Tema 1: Componentes Electrnicos 1

Tema 1. Componentes electrnicos

1.1. El transistor Bipolar de unin (BJT)
El BJT en continua
Efectos de segundo orden
El BJT en pequea seal
1.2. El transistor MOSFET
Introduccin
Ecuaciones de funcionamiento
El MOSFET en pequea seal
Tema 1: Componentes Electrnicos 2
Transistor npn
i
B
i
E
i
C
B
C
E
v
BC
v
BE
v
CE
Transistor pnp
i
E
i
C
i
B
B
C
E
v
CB
v
EB
v
EC
i i i
v v v
E B C
CE BE BC
= +
=
Ecuaciones impuestas por las leyes de Kirchoff.
Vlidas para continua y alterna
n

p

n

B
C
E
p

n

p

B
C
E
El Transistor Bipolar de Unin (BJT): Esquemas y tipos
Observar la notacin para los signos de las tensiones:
la flecha indica direccin creciente de potencial (+)
V
CC
+

-

No confundir con la direccin de la corriente
Tema 1: Componentes Electrnicos 3
Nomenclatura
m
M
, valores totales (v
BE
, i
C
, etc)

M
M
, valores de continua (V
BE
, I
C
, etc). Se suele aadir Q a las expresiones
(V
BEQ
, I
CQ
, etc)

m
m
, valores de alterna (v
be
, i
c
, etc).

M
MM
, fuentes de alimentacin (V
CC
, I
BB
, etc)

M
m
, Valor de pico en rgimen senoidal (V
be
, I
c
, etc)
Tema 1: Componentes Electrnicos 4
Unin Base Emisor polarizada en directa, V
BE
>0
Unin Base Colector polarizada en inversa, V
BC
<0

I
C
= | I
B
V
BE
~ cte ~ 0.7 V V
CE
> V
CESAT
~ 0.2 V
El Transistor bipolar en continua: Ecuaciones en activa directa
o
o
|

=
1
I
C
= o I
E
Puesto que |>>1 (del orden de 100-200, hasta 1000 en algunos casos)
1 +
=
|
|
o
B E E c
I I I I >> ~ = o
I
B
B
C
E
V
CE
E c
I I ~
V
BE
~ 0.7 V
o y | son constantes:
1
1
~
+
=
|
|
o
C C
C
C B E
I I
I
I I I ~ + = + =
|
O tambin:
Tema 1: Componentes Electrnicos 5
v
BE
~ cte ~ 0.7 V

i
C
< | i
B

i
B
=0
i
C
=0

v
BE
< 0.7 V
v
BC
< 0.5 V
Corte:
Unin Base Emisor polarizada en directa
Unin Base Colector polarizada en directa

El Transistor bipolar en continua: ecuaciones en saturacin y corte
Saturacin:
Las corrientes del BJT son cero

v
CE
~ V
CESAT
~ 0.2 V

B
C
E
E c
I I =
V
BE
~ 0.7 V
v
CE


~ 0.2 V

Tema 1: Componentes Electrnicos 6
Curvas de salida en EC
(Activa, saturacin y corte)
La corriente de colector es prcticamente independiente de la tensin v
CE
en activa
En saturacin v
CE
=cte=0.2V-0.3 V
Representacin de i
C
=i
C
(v
CE
) para I
B
constante
i
C
I
B1
I
B2
I
B3
I
B4
v
CE
Activa
Saturacin
i
B1
>i
B2
>i
B3
>i
B4
Curvas caractersticas de salida
Corte
Tema 1: Componentes Electrnicos 7
Variacin de la anchura efectiva de la base por efecto de la tensin V
BC

v
CE
i
C
i
B1
i
B2
i
B3
i
B4
-V
A
(Tensin de Early)
La corriente de colector ya no es constante en activa.
Aumenta ligeramente con v
CE
i
B1
>i
B2
>i
B3
>i
B4
Efectos de segundo orden
Efecto Early
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-. Dependencia de | con la corriente de colector I
C
.
| Aumenta ligeramente a bajas corrientes y decrece a corrientes ms altas
Efectos de segundo orden
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De lo contrario, se puede daar el BJT
Tensin de ruptura: tensin mxima entre dos terminales sin que se rompa el BJT

