You are on page 1of 63

3.

EL DIODO
ING. JUAN INGA ORTEGA
La importancia de los semiconductores en los
avances tecnolgicos ha sido vital pues a
partir del uso de estos materiales hoy en da
encontramos un gran nmero de dispositivos
electrnicos que basan su funcionamiento en
los semiconductores, incluso se puede llegar
a decir que todo lo que usamos en la
actualidad usa semiconductores.
ING. JUAN INGA ORTEGA
Todo tomo en su parte perifrica posee un
grupo de partculas que giran alrededor del
ncleo llamadas electrones, los mismo que
puede ser
Ligados al ncleo

Electrones de valencia
ING. JUAN INGA ORTEGA
Los electrones de valencia permiten la
siguiente clasificacin de materiales:

Conductores

Aislantes

Semiconductores

ING. JUAN INGA ORTEGA
Hueco o laguna: es el espacio que deja un
electrn al salirse de su rbita.
Para que un electrn deje su rbita se deba aplicar una fuerza
a la materia; esta fuerza puede ser la luz, el calor, el voltaje, la
presin, etc.

La estructura atmica de la materia determina
que: Todo material est constituido por tres
bandas, zonas o niveles de energa.
ING. JUAN INGA ORTEGA
Banda de Conduccin: espacio en el que se
encuentran las cargas positivas, es decir,
existen menor cantidad de electrones y hay
mayor cantidad de huecos.

Banda de valencia: dimensin en la que estn
las cargas negativas, o donde, hay la mayor
cantidad de electrones.

Banda prohibida: aquella que no posee
ninguna carga. Es el punto neutro.
ING. JUAN INGA ORTEGA
ING. JUAN INGA ORTEGA
ING. JUAN INGA ORTEGA
La banda prohibida es la que se opone al
salto de electrones de la banda de valencia
hacia la de conduccin.

Banda Prohibida Grande demasiado Grande
|-> Aislante
Banda Prohibida Grande Pequea
|-> Conductor
Banda Prohibida equilibrada con las otras dos
|-> Semiconductor

ING. JUAN INGA ORTEGA
El semiconductor ms utilizado es el silicio
porque es un material ms estable que el
germanio. Tanto el silicio como el germanio
son materiales tetravalentes, poseen 4
electrones en su ltima capa u rbita.
ING. JUAN INGA ORTEGA
Los Semiconductores puros
son llamados intrsecos
Los Semiconductores intrnsecos pueden ser
contaminados con impurezas en mnimas
proporciones, una partcula por milln, este
proceso se llama dopaje.

Tipo N

Tipo P
ING. JUAN INGA ORTEGA
Se llaman tipo N porque tiene mayor cantidad de
electrones.

Para obtener este tipo de silicio se mezcla al
silicio con un material pentavalente (impureza);
en el elemento que se producen los enlaces
sobre un electrn.

Arsnico
Antimonio Familia IVA
Fsforo.
ING. JUAN INGA ORTEGA
ING. JUAN INGA ORTEGA
Material tipo N
tambin es
llamado Donador
de Electrones
Tienen este nombre debido a que poseen
mayor cantidad de lagunas

Para obtener este tipo de silicio se mezcla al
silicio con un material trivalente

Materiales Usados
Arsnico
Antimonio Familia VA
Fsforo.
ING. JUAN INGA ORTEGA
ING. JUAN INGA ORTEGA
Material tipo P
tambin es
llamado Aceptador
de Electrones
En el instante de la unin de los dos
materiales se produce un intercambio de
electrones entre los dos tipos, del tipo N al
tipo P y viceversa de lagunas, del material
tipo P al tipo N; crendose al centro una zona
neutra, caracterstica de los semiconductores,
llamada BARRERA DE POTENCIAL.
ING. JUAN INGA ORTEGA
Polarizando el diodo como en la grfica, se logra
que los electrones salten de N a P (polos del
mismo nombre se repelen y polos de diferente
nombre se atraen),

Movimiento de Electrones -> circulacin de
corriente
ING. JUAN INGA ORTEGA
No se repelen los electrones, sino ms bien son
atrados hacia los extremos del semiconductor
haciendo que aumente la barrera de potencial y
sea ms difcil el salto de los electrones del silicio
N al P; por lo que no existe circulacin de la
corriente.

Mayor Voltaje, Mayor Barrera de Potencial.

ING. JUAN INGA ORTEGA
Si seguimos aumentando el voltaje llegar un
momento en el que los electrones tengan la
suficiente energa para saltar la barrera de
potencial, a pesar de que esta sea grande,
pero dado que el voltaje es elevado la
circulacin de corriente tambin ser elevada
provocando la destruccin del semiconductor.

