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ACT 10: TRABAJO COLABORATIVO 2 FISICA DE SEMICONDUCTORES

Presentado por: DAVID ANDRES FERIA ECHEVERRY Cd. 1130622046 JORGE LEONARDO MORENO Cd. 1121864242 JAMER JOS ZRATE

Presentado en la asignatura de FISICA DE SEMICONDUCTORES Al tutor ORLANDO HARKER

Grupo 299002_53

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS TECONOLOGIA E INGENIERIA PROGRAMA: INGENIERIA ELECTRONICA 2011-2

El siguiente documento corresponde al segundo trabajo colaborativo del curso acadmico; fsica de semiconductores, este trabajo consiste en la investigacin terica, fsica y matemtica referente a la operacin y funcionamiento del diodo, partiendo desde su composicin, pasando por su principio de funcionamiento y las ecuaciones resultantes, analizando su forma de onda y los materiales que lo componen.

Objetivo general:

Se espera que los estudiantes entiendan a plenitud los conceptos aprendidos sobre el diodo y sus principios matemticos por medio de la investigacin propuesta.

Objetivos especficos:

Profundizar mediante la consulta y la investigacin, las bases aprendidas en el mdulo. Fortalecer el trabajo en equipo Comprender los principios fsicos y matemticos del diodo

DIODO
Un diodo es un elemento que consta de dos terminales cuya caracterstica tensincorriente no es lineal. Est formado por un cristal semiconductor dopado de tal manera que una mitad es tipo "p" y la otra "n", constituyendo una unin pn. La terminal que corresponde con la parte "p" se llama nodo y el que coincide con la "n" es el ctodo. El diodo est compuesto por un cristal de silicio o de germanio dopado, es decir, al que se le han incluido impurezas. El dopado del silicio (o del germanio) se realiza para variar sus propiedades de semiconductor. Los tomos de estos semiconductores tienen cuatro electrones sueltos en su capa de valencia, lo cual les confiere sus cualidades semiconductoras, al unirse estos tomos de silicio o germanio por enlace covalente, quedan con la configuracin electrnica de gas noble, es decir con ocho electrones de valencia en su ltima capa. Cuando dopamos estos cristales con tomos de ms de cuatro electrones de valencia, quedan electrones sueltos de la capa de valencia al crear enlaces covalentes y cuando dopamos estos cristales con tomos de menos de cuatro electrones en su capa de valencia quedan huecos al crear estos enlaces covalentes.

Existen distintos diodos en los cules su geometra, niveles de dopaje o materiales semiconductores se disean de modo de lograr un desempeo adecuado para ciertas funciones especiales. Los diodos especiales ms habituales, junto con sus smbolos tpicos, se ilustran en la siguiente figura:

Diodo Zener

Diodo Schottky

Diodo Tnel

Diodo Varicap

Existen tambin otros dispositivos de juntura PN, como los LEDs, los diodos lser, los fotodetectores, los diodos PIN, los diodos de avalancha, los SCR, etc. Tambin existen otros diodos especiales, como por ejemplo el diodo Gunn, loscuales no se referencian ya que su uso es muy poco frecuente. En la figura siguiente, se muestran posibles clasificaciones hechas por Fairchild para los diodos ms habituales.

-Tensin umbral, de codo o de partida (V): La tensin umbral de polarizacin

directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para incrementos pequeos de tensin se producen variaciones grandes de intensidad.

- Corriente mxima (Imax): Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que depende de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, vara sobre todo del diseo del mismo. - Corriente inversa de saturacin (Is): Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco. Depende de la temperatura del material, y se admite que se duplica por cada incremento de 10 de la temperatura. - Tensin de ruptura (Vr): Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, del orden de 5 V, el diodo comienza a conducir tambin en polarizacin inversa.

Tipos de ruptura inversa: Avalancha y Zener


A medida que aumenta la tensin de polarizacin inversa de un diodo PN crece la extensin de la zona desierta y la magnitud del campo elctrico mximo de la juntura. Para cierto valor de tensin inversa (tensin de ruptura o de avalancha) puede ocurrir que los portadores alcancen energas tan altas que al chocar con la red generen nuevos portadores. Este efecto multiplicador en la cantidad de portadores debe ser limitado mediante una resistencia serie externa para evitar la destruccin del diodo.