V
CE
I
C
< Pmax
Efectos Trmicos
La temperatura muy elevada puede degradar el dispositivo
Existe un valor mximo de potencia que puede disipar un transistor
-. Dependencia de V
BE
y | con la temperatura.
V
BE
disminuye entre -1 y -3 mV / C
| aumenta 0.5 % / C
Efectos de segundo orden
Tema 1: Componentes Electrnicos 10
Condiciones de pequea seal:
Transistor en activa
v
BE
(t)=V
BE
+v
be
(t), donde |v
be
(t)|<V
T
=26 mV y V
BE
=cte
i
C
(t)=I
C
+i
c
(t), i
E
(t)=I
E
+i
e
(t)
i
B
(t)=I
B
+i
b
(t), v
CE
(t)=V
CE
+v
ce
(t)
Las corrientes y tensiones del BJT se pueden obtener aplicando el principio de
superposicin
Se pueden analizar de forma "independiente" la parte DC y la alterna
La solucin total para cada tensin o corriente es la suma de las soluciones
calculadas por separado
El Transistor bipolar en pequea seal
Tema 1: Componentes Electrnicos 11
Las variables v
be
(t), v
ce
(t), i
c
(t), i
e
(t) e i
b
(t) se obtienen analizando el circuito equivalente
en pequea seal:
r
t
=V
T
/I
B
=|/g
m
v
be
i
b i
c
v
ce
i
e
B C
E
r
t
C
t
C
bc
r
0
|i
b
=
g
m
v
be
r
o
= V
A
/I
C
Transistor npn
r
t
=V
T
/I
B
r
0 = V
A
/I
C
Transistor pnp
g
m
= I
C
/V
T
Circuito equivalente en pequea seal
g
m
= I
C
/V
T
i
b
v
eb
i
c
v
ec
i
e
B C
E
r
t
C
t
C
bc
r
0
|i
b
=
g
m
v
be
Tema 1: Componentes Electrnicos 12
El Transistor MOSFET: Introduccin
Dispositivo formado por 5 regiones
Difusiones de D y S tipo n
+
(p
+
en MOSFET de canal p)
xido de puerta
Regin entre D y S: Canal
Substrato
W

S
D

G

n
+
n
+
Canal
Substrato tipo p
xido de puerta
L

L ~ 0.2-10 m
W ~ 2-500 m
t
ox
~ 0.02 0.1 m
Tema 1: Componentes Electrnicos 13
El Transistor MOSFET: Introduccin
S

D

G

n
+
n
+
Substrato tipo p
L

v
GS
v
DS
Tres terminales:
Drenador (D)
Puerta (G)
Fuente (S)
Controlado por dos tensiones:
v
GS
entre puerta y fuente
v
DS
entre drenador y fuente
i
D
i
S
D
S
G
Tema 1: Componentes Electrnicos 14
- - - - - - - - - - - - -
La estructura Metal-xido-Substrato es similar a un condensador
v
GS
Substrato p
+ + + + + + + + + + + + + + +
El Transistor MOSFET: Introduccin
Para v
GS
>0 es posible acumular cargas
negativas en el canal
En continua, no circula corriente a
travs de la puerta debido al xido
Aplicaciones:
Enorme desarrollo de tecnologa integrada
Tecnologa CMOS es la base de la industria microelectrnica
I
G
=0
Tema 1: Componentes Electrnicos 15
El Transistor MOSFET: Tensin umbral
v
GS
S

D

G

n
+
n
+
Substrato tipo p
Canal n
v
DS
Si v
DS
> 0, i
D
> 0, hay conduccin
Para una v
GS
mayor que un cierto valor umbral, V
T
, electrones libres son atraidos al canal
Se forma una zona de inversin, canal n
Si se aplica una tensin entre drenador y fuente, circula corriente: i
D
=i
S
>0
Tema 1: Componentes Electrnicos 16
0 , 0 , 0 = = =
S D G
i i i
( )
(

= ~ ~
2
2
1
' , , 0
DS DS T GS n D S D G
v v V v
L
W
k i i i i
( ) ( )
DS T GS n D S D G
v V v
L
W
k i i i i + = ~ ~ 1 '
2
1
, , 0
2
Corte
Gradual
Saturacin o activa
V
T
~ 1 3 V
K
n
= Parmetro de transconductancia
W = anchura del FET
L= longitud del canal
V
GS
< V
T
V
GS
> V
T
y V
DS
< V
GS
-V
T
=V
DSAT
El MOSFET en DC: Ecuaciones de funcionamiento
V
GS
> V
T
y V
DS
> V
DSAT
=V
GS
-V
T
= 1/V
A
, V
A
es la tensin Early
Tema 1: Componentes Electrnicos 17
I
D
V
DS
V
GS
-I
D
V
GS
Canal n
Canal p
V
DS
El Transistor MOSFET: Curvas de Salida
Todo para MOSFET de acumulacin
Tema 1: Componentes Electrnicos 18
Si se cumple v
GS
(t)=V
GS
+v
gs
(t) donde:
|v
gs
(t)| <<2 |V
GS
-V
T
| para todo t
Entonces se cumple:
i
D
(t)=I
D
+i
d
(t)
v
DS
(t)=V
DS
+v
ds
(t)

El Transistor MOSFET en Pequea Seal
Para funcionamiento en saturacin (activa)
Las corrientes y tensiones del BJT se pueden obtener aplicando el principio de
superposicin
Se pueden analizar de forma "independiente" la parte DC y la alterna
La solucin total para cada tensin o corriente es la suma de las soluciones
calculadas por separado
Tema 1: Componentes Electrnicos 19
v
gs
C
gd
C
gs
v
ds
r
ds
g
m
v
gs
g
m
=k
n
W/L |(V
GS
-V
T
)|
r
ds
=|V
A
/I
D
|
i
g
i
d
i
s
Canal n
v
gs
C
gd
C
gs
v
ds
r
ds
g
m
v
gs
i
g
i
d
i
s
r
ds
=|V
A
/I
D
|
Canal p
g
m
=k
n
W/L |(V
GS
-V
T
)|
El Transistor MOSFET: Circuito Equivalente en Pequea Seal
Los valores de alterna i
g
, i
s
, i
d
, v
ds
y v
gs
, se obtienen analizando el circuito equivalente: