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La Memoria

Caractersticas y aspectos principales

Aspectos a considerar
Ubicacin y jerarqua Capacidad y direccionamiento Unidad de transferencia Mtodo de acceso Desempeo Caractersticas fsicas Materia prima Memoria interna CPU

Ubicacin y jerarqua

Ubicacin
memoria interna = memoria principal memoria CPU: memoria representada por registros memora externa: dispositivos perifricos de almacenamiento (disco y cintas) accesible al CPU va controladores de E/S

Jerarqua
Diseo memoria depende de tres preguntas:
Cuanta? Qu tan rpida? Qu tan cara?

Jerarqua memoria

Relaciones caractersticas
tiempo acceso =====> mayor costo por bit mayor capacidad ===> menor costo por bit mayor capacidad ===> mayor tiempo acceso

No caer en un solo tipo de memoria o tecnologa, sino emplear una jerarqua de memoria Conforme se desciende en la jerarqua:
decremento costo por bit incremento capacidad incremento tiempo acceso decremento frecuencia acceso directo CPU
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Jerarqua tradicional memoria

Registros Cach Memoria Principal Disco Magntico Cinta Magntica


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Jerarqua contempornea memoria


Registros

Cach
Memoria Principal Disco Cach Disco Magntico Cinta Magntica Disco Optico
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Capacidad y direccionamiento
Memorias consisten de celdas Cada celda puede almacenar una porcin informacin, pero es la misma para todas Cada celda tiene asociado un nmero: su direccin Las direcciones empiezan en cero Memoria de n celdas => direcciones 0...n-1

direccionamiento: capacidad de acceder a una celda de memoria direccin tiene una longitud: m bits

nmero mximo bits direccionables 2m

nmero bits direccin esta relacionado con el nmero mximo de celdas direccionables directamente en memoria y es independiente del nmero de bits por celda
memoria con 212 celdas de 8 bits cada celda memoria con 212 celdas de 32 bits cada una ambas necesitan 12 bits de para su direccin
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Ejemplos estructura memoria 96 bits


0 1 2 3 4 5 16 bits 0 1

0 1 2 3 4

2 5 3

6
4 7 5 6 8

9
7 10 12 bits 11 8 bits
9

Celda, palabra y byte


celda = unidad ms pequea direccionable byte = celda de 8 bits palabra = unidad natural organizacin memoria, igual al nmero de bits usados para representar un nmero y al tamao instruccin Mquina de 16 bits

tiene registros de 16 bits e instrucciones para manipular palabras de 16 bits

Mquina de 32 bits
registros 32 bits e instrucciones para palabras 32 bits
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Ejemplos tamao celdas memoria


BurroughsB1700 IBM PC DEC PDP-8 IBM 1130 DEC PDP-15 XDS 940 Electologica X8 XDS SIGMA 9 Honeywell 6180 CDC 3600 CDC Cyber 1 bit por celda 8 bits por celda 12 bits por celda 16 bits por celda 18 bits por celda 24 bits por celda 27 bits por celda 32 bits por celda 36 bits por celda 48 bits por celda 60 bits por celda
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Ordenamiento bits dentro palabras


Los bits dentro de un bytes pueden numerarse de izquierda a derecha o de derecha a izquierda Big endian: numeracin comienza por el extremo mayor (ejemplo: Motorola) Little endian: numeracin empieza en el extremo menor (ejemplo: Intel)

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Big endian y little endian


Representacin de una palabra de 32 bits
Little endian 0 4 8 12 3 7 11 15 2 6 10 14 1 5 9 13 0 4 8 12 Byte 0 4 8 12 0 4 8 12 Big endian 1 5 9 13 2 6 10 14 3 7 11 15 Byte
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Direccin

Direccin

Ejemplo little y big endian


Dato Almacenado: Jim Smith
Little endian 0 4 8 12 16
Direccin

Big endian

T 4 0 0

M I 1 0 0

I M 21 0 0

J S H 0 0

0 4 8 12 16
Direccin

J S H 0 0

I M 21 0 0

M I 1 0 0

T 4 0 0

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Unidad de transferencia

Memoria interna:
nmero de bits de datos a transferir dentro y fuera del mdulo de memoria este puede ser igual al tamao de la palabra

Memoria externa:
los datos se transfieren a menudo en unidades muchos ms grandes que una palabra, (bloques)

Tipos transferencia
secuencial paralela
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Transferencia paralela
0 0 1 1 0 0
Datos
Cifras binarias relativas a un dato son recibidas simultneamente. Direccin entra a travs de otras lneas

0 1 1 1 0 1

1 0 1 0 1 0

0 1 1 0 0 1

Memoria

1 0

Direccin

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Transferencia secuencial

Datos y direccin

101010 110011 10101

Memoria

Todos los datos incluidos los de direccin, entran por una lnea nica y son seleccionados por un circuito lgico
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Mtodo de acceso

