ASSUNTO

4- IMPERFEIES CRISTALINAS
- Defeitos pontuais - Defeitos de linha (discordncias) - Defeitos de interface (gro e maclas) - Defeitos volumtricos (incluses, precipitados)
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O QUE UM DEFEITO?
uma imperfeio ou um "erro" no arranjo peridico regular dos tomos em um cristal. Podem envolver uma irregularidade na posio dos tomos no tipo de tomos O tipo e o nmero de defeitos dependem do material, do meio ambiente, e das circunstncias sob as quais o cristal processado.
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IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Apenas uma pequena frao dos stios atmicos so imperfeitos Menos de 1 em 1 milho Menos sendo poucos eles influenciam muito nas propriedades dos materiais e nem sempre de forma negativa

IMPERFEIES ESTRUTURAIS - IMPORTNCIADEFEITOS

INTRODUO SELETIVA

CONTROLE DO NMERO

ARRANJO

Permite desenhar e criar novos materiais com a combinao desejada de propriedades

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IMPERFEIES ESTRUTURAIS

Exemplos de efeitos da presena de imperfeies

O processo de dopagem em semicondutores visa criar imperfeies para mudar o tipo de condutividade em determinadas regies do material o A deformao mecnica dos materiais promove a formao de imperfeies que geram um aumento na resistncia mecnica (processo conhecido como encruamento) o Wiskers de ferro (sem imperfeies do tipo discordncias) apresentam resistncia maior que 70GPa, enquanto o ferro comum rompe-se a aproximadamente 270MPa.
o
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IMPERFEIES ESTRUTURAIS

So classificados de acordo com sua geometria ou dimenses

IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Defeitos Pontuais associados c/ 1 ou 2 posies atmicas
uma dimenso (fronteiras) duas dimenses trs dimenses
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Defeitos lineares

Defeitos planos ou interfaciais

Defeitos volumtricos

1- DEFEITOS PONTUAIS
Vacncias ou vazios tomos Intersticiais Schottky Ocorrem em slidos inicos Frenkel

VACNCIAS OU VAZIOS
Envolve a falta de um tomo So formados durante a solidificao do cristal ou como resultado das vibraes atmicas (os tomos deslocam-se de suas posies normais)

VACNCIAS OU VAZIOS
O nmero de vacncias aumenta exponencialmente com a temperatura
Nv= N exp (-Qv/KT) Nv= nmero de vacncias N= nmero total de stios atmicos Qv= energia requerida para formao de vacncias K= constante de Boltzman = 1,38x1023J/at.K ou 8,62x10-5 eV/ at.K
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INTERSTICIAIS
Envolve um tomo extra no interstcio (do prprio cristal) Produz uma distoro no reticulado, j que o tomo geralmente maior que o espao do interstcio A formao de um defeito intersticial implica na criao de uma vacncia, por isso este defeito menos provvel que uma vacncia

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INTERSTICIAIS

tomo intersticial grande

tomo intersticial pequeno Gera maior distoro na rede
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FRENKEL
Ocorre em slidos inicos Ocorre quando um on sai de sua posio normal e vai para um interstcio

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SCHOTTKY
Presentes em compostos que tem que manter o balano de cargas Envolve a falta de um nion e/ou um ction
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CONSIDERAES GERAIS
Vazios e Schottky favorecem a difuso Estruturas de empacotamento fechado tem um menor nmero intersticiais e Frenkel que de vazios e Schottky

Porque necessria energia adicional para forar os tomos para novas posies
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IMPUREZAS NOS SLIDOS

Um metal considerado puro sempre tem impurezas (tomos estranhos) presentes
99,9999% = 1022-1023 impurezas por cm3

A presena de impurezas promove a formao de defeitos pontuais

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LIGAS METLICAS
As impurezas (chamadas elementos de liga) so adicionadas intencionalmente com a finalidade: aumentar a resistncia mecnica aumentar a resistncia corroso Aumentar a condutividade eltrica Etc.
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A ADIO DE IMPUREZAS PODE FORMAR

Solues slidas
Segunda fase

< limite de solubilidade > limite de solubilidade

A solubilidade depende : Temperatura Tipo de impureza Concentrao da impureza

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Termos usados
Elemento de liga ou Impureza soluto (< quantidade)

Matriz ou Hospedeiro

solvente (>quantidade)
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SOLUES SLIDAS
A estrutura cristalina do material que atua como matriz mantida e no formam-se novas estruturas As solues slidas formam-se mais facilmente quando o elemento de liga (impureza) e matriz apresentam estrutura cristalina e dimenses eletrnicas semelhantes
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SOLUES SLIDAS
Nas solues slidas as impurezas podem ser:
- Intersticial - Substitucional