ING. JUAN INGA ORTEGA
ING. JUAN INGA ORTEGA
pero si se cambia la polarizacin se
comporta el diodo como un aislante
circulando una intensidad despreciable.
En polarizacin directa, se comporta el diodo
como conductor y circular una corriente.
La Is o corriente de fuga
para el Si es de 1nA y para
el de Ge es de 10nA.
ING. JUAN INGA ORTEGA
La Ecuacin de la Curva Caracterstica es .
Donde I
D
= Corriente del diodo
Donde I
s
= Corriente de saturacin
Donde V
D
= Voltaje del diodo
Donde T
k
=
Temperatura Kelvin, T
k
= T
C
+273
Donde k = 11604/, con = 1 para
Ge y = 2 para Si
|
|
.
|

\
|

= 1
/
k
T
D
V k
e
S
I
D
I
ING. JUAN INGA ORTEGA
La Ecuacin de la Curva Caracterstica es .
Donde k = 11604/, con = 1 para
Ge y = 2 para Si

11604 carga til de 1 electrn/ Cte
de Boltzman

11604 1,602 E-19 C / 1.38065E-23

VT= Cte de Boltzman*Tk/carga til de
1 electrn

( )
( )
/
/( * )
1
1
D
D T
kV Tk
D S
V n V
D S
I I e
I I e
=
=
ING. JUAN INGA ORTEGA
Con esta ecuacin se puede simular la curva caracterstica
para polarizacin directa para el diodo de silicio:
|
|
.
|

\
|

= 1
/
k
T
D
V k
e
S
I
D
I
E(v) VD(v) ID(mA)
0,17 0,17 0
0,82 0,52 0,2
1,5 0,57 0,7
2 0,6 1,2
2,5 0,62 1,7
3 0,625 2,08
3,4 0,633 2,4
4 0,64 3,03
4,5 0,648 3,53
5 0,658 4,33
10 0,689 9,7
15 0,71 15,2
ING. JUAN INGA ORTEGA
La grfica obtenida ser:
|
|
.
|

\
|

= 1
/
k
T
D
V k
e
S
I
D
I
Curva caracterstica del Diodo de Silicio
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 0,2 0,4 0,6 0,8
VD (V)
I
D

(
m
A
)
Curva caracterstica del Diodo
ING. JUAN INGA ORTEGA
Con esta ecuacin se puede simular la curva caracterstica
para polarizacin directa para el diodo de germanio:
|
|
.
|

\
|

= 1
/
k
T
D
V k
e
S
I
D
I
E(v) Vd(v) Id(mA)
0,5 0,15 0
1 0,25 0,5
1,5 0,31 0,9
2 0,36 1,5
2,5 0,4 1,9
3 0,44 2,4
3,5 0,48 3
4 0,51 3,4
4,5 0,54 3,9
5 0,58 4,5
10 0,85 9,6
15 1,07 14,8
ING. JUAN INGA ORTEGA
La grfica obtenida ser:
|
|
.
|

\
|

= 1
/
k
T
D
V k
e
S
I
D
I
Curva Careterstica del Diodo de Germanio
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 0,3 0,6 0,9 1,2
VD (V)
I
D

(
m
A
)
Curva Careterstica del Diodo
Si al diodo de Ge, se le aumenta la temperatura la
curva caracterstica de este vara rpidamente mucho
ms que en el de Si de tal forma que en poco tiempo
despus de haber empezado a calentarlo este diodo
ya empieza a conducir negativamente pues el Ge es
menos estable.

Este fenmeno sucede debido a que con el aumento
de la temperatura del diodo recibe una excitacin
externa al flujo de electrones producida por la
tensin aplicada al diodo al circuito haciendo que un
nmero de electrones superen la barrera de potencial
y as el diodo pueda conducir ms rpido es decir con
menor cantidad de voltaje.

ING. JUAN INGA ORTEGA
Idealmente un diodo para que permita el flujo
de la corriente, su resistencia debera de ser 0,
mientras que para la regin de polarizacin
indirecta sera .

Sin embargo se ha analizado que el diodo
empieza a conducir a partir de un nivel de
voltaje, lo que indica que existe una cantidad de
oposicin de la corriente antes de llegar a la
tensin de conduccin.
ING. JUAN INGA ORTEGA
Debido a la forma de la curva del diodo,
significa que la resistencia vara y depender
del tipo de voltaje aplicado.
ING. JUAN INGA ORTEGA
RESISTENCIA ESTTICA
Al aplicar una tensin continua, fluir una
corriente constante a travs del dispositivo y
por tanto presentar una resistencia tambin
constante

D
D
D
V
R
I
=
ING. JUAN INGA ORTEGA
Para todo valor menor a
a VD, por tanto a ID, la
resistencia ser menor
D
D
D
V
R
I
=
Resistencia Dinmica
Al aplicar una seal de tipo cambiante
como una senoidal se tendr por tanto que
el punto de operacin cambiar en funcin
de esta Seal.

