A

nodo

K
Ctodo

Un diodo (del griego "dos caminos") es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente elctrica en una nica direccin con caractersticas similares a un interruptor. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un corto circuito con muy pequea resistencia elctrica.

Un diodo semiconductor de estado slido consta de dos partes, formadas por cristales de silicio (Si) de diferente polaridad. Para obtener dos cristales semiconductores de polaridad diferente es necesario doparlos durante el proceso de produccin del diodo, aadindole a la estructura molecular de cada uno de esos cristales cierta cantidad de impurezas pertenecientes a tomos de otros elementos qumicos (tambin semiconductores), pero de valencias diferentes para cada una de las partes que formarn el diodo, con sus correspondientes polaridades. Impurezas de valencia 5 (Arsnico, Antimonio, Fsforo). Impurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro, Galio).

Al combinarse los tomos de Silicio para formar un slido, lo hacen formando una estructura ordenada llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces Covalentes", que son las uniones entre tomos que se hacen compartiendo electrones adyacentes de tal forma que se crea un equilibrio de fuerzas que mantiene unidos los tomos de Silicio.

SEMICONDUCTOR DE SILICIO TIPO N

Una vez finalizado este proceso de dopado se obtiene un semiconductor tipo-n, con polaridad negativa (N), caracterizado por presentar exceso de electrones libres en la ltima rbita de los tomos de antimonio aadidos como impurezas.

SEMICONDUCTOR DE SILICIO TIPO P

Una vez terminado el dopaje, el material adquiere propiedades conductoras y se convierte en un semiconductor extrnseco dopado tipo-P (P), o aceptante, debido al exceso de cargas positivas que provoca la falta de electrones en los huecos o agujeros que quedan en su estructura cristalina.

(P) Se establece un flujo de huecos en sentido opuesto al flujo de electrones que proporciona la fuente de energa elctrica. (N) Para el caso del semiconductor tipo N , se puede observar que el flujo de electrones en el material semiconductor, es el mismo que el flujo de electrones que proporciona la batera cuando est se conecta.

En el mismo momento que un cristal semiconductor de silicio (Si) de conduccin tipo-p (positivo) se pone en contacto con otro cristal semiconductor tambin de silicio, pero de conduccin tipo-n (negativo), se crea un diodo de empalme o de unin pn. Si al diodo as formado le conectamos una fuente de corriente elctrica, ste reacciona de forma diferente a como ocurre con cada una de las dos partes semiconductoras por separado, tal como se pudo ver en el ejemplo anterior.

Barrera de Potencial Zona de Deplexin, vaciado , espaciamiento, o despoblacin Energa necesaria

Identificacin en simbologa elctrica y fsica de un diodo.

Curva Caracterstica del diodo

La forma de funcionamiento de un diodo comn de silicio se puede apreciar observando la curva caracterstica que se crea cuando se polariza, bien de forma directa, o bien de forma inversa. En ambos casos la curva grfica (representada en color verde en el siguiente grfico) muestra la relacin existente entre la corriente y la tensin o voltaje que se aplicada a los terminales del diodo.

Curva Caracterstica del diodo

Io es la corriente inversa de saturacin del diodo. q es la carga del electrn (es decir, 1,6 10-19 culombios). T es la temperatura absoluta de la unin en grados Kelvin (K). K es la constante de Boltzman, de valor 1,38110-23 J/K. =1 es el denominado coeficiente de emisin, que depende del proceso de fabricacin del diodo, y que es 1 para Ge y 2 para Si, en corrientes moderadas. VT se conoce como tensin trmica o tensin equivalente de temperatura. Se obtiene como KT/q = T/11600. Entonces, para T = 300 K VT aprox 0,026 V= 26 mV.

La curva caracterstica del diodo resulta de representar grficamente la relacin I=f(V), que, matemticamente, se aproxima por la sgte expresin:

Curva Caracterstica del diodo

Curva I-V de acuerdo al modelo matemtico.

Curva de funcionamiento real del diodo.

Polarizacin directa del diodo

Cuando aplicamos una tensin directa V a una unin p-n, es decir, una tensin positiva del lado p y negativa del lado n. En primer lugar, la anchura de la zona de carga disminuye, disminuyendo tambin la barrera de potencial que aparece en dicha zona. Para valores pequeos de la tensin de polarizacin (valores de tensin menores que la barrera de potencial) la circulacin de corriente no ser apreciable.

V = 0,2 V (Ge) V = 0,6 V (Si) V = 0,3 V (Schottky) V = 1,2 V AsGa (LED

Polarizacin inversa del diodo

Para polarizar inversamente una unin p-n colocamos una tensin continua con el lado negativo de la misma en la zona p y el lado positivo de la tensin en la zona n. La polaridad aplicada de esta manera es tal que tiende alejar a los h+ de la zona p y a los ede la zona n de la unin. De esta manera, la zona de cargas fijas negativas se extender hacia el interior de la zona p y de forma anloga la zona de cargas positivas tender a penetrar en la zona n.

