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1- IMPERFEIES CRISTALINAS
- Defeitos pontuais - Defeitos de linha (discordncias) - Defeitos de interface (gro e maclas) - Defeitos volumtricos (incluses, precipitados)
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O QUE UM DEFEITO?
uma imperfeio ou um "erro" no arranjo peridico regular dos tomos em um cristal. Pode envolver uma irregularidade na posio dos tomos no tipo de tomos O tipo e o nmero de defeitos dependem do material, do meio ambiente, e das circunstncias sob as quais o material foi processado.
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IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Apenas uma pequena frao dos stios (ou posies) atmicos so imperfeitos Menos de 1 em 1 milho Menos sendo poucos eles influenciam muito as propriedades dos materiais e nem sempre de forma negativa
INTRODUO SELETIVA
CONTROLE DO NMERO
ARRANJO
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Defeitos Pontuais associados c/ 1 ou 2 posies atmicas
uma dimenso (fronteiras) duas dimenses trs dimenses
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Defeitos lineares
Defeitos volumtricos
1- DEFEITOS PONTUAIS
Vacncias ou vazios tomos Intersticiais Schottky Ocorrem em slidos inicos Frenkel
1- DEFEITOS PONTUAIS
influem principalmente as propriedades pticas e eltricas dos materiais; influem em processos como difuso, transformao de fases, fluncia, etc tomos de soluto geram defeitos ponstuais
VACNCIAS OU VAZIOS
Envolve a falta de um tomo So formados durante a solidificao do material cristalino ou como resultado das vibraes atmicas (os tomos deslocam-se de suas posies normais) A energia livre do material depende do nmero ou concentrao de vacncias presentes
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INTERSTICIAIS
Envolve um tomo extra no interstcio (do prprio cristal) Produz uma distoro no reticulado, j que o tomo geralmente maior que o espao do interstcio A formao de um defeito intersticial implica na criao de uma vacncia, por isso este defeito menos provvel que uma vacncia
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FRENKEL
Ocorre em slidos inicos Ocorre quando um on sai de sua posio normal e vai para um interstcio
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SCHOTTKY
Presentes em compostos que tem que manter o balano de cargas Envolve a falta de um nion e/ou um ction
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CONSIDERAES GERAIS
Vazios e Schottky favorecem a difuso Estruturas de empacotamento fechado tem um menor nmero intersticiais e Frenkel que de vazios e Schottky
Porque necessria energia adicional para forar os tomos para novas posies
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LIGAS METLICAS
Algumas impurezas (chamadas elementos de liga) so adicionadas intencionalmente com a finalidade: aumentar a resistncia mecnica aumentar a resistncia corroso Aumentar a condutividade eltrica Etc.
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Segunda fase
A solubilidade depende : Temperatura Tipo de elemento (ou impureza) Concentrao do elemento (ou impureza)
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Termos usados
Elemento de liga ou Impureza soluto (< quantidade)
Matriz ou Hospedeiro
solvente (>quantidade)
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SOLUES SLIDAS
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SOLUES SLIDAS
Nas solues slidas as impurezas ou elementos de liga podem ser do tipo:
- Intersticial - Substitucional
Ordenada Desordenada
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INTERSTICIAL
Os tomos de impurezas ou os elementos de liga ocupam os espaos dos interstcios Ocorre quando a impureza apresenta raio atmico bem menor que o hospedeiro Como os materiais metlicos tem geralmente fator de empacotamento alto as posies intersticiais so relativamente pequenas Geralmente, no mximo 10% de impurezas so incorporadas nos interstcios
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O C tem raio atmico bastante pequeno se comparado com o Fe rC= 0,071 nm= 0,71 A rFe= 0,124 nm= 1,24 A
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INTERSTICIAIS NA CFC
Existem 13 posies intersticiais (octaedros- formados por 6 tomos) e 8 posies intersticiais (tetraedros formados por 4 tomos)= 21
O Stio maior o octadrico
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(octaedros)
1 Centro do octaedro de coordenadas (, , ) 12 localizado no centro das arestas (, 0,0)
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Calcule o raio da impureza que se ajusta perfeitamente no stio intersticial maior (octadrico) para a estrutura cfc
r= 0,41R
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INTERSTICIAIS NA CCC
Existem 18 posies intersticiais (octaedros) e 24 posies intersticiais (tetraedros)= 42 O Stio maior o tetradrico
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Calcule o raio da impureza que se ajusta perfeitamente no stio maior (tetradrico) para a estrutura ccc
r= 0,29R
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cfc
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ccc
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cfc
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INTERSTICIAIS NA HC
Existem 6 posies intersticiais (octaedros) e 8 posies intersticiais (tetraedros)= 14 O Stio maior o octadrico
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INTERSTICIAIS (octaedros) NA HC
Existem 6 posies intersticiais (octaedros)
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INTERSTICIAIS (tetraedros) NA HC
Existem 8 posies intersticiais (tetraedros)
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As solues slidas substitucionais formam-se mais facilmente quando o elemento de liga (impureza) e matriz apresentam estrutura cristalina e dimenses eletrnicas semelhantes
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REGRA DE HOME-ROTHERY
Raio atmico deve ter uma diferena de no mximo 15%, caso contrrio pode promover distores na rede e assim formao de nova fase Estrutura cristalina mesma Eletronegatividade prximas Valncia mesma ou maior que a do hospedeiro
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Eletronegatividade
1,9
1,8
Valncia
+2
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DISCORDNCIAS EM CUNHA
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DISCORDNCIAS EM CUNHA
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DISCORDANCIA EM HLICE
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DISCORDNCIA EM HLICE NA SUPERFCIE DE UM MONOCRISTAL DE SiC. AS LINHAS ESCURAS SO DEGRAUS DE ESCORREGAMENT SUPERFICIAIS. (Fig. 5.3-2 in Schaffer et al.).