Esto indica que existir un cambio en la
corriente y la tensin de forma especfica
ING. JUAN INGA ORTEGA
ING. JUAN INGA ORTEGA
d
d
d
V
r
I
A
=
A
A mayor inclinacin, menor es el
cambio de voltaje con respecto al de
la corriente, menor Resistencia.

A menor inclinacin, mayor es el
cambio de voltaje con respecto al de
la corriente, mayor Resistencia.


Se puede determinar la resistencia dinmica aplicando
el concepto geomtrico de la derivada a la ecuacin
de la corriente del diodo

ING. JUAN INGA ORTEGA
( )
( )
( ) ( )
( )
/ *
1
1
*
D T
V n V
D
d D D
D
D s
D T
d Is e
d I
r dV dV
d I
I I
dV n V

= =
+
=
Donde k = 11604/, con = 1 para Ge y = 2
para Si. Factor de idealidad
11604 carga til de 1 electrn/ Cte de Boltzman
11604 1,602 E-19 C / 1.38065E-23
VT= Cte de Boltzman*Tk/carga til de 1 electrn
VT=Voltaje trmico


( )
( )
/
/( * )
1
1
/ 1/ ( * )
D
D T
kV Tk
D S
V n V
D S
T
I I e
I I e
k Tk n V
=
=
=
Para ID>>Is
( )
( )
*
*
26
D
D
D T
D T
d
D D
d
D
d I
I
dV n V
dV n V
r
d I I
mV
r
I
=
= =
=
Para un
diodo de
Silicio a 27C
Para generalizar se tiene:

ING. JUAN INGA ORTEGA
rB = Resistencia del Material, que vara de 0,1
para dispositivos de alta potencia, hasta 2 para
ciertos diodos de uso general de baja potencia

Resistencia CA Promedio: Se obtiene de la recta trazada entre
los dos puntos de operacin

26
d B
D
mV
r r
I
= +
ING. JUAN INGA ORTEGA
ING. JUAN INGA ORTEGA
El diodo ante la presencia de frecuencia
presenta niveles de capacitancia parsita,
donde es importante considerarlos.

En la regin de polarizacin en inversa est la
capacitancia de transicin CT mientras que en
la directa est la capacitancia de
almacenamiento CD
ING. JUAN INGA ORTEGA
Debido a que en polarizacin inversa las
cargas positivas y negativas respectivamente
se alejan de la barrera de potencial es que se
genera el efecto capacitivo de CT

En Directa CD >> CT y en inversa sucede lo
contrario.

El efecto capacitivo aparece ante seales de
baja potencia y a frecuencias altas
ING. JUAN INGA ORTEGA
Si a un diodo que se encuentra trabajando en
polarizacin directa se invierte la misma, se espera que
en seguida el diodo deje de conducir, y los portadores
deben retroceder a la posicin original, lo cual demanda
una determinada cantidad de tiempo ->trr o tiempo de
recuperacin
Circuitos Recortadores, recortan una porcin de seal
de entrada. En el siguiente ejemplo, se realiza un
recorte para +6V y -9V
ING. JUAN INGA ORTEGA
ING. JUAN INGA ORTEGA
Tambin conocidos como diodos de Avalancha.

En polarizacin directa, estos diodos trabajan
de forma similar a los diodos de unin NP ya
analizados.

En polarizacin indirecta el diodo Zener
permite la conduccin de corriente a partir del
voltaje de ruptura, tomando en cuenta que
tericamente el voltaje no cambiar.
ING. JUAN INGA ORTEGA
ING. JUAN INGA ORTEGA
Cuando se polariza inversamente, de igual forma el voltaje de ingreso va
aumentando hasta alcanzar el voltaje Zener, es decir el valor de la tensin
para el cual el Zener funciona como estabilizador.
S
i seguimos aumentando el voltaje de ingreso el Zener se mantiene con la
tensin constante, y solo variara la corriente que circula por el mismo
(Izr=Corriente Inversa).

ING. JUAN INGA ORTEGA
Para que el Zener funcione como estabilizador, adems de la
tensin necesita de una corriente mnima de 5mA.

En un circuito con diodo zener es necesario de una
resistencia limitadora (RL) necesaria para limitar la corriente
del zener y de la carga, ya que si el voltaje de ingreso es
superior al del diodo zener, el exceso de voltaje se quedara
en la resistencia, caso contrario el diodo zener se quemara.

