LIGAES QUMICAS DOS MATERIAIS

LIGAES QUMICAS DOS MATERIAIS

OBJETIVO

Efetuar uma abordagem histrica e apresentar os principais tipos de ligaes qumicas dos materiais

ROTEIRO

Efetuar uma abordagem histrica a respeito da evoluo das teorias atmicas.

Recordar o modelo atmico de Bohr e o da mecnica quntica

Recordar o conceito de eletronegatividade Recordar os tipos de ligaes qumicas dos diferentes materiais Correlacionar propriedades com os tipos de ligaes qumicas

INTRODUO

Muitas das propriedades dos materiais dependem dos arranjos atmicos e das interaes existentes entre tomos e/ou molculas.

HISTRICO
1. Filsofos gregos defendiam a idia de que a matria no contnua, mas constituda de pequenas partes, denominadas tomos.
2. John Dalton (1766 1844) elaborou a Teoria Atmica: 2.1. A matria constituda de pequenas partculas chamadas tomos. 2.2. O tomo indivisvel e sua massa e seu tamanho so caractersticos para cada elemento qumico. 2.3. Os compostos so formados de diferentes elementos qumicos. 2.4. O tomo esfrico, macio, indivisvel, homogneo e sua massa e seu volume variam de um elemento qumico para outro.

HISTRICO
3. J. J. Thomson: 3.1. Atravs de determinao experimental, verificou-se que o tomo constitudo de partculas com carga eltrica positiva, chamadas mais tarde de prtons e de partculas carregadas negativamente, as quais deu o nome de eltrons. 3.2. Em 1904, formulou o conceito de que o tomo era uma esfera com carga positiva, contendo eltrons com carga negativa. Afirmou que a quantidade de prtons e de eltrons seria a mesma (para manter a carga neutra do tomo).

4. Rutherford (1871-1937):
4.1. A massa e a carga eltrica positiva estaria concentrada em uma regio central muito pequena (ncleo). 4.2. Os eltrons girariam em torno do ncleo, formando a eletrosfera, semelhana do nosso sistema planetrio.

HISTRICO
5. Niels Bohr (1885 1962): 5.1. Os eltrons de um tomo somente podem mover-se em determinadas rbitas circulares ao redor do ncleo, sem absorverem nem emitirem energia: K(2), L(8), M(18), N(32), O(32), P(18), Q(2).

5.2. Eltron pode passar de um nvel eletrnico para outro, ou mesmo abandonar o tomo. Se o eltron passa de uma rbita de maior energia para outra de menor energia, h emisso de radiao (ftons) e, se deixa o tomo, este torna-se on.

Modelo de Bohr

O modelo de Bohr apresenta limitaes significativas, no servindo para explicar vrios dos fenmenos nos quais esto envolvidos eltrons.

HISTRICO

6. Arnold Sommerfeld (1868 1953): 6.1. Alm de trajetrias circulares, como propunha Bohr, tambm h as elpticas.

6.2. Props subgrupos de eltrons: so os subnveis s; p; d; f. O nmero mximo de eltrons de cada subnvel igual, respectivamente, a 2; 6; 10 e 14.

As deficincias do modelo de Bohr foram supridas pelo modelo atmico da mecnica quntica.
Neste modelo o eltron apresenta caractersticas tanto de onda quanto de partcula. O eltron no mais tratado como uma partcula que se movimenta num orbital discreto. Sua posio passa a ser considerada como a probabilidade de se encontrar um eltron em um local prximo do ncleo.

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Distribuio eletrnica, segundo: (a) modelo atmico de Bohr (b) mecnica quntica

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TABELA PERIDICA
Os elementos qumicos so classificados de acordo com a sua configurao eletrnica.

A eletronegatividade dos elementos

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Os elementos fortemente eletronegativos (grande quantidade de eltrons na camada mais externa) tendem a receber eltrons tornado-se nions ou compartilhando eltrons com outros elementos fortemente eletronegativos.
Elementos menos eletronegativos (com poucos eltrons nas camadas mais externas) tendem a doar eltrons tornando-se ctions.

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FORAS E ENERGIAS DE LIGAO

Quando dois tomos se aproximam, eles exercem uma fora um no outro:

FN FA FR

onde:

FA fora de atrao FR fora de repulso FN fora resultante

A energia potencial (EN) ser dada por:

E N FN dr FA dr FR dr

onde: r

distncia interatmica

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ESTRUTURA DOS MATERIAIS

As estruturas internas dos materiais envolvem:
- tomos, ons e/ou molculas. - Atraes / Ligaes = modo como tomos / ons / molculas se associam aos seus vizinhos, na forma de cristais, molculas e microestrutura. - Tipos de ligaes: primrias (fortes) e secundrias (fracas).

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LIGAES PRIMRIAS (FORTES)

(A) LIGAO INICA envolve a transferncia de eltrons de um tomo para outro a ligao no-direcional a ligao inica resulta da atrao eletrosttica entre dois ons de cargas opostas

Exemplo: Para o cloreto de sdio, tanto o ction Na+ quanto o nion Cl- ficam com seus orbitais externos completos.

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(B) LIGAO COVALENTE compartilhamento dos eltrons de valncia de dois tomos adjacentes a ligao resultante altamente direcional
Representao esquemtica da ligao covalente na molcula De metano ( CH4 )

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(C) LIGAO METLICA envolve compartilhamento de eltrons no direcional metais possuem de um a trs eltrons de valncia os eltrons de valncia passam a ser eltrons livres, que (i) apresentam a mesma probabilidade de se associar a um grande nmero de tomos vizinhos e (ii) formam uma nuvem eletrnica

Ilustrao esquemtica da ligao metlica

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LIGAES SECUNDRIAS (FRACAS)

(a) LIGAO de VAN DER WAALS Ocorrem atraes entre dipolos gerados pela assimetria de cargas. O mecanismo dessas ligaes similar ao das ligaes inicas, porm no existem eltrons transferidos.

Representao esquemtica da ligao de Van der Waals entre dois dipolos. As ligaes dipolares podem ser entre: (i) dipolos induzidos flutuantes, (ii) dipolos permanentes e induzidos, (iii) dipolos permanentes.

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(b) PONTE DE HIDROGNIO

um caso especial de ligao entre molculas polares. o tipo de ligao secundria mais forte. Ocorre entre molculas em que o H est covalentemente ao F (HF), O (H2O) ou N (NH3). ligado

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MATERIAIS SEGUNDO O TIPO DE LIGAO

Tetraedro que representa a contribuio relativa dos diferentes tipos de ligao para as quatro categorias fundamentais de materiais de engenharia (metais, cermicas, polmeros e semicondutores)

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REFERNCIAS Callister, W.D. Fundamentos da cincia e engenharia de materiais. Ed. LTC, 2002. Van Vlack, L.H. Princpios de cincia dos materiais. Ed. Edgard Blcher, 2000.

Ones, D.R.H. e Ashby, M.F. Engenharia de Materiais Volume II. Ed. Campus, 2007.
Smith, W.F. Princpios de Cincia e Engenharia dos Materiais. Ed. McGraw-Hill,1998.