V = 0,2 V (Ge) V = 0,6 V (Si) V = 0,3 V (Schottky) V = 1,2 V AsGa (LED

Diodo en los circuitos utilizado como interruptor

Polarizacin directa

Polarizacin inversa

A
nodo

K
Ctodo

Diodo zener

La corriente en la regin Zener tiene una direccin opuesta a la de un diodo polarizado directamente. El diodo Zener es un diodo que ha sido diseado para trabajar en la regin Zener. De acuerdo con la definicin, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseado para trabajar con voltajes negativos (con respecto a l mismo). As, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a -200 V y potencias de 1/4 a 50 W.

Vz, Izmin, Izmax

Diodo zener
Los diodos que trabajan en la zona de ruptura se conocen como diodos zener o diodos de avalancha. Esto es debido a los dos fenmenos que se producen durante su funcionamiento. Para valores inferiores a VZ 5.6V, el diodo de ruptura trabaja bajo el efecto zener. Para diodos con una tensin de ruptura por encima de 5.6V, trabajan bajo el efecto avalancha. En el caso de la ruptura zener, el campo elctrico es suficientemente intenso como para romper directamente los enlaces. Es el efecto que ocurre si VZ 4.5V. En este caso el coeficiente de temperatura es negativo. En el caso de multiplicacin por avalancha, el campo elctrico acelera los portadores que atraviesan la zona de transicin. Algunos chocan y generan ms portadores. Se produce entonces una reaccin en cadena que genera muchsimos portadores, y con ello una fuerte corriente. Es el efecto que ocurre si VZ 5.6V.

Diodo zener

Un diodo normal tambin tiene una zona de ruptura, pero no puede funcionar en l, con el Zener si se puede trabajar en esa zona.

Diodo zener
El zener se usa principalmente en la estabilidad de tensin. Vz nom,Vz: Tensin nominal del zener (tensin en cuyo entorno trabaja adecuadamente el zener). Iz min: Mnima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a partir de la cual se garantiza el adecuado funcionamiento en la zona de disrupcin (Vz min). Iz max: Mxima corriente inversa que puede atravesar el diodo a partir de la cual el dispositivo se destruye (Vz max). Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente. Aproximadamente se corresponde con el producto de Vz nom y Iz max.

Diodo zener

Cuando usamos un diodo zener en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante): Para un correcto funcionamiento, por el zener debe circular una corriente inversa mayor o igual a Iz min. La corriente mxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que Iz max. La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar en el circuito.

Diodo zener

Curva Caracterstica real Diodo zener

Diodo zener

La aplicacin de estos diodos se ve en los Reguladores de Tensin y acta como dispositivo de tensin constante (como una pila).

Diodo zener
El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha alcanzado su potencial VZ se comporta como un corto. Es un "switch" o interruptor que se activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de voltaje o en fuentes. Si se desea proteger la carga contra sobre voltajes, el mximo voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se elige un diodo Zener cuyo VZ sea 4.8 volts, entonces este se activar cuando el voltaje en la carga sea 4.8 volts, protegindola de esta manera.

A
nodo

K
Ctodo

El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn (dopado fortisimo), en la cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa (resistencia negativa) en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo (amplificador/oscilador).

El diodo Tnel se comporta de una manera muy interesante conforme se le va aumentando una tensin aplicada en sentido directo. - Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tnel empieza a conducir (la corriente empieza a fluir). - Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un punto despus del cual la corriente disminuye. - La corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de un "valle. - Despus volver a incrementarse. En esta ocasin la corriente continuar aumentando conforme aumenta la tensin. Este comportamiento de la corriente en funcin de la tensin en el diodo tnel se puede ver en el siguiente grfico.

Vpeak Vvalle

Ge Si

Juntura PN

La resistencia negativa de un diodo puede ser utilizada en numerosas aplicaciones electrnicas, esto es, en conmutaciones, oscilaciones y amplificadores. Este tipo de diodos no presenta retardos por ser muy rpidos debido a sus propiedades de construccin (mecnica cuntica) por lo cual se utiliza mucho en conmutadores muy rpidos.

A
nodo

K
Ctodo

Es un dispositivo semiconductor que puede controlar su valor de capacidad en trminos de la tensin aplicada en polarizacin inversa. Esto es, cuando el diodo se polariza inversamente no circula corriente elctrica a travs de la unin; la zona de deplexin acta como el dielctrico de un capacitor y las secciones de semiconductor P y N del diodo hacen las veces de las placas de un capacitor. La capacidad que alcanza el capacitor que se forma, es del orden de los pico o nano faradios. Cuando vara la tensin de polarizacin inversa aplicada al diodo, aumenta o disminuye de igual forma la zona de deplexin. En un diodo, esto equivale a acercar o alejar las placas de un capacitor. Las aplicaciones de los varicap son la mayora de las veces en circuitos resonantes, los cuales permiten seleccionar una seal de una frecuencia especfica, de entre muchas seales de diferentes valores.

En el dibujo de la figura se puede ver en la parte superior el diodo varicap alimentado con 1.5 V, mientras en la figura inferior el diodo esta alimentado con 2.5 V. Polarizacin inversa exp.

Variacin de la capacidad en funcin de la magnitud de tensin aplicada.

Tensin mnima = capacidad mxima Tensin mxima = capacidad mnima

Otro parmetro de gran importancia a considerar a la hora de elegir el diodo varicap es la tensin inversa que es capaz de soportar. Po lo general esta dentro del rango de 24 a 30 VCC, sin embargo los modelos de alta capacidad como los OM no soportan tensiones inversa superiores a 15 VCC.