SEMICONDUCTORES

Semiconductores intrnsecos

Semiconductores dopados

Curso Alumna

:Fsica Electrnica : Salcedo Hernndez Mnica Gabriela

Semiconductores intrnsecos

Los elementos semiconductores por excelencia son el silicio y el germanio, aunque existen otros elementos como el estao, y compuestos como el arseniuro de galio que se comportan como tales.

Tomemos Como Ejemplo El Silicio En Su Modelo Bidimensional:

Vemos como cada tomo de silicio se rodea de sus 4 vecinos prximos con lo que comparte sus electrones de valencia. A 0K todos los electrones hacen su papel de enlace y tienen energas correspondientes a la banda de valencia. Esta banda estar completa, mientras que la de conduccin permanecer vaca. Es cuando hablamos de que el conductor es un aislante perfecto. Ahora bien, si aumentamos la temperatura, aumentar por consiguiente la energa cintica de vibracin de los tomos de la red, y algunos electrones de valencia pueden absorber de los tomos vecinos la energa suficiente para liberarse del enlace y moverse a travs del cristal como electrones libres. Su energa pertenecer a la banda de conduccin, y cuanto ms elevada sea la temperatura ms electrones de conduccin habr, aunque ya a temperatura ambiente podemos decir que el semiconductor acta como conductor.

Si un electrn de valencia se convierte en electrn de conduccin deja una posicin vacante, y si aplicamos un campo elctrico al semiconductor, este hueco puede ser ocupado por otro electrn de valencia, que deja a su vez otro hueco. Este efecto es el de una carga +e movindose en direccin del campo elctrico. A este proceso le llamamos generacin trmica de pares electrn-hueco.

Paralelamente a este proceso se da el de recombinacin. Algunos electrones de la banda de conduccin pueden perder energa(emitindola en forma de fotones, por ejemplo), y pasar a la de valencia ocupando un nivel energtico que estaba libre, o sea , recombinados con un hueco. A temperatura constante, se tendr un equilibrio entre estos dos procesos, con el mismo nmero de electrones en la banda de conduccin que el de huecos en la de valencia.
Este fenmeno de la conduccin asociada a la formacin de pares en el semiconductor se denomina conduccin intrnseca. Se cumple que p = n = ni --> Donde p y n son las concentraciones de huecos y electrones respectivamente, y ni es la concentracin de portadores intrnsecos

 Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energa trmica. En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por accin de la energa trmica se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero. La tensin aplicada en la figura forzar a los electrones libres a circular hacia la derecha (del terminal negativo de la pila al positivo) y a los huecos hacia la izquierda.

 Paralelamente a este proceso se da el de recombinacin. Algunos electrones de la banda de conduccin pueden perder energa(emitindola en forma de fotones, por ejemplo), y pasar a la de valencia ocupando un nivel energtico que estaba libre, o sea , recombinndose con un hueco. A temperatura constante, se tendr un equilibrio entre estos dos procesos, con el mismo nmero de electrones en la banda de conduccin que el de huecos en la de valencia. Este fenmeno de la conduccin asociada a la formacin de pares en el semiconductor se denomina conduccin intrnseca. Se cumple que p = n = ni --> Donde p y n son las concentraciones de huecos y electrones respectivamente, y ni es la concentracin de portadores intrnsecos.

 Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque

solo tiene unos pocos electrones libres y huecos

debidos a la energa trmica. En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por accin de la energa trmica se

producen los electrones libres y los huecos por

pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero.

Semiconductores Dopados
Para aumentar la conductividad (que sea ms conductor) de un SC (Semiconductor), se le suele dopar o aadir tomos de impurezas a un SC intrnseco, un SC dopado es un SC extrnseco. Caso 1 Impurezas de valencia 5 (Arsnico, Antimonio, Fsforo). Tenemos un cristal de Silicio dopado con tomos de valencia 5.

Los tomo de valencia 5 tienen un electrn de ms, as con una temperatura no muy elevada (a temperatura ambiente por ejemplo), el 5 electrn se hace electrn libre. Esto es, como solo se pueden tener 8 electrones en la rbita de valencia, el tomo pentavalente suelta un electrn que ser libre. Siguen dndose las reacciones anteriores. Si metemos 1000 tomos de impurezas tendremos 1000 electrones ms los que se hagan libres por generacin trmica (muy pocos). A estas impurezas se les llama "Impurezas Donadoras". El nmero de electrones libres se llama n (electrones libres/m3).

Caso 2

Impurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro, Galio). Tenemos un cristal de Silicio dopado con tomos de valencia 3. Los tomo de valencia 3 tienen un electrn de menos, entonces como nos falta un electrn tenemos un hueco. Esto es, ese tomo trivalente tiene 7 electrones en la orbita de valencia. Al tomo de valencia 3 se le llama "tomo trivalente" o "Aceptor". A estas impurezas se les llama "Impurezas Aceptoras". Hay tantos huecos como impurezas de valencia 3 y sigue habiendo huecos de generacin trmica (muy pocos). El nmero de huecos se llama p (huecos/m3).

Semiconductor tipo n

El silicio que ha sido dopado con una impureza pentavalente se llama semiconductor tipo n. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de portadores mayoritarios, mientras que a los huecos se les denomina portadores minoritarios. Al aplicarse una tensin, los electrones libres dentro del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco.

Semiconductor tipo p

El silicio que ha sido dopado con impurezas trivalentes se

llama semiconductor tipo p, donde p hace referencia a

positivo. La Figura 6.2 representa un semiconductor tipo p. Como el nmero de huecos supera el nmero de electrones libres, los huecos son los portadores

mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios. Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha.

En la Figura 6.2, los huecos que llegan al extremo

derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del circuito externo.

Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeo valor, pues son pocos los electrones que podemos arrancar de los enlaces entre los tomos de silicio. Para aumentar el valor de dicha corriente tenemos dos posibilidades: Aplicar una tensin de valor superior Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior La primera solucin no es factible pues, an aumentando mucho el valor de la tensin aplicada, la corriente que aparece no es de suficiente valor. La solucin elegida es la segunda. En este segundo caso se dice que el semiconductor est "dopado". El dopaje consiste en sustituir algunos tomos de silicio por tomos de otros elementos. A estos ltimos se les conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o intrnseco aparecen dos clases de semiconductores.

Fuentes de Informacin :
http://materiales-sena.blogspot.com/2009/02/semiconductor-intrinseco.html
http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925812.html http://www.uv.es/~candid/docencia/ed_tema-02.pdf http://www.textoscientificos.com/quimica/inorganica/enlace-metales/semiconductores http://ocw.usal.es/eduCommons/ensenanzastecnicas/electronica/contenido/electronica/Tema1_SemiConduct.pdf