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DIODO SEMICONDUCTORES
SEMANA I
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VF RF IF
VF RF IF
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varios niveles de resistencia de materiales en unidades mtricas, la resistividad de un material se mide como -cm o como -m
RA l
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existe un punto donde al aplicar un exceso mayor de voltaje se ocasiona un cambio drstico en las caractersticas, como se muestra en la fig. la corriente se incrementa a un ritmo muy rpido con una direccin opuesta.
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* Al plica un voltaje DC a un circuito que contiene un diodo
semiconductor tendr por resultado un punto de operacin sobre la curva caracterstica que no vara con el tiempo. valores correspondientes de VD y de ID y aplicando Ohm.
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una senoidal la situacin cambia, la variacin de la entrada desplazar el punto de operacin instantneo hacia arriba y hacia abajo a una regin de las caractersticas y de esta forma definir un cambio especifico en la corriente y en voltaje.
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Vd rd I d
* Donde significa un cambio
finito en la cantidad (1.6)
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* La resistencia asociada con el dispositivo para esta regin se
denomina resistencia de AC promedio, la cual es por definicin la resistencia determinada por una lnea recta trazada entre las dos intersecciones establecidas por los valores mnimos y mximos del voltaje de entrada.
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denomina circuito equivalente de segmentos lineales. no representan una copia exacta de las caractersticas reales.
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aproximados a la curva real que es posible establecer un circuito equivalente que proporcionar una primera aproximacin excelente al comportamiento real del dispositivo.
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* El voltaje directo VF (para una corriente y temperatura definida) * La corriente directa mxima IF (para una temperatura definida) * La corriente de saturacin inversa IR (para un voltaje y temperatura
definidos)
(PIV, PRV o V(BR), donde BR proviene del trmino ruptura (Breakdown) (para una temperatura definida)
* El nivel de disipacin para la mxima potencia en una temperatura * Los niveles de capacitancia * El tiempo de recuperacin inverso trr * El rango de temperatura de operacin
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potencia o valor de disipacin se entiende que ser igual al siguiente producto: PDmax=VDID
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A. B.
Los voltajes de polarizacin inversa mnimos PIV para un diodo a una corriente de saturacin inversa determinada. Caractersticas de temperatura segn se indic. Observe el empleo de la escala de Celsius y el amplio rango de utilizacin (recuerde que 32F=0C= punto de congelacin (H2O) y que 212F=100C=punto de ebullicin (H2O) Nivel mximo de disipacin de potencia PD=VDID= 500 mW. El valor de potencia mxima disipada. Corriente directa continua mxima IFmax= 500 mA
C. D. E. F.
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G. En el nivel VR= 20V y a una temperatura de operacin tpica, IR= 500 nA= 0.5 A, mientras que a un voltaje inverso mayor IR cae a 5 nA=0.005 A. H. El nivel de capacitancia entre las terminales es aproximadamente de 8 pF par el diodo cuando VR=VD=0V (sin polarizacin=) y con un frecuencia aplicada de 1 MHz. I. El tiempo de recuperacin inverso es de 3 s para la lista de condiciones de operacin.
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altas frecuencias. La mayora de los efectos capacitivos pueden ignorarse a bajas frecuencias, ya que su reactancia XC=1/2fC es muy alta (equivalente a un circuito abierto). * No se puede ignorar para el caso de frecuencias muy altas, debido a que XC se volver lo suficientemente pequea. * En el diodo semiconductor p-n existen dos efectos capacitivos que debern considerarse. * Se presentan tanto para la regin de polarizacin directa como para la inversa, * Dado que siempre una de ellas supera por mucho a la otra en cada regin, consideraremos los efectos de slo una de ellas para cada regin. * En la regin de polarizacin inversa, se presenta la capacitancia de transicin (CT) o de regin de agotamiento, mientras que para la regin de polarizacin directa tendremos la capacitancia de difusin (CD) o de almacenamiento.
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directa, existe una gran cantidad de electrones que se mueven del material de tipo n hacia el material del tipo p, y una gran cantidad de huecos en el material tipo p hacia el material tipo n, estos establecen un gran numero de portadores minoritarios en cada material. la corriente automaticamente, lo que no sucede (ver Fig.)
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mantiene en este nivel perceptible, durante un periodo ts (tiempo de almacenamiento), que requieren los portadores minoritarios para regresar a su estado de portadores mayoritarios en el material opuesto. En esencia, el diodo permanecer en el estado de circuito cerrado con una corriente Iinversa, determinada por los parmetros de la red.
reducir su nivel hasta alcanzar aquel asociado con el estado de no conduccin. El tiempo de recuperacin inverso ser la suma de estos dos intervalo: trr= ts+tt
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lugar de que se eleve alejada de la regin positiva VD indica que la corriente en la regin Zener mantiene una direccin opuesta a aqulla de un diodo en polarizacin directa. diodos Zener.
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Zener incorpora una pequea resistencia dinmica y una batera dc equivalente al potencial Zener como se muestra en fig. sin embargo, para el resto de las aplicaciones siguientes, debemos asumir como primera aproximacin que los resistores externos son mucho ms grandes en magnitud que el resistor equivalente Zener y que el circuito equivalente simplemente ser el que indica en la fig.
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del nivel de potencia y ZZT es la impedancia dinmica en este nivel de corriente. La impedancia mxima en el punto de inflexin ocurre en la corriente del punto de inflexin IZK, se proporciona adems la corriente de saturacin inversa para un nivel de potencial particular, e IZM es la corriente mxima para la unidad de 20%
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* CONSTANTES MXIMAS
* La disipacin de potencia de un diodo zener es igual al producto de su
voltaje por su corriente.
* PZ=VZIZ * Mientras PZ sea menor que la potencia nominal, el diodo zener puede
operar en la regin de ruptura sin que se destruya.
I ZM
PZM VZ
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* Donde
* IZM= corriente mxima nominal de zener * PZM= potencia nominal * VZ= voltaje zener
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desconectado del circuito. Esta tensin de Thevenin tiene que ser mayor que la tensin zener; en caso contrario, el diodo no llegara a polarizarse en la zona de ruptura.
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* Corriente zener
* Por la ley de Kirchhoff de las corrientes, * IS=IZ+IL
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en paralelo. La suma de sus corrientes tiene que ser igual a la corriente total, que es la misma corriente que circula por la resistencia en serie. obtiene esta importante ecuacin IZ=IS - IL
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apropiada. Las dos formas que comnmente se utilizan en la actualidad para realizar dicha funcin son los diodos emisores de luz (LED del ingls: Light Emitting Diode) y la pantalla de cristal lquido (LCD del ingls Liquid Cristal Display) * Es un diodo capaz de emitir luz visible cuando se energiza. En cualquier unin p-n con polarizacin directa existe, dentro de la estructura y principalmente cerca de la unin, una recombinacin de huecos y electrones. Esta recombinacin requiere que la energa poseda por el electrn libre sin enlace ser transferida hacia otro estado, en todas las uniones de semiconductores p-n cierta cantidad de esta energa se desprender en forma de calor y otra en forma de fotones. En el caso del silicio y del germanio, el porcentaje mayor de energa que se desprende es en forma de calor y en una medida insignificante, se deprende luz emitida. En otros materiales, como el fosforo de arseniuro de galio (GaAsP) o el fosforo de galio (GaP), el nmero de fotones de energa luminosa emitida es suficiente como para crear una fuente de luz altamente visible. * Al proceso de emisin de luz mediante la aplicacin de una fuente de energa elctrica se le denomina electroluminiscencia.
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