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Reaes de Eliminao
Reaes de Eliminao
Substrato Eliminao = Substrato Substituio
H R C H
X C H R
Substituio
NuBEliminao
Reaes de Eliminao
Classificao: Eliminao-:
Reaes de Eliminao
Eliminao-:
Eliminao-:
Reaes de Eliminao
Mecanismo E2:
-
Mecanismo E1:
Reaes de Eliminao
Mecanismo E1cb:
1. Abstrao do prton
Mecanismo E1: v = k [RX] 2. Sada do LG. v = k [RX]
Reaes de Eliminao
Teoria do estado de transio varivel das reaes de eliminao.
Increasing C H Breaking in the C#
Reaes de Eliminao
Alguns aspectos estruturais a serem considerados: SUBSTRATO: efeitos eletrnicos e estricos. BASE: natureza da base. LEAVING GROUP: natureza do LG. SOLVENTE: efeito da polaridade do solvente.
Reaes de Eliminao
Teoria do estado de transio varivel.
Reaes de Eliminao
(a) substituinte Z estabiliza carbnion Estado de transio carter de E1cb-like. (b) Substituinte R estabiliza carboction Estado de transio com carter E1-like. 10
B:
H CH2 CH CH2CH2CH3
CH3CH CH | H
CH3CH3 B:
CH2
CHCH2CH2CH3
CH3CH
CHCH2CH3
Produto de Hofmann
Produto de Saytzeff
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Produto Hofmann
Produto Saytzeff
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CH3CH
CHCH2CH3
CH2
CHCH2CH2CH3
Favorecido quando utilizamos: Uma base volumosa (t-butxido de potssio/ lcool t-butlico);
C-
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1-hexeno (produto Hofmann) predomina sob o 2-hexeno com base impedida. 2-Hexeno (produto Saytzeff) predomina sob o 1-hexeno com base pequena e bom LG.
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C
lower
C
higher
C
lower
C
higher
C
lower
C
lower
Entgegen = oposto
Zusammen = junto
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Eliminao syn possvel - aspectos estruturais retardam a eliminao anti. Ciclo hexano - eliminao Anti - H+ e LG axiais - alinhamento de orbitais - eliminao concertada.
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4,1x10- 3
8,0 x10- 6
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B-
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LG = sal de amnio quaternrio: produto syn devido a atrao eletrosttica com a base, independente do solvente. Solvente: DMSO (polar) favorece produto anti devido a separao de cargas, enquanto o benzeno (apolar) favorece produto syn por desfavorecer o anti.
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Eliminao syn
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Reaes E2 x SN2
SN2 [Nu] forte
E2 [base forte]
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Reaes E2 x SN2
Substrato: Haleto 1 e base (EtO-) = SN2 Haleto 2 e base: E2 Haleto 3: no ocorre SN2, somente E2.
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Reaes E2 x SN2
Base impedida: t-BuO- favorece Eliminao.
M eO H 65 C E 2 (1 % ) t-B u O H 40 C E 2 (8 5 % ) S N 2 (1 5 % ) S N 2 (9 9 % )
M eO -
Br
Br
t-B u O -
Br
O -tB u
- Base forte, com baixa polarizabilidade (NH2-; alcxido) favorece E2. - Base fraca, com alta polarizabilidade (Br-, I-, RS-) favorece SN2.
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Reaes SN1 x E1
Formao do mesmo intermedirio C+ Reagem de forma semelhante.
E1
SN1
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Substituio X Eliminao
Substrato CH3 X R CH2 X
R | R CH X Principalmente SN2 com bases fracas ( Cl-, CH3CO2-) e E2 com bases fortes (NH2-, RO-). R | R C X | R SN2 no ocorre. Na solvlise predomina SN1/E1, e a temperaturas mais baixas SN1 favorecida. Quando uma base usada, predomina E2.
SN2.
Mecanismo de reao
Principalmente SN2, exceto com base fortemente impedida (t-BuO-), quando ento o mecanismo E2.