LA CIENCIA DE LOS MATERIALES

Y LA METALURGIA DE LOS MATERIALES

METALURGIA DE LOS MATERIALES II

INTRODUCCION

INTRODUCCION
En los ltimos 40 aos, la ciencia de los materiales ha quedado establecido como una ciencia con campo propio de investigacin muy amplio e importante. Materiales son todo cerca de nosotros , estn en nuestra cultura y pensamiento as como en nuestra existencia. Tal es su participacin en nuestras vidas, que las etapas de progreso de la humanidad estn determinadas por eras.

Pero: Qu son materiales?, Cmo los manipulamos y lo usamos?

Son una parte del universo especficamente , son sustancias cuyas propiedades los hacen tiles al ser humano en estructuras mquinas , dispositivos o productos. Estos materiales incluyen metales, cermicos , semiconductores, superconductores, polmeros (plsticos) , vidrios, dielctricos , fibras, maderas, arena, rocas y muchos otros compuestos.

 Desde el tiempo de los Griegos se ha intentado explicar geomtricamente, la disposicin que adoptan las partculas materiales para constituir los cuerpos en general y de un modo particular los cristalizados. Un cristal es un arreglo de tomos en el espacio. La regularidad con la cual los tomos son empaquetados en el slido, proviene de condiciones geomtricas impuestas por el tipo de unin entre tomos y la tendencia a ocupar el mnimo espacio.

 No todos los slidos tienen sus tomos acomodados en una estructura cristalina. Los hay tambin sin ningn arreglo definido como son los amorfos o con un orden muy local ya sea en forma de un poliedro de coordinacin regular. O en forma de grandes cadenas moleculares; Estos slidos carecen del arreglo atmico ordenado de largo alcance que tienen los cristales porque sus celdillas elementales estn apiladas al azar.

 En ciertos casos estos slidos son llamados en forma colectiva vidrios. Un ejemplo de un slido sin orden alguno es el vidrio comn, cuya estructura atmica es semejante a la de un lquido viscoso.

 Los polmeros comnmente llamados plsticos tienen una estructura de cadena con enlaces muy fuertes dentro de la cadena pero dbiles entre cadena y cadena, Lo que permite que las cadenas se enmaraen fcilmente dando lugar a una estructura no cristalina. Sin embargo, bajo ciertas condiciones algunos polmeros como la parafina pueden desarrollar estructuras cristalinas.

 De lo anterior se puede decir que la Ciencia e Ingeniera de los materiales, esta relacionado con la generacin y aplicacin del conocimiento de los materiales con respecto a su composicin , estructura , procesamiento, propiedades y usos. Hay una relacin muy estrecha entre la estructura, propiedades, procesos de fabricacin y rendimiento de los materiales. La Ciencia e Ingeniera de los Materiales acta como un proveedor de conocimientos desde las ciencias bsicas.

 El concepto principal es el de que las propiedades y comportamiento de los materiales estn ntimamente ligados a su estructura interna.

 EL Ingeniero debe conocer a fondo las propiedades, caractersticas de los comportamientos y mtodos de fabricacin de los materiales que se propone emplear.

PROCESAMIENTO Y PROPIEDADES Los materiales deben ser procesados para satisfacer las necesidades. El procesamiento ms simple es el que cambia la forma del material por ejemplo el maquinado y el forjado.

RENDIMIENTO
Un material como producto terminado posee una serie de propiedades , resistencia, dureza, conductividad, densidad, color, etc. Estos estn especificados para cumplir con los requerimientos de diseo. Este producto mantendr sus propiedades eternamente siempre que no haya cambios en su estructura dentro de su estructura interna.

LOS MATERIALES SE PUEDEN DIVIDIR:

MATERIAS PRIMAS

MATERIALES PRIMARIOS

MATERIAS PRIMAS
Son productos naturales que sirven para la elaboracin por procedimientos Industriales de productos semi elaborados o productos acabados. Por ejemplo; los minerales, rocas, petrleo, gas natural, carbn, fibras textiles, maderas, etc.

MATERIALES PRIMARIOS
Son productos que en parten provienen de la naturaleza. Pero que por lo regular se obtienen de las materias primas y sirven para la fabricacin de productos terminados. Por ejemplo puede ser el metal y sus aleaciones.

CARACTERIZACION DE LOS MATERIALES

Para poder conocer la calidad y las propiedades de los materiales es necesario los diferentes ensayos y anlisis

ENSAYO DE MATERIALES

ENSAYOS CIENTIFICOS ENSAYOS TECNOLOGICOS

ENSAYOS CIENTIFICOS
Pertenecen los procedimientos que permiten obtener en todo momento valores reproducibles. De los exmenes realizados, los resultados obtenidos deben expresarse en cifras o magnitudes fsicas . Ejemplo la resistencia a la traccin, etc.