Ordenada Desordenada

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SOLUES SLIDAS INTERSTICIAIS

INTERSTICIAL

Os tomos de impurezas ou os elementos de liga ocupam os espaos dos interstcios Ocorre quando a impureza apresenta raio atmico bem menor que o hospedeiro Como os materiais metlicos tem geralmente fator de empacotamento alto as posies intersticiais so relativamente pequenas Geralmente, no mximo 10% de impurezas so incorporadas nos interstcios
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EXEMPLO DE SOLUO SLIDA INTERSTICIAL

Fe + C solubilidade mxima do C no Fe 2,1% a 910 C (Fe CFC)

O C tem raio atmico bastante pequeno se comparado com o Fe rC= 0,071 nm= 0,71 A rFe= 0,124 nm= 1,24 A
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Solubilidade do Carbono no Ferro

O carbono mais solvel no Ferro CCC ou CFC, considerando a temperatura prxima da transformao alotrpica?
ccc

cfc
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TIPOS DE SOLUES SLIDAS SUBSTITUCIONAIS

SUBSTITUCIONAL ORDENADA SUBSTITUCIONAL DESORDENADA

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FATORES QUE INFLUEM NA FORMAO DE SOLUES SLIDAS SUBSTITUCIONAIS

REGRA DE HOME-ROTHERY
Raio atmico deve ter uma diferena de no mximo 15%, caso contrrio pode promover distores na rede e assim formao de nova fase Estrutura cristalina mesma Eletronegatividade prximas Valncia mesma ou maior que a do hospedeiro
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EXEMPLO DE SOLUO SLIDA SUBSTICIONAL

Cu + Ni so solveis em todas as propores
Cu Raio atmico Estrutura 0,128nm=1,28 A CFC Ni 0,125 nm=1,25A CFC

Eletronegatividade

1,9

1,8

Valncia

+1 (as vezes +2)

+2
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2- DEFEITOS LINEARES: DISCORDNCIAS

As discordncias esto associadas com a cristalizao e a deformao (origem: trmica,

mecnica e supersaturao de defeitos pontuais)

A presena deste defeito a responsvel pela deformao, falha e ruptura dos materiais

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2- DEFEITOS LINEARES: DISCORDNCIAS

Podem ser:
- Cunha - Hlice - Mista

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VETOR DE BURGER (b)

D a magnitude e a direo de distoro da rede
Corresponde distncia de deslocamento dos tomos ao redor da discordncia

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2.1- DISCORDNCIA EM CUNHA

Envolve um SEMIplano extra de tomos O vetor de Burger perpendicular direo da linha da discordncia Envolve zonas de trao e compresso
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DISCORDNCIAS EM CUNHA

Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ

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DISCORDNCIAS EM CUNHA

Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ

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2.2- DISCORDANCIA EM HLICE

Produz distoro na rede O vetor de burger paralelo direo da linha de discordncia

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DISCORDANCIA EM HLICE

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2.2- DISCORDANCIA EM HLICE

DISCORDNCIA EM HLICE NA SUPERFCIE DE UM MONOCRISTAL DE SiC. AS LINHAS ESCURAS SO DEGRAUS DE ESCORREGAMENT SUPERFICIAIS. (Fig. 5.3-2 in Schaffer et al.).
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OBSERVAO DAS DISCORDANCIAS

Diretamente TEM ou HRTEM

Indiretamente SEM e microscopia ptica (aps ataque qumico seletivo)

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DISCORDNCIAS NO TEM

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DISCORDNCIAS NO HRTEM

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DISCORDNCIAS NO HRTEM

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FIGURA DE ATAQUE PRODUZIDA NA DISCORDNCIA VISTA NO SEM

Plano (111) do InSb

Plano (111) do GaSb

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CONSIDERAES GERAIS
A quantidade e o movimento das discordncias podem ser controlados pelo grau de deformao (conformao mecnica) e/ou por tratamentos trmicos Com o aumento da temperatura h um aumento na velocidade de deslocamento das discordncias favorecendo o aniquilamento mtuo das mesmas e formao de discordncias nicas Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em torno das discordncias formando uma atmosfera de impurezas
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CONSIDERAES GERAIS
O cisalhamento se d mais facilmente nos planos de maior densidade atmica, por isso a densidade das mesmas depende da orientao cristalogrfica As discordncias geram vacncias As discordncias influem nos processos de difuso As discordncias contribuem para a deformao plstica
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3- DEFEITOS PLANOS OU INTERFACIAIS

Envolvem fronteiras (defeitos em duas dimenses) e normalmente separam regies dos materiais de diferentes estruturas cristalinas ou orientaes cristalogrficas

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3- DEFEITOS PLANOS OU INTERFACIAIS

Superfcie externa Contorno de gro Fronteiras entre fases Maclas ou Twins Defeitos de empilhamento
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3.1- DEFEITOS NA SUPERFCIE EXTERNA

o mais bvio Na superfcie os tomos no esto completamente ligados Ento o estado energia dos tomos na superfcie maior que no interior do cristal Os materiais tendem a minimizar est energia A energia superficial expressa em erg/cm2 ou J/m2)

