Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
1- IMPERFEIES CRISTALINAS
- Defeitos pontuais - Defeitos de linha (discordncias) - Defeitos de interface (gro e maclas) - Defeitos volumtricos (incluses, precipitados)
1
O QUE UM DEFEITO?
uma imperfeio ou um "erro" no arranjo peridico regular dos tomos em um cristal. Podem envolver uma irregularidade na posio dos tomos no tipo de tomos O tipo e o nmero de defeitos dependem do material, do meio ambiente, e das circunstncias sob as quais o cristal foi processado.
2
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Apenas uma pequena frao dos stios (ou posies) atmicos so imperfeitos Menos de 1 em 1 milho Mesmo sendo poucos eles influenciam em muito as propriedades dos materiais e nem sempre de forma negativa
INTRODUO SELETIVA
CONTROLE DO NMERO
ARRANJO
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Defeitos Pontuais associados c/ 1 ou 2 posies atmicas
uma dimenso (fronteiras) duas dimenses trs dimenses
7
Defeitos lineares
Defeitos volumtricos
1- DEFEITOS PONTUAIS
Vacncias ou vazios tomos Intersticiais Schottky Ocorrem em slidos inicos Frenkel
VACNCIAS OU VAZIOS
Envolve a falta de um tomo So formados durante a solidificao do material cristalino ou como resultado das vibraes atmicas (os tomos deslocam-se de suas posies normais)
VACNCIAS OU VAZIOS
O nmero de vacncias aumenta exponencialmente com a temperatura
Nv= N exp (-Qv/KT) Nv= nmero de vacncias N= nmero total de stios atmicos Qv= energia requerida para formao de vacncias K= constante de Boltzman = 1,38x1023J/at.K ou 8,62x10-5 eV/ at.K
10
INTERSTICIAIS
Envolve um tomo extra no interstcio (do prprio cristal) Produz uma distoro no reticulado, j que o tomo geralmente maior que o espao do interstcio A formao de um defeito intersticial implica na criao de uma vacncia, por isso este defeito menos provvel que uma vacncia
11
INTERSTICIAIS
FRENKEL
Ocorre em slidos inicos Ocorre quando um on sai de sua posio normal e vai para um interstcio
13
SCHOTTKY
Presentes em compostos que tem que manter o balano de cargas Envolve a falta de um nion e/ou um ction
14
CONSIDERAES GERAIS
Vazios e Schottky favorecem a difuso Estruturas de empacotamento fechado tem um menor nmero intersticiais e Frenkel que de vazios e Schottky
Porque necessria energia adicional para forar os tomos para novas posies
15
LIGAS METLICAS
Algumas impurezas (chamadas elementos de liga) so adicionadas intencionalmente com a finalidade: aumentar a resistncia mecnica aumentar a resistncia corroso Aumentar a condutividade eltrica Etc.
17
Segunda fase
A solubilidade depende : Temperatura Tipo de elemento (ou impureza) Concentrao do elemento (ou impureza)
18
Termos usados
Elemento de liga ou Impureza soluto (< quantidade)
Matriz ou Hospedeiro
solvente (>quantidade)
19
SOLUES SLIDAS
A estrutura cristalina do material que atua como matriz mantida e no formam-se novas estruturas As solues slidas formam-se mais facilmente quando o elemento de liga (impureza) e matriz apresentam estrutura cristalina e dimenses eletrnicas semelhantes
20
SOLUES SLIDAS
Nas solues slidas as impurezas ou elementos de liga podem ser do tipo:
- Intersticial - Substitucional
Ordenada Desordenada
21
INTERSTICIAL
Os tomos de impurezas ou os elementos de liga ocupam os espaos dos interstcios Ocorre quando a impureza apresenta raio atmico bem menor que o hospedeiro Como os materiais metlicos tem geralmente fator de empacotamento alto as posies intersticiais so relativamente pequenas Geralmente, no mximo 10% de impurezas so incorporadas nos interstcios
22
O C tem raio atmico bastante pequeno se comparado com o Fe rC= 0,071 nm= 0,71 A rFe= 0,124 nm= 1,24 A
23
24
Calcule o raio da impureza que se ajusta perfeitamente no stio maior para a estrutura cfc
25
Calcule o raio da impureza que se ajusta perfeitamente no stio maior para a estrutura ccc
26
cfc
27
28
REGRA DE HOME-ROTHERY
Raio atmico deve ter uma diferena de no mximo 15%, caso contrrio pode promover distores na rede e assim formao de nova fase Estrutura cristalina mesma Eletronegatividade prximas Valncia mesma ou maior que a do hospedeiro
29
Eletronegatividade
1,9
1,8
Valncia
+2
30
31
32
33
DISCORDNCIAS EM CUNHA
35
DISCORDNCIAS EM CUNHA
36
37
DISCORDANCIA EM HLICE
38
DISCORDNCIA EM HLICE NA SUPERFCIE DE UM MONOCRISTAL DE SiC. AS LINHAS ESCURAS SO DEGRAUS DE ESCORREGAMENT SUPERFICIAIS. (Fig. 5.3-2 in Schaffer et al.).
