UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DEL PERU FACULTAD DE INGENIERA ELECTRNICA

CIRCUITOS DIGITALES II

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Circuitos Digitales II Memorias

Sesin 20

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Clasificacin de memorias

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 Memoria de un bit: F-F T, D, S-R, J-K Memoria de n bits: Grupos de biestables denominados registros, con seales de control comn. Estructura mayor: Un arreglo de registros, en el cual se tiene acceso a un rengln de bits a la vez.
Registro de 4 bits

Memorias

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Tipos de memorias: RAM

RAM (Random Access Memory): SRAM (Static RAM): Usa biestables para almacenar informacin. Ms rpida, mayor consumo, (memoria cach), y tamaos de Kbytes. Mayor costo. DRAM (Dynamic RAM) menor consumo y mayor integracin por tanto, se usa como memoria principal, con tiempos de acceso mayor a SRAM, y tamaos de Mbytes. Menor costo Son memorias voltiles: Pierden su contenido al desconectar la alimentacin.
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RAM
Una memoria es dinmica cuando su contenido desaparece despus de un intervalo de tiempo, aunque la fuente de alimentacin no haya sido desconectada. OTROS TIPOS: EDO DRAM (Extended Data Output DRAM). Ms rpida que la DRAM. SDRAM (Synchronous DRAM). Ms rpida que la EDO. DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM). Ms rpida que la SDRAM.

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Celdas bsicas de memorias semiconductoras

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Tipos de memorias: ROM

ROM (Read Only Memory) No voltiles. Mantienen el contenido incluso apagadas (e.g. tarjetas flash, BIOS). La informacin es almacenada por el fabricante. PROM: la informacin es almacenada por el usuario a travs de un programador. EPROM: (Erasable PROM) Permiten mltiples grabaciones. Borrado por radiacin ultravioleta. EEPROM: El proceso de grabacin se realiza de forma elctrica a travs de altos potenciales.
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Celdas bsicas de memorias semiconductoras

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ROM de 8x4

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Configuracin general de una memoria

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Configuracin de pines de una RAM

Lneas de entrada: varias lneas de direccin (seleccionan la informacin a consultar). Lneas de control (pueden presentarse negadas): 1. CS (Chip Select). Funciona como un enable. 2. OE (Output Enable). Habilitar salida de datos a un bus 3. R/W (L/E). Leer o escribir en la memoria Lneas de entrada/salida: varias lneas de datos.

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Estructura interna de una RAM(Random Access Memory) 4x4

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Estructura interna de una RAM

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Configuracin RAM:1k x 4

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Estructura interna RAM: 1kx4

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Memoria en un sistema digital basado en microprocesador

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Representacin de buses

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Ciclo de lectura

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Ciclo de lectura

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Ciclo de escritura

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Ciclo de escritura

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Parmetros temporales de la memoria PCD5114 (1K x 4 bit SRAM)

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Amplitud de la longitud de palabra

2 memorias 2x1kx4 =1 memoria de 1kx8

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Ampl. del nmero de palabras de una memoria

2 Memorias de (1k x 4) = 2k x 4

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Memoria de 32K con 4 memorias de 8K

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Mapa de memoria de 32k con 4 de 8k

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Sntesis de funciones lgicas con memorias

Si una memoria tiene n entradas de direccin, para cada una de las 2n direcciones almacenar al menos 1 bit de informacin. Considerando las n entradas de direccin como n variables de una funcin lgica, la salida puede ser considerada como una funcin lgica de las n variables. Si la memoria tiene p bits, pueden sintetizarse p funciones lgicas distintas. Ejemplo: ROM de 1Kx8, puede sintetizar 8 (p) funciones lgicas de 10 (n) variables.

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Ejemplo:
ROM de 256 x 4, para implementar las siguientes funciones lgicas:

Funcin de 8 variables de entrada

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Solucin: Llenar la memoria con las tablas de verdad

Variables Salidas

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