Tema 1: Fabricacin de Dispositivos semiconductores

1.1.- Evolucin histrica de la tecnologa electrnica.

Definicin de Electrnica:

"Electrnica es la rama de la Ciencia y la Tecnologa que se ocupa del estudio de las leyes que rigen el trnsito controlado de electrones a travs del vaco, de gases o de semiconductores, as como del estudio y desarrollo de los dispositivos en los que se produce este movimiento controlado y de las aplicaciones que de ello se deriven".

Era del tubo de vaco

Abarca la primera mitad del siglo XX

1905 A.Fleming inventa la primera vlvula de vaci, el diodo termoinico

Estos dispositivos aprovecharon la observacin previa de T.A. Edison (1881) de que, para que pase corriente entre un electrodo (nodo) y un filamento (ctodo), es necesario que el electrodo sea positivo respecto al filamento. Esta propiedad fue estudiada por W.Preece en 1885 y el propio Fleming entre 1890 y 1896 y fue explicada mediante la teora de la emisin termoinica de Richardson

nodo +

Ctodo -

1907 Lee de Forest propone el trodo, primer amplificador

1912 el perfeccionamiento alcanzado por los tubos de vaco hizo posible que F.Lowenstein patentara el trodo como amplificador , aumentando el grado de vaco en su interior, 1916 Hull y Schottky introducen la rejilla pantalla entre la de control y el nodo para disminuir capacidades dando lugar al tetrodo 1928, cuando B.Tellegen introdujo una nueva rejilla proponiendo un nuevo dispositivo: el pentodo. Esta ltima rejilla, llamada supresora, est conectada cerca del nodo y tiene como misin eliminar la emisin secundaria de electrones,.
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1946 Eckert y Mauchly construyen el primer ordenador electrnico (ENIAC)

Diseado para calcular tablas balsticas. Utilizaba unos 18000 tubos de vaco. Ocupaba una habitacin de 100m2 , pesaba 40Tm, consuma 150kW Trabajaba a una frecuencia de reloj de 100kHz.. Multiplicacin en 2.8mseg

Primer transistor
1947 En los laboratorios de la Bell Telephone Shockley Bardeen y Brattain inventan el Transistor de puntas de contacto.
Consiguieron Nobel en 1956

1948 Shockley propuso el transistor bipolar de unin (npn pnp)

1951 Teal, Spark y Buehler construyeron el primer transistor bipolar de unin con posibilidades comerciales inmediatas

1953 Dacey y Ross fabricaron primer transistor de efecto campo operativo, el FET de unin (JFET).

1955 I.M.Ross describio la estructura MOSFET de enriquecimiento tal como se conoce hoy da, es decir, con uniones p-n en la fuente y el drenador.
A pesar de ser la idea del MOSFET ms antigua que la del BJT, fueron los avances tecnolgicos producidos en el desarrollo del transistor bipolar los que hicieron viable al de efecto campo. No obstante habra que esperar a que se perfeccionara la tecnologa para poder aprovechar toda la potencia del MOSFET

1955 Nacimiento del Silicon Valley en Palo Alto (California)

Hewlett y Packard ,Shockley Transistor Corporation, Fairchild Semiconductor Corporation, Texas Instruments

1958 Kilby de Texas Instruments idea de circuito integrado, patent un flipflop realizado en un cristal de germanio con interconexiones de oro

1959 Noyce de Fairchild patent la idea de circuito integrado de silicio utilizando en 1960 la tecnologa planar para definir, mediante fotolitografa, transistores y resistencias interconectados usando lneas delgadas de aluminio sobre el xido de pasivacin

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Se comenz a usar el Si como material semiconductor por sus propiedades: Fcil oxidacin, Pasivacin. Su oxido puede ser atacado sin atacar al Si.

Usando su resistividad se hacen resistencias y las uniones pn pueden actuar como condensadores 1960 Kanhng y Atalla fabrican el primer MOSFET operativo Alrededor de 1968 ya se haban propuesto las estructuras bsicas MOS. Desde entonces la mayor parte de los esfuerzos tecnolgicos se han dedicado a la miniaturizacin de los dispositivos con el propsito de aumentar su velocidad y la densidad de integracin 1960 SSI (Small Scale Integration) 100 componentes/chip 1966 MSI (Mediun Scale Integration) 100-1000 componentes/chip 1969 LSI (Large Scale Integration)1000-10000 componentes/chip 1975 VLSI (Very Large Scale Integration) mas de 10mil componentes/chip Actualmente ULSI (Ultra Large Scale Integration) mas de 100Millones comp/chip
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Procesador 4004 de Intel

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Procesador Pentiun II

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1. Purificacin del substrato (Fabricacin de obleas)

Obtencin de Si puro
1) Materia prima: Slice o dixido de Silicio: SiO2 (muy abundante, arena de la playa). Reduccin del SiO2 a alta temperatura: Silicio + Carbn a 2000C Silicio metalrgico, Si al 98%. Si metalrgico + ClH (Clorhdrico)SiHCl3 TricloroSilano Destilacin del SiHCl3 SiHCl3 TricloroSilano puro. Reduccin del SiHCl3 SiHCl3 + H2 Si de alta pureza Si Policristalino Concentracin impurezas<1 ppmm (1013 cm-3).
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2)

3) 4) 5)

El Silicio policristaio o polisilicio esta formado por pequeos cristales de silicio

Las obleas para la fabricacin de un C.I. Tienen que tener una estructura cristalina

Tres tipos de solidos, clasificados por su ordenacin atmica: (a) La estructura cristalina y (b) Amorfa son ilustradas con una vista microscopica de sus atomos, mientras (c) la estructura policristalina se muestra de una forma ms macroscopica con sus pequeos cristales con distinta orientacion pegados unos con otros. 17

Tipos de Hornos
Horno vertical

Horno horizontal

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Reactive Ion Etching (RIE)

(1) El proceso comienza con la formacin de los reactivos (2) Los reactivos son transportados por difusin a travs de una capa gaseosa de estao hacia la superficie. (3) La superficie adsorbe a los reactivos. (4) Se produce la reaccin qumica de los reactivos con la especies de la superficie, junto con efectos fsicos (bombardeo inico). (5) Los materiales resultados de la reaccin qumica o bombardeo fsico son repelidos por la superficie y eliminados por un sistema de vaco.

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