39
40
DISCORDNCIAS NO TEM
41
DISCORDNCIAS NO HRTEM
42
DISCORDNCIAS NO HRTEM
43
CONSIDERAES GERAIS
A quantidade e o movimento das discordncias podem ser controlados pelo grau de deformao (conformao mecnica) e/ou por tratamentos trmicos Com o aumento da temperatura h um aumento na velocidade de deslocamento das discordncias favorecendo o aniquilamento mtuo das mesmas e formao de discordncias nicas Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em torno das discordncias formando uma atmosfera de impurezas
45
CONSIDERAES GERAIS
A densidade das discordncias depende da orientao cristalogrfica pois o cisalhamento se d mais facilmente nos planos de maior densidade atmica As discordncias geram vacncias As discordncias influem nos processos de difuso A formao de discordncias contribuem para a deformao plstica
46
47
49
Corresponde regio que separa dois ou mais cristais de orientao diferente um cristal = um gro
No interior de cada gro todos os tomos esto arranjados segundo um nico modelo e nica orientao, caracterizada pela clula unitria 50
Monocristal e Policristal
Monocristal: Material com apenas uma orientao cristalina, ou seja, que contm apenas um gro
Policristal: Material com mais de uma orientao cristalina, ou seja, que contm vrios gros
51
52
GRO
A forma do gro controlada: - pela presena dos gros circunvizinhos
O tamanho de gro controlado - Composio qumica - Taxa (velocidade) de cristalizao ou solidificao
53
54
O contorno de gro ancora o movimento das discordncia pois constitui um obstculo para a passagem da mesma, LOGO QUANTO MENOR O TAMANHO DE GRO 56 .........A RESISTNCIA DO MATERIAL
57
58
59
TAMANHO DE GRO
O tamanho de gro influi nas propriedades dos materiais Para a determinao do tamanho de gro utiliza-se cartas padres
ASTM ou ABNT
60
N= 2 n-1
N= nmero mdio de gros por polegada quadrada n= tamanho de gro
61
62
Em geral, por questes termodinmicas (energia) os gros maiores crescem em detrimento dos menores 63
3.3- TWINS
MACLAS OU CRISTAIS GMEOS
um tipo especial de contorno de gro Os tomos de um lado do contorno so imagens especulares dos tomos do outro lado do contorno A macla ocorre num plano definido e numa direo especfica, dependendo da estrutura cristalina
64
4- IMPERFEIES VOLUMTRICAS
66
4- IMPERFEIES VOLUMTRICAS
- Incluses - Precipitados - Fases
Impurezas estranhas so aglomerados de partculas cuja composio difere da matriz forma-se devido presena de impurezas ou elementos de liga (ocorre quando o limite de solubilidade ultrapassado)
- Porosidade
formao de gases
67
Incluses
INCLUSES DE XIDO DE COBRE (Cu2O) EM COBRE DE ALTA PUREZA (99,26%) LAMINADO A FRIO E RECOZIDO A 800o C.
68
Incluses
Porosidade
As figuras abaixo apresentam a superfcie de ferro puro durante o seu processamento por metalurgia do p. Nota-se que, embora a sinterizao tenha diminudo a quantidade de poros bem como melhorado sua forma (os poros esto mais arredondados), ainda permanece uma porosidade residual.
A MICROESTRUTURA COMPOSTA POR VEIOS DE GRAFITA SOBRE UMA MATRIZ PERLTICA. CADA GRO DE PERLITA, POR SUA VEZ, CONSTITUDO POR LAMELAS ALTERNADAS DE DUAS FASES: FERRITA (OU FERRO-A) E CEMENTITA (OU CARBONETO DE FERRO). 71
72
73