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Energia e Discordncias
A energia associada a uma discordncia depende do vetor de Burger (varia com o quadrado do vetor de Burger) Discordncia com alto vetor de Burger tende a se dissociar em duas ou mais discordncias de menor vetor de Burger (como o vetor menor que o vetor da rede chamado de falha de empilhamento-stacking fault)
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Dissociao de Discordncias
stacking fault
Exerccio 15
O vetor de Burger (b) para estruturas cbicas de face centrada (CFC) e cbica de corpo centrado (CCC) pode ser expresso como: b= a/2 [hkl] onde [hkl] a direo cristalogrfica de maior densidade atmica. Quais so as representaes para o vetor de Burgers para as estruturas CFC e CCC? Se a magnitude do vetor de de Burges b igual a a/2 (h2+k2+l2)1/2, determine o valor de bpara o Alumnio.
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DISCORDNCIAS NO TEM
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DISCORDNCIAS NO HRTEM
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DISCORDNCIAS NO HRTEM
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MOVIMENTO DE DISCORDNCIAS
GLIDE: ocorre a baixas temperaturas e envolve quebra de ligaes localizadas. A discordncia se move no plano que contm a linha de discordncia e o vetor de burger
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MOVIMENTO DE DISCORDNCIAS
CLIMB: ocorre a altas temperaturas (pois ocorre por difuso e migrao de vacncias) e envolve adio e remoo de tomos do semi-plano extra. A discordncia se move perpendicular ao plano que contm a linha de discordncia e o vetor de burger
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CONSIDERAES GERAIS
A quantidade e o movimento das discordncias podem ser controlados pelo grau de deformao (conformao mecnica) e/ou por tratamentos trmicos Com o aumento da temperatura h um aumento na velocidade de deslocamento das discordncias favorecendo o aniquilamento mtuo das mesmas e formao de discordncias nicas Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em torno das discordncias formando uma atmosfera de impurezas
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CONSIDERAES GERAIS
A densidade das discordncias depende da orientao cristalogrfica, pois o cisalhamento se d mais facilmente nos planos de maior densidade atmica As discordncias geram vacncias As discordncias influem nos processos de difuso A formao de discordncias contribuem para a deformao plstica
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Corresponde regio que separa dois ou mais cristais de orientao diferente um cristal = um gro
No interior de cada gro todos os tomos esto arranjados segundo um nico modelo e nica orientao, caracterizada pela clula unitria 71
Monocristal e Policristal
Monocristal: Material com apenas uma orientao cristalina, ou seja, que contm apenas um gro
Policristal: Material com mais de uma orientao cristalina, ou seja, que contm vrios gros
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GRO
A forma do gro controlada: - pela presena dos gros circunvizinhos
O tamanho de gro controlado - Composio qumica - Taxa (velocidade) de cristalizao ou solidificao
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O contorno de gro ancora o movimento das discordncia pois constitui um obstculo para a passagem da mesma, LOGO QUANTO MENOR O TAMANHO DE GRO 77 .........A RESISTNCIA DO MATERIAL
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TAMANHO DE GRO
O tamanho de gro influi nas propriedades dos materiais Para a determinao do tamanho de gro utiliza-se cartas padres
ASTM ou ABNT
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N= 2 n-1
N= nmero mdio de gros por polegada quadrada n= tamanho de gro
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Em geral, por questes termodinmicas (energia) os gros maiores crescem em detrimento dos menores 84
3.3- TWINS
MACLAS OU CRISTAIS GMEOS
um tipo especial de contorno de gro Os tomos de um lado do contorno so imagens especulares dos tomos do outro lado do contorno A macla ocorre num plano definido e numa direo especfica, dependendo da estrutura cristalina
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4- IMPERFEIES VOLUMTRICAS
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4- IMPERFEIES VOLUMTRICAS
- Incluses - Precipitados - Fases
Impurezas estranhas so aglomerados de partculas cuja composio difere da matriz forma-se devido presena de impurezas ou elementos de liga (ocorre quando o limite de solubilidade ultrapassado)
- Porosidade
formao de gases
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Incluses
INCLUSES DE XIDO DE COBRE (Cu2O) EM COBRE DE ALTA PUREZA (99,26%) LAMINADO A FRIO E RECOZIDO A 800o C.
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Incluses
Porosidade
As figuras abaixo apresentam a superfcie de ferro puro durante o seu processamento por metalurgia do p. Nota-se que, embora a sinterizao tenha diminudo a quantidade de poros bem como melhorado sua forma (os poros esto mais arredondados), ainda permanece uma porosidade residual.
A MICROESTRUTURA COMPOSTA POR VEIOS DE GRAFITA SOBRE UMA MATRIZ PERLTICA. CADA GRO DE PERLITA, POR SUA VEZ, CONSTITUDO POR LAMELAS ALTERNADAS DE DUAS FASES: FERRITA (OU FERRO-A) E CEMENTITA (OU CARBONETO DE FERRO). 92
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