
d
t
t
t
Seal de excitacin para el transistor Q1
0

0
g
1
g
4
Vo
0
0
Vs
-Vs

2
2
2
Seal de excitacin para Q4
2
t
2
t
2 2
o t

2 2
o t
+
2
3t
2 2
o t

2 2
o t
+
En el control por modulacin de un solo ancho de pulso,
existe un solo pulso por cada medio ciclo, el ancho del
pulso se hace variar, a fin de controlar el voltaje de salida
el inversor.
La anterior muestra la generacin de las seales de
excitacin y el voltaje de salida para los inversores
monofsicos en puente completo.
Las seales de excitacin se generan comparando una
seal rectangular de referencia de amplitud, Ar, con una
onda portadora triangular de amplitud Ac.
La frecuencia de la seal de referencia determinada la
frecuencia fundamental del voltaje de salida.
Si se vara Ar desde 0 hasta Ac, el ancho de pulso, o, se
puede modificarse desde 0 hasta 180.
La relacin de Ar con Ac es la variable de control y se
define como el ndice de modulacin de la amplitud, o
simplemente ndice de modulacin.
(10-25)
r
c
A
M
A
=
El voltaje rms de salida se puede determinar
a partir de:

Aplicando la serie de Fourier al voltaje de
salida nos da:


Para evaluar el comportamiento de la
modulacin de un solo pulso para
inversores monofsicos en puente se ha
desarrollado el programa para computadora
PROG-5,
1/ 2
/ 2
2
0
/ 2
2
( ) (10-26)
2
s s
V V d wt V
t o
t o
o
t t
+

(
= =
(

}
0
1,3,5...
4
( ) (10-27)
x
S
n
V n
V t sen sennwt
n n
o
t t
=
=

La Fig. siguiente muestra el perfil de
armnicas con la variacin del ndice de
modulacin, M.
La armnica dominante es la tercera, y el
factor de distorsin aumenta en forma
significativa a un bajo voltaje de salida.
Fig. Perfil armnico de la Modulacin de un solo ancho de
pulso
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0.2 0.4
0.6
0.8
1.0 P=5
Vs
Vn
DF
DF (%)
1
V
3
V
5
V
0
0
0.2
0.4
0.6 0.8
1
V
1