NELSON TORRES CAICEDO

la memoria RAM es una memoria de acceso aleatorio que permite el funcionamiento del sistema operativo as como todos sus componentes y programas; la ROM es una memoria de configuracin que no puede ser alterada o borrada, ya que contiene informacin necesaria para el arranque o booteo del CPU, esta memoria viene de fabrica con la computadora o motherboard

FUENTE DE INFORMASION: https://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_de_acceso_aleatorio

La memoria de acceso aleatorio (en ingls: random-access memory) se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayora del software. Es all donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cmputo. Se denominan de acceso aleatorio porque se puede leer o escribir en una posicin de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posicin, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la informacin de la manera ms rpida posible. Durante el encendido del computador, la rutina POST verifica que los mdulos de memoria RAM estn conectados de manera correcta. En el caso que no existan o no se detecten los mdulos, la mayora de tarjetas madres emiten una serie de pitidos que indican la ausencia de memoria principal. Terminado ese proceso, la memoria BIOS puede realizar un test bsico sobre la memoria RAM indicando fallos mayores en la misma

Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de ncleo magntico, desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los aos 60 y principios de los 70. Esa memoria requera que cada bit estuviera almacenado en un toroide de material ferromagntico de algunos milmetros de dimetro, lo que resultaba en dispositivos con una capacidad de memoria muy pequea. Antes que eso, las computadoras usaban rels y lneas de retardo de varios tipos construidas para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio. En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente ao se present una memoria DRAM de 1024 bytes, referencia 1103 que se constituy en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con xito, lo que signific el principio del fin para las memorias de ncleo magntico. En comparacin con los integrados de memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tena un desempeo mayor que la memoria de ncleos. En 1973 se present una innovacin que permiti otra miniaturizacin y se convirti en estndar para las memorias DRAM: la multiplexacin en tiempo de la direcciones de memoria. MOSTEK lanz la referencia MK4096 de 4096 bytes en un empaque de 16 pines, mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines. El esquema de direccionamiento se convirti en un estndar de facto debido a la gran popularidad que logr esta referencia de DRAM. Para finales de los 70 los integrados eran usados en la mayora de computadores nuevos, se soldaban directamente a las placas base o se instalaban en zcalos, de manera que ocupaban un rea extensa de circuito impreso. Con el tiempo se hizo obvio que la instalacin de RAM sobre el impreso principal, impeda la miniaturizacin , entonces se idearon los primeros mdulos de memoria como el SIPP, aprovechando las ventajas de la construccin modular. El formato SIMM fue una mejora al anterior, eliminando los pines metlicos y dejando unas reas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de las tarjetas de expansin, de hecho los mdulos SIPP y los primeros SIMM tienen la misma distribucin de pines. A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron una serie de mejoras en el direccionamiento como las siguientes

RAM DINMICA
Un tipo de memoria fsica usado en la mayora de los ordenadores personales. El trmino dinmico indica que la memoria debe ser restaurado constantemente (reenergizada) o perder su contenido. La RAM (memoria de acceso aleatorio) se refiere a veces como DRAM para distinguirla de la RAM esttica (SRAM). La RAM esttica es ms rpida y menos voltil que la RAM dinmica, pero requiere ms potencia y es ms costosa.

RAM ESTTICA
Abreviatura para la memoria de acceso al azar esttica. SRAM es un tipo de memoria que es ms rpida y ms confiable que la DRAM ms comn (RAM dinmica). El trmino se deriva del hecho de que no necesitan ser restaurados como RAM dinmica. Mientras que DRAM utiliza tiempos de acceso de cerca de 60 nanosegundos, SRAM puede dar los tiempos de acceso de hasta slo 10 nanosegundos. Adems, su duracin de ciclo es mucho ms corta que la de la DRAM porque no necesita detenerse brevemente entre los accesos. Desafortunadamente, es tambin mucho ms costoso producir que DRAM. Debido a su alto costo, SRAM se utiliza a menudo solamente como memoria cach.

Qu ESLA MEMORIA ROM? La memoria ROM, (read-only memory) o memoria de slo lectura, es la memoria que se utiliza para almacenar los programas que ponen en marcha el ordenador y realizan los diagnsticos. La mayora de los ordenadores tienen una cantidad pequea de memoria ROM (algunos miles de bytes). Puesto que la memoria ROM tambin permite acceso aleatorio, si queremos ser precisos, la memoria RAM debera llamarse memoria RAM de lectura y escritura, y la memoria ROM memoria RAM de slo lectura.

MEMORIA ROM
ROM, siglas para la memoria inalterable, memoria de computadora en la cual se han grabado de antemano los datos. Una vez que los datos se hayan escrito sobre un chip ROM, no pueden ser quitados y pueden ser ledos solamente. Distinto de la memoria principal (RAM), la ROM conserva su contenido incluso cuando el ordenador se apaga. ROM se refiere como siendo permanente, mientras que la RAM es voltil. La mayora de los ordenadores personales contienen una cantidad pequea de ROM que salve programas crticos tales como el programa que inicia el ordenador. Adems, las ROM se utilizan extensivamente en calculadoras y dispositivos perifricos tales como impresoras lser, cuyas fuentes se salvan a menudo en las ROM. Una variacin de una ROM es un PROM (memoria inalterable programable). PROM son manufacturados como chips en blanco en los cuales los datos pueden ser escritos con dispositivo llamado programador de PROM.

EPROM: por las siglas en ingls de Erasable Programable Read-Only Memory, en castellano, ROM
programable borrable de slo lectura. Esta memoria ROM es un chip no voltil y est conformada por transistores de puertas flotantes o celdas FAMOS que salen de fbrica sin carga alguna. Esta memoria puede programarse a travs de un dispositivo electrnico cuyos voltajes superan a los usados en circuitos electrnicos. A partir de esto, las celdas comienzan a leerse como 1, previo a esto se lo hace como 0. Esta memoria puede ser borrada slo si se la expone a luces ultravioletas. Una vez que la EPROM es programada, se vuelve no voltil, o sea que los datos almacenados permanecen all de forma indefinida. A pesar de esto, puede ser borrada y reprogramada con la utilizacin de elevados niveles de voltaje. Si bien actualmente siguen siendo utilizadas, presentan algunas desventajas, entre ellas que el proceso de borrado del chip es siempre total, es decir que no se puede seleccionar alguna direccin en particular. Por otro lado, para reprogramarlas o borrarlas, deben removerse de su circuito y este proceso lleva por lo menos veinte minutos. Estas desventajas han sido superadas por memorias flash y EEPROM, por lo que las EPROM estn cayendo en desuso en ciertos diseos y aplicaciones.

EEPROM: por las siglas en ingls de Electrically Erasable Programable Read Only Memory,
en castellano ROM programable y borrable elctricamente. Esta memoria, como su nombre indica puede ser programada, borrada y reprogramada elctricamente y no con rayos ultravioleta, como en el caso de las EPROM, lo que hace que resulten no voltiles. Adems de tener las puertas flotantes, como las anteriores, cuenta con una capa de xido ubicado en el drenaje de la celda MOSFET, lo que permite que la memoria pueda borrarse elctricamente. Como para realizar esto no se precisan programadores especiales ni rayos ultravioletas, se puede hacer en el propio circuito. Adems presenta la posibilidad de reescribir y borrar bytes individualmente, y son ms fciles y veloces de reprogramar que las anteriores. Las desventajas que presenta en comparacin a las anteriores son la densidad y sus costos altos.