Qu es un semiconductor de potencia?

Son Dispositivos construidos con el SiC (carburo de silicio), el GaN (nitruro

de galio) con aplicaciones de alta tensin y alta intensidad para

controlar potencias de salida de entre un megavatio y varios gigavatios.

Antecedentes
La introduccin de

la tecnologa de transmutacin de neutrones en los aos setenta del pasado siglo hizo posible la fabricacin de dispositivos semiconductores de potencia con tensiones de bloqueo de ms de 1.000 V. Slo esta tcnica permite producir silicio con la homogeneidad de dopado requerida, en esta categora de tensiones el tiristor era el nico dispositivo cuya tecnologa se dominaba correctamente. Sus aplicaciones eran muy limitadas, ya que este dispositivo no permita el corte de Corriente alterna cuando el usuario lo necesitaba. En los aos ochenta y noventa se unieron al tiristor varios dispositivos con capacidad de corte: el tiristor de corte de puerta o GTO (Gate Turn-Off Thyristor) y, posteriormente, El Transistor Bipolar con puerta aislada o IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) y el tiristor conmutado con puerta integrada o IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor).

 Durante las ltimas dcadas los semiconductores de potencia

han revolucionado las aplicaciones con interruptores de potencia de silicio, convirtindolos en dispositivos muy eficientes, fiables y de cmoda aplicaciones en el manejo de alta tensin y alta intensidad, que est en el orden de los gigavatios. La ms avanzada tecnologa de transmisin de energa elctrica y los sectores de estabilizacin de redes, no seran posibles sin la existencia de soluciones basadas en componentes semiconductores de potencia. Dado que la eficiencia y fiabilidad de los dispositivos semiconductores depende estrechamente de las condiciones de servicio y del diseo fsico del sistema (elctrico, trmico, mecnico).

Los dispositivos semiconductores de Potencia se pueden clasicar en tres grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad Cules son?

 Dispositivos no controlados
Dispositivos semi controlados Dispositivos totalmente controlados.

 Dispositivos no controlados: en este grupo se

encuentran los Diodos. Los estados de conduccin o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de ningn terminal de control externo.

 Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran,

dentro de la familia de los Tiristores, los SCR (Silicn Controlled Rectier) y los TRIAC (Triode of Alternating Current). En ste caso su puesta en conduccin (paso de OFF a ON) se debe a una seal de control externa que se aplica en uno de los terminales del dispositivo, comnmente denominado puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de ON a OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control externo de la puesta en conduccin, pero no as del bloqueo del dispositivo.

 Dispositivos totalmente controlados: en este grupo

encontramos los transistores bipolares BJT (Bipolar Junction Transistor), los transistores de efecto de campo MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), los transistores bipolares de puerta aislada IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) y los tiristores GTO (Gate Turn-Off Thyristor), entre otros. Index TermsDiodos, tiristores, SCR, Triac, transistores bipolares.

Cuales son los dispositivos semiconductores de potencia?

Dispositivos semi conductores de potencia

Para estas aplicaciones se han desarrollado una serie de

dispositivos semiconductores de potencia, todos los cuales derivan del diodo o el transistor. Entre estos se encuentran los siguientes: Rectificador controlado de silicio (SCR en ingls) Transistor IGBT, sigla para Insulated Gate Bipolar Transistor, Transistor Bipolar con compuerta aislada Tiristor GTO, sigla para Gated Turnoff Thyristor, Tiristor apagado por compuerta Tiristor IGCT, sigla para Insulated Gate Controlled Thyristor, Tiristor controlado por compuerta Tiristor MCT, sigla para MOS Controlled Thyristor

Cul es el objetivo de los interruptores de semiconductores?

Objetivo de interruptores para semiconductores

El objetivo comn del diseo de interruptores para

semiconductores de potencia de alta tensin(cuyos tipos ms conocidos son el IGBT y el IGCT) es optimizar la combinacin de la potencia en estado de conduccin y las prdidas en corte. En trminos prcticos, esto significa que el semiconductor debe tener la mnima cada de tensin posible en la fase de conduccin (es decir, debe crearse un plasma denso) sin que se originen prdidas excesivamente altas en corte cuando se suprime el exceso de carga.

 Consecuentemente, los semiconductores de potencia de silicio

de ms de 600 V se suelen disear como dispositivos modulados por conductividad (plasma). El interior de un dispositivo de este tipo est saturado con un gran nmero de portadores de cargas positivas y negativas. Durante el corte, el componente recupera su capacidad de bloqueo creando un campo elctrico desde la unin pn en el lado del ctodo hasta la zona n. La tensin de recuperacin cubre el plasma desde el ctodo hasta el nodo. Los portadores de carga cerca del ctodo son suprimidos a una baja tensin y, por tanto, generan bajas prdidas en corte,mientras que los portadores prximos al nodo fluyen fuera del dispositivo a una tensin alta, originando altas prdidas.

Diferencia entre IGBT y IGCT

El grosor mnimo de un semiconductor de potencia est

predeterminado por la capacidad deseada de bloqueo y por la intensidad del campo de ruptura del silicio. La principal diferencia entre el IGBT e IGCT, es que el IGCT crea un plasma denso cerca del ctodo, mientras que el exceso de densidad de carga en el IGBT cae de forma relativamente brusca del nodo al ctodo.

 El semiconductor debe tener la mnima cada de

tensin posible en la fase de conduccin sin que se originen prdidas excesivamente altas en el corte cuando se suprime el exceso de carga.

Ventajas
En inversores con altas tensiones, la combinacin de las prdidas de

conexin del interruptor y las prdidas de recuperacin del diodo constituyen entre el 40 y 60 por ciento de las prdidas totales del inversor, dependiendo de la frecuencia de conmutacin. Prdidas de conexin notablemente menores tienen lugar en un interruptor de silicio utilizado con un limitador di/dt pasivo,liberando al dispositivo de carga trmica y, en consecuencia, permitiendo en principio una mayor potencia de salida para el inversor. Sin embargo, debe sealarse que a pesar de todo se producen prdidas, dado que se transfieren al circuito de circulacin libre del limitador de di/dt. La segunda ventaja es que, como resultado de la limitacin di/dt pasiva, la intensidad slo puede aumentar con relativa lentitud cuando se produce una avera (por ejemplo, un cortocircuito en el puente inversor o en la carga).