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3.2- CONTORNO DE GRO

Corresponde regio que separa dois ou mais cristais de orientao diferente um cristal = um gro
No interior de cada gro todos os tomos esto arranjados segundo um nico modelo e nica orientao, caracterizada pela clula unitria 47

Monocristal e Policristal
Monocristal: Material com apenas uma orientao cristalina, ou seja, que contm apenas um gro

Policristal: Material com mais de uma orientao cristalina, ou seja, que contm vrios gros

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LINGOTE DE ALUMNIO POLICRISTALINO

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GRO
A forma do gro controlada: - pela presena dos gros circunvizinhos
O tamanho de gro controlado - Composio qumica - Taxa (velocidade) de cristalizao ou solidificao
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FORMAO DOS GROS

A forma do gro controlada: - pela presena dos gros circunvizinhos

O tamanho de gro controlado - Composio - Taxa de cristalizao ou solidificao

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CONSIDERAES GERAIS SOBRE CONTORNO DE GRO

H um empacotamento ATMICO menos eficiente H uma energia mais elevada Favorece a nucleao de novas fases (segregao) favorece a difuso O contorno de gro ancora o movimento das discordncias
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Discordncia e Contorno de Gro

A passagem de uma discordncia atravs do contorno de gro requer energia
DISCORDNCIA

O contorno de gro ancora o movimento das discordncia pois constitui um obstculo para a passagem da mesma, LOGO QUANTO MENOR O TAMANHO DE GRO 53 .........A RESISTNCIA DO MATERIAL

CONTORNO DE PEQUENO NGULO

Ocorre quando a desorientao dos cristais pequena formado pelo alinhamento de discordncias

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OBSERVAO DOS GROS E CONTORNOS DE GRO

Por microscopia (TICA OU ELETRNICA) utiliza ataque qumico especfico para cada material

O contorno geralmente mais reativo

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GROS VISTOS NO MICROSCPIO TICO

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TAMANHO DE GRO
O tamanho de gro influi nas propriedades dos materiais Para a determinao do tamanho de gro utiliza-se cartas padres

ASTM ou ABNT
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DETERMINAO DO TAMANHO DE GRO (ASTM)

Tamanho: 1-10 Aumento: 100 X
Quanto maior o nmero menor o tamanho de gro da amostra

N= 2 n-1
N= nmero mdio de gros por polegada quadrada n= tamanho de gro
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Existem vrios softwares comerciais de simulao e determinao do tamanho de gro

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CRESCIMENTO DO GRO com a temperatura

Em geral, por questes termodinmicas (energia) os gros maiores crescem em detrimento dos menores 60

3.3- TWINS
MACLAS OU CRISTAIS GMEOS
um tipo especial de contorno de gro Os tomos de um lado do contorno so imagens especulares dos tomos do outro lado do contorno A macla ocorre num plano definido e numa direo especfica, dependendo da estrutura cristalina
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ORIGENS DOS TWINS

MACLAS OU CRISTAIS GMEOS
O seu aparecimento est geralmente associado com A PRESENA DE: - tenses trmicas e mecnicas - impurezas - Etc.
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4- IMPERFEIES VOLUMTRICAS

So introduzidas no processamento do material e/ou na fabricao do componente

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4- IMPERFEIES VOLUMTRICAS
- Incluses - Precipitados - Fases
Impurezas estranhas so aglomerados de partculas cuja composio difere da matriz forma-se devido presena de impurezas ou elementos de liga (ocorre quando o limite de solubilidade ultrapassado)

- Porosidade
formao de gases

origina-se devido a presena ou

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Incluses

INCLUSES DE XIDO DE COBRE (Cu2O) EM COBRE DE ALTA PUREZA (99,26%) LAMINADO A FRIO E RECOZIDO A 800o C.
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Incluses

SULFETOS DE MANGANS (MnS) EM AO RPIDO.

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Porosidade
As figuras abaixo apresentam a superfcie de ferro puro durante o seu processamento por metalurgia do p. Nota-se que, embora a sinterizao tenha diminudo a quantidade de poros bem como melhorado sua forma (os poros esto mais arredondados), ainda permanece uma porosidade residual.

COMPACTADO DE P DE FERRO,COMPACTAO UNIAXIAL EM MATRIZ DE DUPLO EFEITO, A 550 MPa

COMPACTADO DE P DE FERRO APS SINTERIZAO A 1150oC, POR 120min EM

ATMOSFERA DE HIDROGNIO
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EXEMPLO DE PARTCULAS DE SEGUNDA FASE

A MICROESTRUTURA COMPOSTA POR VEIOS DE GRAFITA SOBRE UMA MATRIZ PERLTICA. CADA GRO DE PERLITA, POR SUA VEZ, CONSTITUDO POR LAMELAS ALTERNADAS DE DUAS FASES: FERRITA (OU FERRO-A) E CEMENTITA (OU CARBONETO DE FERRO). 68

microestrutura da liga Al-Si-Cu + Mg mostrando diversas fases precipitadas

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Micrografia da Liga Al-3,5%Cu no Estado Bruto de Fuso

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