En cambio, si el dopaje del diodo es mayor, la zona desierta ser ms reducida, y no habr distancia suficiente para acelerar a los portadores como para generar el efecto avalancha. En este caso, si la tensin inversa es suficientemente grande, se producir un desprendimiento de portadores de la zona de vaciamiento por un efecto cuntico llamado efecto tnel.

El Diodo Ideal
El diodo ideal se puede considerar como el elemento ms fundamental de los circuitos no lineales. Es un dispositivo que consta de dos terminales representado con el smbolo que se muestra en la figura 1 (a). El cual tiene una caracterstica corriente-tensin tal como se puede observar en la figura 1 (b) .se puede interpretar la caracterstica de los terminales del diodo ideal de la siguiente manera: si es aplicado al diodo ideal una tensin negativa [en relacin con la direccin de referencia indicada en la figura 1(a)], no pasa corriente y el diodo tiene un comportamiento de circuito abierto [figura 1. (c)

Figura 1. El diodo ideal: (a) smbolo de circuito del diodo; (b) caracterstica iv; (c) circuito equivalente en la polarizacin inversa; (d) circuito equivalene en la polarizacin directa.

MATERIALES SEMICONDUCTORES TIPO N Y TIPO P.


Configuracin Electrnica de los elementos Semiconductores:
Elemento _electrones Boro _____ B __ 5 1S 2 2S 2P 2_1 3S 3P 3d 4S 4P 4d 4f 5S 5P

Carbono __ C __ 6
Aluminio __ Al __13 Silicio ____ Si __ 14 Fsforo ___ P __15 Galio ____ Ga __31 Germanio__Ge __32 Arsnico __As __33 Indio _____In __ 49 Estao ____Sn__ 50 Antimonio__Sb_ 51 Electrones por Nivel (2 )

2
2 2 2 2 2 2 2 2 2 2

2_2
2_6 2_6 2_6 2_6 2_6 2_6 2_6 2_6 2_6 8 2_1 2_2 2_3 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 18 2_1 2_2 2_3 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 32 2_1 2_2 2_3

Enlace covalente: En este tipo de enlace los electrones se comparten, pero no se transfieren. Un enlace covalente consiste en un par de electrones (de valencia) compartidos por dos tomos.

El mtodo ms sencillo para liberar los electrones de valencia ligados consiste en calentar el cristal. Los tomos efectan oscilaciones cada vez ms intensas que tienden a romper los enlaces y liberar as los electrones. Cuanto mayor sea la temperatura de un semiconductor, mejor podr conducir. Material Intrnseco Cristal de Silicio

Material Intrnseco Tipo N Cristal de Silicio "dopado" con tomos de Arsnico. tomos "Donadores"

Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se denominan tomos donadores. Los materiales tipo N se crean aadiendo elementos de impureza (tomos) que tengan cinco electrones de valencia, "Pentavalentes". Material Extrnseco Tipo P

Cristal de Silicio "Dopado" con tomos o impurezas de Galio. tomos "Aceptores

Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se denominan tomos aceptores. Los materiales tipo P se crean aadiendo elementos de impurezas (tomos) que tengan tres electrones de valencia. Por las razones antes expuestas, en un material tipo N el electrn se denomina portador mayoritario y el hueco, portador minoritario.

Cuando el quinto electrn (electrn sobrante) de un tomo donador abandona al tomo padre, el tomo que permanece adquiere una carga positiva neta: a ste se le conoce como ion donador y se representa con un crculo encerrando un signo positivo. Por razones similares, el signo negativo aparece en el ion aceptor.
Tipo N

Iones Donadores (tomos de impurezas con 5 electrones). - Portadores Mayoritarios. + Portador Minoritarios. (Huecos generados cuando algunos electrones de tomos de silicio adquieren suficiente energa para romper el enlace covalente y convertirse en electrones libres y/o portadores Mayoritarios).

