Se denomina unin P-N a la estructura fundamental de los componentes electrnicos comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores BJT.

Est formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque tambin se fabrican de Germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o compuesto qumico.

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin. Es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.

Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo, en estas condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.
Polarizacin directa: se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de la unin P - N y la negativa a la N.

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial. La tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos. Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera. En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad

El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

La ecuacin de diodo ideal de Schockley o la ley de diodo se deriva de asumir que solo los procesos que le dan corriente al diodo son por el flujo (debido al campo elctrico), difusin, y la recombinacin trmica.
Tambin asume que la corriente de recombinacin en la regin de agotamiento es insignificante. Esto significa que la ecuacin de Schockley no tiene en cuenta los procesos relacionados con la regin de ruptura e induccin por fotones. Adicionalmente, no describe la estabilizacin de la curva I-V en polarizacin activa debido a la resistencia interna.

Bajo voltajes negativos, la exponencial en la ecuacin del diodo es insignificante, y la corriente es una constante negativa del valor de Is. La regin de ruptura no est modelada en la ecuacin de diodo de Schockley. Para voltajes pequeos en la regin de polarizacin directa, se puede eliminar el 1 de la ecuacin, quedando como resultado:

Con objeto de evitar el uso de exponenciales, en ocasiones se emplean modelos ms simples an, que modelan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son los llamados modelos de continua o de Ram seal. El ms simple de todos es el diodo ideal.

Es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia.

Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente, es un tipo de tiristor. La caracterstica V-I se muestra en la figura, la regin I es la regin de alta impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia, para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de conmutacin.
La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B), para volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih,

Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A).

Vrb es la tensin inversa de avalancha. Este dispositivo fue desarrollado por W. Shockley tras abandonar los Laboratorios Bell y fundar Shockley Semiconductor. Fueron fabricados por Clevite-Shockley.

Los diodos de conmutacin o rpidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con seales de tipo digital o lgico que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves. El factor o parmetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperacin inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unin P-N en desalojar la carga elctrica que acumula.

Cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulacin de carga de un condensador), y recibe sbitamente un cambio de tensin que la polariza en sentido directo.
Pueden ser considerados rpidos aquellos diodos con un TRR inferior a 400 nanosegundos, en modelos de media potencia, para los de baja potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos.

Diodo semiconductor diseado para presentar una transicin rpida entre el estado de conduccin y el estado de bloqueo, y a la inversa.