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TRANSISTORES (Panormica)
BIPOLARES
TRANSISTORES
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor) Base (B) Colector (C)
En principio un transistor bipolar est formado por dos uniones PN.
N P
C
N
E B
Emisor (E)
Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones. 1.- La zona de Base debe ser muy estrecha (Fundamental para que sea transistor). 2.- El emisor debe de estar muy dopado. Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.
SMBOLO C N P B
-
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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN C B E ZONA DE SATURACIN: Comportamiento como interruptor cerrado. 3000 I C [mA] I B [mA] = 30 ZONA ACTIVA: Comportamiento como Fuente de Corriente.
= 100
2000 1000
20 10 0 V CE
ZONA DE TRANSISTOR INVERSO: Emisor y colector intercambias papeles. Podemos tener una INVERSA , que en el dispositivo ideal consideraremos cero
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12 V
3A I
3A = 100
40 mA
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin. Ventajas: No desgaste, sin chispas, rapidez, permite control desde sistema lgico. Electrnica de Potencia y Electrnica digital
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IB = 40 mA ON
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12 V
3A I
4A PF (ON) 3 A OFF ON
IB = 40 mA
VEC 12 V PF (OFF)
Manuel Rico Secades
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Activa
IB
V CE = 0 V CE1 V CE2
Avalancha Secundaria
VBE
Caracterstica de Entrada
Caracterstica de Salida
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IC I C-MAX V CE-MAX P MAX V CE-SAT H FE Corriente mxima de colector Tensin mxima CE Potencia mxima Tensin C.E. de saturacin Ganancia PMAX ICMAX B
SOAR
VCE-MAX VCE
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TRANSISTOR BIPOLARES
T O S H IB A
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METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR
Dr Julius Lilienfield (Alemania) en 1926 patent el concepto de "Field Effect Transistor". 20 aos antes que en los laboratorio Bell fabricaran el primer transistor bipolar.
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TRANSISTORES MOSFET ( MOS - Metal Oxide Semiconductor + FET - Field Effect Transistor ) CANAL N (JFET-N) UNIN EFECTO DE CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR
CANAL P (JFET-P)
Dr Martn Atalla y Dr Dawon Kahng desarrollaron en primer MOSFET en los laboratorios Bell en 1960
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Substrato (Substrate)
N P Canal (Channel)
SECCIN
VISTA SUPERIOR
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Substrato
De momento, vamos a olvidarnos del substrato. Posteriormente veremos que hacer con este terminal "inevitable" para que no afecte a la operacin del dispositivo. Que no moleste!!
Substrato
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Substrato G S
ID
U GS[V]
+15 +10 +5 0
V DS
ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO COMO ANTES, LA TENSIN DE PUERTA (U GS ) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE. PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIN.
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S N
Substrato
P D
Canal. Aparece entre D y S en paralelo a los diodos iniciales
Se observa que los diodos juegan un papel secundario en la operacin del dispositivo.
Substrato S
Debemos asegurar que nunca entren en operacin. EL SUBSTRATO se conecta al punto mas negativo del circuito. Para un solo transistor, se conecta a la FUENTE (S). En los circuitos integrados se conectar el SUBSTRATO a la alimentacin negativa
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P D D D
G S
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G S
ID
U GS[V]
=+15 V =+10 V =+5 V = 0 V
V DS
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D ID
- 30 V
+ 30 V
V GS
G S
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12 V
3A I
3A
ID
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. LA CORRIENTE DE PUERTA ES NULA (MUY PEQUEA) !!!
4A PF (ON) 3 A OFF ON
UGS= 12 V
VDS 12 V PF (OFF)
Manuel Rico Secades
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C G E
Combinacin de MOSFET y transistor Bipolar que ana las ventajas de los dos: La facilidad de gobierno del MOSFET El buen comportamiento como interruptor de BIPOLAR Dispositivo reciente muy importante en Electrnica de Potencia
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COMENTARIO: Con los MOSFET e IGBT para manejar corrientes elevadas se produce un cambio de tendencia importante.
Un Transistor Bipolar de potencia es un solo dispositivo de dimensiones (Seccin) suficiente para manejar la corriente elevada.
Un Transistor MOSFET o un IGBT de potencia, pensado para manejar corrientes elevadas, est formado por muchos transistores integrados colocados en paralelo
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C NP N+
Cada punto representa un MOSFET
MOSFET DE POTENCIA
(Muchos pequeos MOSFET en paralelo, realmente es un "Circuito Integrado")
B E BIPOLAR DE POTENCIA
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