Tipo N

Tipo P

Iones Aceptores (tomos de impurezas con 3 electrones). + Portadores Mayoritarios. - Portadores minoritarios. (electrones libres generados cuando estos adquieren suficiente energa para romper el enlace covalente, el hueco que dejan se convierte en portado mayoritario).

Tipo P

Regin de Agotamiento En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos que estn en, o cerca de, la regin de "unin", se combinan y esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de Agotamiento por la ausencia de portadores.

Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del diodo: - No hay polarizacin (VD = 0 V). - Polarizacin directa (VD > 0 V). - Polarizacin inversa (VD < 0 V). VD = 0 V. En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo N que se encuentran dentro de la regin de agotamiento pasarn directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier direccin es cero para un diodo semiconductor.

La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a los electrones en el material tipo N y a los huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la frontera y reducir la anchura de la regin de agotamiento hasta desaparecerla cuando VD .7 V para diodos de Silicio. ID = Imayoritarios - IS

Condicin de Polarizacin Inversa (VD < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de iones positivos descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N aumentar debido al mayor nmero de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de iones negativos descubiertos en el material tipo P tambin aumentar debido a los electrones inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos. El fenmeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocar que la regin de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los portadores mayoritarios no podrn superar, esto significa que la corriente ID del diodo ser cero. Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la regin de agotamiento no cambiar, creando por lo tanto la corriente IS.
La corriente que existe bajo condiciones de polarizacin inversa se denomina corriente de saturacin inversa, IS. El trmino "saturacin" proviene del hecho que alcanza su mximo nivel (se satura) en forma rpida y no cambia significativamente con el incremento en el potencial de polarizacin inversa, hasta que al valor VZ o VPI, voltaje pico inverso.

El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de entrar en la regin Zener se denomina Voltaje Pico Inverso o VPI nominal. Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de corriente ms alto e intervalos de temperatura ms amplios que los diodos de germanio.

FISICA DE LA POLARIZACIN DE UN DIODO RECTIFICADOR:

DP= Difusividad de Huecos (una N significara de electrones) P= Movilidad de Huecos (una N significara de electrones)

Se puede definir: VT = DP / P, el llamado Voltaje Trmico La idea de trmico proviene del que la difusividad y movilidad de los huecos cambia con la temperatura

Donde V0 es la Barrera de Potencial en la juntura y las N representan las concentraciones de dopado y ni es el nmero promedio de partculas en el estado de energa.

Frmula para el clculo de n necesaria en V0/VT

La relacin entre las concentraciones vara de manera exponencial con el voltaje de juntura. Para temperatura ambiente, el voltaje trmico esta alrededor de los 25 mV y la barrera de potencial entre los 0.6 y 0.8 Volts. Esta barrera de potencial hay que recordar que NO APARECE A TRAVS DE LOS TERMINALES EXTERNOS, PUES ES UN EFECTO INTERNO que es compensado por el dispositivo completo. El ancho de la regin de agotamiento es la suma del ancho en la regin n y la regin p que designaremos como W y designaremos carga como q, entonces:

Ya que la regin de agotamiento es elctricamente simtrica respecto a la juntura. Debido a esta ecuacin se deduce inmediatamente que el producto entre ancho y concentracin es constante para ambos lados. De aqu se deduce que:

Donde es la permisividad elctrica del Silicio, produciendo como consecuencia que W vaya de 0.1 a 1 micrmetro. Anlogamente se pueden encontrar relaciones exponenciales similares. La concentracin de portadores minoritarios (pn para la zona p y np para la zona n del semiconductor) sigue la ecuacin:

Donde V es el voltaje conectado a travs de los terminales de una regin PN, en polarizacin directa. Entonces la densidad de corriente de difusin de huecos asociada (en unidades de corriente por unidad de rea) es:

Donde x es la distancia medida desde la juntura y LP es la constante que determina el decrecimiento exponencial. Es posible derivar una ecuacin final de la IS mediante consideraciones similares a las anteriores y relaciones de proporcionalidad basadas en principios fsicos. La ecuacin para IS es: VEAMOS COMO SE APLICAN ESTAS CUANDO EL DIODO ESTA MONTADO EN UN CIRCUITO R D: Un diodo puede montarse en un circuito de esta forma:

El tringulo marca la regin p, mientras la raya indica la regin n. De aqu se deriva que esta polarizado DIRECTAMENTE. Entonces habr una corriente a travs del apreciable y su cada de potencial ser aproximadamente constante.