Existe una pequea inclinacin en Vz una vez que se llega
a alcanzarlo

ING. JUAN INGA ORTEGA
ING. JUAN INGA ORTEGA
ING. JUAN INGA ORTEGA
El potencial de un diodo Zener se encuentra
estrechamente ligado a la temperatura de
operacin.
ING. JUAN INGA ORTEGA
Analizar Vo vs VI en los siguientes circuitos
ING. JUAN INGA ORTEGA
Analizar el siguiente circuito

Vth= Vi/s -> R1 =R2
Req = R1||R1

Semiciclo positivo:
DZ1->inverso
DZ2-> directo
Vi = 2(Vz+VD2)

Semiciclo negativo:
DZ1->directo
DZ2-> inverso
Vi = -2(Vz+VD1)

1

2
ING. JUAN INGA ORTEGA
R
Vm
ID IR
V
V Vm
Vd V V
Vp VR
Vp Vpp
Veff Vp
= =
= =
=
=
=
=
t
max
318 . 0 max
max
max
2
2
Para efectos de diseo
IR IR IR ID
3
4
3
1
= + =
ING. JUAN INGA ORTEGA
ING. JUAN INGA ORTEGA
2
2
max 2
max 1 2
2 max
max 0.636
Vp Veff
Vpp Vp
VR Vp VD
V Vp Vp VD
V
Vm V
t
=
=
=
= +
= =
4 2
3 2 3
sec *
Vm
IR
R
IR
ID IR
P Veff IR
=
= =
=
ING. JUAN INGA ORTEGA
ING. JUAN INGA ORTEGA
ING. JUAN INGA ORTEGA
IR Veff PT
IR
ID
Vp VR
V
V
Vm
VD Vp V
Veff vp
=
=
=
=

=
=
=
2
max
max 318 . 0 2
max 2
2 max
2
t
ING. JUAN INGA ORTEGA
C=I/(F * V)

El condensador depende de Vmax
ING. JUAN INGA ORTEGA
C=I/(F * V)

El condensador depende de Vmax
Para una Rectificacin de Onda Completa se
tendra:
Aparecer un Vm o
voltaje medio del
condensador:

max
2
V
Vm VC
A
=
ING. JUAN INGA ORTEGA
El Zener absorbe variaciones de corriente.
Al colocar un zener con un Vz menor al del
condensador se obtiene una tensin continua
Ic
max
2
min
V
Vm VC
Vm Vz
RL
IRL
IRL Ic Iz
A
=

=
= +
ING. JUAN INGA ORTEGA
Las fuentes de alimentacin sencillas construidas
con un transformador cambian con la corriente de
la carga y con la tensin de la lnea, y adems
presentan una cantidad significativa de rizado a la
frecuencia de la red.

Tipos:

reguladores lineales:
reguladores conmutados:
Reguladores de tensin fija
tri terminal (Regulador Lineal):
ING. JUAN INGA ORTEGA
Reguladores de tensin fija tri terminal (Regulador Lineal):
Tpicos de tres terminales. Estn ajustados para proporcionar
una tensin de salida constante.

A78XX (positivos) o A79XX (negativos) de Fairchild. Los dos
ltimos dgitos indicados por XX indican la tensin de salida y
pueden ser 05, 06, 08, 12, 15, 18 y 24 V.
ING. JUAN INGA ORTEGA
Reguladores de tensin fija tri terminal (Regulador Lineal):
EL voltaje de la entrada debe ser de por lo menos 2.5V
aproximadamente.
ING. JUAN INGA ORTEGA
Reguladores de tensin variable tri terminal (Lineal):
Aajustar la tensin de salida por medio de resistencias
externas conectadas al terminal denominado
ADJUSTMENT o ADJ.
Los productos ms utilizados de este tipo es el LM317
(positivo) y LM337 (negativo).
Para evitar un posible ruido en la seal de salida del integrado, en la carga
concretamente colocamos un condensador de 1F en paralelo a la carga.
ING. JUAN INGA ORTEGA
El LM317 posee internamente una referencia de tensin
que proporciona un VREF=1.25 V (typ) entre los terminales
OUT y ADJ y est polarizado por una fuente de corriente
estable de IADJ= 65A (valor tpico).
Una buena aproximacin es considerar que la
corriente IADJ (65A) es muy inferior a las
corrientes (mA) que circulan por las resistencias
R1 y R2. Y la ecuacin se reduce a:
2
2
1
1 R IADJ VREF
R
R
Vo + |
.
|

\
|
+ =
VREF
R
R
Vo |
.
|

\
|
+ ~
2
1
1
ING. JUAN INGA ORTEGA