Acceso secuencial
memoria organizado en unidades de datos, llamadas registros

acceso se efecta en una secuencia lineal especifica se utiliza un mecanismos de lectura/ escritura, el cual debe ser movido de su posicin actual a la posicin deseada unidades de cinta son un buen ejemplo

Acceso directo
tambin implica mecanismo lectura/escritura compartido registros tienen asociada una direccin nica que se basa en su localizacin fsica acceso se complementa con una bsqueda secuencial, un contador para alcanzar la localidad final ejemplo: unidades de disco

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Acceso aleatorio
cada unidad direccionable cuenta con un mecanismo nico de direccionamiento, interalambrado fsicamente cualquier localidad puede ser seleccionada de manera aleatoria y accederse o direccionarse en forma directa ejemplo: memoria principal computadora

Acceso asociativo
tipo de memoria de acceso aleatorio una palabra se recupera con base en un parte de sus contenido ms que en su direccin cada posicin cuenta con su propio mecanismo de direccionamiento ejemplo: tipo especial de memoria cach
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Desempeo

Tiempo de acceso
acceso aleatorio: tiempo que se tarda en realizar una operacin de lectura o escritura tiempo que transcurre entre el instante en que una direccin es presentada a la memoria y el instante que los datos han sido almacenados o puestos disponibles para su uso

Tiempo ciclo de memoria


aplicado a la memoria aleatoria es el tiempo de acceso ms cualquier tiempo adicional requerido antes que un segundo acceso pueda empezar
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Caractersticas fsicas memoria

Voltil
informacin se pierde cuando la energa se apaga ejemplo: semiconductores, (RAM)

No-voltil
una vez grabada la informacin esta permanece sin deteriorarse no es necesaria ninguna energa elctrica para retener la informacin ejemplo: discos, cintas, ROM, EPROM
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Materia prima

Semiconductores
tecnologa LSI o VLSI tcnicas: TTL, MOSFET, CMOS, MOS

Superficie magntica
lectura/escritura en superficies magnticas

Optico
reflejo de emisiones rayo lser
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Compuerta TTL de colector abierto


Vcc = 5 V Vcc = 5 V

RL 4kW 1.6 k W

A B C

Q1

Q2

Y Q3 1kW

Compuerta TTL con salida tipo poste totmico


Vcc = 5 V

1.6 k W 4kW Q 4

130 W

D1 Q 1 Q 2

Y
Q 3

1kW

Memoria principal de semiconductores


Forma ms comn de acceso aleatorio era un arreglo de unidades ferromagnticas conocidas como cores Memoria principal era conocida como core Hoy en da: uso de chips semiconductores Tipos ms comunes
RAM ROM PROM EPROM EEPROM FLASH MEMORY
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Memoria tipo RAM


Random Access Memory Es posible leer y escribir datos mediante seales elctricas Memoria voltil, dividida en dos tecnologas:

Estticas: datos almacenados en capacitores, tienden a descargarse y requieren de carga peridica Dinmicas: valores almacenados usando compuertas flip/flops, los datos sern almacenados mientras exista energa elctrica
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Memoria tipo ROM


Read Only Memory Contiene datos permanentes que no pueden ser cambiados, i.e. no voltil Es posible leer pero no escribir Datos insertados como parte del proceso de fabricacin Aplicaciones:

libreras subrutinas para funciones muy buscadas programas de arranque de un sistema


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Memoria tipo PROM


Programmable ROM No voltil Puede escribirse solo una vez Escritura es elctrica y requiere de un proceso especial PROMS: proporcionan flexibilidad ROM: atractivas para grandes volmenes

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Memoria tipo EPROM


Erasable Programmable ROM Antes de escribir debe borrarse el contenido Lectura y escritura elctrica (como en PROM) El borrado se realiza a travs luz ultravioleta Es ms cara que la PROM Ventaja: capacidad de actualizacin mltiple

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Memoria tipo EEPROM


Electrically EPROM Puede escribirse sin borrar el contenido anterior Solo los bits o bytes direccionados son actualizados Operacin escritura ms tardada que la de lectura en orden de varios cientos de microsegundos por byte

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Memoria tipo Flash Memory


Flash: velocidad en la que puede ser reprogramada introducida por primera vez mediados 80s En costo y funcionalidad: entre EPROM y EEPROM Usa borrado elctrico y borra en unos segundos Borrado a nivel bloques y no a nivel byte

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Resumen caractersticas
Tipo de Categora memoria RAM memoria lectura y escritura ROM solo lectura Borrado elctrico por byte no posible cartulas Mecanismo Volatilidad de escritura elctrico voltil no voltil

PROM

solo lectura

no posible elctrico
luz UV elctrico

no voltil
no voltil

EPROM lectura

EEPROM principalmente lectura Flash principalmente lectura

elctrico elctrico por byte elctrico elctrico por bloque

no voltil
no voltil

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