Si el voltaje B1 cambia de sentido, la polarizacin es inversa y NO HAY FLUJO DE CORRIENTE HACIA la resistencia R1. Este es uno de los usos del diodo: bloquear voltajes inversos a los esperados. Ahora aplicamos las ecuaciones vistas para el funcionamiento del diodo Utilizaremos estas dos ecuaciones:

Donde ID es la corriente que atraviesa el diodo en un momento dado en el que el voltaje a travs de sus terminales es VD, R es una resistencia en serie con el diodo normalmente se colocan resistencias en serie o paralelo con el diodo; a veces son resistencias de carga inherentes a dispositivos conectados al diodo), VDD es el voltaje de polarizacin general y n es un parmetro de construccin del diodo.

Polarizacin directa
Se da la polarizacin directa cuando el terminal positivo de la fuente est conectado a el material tipo p y el terminal negativo de la fuente est conectado al material tipo n.

En este caso debido a que la fuente obliga a que los electrones libres y huecos fluyan hacia la unin, la corriente circula con facilidad. Debido al movimiento de los electrones libres hacia la unin, se generan iones positivos en el extremo derecho de la unin que atraern los electrones hacia el cristal desde el circuito extremo.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.

El desarrollo de esta investigacin fue muy interesante y productiva ya que permiti mejorar los conocimientos sobre este componente electrnico que es muy til, el comportamiento a diferentes temperaturas, el por qu este componente es afectado al cambio del calor, y tambin se comprendieron las funciones que tiene el diodo que por ms sencillo que parece es algo complicado de entender, ya que vara sus funciones con pequeos cambios ya sean de voltaje o de calor. Tambin se comprendi que existen diferencias con otros diodos hay otro diodos que tienen la misma funcin, pero trabajan con diferente voltaje como el de germanio, por citar un ejemplo La interaccin con los compaeros del grupo colaborativo, hace que mancomunadamente los integrantes realicen los diferentes aportes y apreciaciones que tengan sobre los ejercicios ya desarrollados, para buscar mejores prcticas y caminos mucho ms sencillos para el desarrollo de los mismos.

ESCOBAR, Manuel Julin. Mdulo Fsica de Semiconductores. Universidad Nacional Abierta y a Distancia UNAD, Escuela de Ciencias Bsicas, Tecnologa e Ingeniera. Bogot 2008. 138 pg. [Documento PDF]. SILVEIRA, Fernando. Operacin fsica de los Diodos. Universidad de la Republica. Facultad de Ingeniera [Documento PDF]. URL disponible en: http://iie.fing.edu.uy/ense/asign/electro1/Material/Operacion_Fisica_de_los_Di odos_Electronica1_v1.pdf Seminario de Dispositivos Semiconductores. Diodos Especiales. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniera. [Documento Word]. URL disponible en http://materias.fi.uba.ar/6625/Clases/Diodos%20especiales.doc

LOZANO, Alberto. Electrnica- Anlisis de circuitos con diodos semiconductores. [Documento WWW]. URL disponible en: http://www.monografias.com/trabajos7/diose/diose.shtml
APAZA, Jos. Polarizacin inversa del diodo. [Documento WWW]. URL disponible en: http://electronica-es-facil.blogspot.com/p/polarizacion-inversa-del-diodo.html APAZA, Jos. Polarizacin directa del diodo. [Documento WWW]. URL disponible en: http://electronica-es-facil.blogspot.com/p/polarizacion-inversa-del-diodo.html