ENSAYOS TECNOLOGICOS
En estos ensayos se tiende a organizar las pruebas de manera que estas satisfagan los requerimientos prcticos de los materiales. De tal manera que sirvan para la comprobacin del material, la pieza en la fabricacin o en el diseo.

ENSAYOS EN LOS MATERIALES

Anlisis Qumicos Examen Metalogrfico Experiencias Fsicas Ensayos Destructivos Ensayos no Destructivos Ensayos Estticos Ensayos Dinmicos

La Estructura Cristalina
Redes, planos e ndices. La constante observacin de formas bien definidas de los cristales, nos lleva a la idea de que ellos estn compuestos por unidades con una cierta geometra que se repite constantemente en el espacio. Como idea introductoria, parece conveniente considerar el caso en dos dimensiones:

LA ESTRUCTURA CRISTALINA
Redes, planos e ndices. La constante observacin de formas bien definidas de los cristales, nos lleva a la idea de que ellos estn compuestos por unidades con una cierta geometra que se repite constantemente en el espacio. Como idea introductoria, parece conveniente considerar el caso en dos dimensiones:

representa una RED en dos dimensions, obtenida por simple translacin de un punto en ambas direcciones.

A este arreglo resultante le podemos superponer varios tipos de rejas.

 Ntese que los alrededores de cada

interseccin (de lneas) son idnticos. Llamaremos a las intersecciones sitios de red. La figura geomtrica ABCD tiene la propiedad de que al ser trasladada en las diferentes direcciones del plano, el arreglo puede ser reproducido totalmente. Llamaremos al paralelogramo ABCD celda unidad.

 La celda unidad estar caracterizada por seis parmetros, tres longitudes axiales (a, b, c) y tres ngulos (, , ,). Las diversas combinaciones que podemos hacer con ellos nos llevan a la obtencin de siete sistemas cristalinos o sigonias. Estos siete sistemas cristalinos contienen un solo tomo por sitio de la red, sin embargo, es posible tener ms de un tomo, resultando otras siete estructuras que nos pueden reproducir arreglos no contenidos en las siete primeras sigonias.

Celdilla elemental definida por las tres traslaciones no coplanares denominadas ejes reticulares

FORMA DE EJES SIGONIA Cbica Tetragonal Rombica Hexagonal Ortorrmbica Monoclnica Triclnica CRISTALINOS a = b =c a = b c a = b =c a = a = b c a b c a b c abc ANGULO ENTRE EJES = = = 90o = = = 90o o = 90 = = 90o , = 120o o = = = 90 o o = = 90 , 90

LAS REDES ESPACIALES DE BRAVAIS

ESTRUCURA CBICA CENTRADA CUERPO (BCC)

CALCULO DE LA RADICULA a

ESTRUCTURA CBICA CENTRADA EN LAS CARAS (FCC)

ESTRUCTURA HEXAGONAL COMPACTA (HCP)

POSICIN Y ORIENTACIN DE PLANOS EN CRISTALES

La posicin y orientacin de un plano cristalino est determinado por tres nmeros, que correspondern a los cortes del plano con los tres ejes coordenados. La forma usual para especificar la orientacin de un plano, cristalino, es utilizando los ndices Miller; que se determinan como sigue: Encuentre las intersecciones del plano con los ejes en trminos de constantes de la red. Tome los recprocos de estos nmeros y redzcalos a tres enteros, multiplicando por un nmero comn. El resultado encirrelo en un parntesis

ENLACES INTERATMICOS Y LA CLASIFICACIN DE LOS SLIDOS

Todas las propiedades observables en un material dependen en primera instancia de las fuerzas de cohesin entre los tomos que las componen. Por ejemplo un slido con alta resistencia mecnica, consiste de tomos unidos por fuerzas altamente potentes, y uno que es buen conductor elctrico est compuesto por tomos nidos por fuerzas en las que los electrones de la capa exterior quedan libres para moverse grandes distancias.

ELECTRONES Y ENLACES ATMICOS

En la presente seccin se intentar buscar las leyes que rigen los enlaces basndonos en el comportamiento de los electrones de valencia. Cualitativamente, podemos entender porque un enlace atmico es fuerte o dbil, direccional o no direccional, a travs del conocimiento de las energas y localizacin de los electrones de enlace con respecto al resto del tomo.

 Como los electrones obedecen las leyes de la mecnica cuntica, es necesario tenerlos presentes: 1. Las energas asociadas a un electrn son discretas, as si un electrn cambia su energa tendr que hacerlo emitiendo o absorbiendo paquetes de energa que son mltiplos de un cierto valor de energa. La frecuencia de la energa emitida o absorbida est dada por: E = E2 E1 = h
Donde: h = constante de Planck E2= energa despus del cambio E1 = energa antes del cambio.

Si E resulta negativa implica que se emiti energa.

 2. El principio de exclusin de Pauli, que nos establece que no ms de dos electrones pueden ocupar el mismo nivel de energa y que estos dos debern diferenciarse por su espn opuesto. Este principio podra ser una generalizacin de aquel que dice: Dos cuerpos no pueden ocupar el mismo lugar en el espacio. 3. El principio de incertidumbre de Heisenberg es el tercer punto importante a recordar y que establece que no podemos medir con precisin todas las cantidades que describen el movimiento de una partcula.

Las fuerzas atractivas pueden ser divididas en cuatro clases de acuerdo a el grado de transferencia de electrones entre los tomos cuando interaccionan para producir ligazones. NOMBRE TRANSFERENCIA DE ELECTRONES

Van der Waals Metlico Covalente Inico

ninguna parcial difusa (no direccional) parcial localizada (direccional) completa

PLANOS CRISTALINOS DIRECCIN EN LA CELDA

A menudo es necesario referirnos a posiciones especficas en las redes cristalinas. Esto es especialmente importante para metales y aleaciones con propiedades que varan con la orientacin cristalogrfica. Para cristales cbicos los ndices de las direcciones cristalogrficas son los componentes vectoriales de las direcciones resueltas a lo largo de cada eje coordenado y reducido a los enteros mas pequeos.

 Para indicar en un diagrama la direccin en una celda cbica unitaria dibujamos un vector de direccin desde el origen (que es normalmente una esquina de la celda cbica) hasta que sale la superficie del cubo. Las coordenadas de posicin de la celda unidad donde el vector de posicin sale de la superficie del cubo despus de ser convertidas a enteros son los ndices de direccin. Los ndices de direccin se encierran entre corchetes sin separacin por comas

PLANOS EN LA CELDA UNITARIA

Planos en la Celda Unitaria : Planos que se inscriben en una celda unitaria, una plano cualquiera se designa (x y z) y se obtienen de acuerdo al siguiente procedimiento Vea los puntos donde el plano corta con los ejes x,y,z. Si el plano toca el origen debe cambiar su eje de referencia. Calcule el reciproco de x, y, z (1/x, 1 /y, 1 /z). Deje todo en nmeros enteros.

En el caso de se considera cero.

IMPERFECCIONES DE LOS CRISTALES

La mayora de las propiedades mecnicas y electrnicas de los slidos cristalinos, son debidas a que no son slidos perfectos. Podramos atrevernos a aseverar que nuestra civilizacin no existira si los materiales cristalinos de uso diario como los metales tuvieran estructura cristalina perfecta. Se imaginan un metal como el aluminio que para doblarlo, fuese necesario aplicar una fuerza de cerca de 1000 Kg / mm 2 ?. Los semiconductores son resultado de la introduccin de defectos en la estructura electrnica de los cristales.

DISLOCACIONES
Vector de Burgers de una Dislocacin:
La forma ms usada de definir una dislocacin es en trminos de su vector de Burgers. Tomemos un circuito en la red perfecta y tomemos uno idntico en la red imperfecta. Se notar, que en la red imperfecta el nmero de tomos que hay en cada lado del circuito es diferente mientras que en la red perfecta es el mismo. Si expresamos la diferencia entre los circuitos en forma vectorial obtenemos el llamado vector de Burgers.

DEFECTOS PLANARES Y VOLUMTRICOS

Los defectos planares o sea de dos dimensiones estn formados por la unin de un gran nmero de dislocaciones, un ejemplo son las fronteras de grano. Los defectos volumtricos son aquellos como burbujas o cavidades microscpicas dentro del cristal.

DEFECTOS PUNTUALES DE VACANTE

Constituye el defecto puntual ms simple. Es un hueco creado por la perdida de un tomo que se encontraba en esa posicin. Puede producirse durante la solidificacin por perturbaciones locales durante el crecimiento de los cristales. Tambin puede producirse por reordenamientos atmicos en el cristal ya formado como consecuencia de la movilidad de los tomos.

FIGURA DE LA ESQUEMATIZACIN DE UNA VACANCIA, VACI O HUECO

NUMERO DE VACANTES
NV = N ( -Q / K T )
Donde: Nv es el nmero de vacantes por metro cbico N es el nmero de puntos en la red por metro cbico Q es la energa requerida para producir una vacancia (J/tomo) T es la temperatura en K K es la constante de Boltzmann de los gases (1.38 x 10-23 J / tomo K) 8.62 x 10-5 Ev / tomo K.

DEFECTOS INTERSTICIALES
Algunas veces, un tomo extra se inserta dentro de la estructura de la red en una posicin que normalmente no est ocupada formando un defecto llamado Defecto intersticial. Generalmente este tipo de defecto introduce relativamente grandes distorsiones en los alrededores puesto que normalmente el tomo es sustancialmente ms grande que la posicin intersticial en la que se sita. Consecuentemente la formacin de este defecto no es muy probable. Se pueden introducir en una estructura por radiacin.

DEFECTOS INTERSTICIALES

IMPUREZAS EN SLIDOS
No es posible conseguir un metal puro, consistente en tomos exclusivamente de un solo tipo. Las impurezas extraas siempre estn presentes y a veces existen como defectos cristalinos puntuales. Incluso con tcnicas relativamente sofisticadas es difcil afinar los metales de modo que su riqueza exceda del 99,9999%. En estas condiciones, un metro cbico de material contiene del orden de 1022 a 1023 tomos de impurezas.

SUSTITUCION
La mayora de los metales mas familiares no son altamente puros, sino aleaciones. Este defecto se introduce cuando un tomo es reemplazado por un tomo diferente. El tomo sustityente puede ser ms grande que el tomo original y en ese caso los tomos del alrededor estn sometidos a fuerzas de compresin puede ser ms pequeo que el tomo original y en este caso los tomos circundantes estarn sometidos a fuerzas de tensin

FIGURA DE UN TOMO DE SUSTITUCIN MS PEQUEO QUE EL ORIGINAL.

FIGURA EN QUE EL TOMO DE SUSTITUCIN ES MS GRANDE QUE EL ORIGINAL

DEFECTO FRENKEL
Es una imperfeccin combinada Vacancia Defecto intersticial.
Ocurre cuando un ion salta de un punto normal dentro de la red a un sitio intersticial dejando entonces una vacancia.

DEFECTO FRENKEL

DEFECTO SCHOTTKY Es un par de vacancias en un material con enlaces inicos. Para mantener la neutralidad, deben perderse de la red tanto un catin como un anin.

DEFECTO SCHOTTKY

LA SIMULACION MATEMATICA
EN LA CIENCIA DE LOS MATERIALES

ESCALA DE LOS OBJETOS

nano mundo

micro mundo

10-10 m

10-9

10-8

10-7

10-6

10-5

10-4

10-3

10-2

10-1

100m

Progreso en miniaturizacin

Corral cuntico

Biomonitor MEMS 64

La importancia de los nanomateriales

..Aplicacin
Catlisis y almacenamiento de Hidrogeno

..Ventajas de nanopolvos
Mayor rea superficial

Pastas conductoras
Cintas magnticas y fluidos Pinturas metlicas Farmacetica Sinterizacin

Mayor conductividad elctrica

Mejores propiedades magnticas Propiedades de absorcin dependientes del tamao Mejores propiedades magnticas Procesos cinticos mas rpidos

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Material real

Modelos

Realizar Experimentos Resultados experimentales

Realizar Simulacin computacional

Construir teoras aproximadas Predicciones tericas

Resultado exacto para el modelo

Comparacin
Atestacin de modelos

Comparacin
Atestacin de teoras
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Lugar de la Simulacin en CM
El problema de muchos cuerpos en fsica, biologa, qumica y Ciencia de Materiales. Simulacin Computacional es una potente herramienta en la solucin del problema
Mundo Microscpico Atomos Fsica Estadstica Mundo Macroscpico Termodinmica Experimento

Simulacin

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LA SIMULACIN MATEMATICA EN LA CIENCIA DE LOS MATERIALES

Su campo de aplicacin es cada vez mas amplio tanto en investigacin bsica como en aplicaciones tecnolgicas avanzadas, abarcando los campos de la fsica, qumica, biologa e ingenieras. El resultado de la simulacin son numeros y no formulas.

 Accesible a regiones del espacio y parmetros que son inaccesibles experimentalmente. Los experimentos pueden ser muy costosos, peligrosos (por ejm. dao producido por radiacin ionizante) Se puede predecir la propiedad de materiales que todava no han sido fabricados. Su rol aumenta con el incremento de la potencia y disponibilidad de las computadoras

saludos
Y as empezamos el curso