You are on page 1of 25

Condiciones de polarizacin

El diodo
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario

Cmo se forma?
El diodo semiconductor se forma con solo unir un material tipo P con un tipo n construido de la misma base que puede ser de Ge o Si utilizando tcnicas especiales. En el momento en que son unidos los dos materiales, los electrones y los huecos en la regin de unin se combinan, dando como resultado una falta de portadores en la regin cercana a la unin. A esta regin de iones positivos y negativos descubiertos se llama regin de agotamiento debido a la disminucin de portadores en ella.

Regin de agotamiento

Aplicando voltaje
La aplicacin de un voltaje a travs de sus terminales permite tres posibilidades: a) Sin polarizacin (Vd.=0v) b) Polarizacin directa (Vd.>0v) c) Polarizacin inversa (Vd.<0v)

Sin polarizacin
Cuando los materiales semiconductores del tipo N y del tipo P se juntan, ocurre un fenmeno muy importante en la unin debido al exceso de huecos en el material y electrones en el otro lado, una interaccin se lleva a cabo entre los dos tipos de materiales. Algunos electrones se difunden a travs de la unin y similarmente pasa por los huecos del material tipo P, esta iteracin o difusin lleva al equilibrio formando un campo elctrico e donde la corriente total es cero.

Curvas intensidad-tensin para diodos semiconductores

Polarizacin directa
Si el terminal positivo de la fuente est conectado al material tipo p y el terminal negativo de la fuente est conectado al material tipo n, diremos que estamos en Polarizacin Directa. En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad

Si ahora aplicamos a dicha unin una tensin exterior de signo contrario a la barrera de potencial interna, sta ir disminuyendo en anchura. A mayor tensin aplicada externamente corresponder una barrera interna menor y podremos llegar a conseguir que dicha barrera desaparezca totalmente. En este momento los electrones (portadores mayoritarios) de la zona N estn en disposicin de pasar a la zona P. Exactamente igual estn los huecos de la zona P que quieren "pasar" a la zona N.

<------------> Regin agotada

o----

----o

zona P barrera interna de potencial

zona N

Sin polarizacin
Iones negativos que han "recuperado" sus huecos Regin agotada <---> Iones positivos que han "recuperado" sus electrones

+ o--

--o -

zona P barrera interna de potencial

zona N

Polarizacin directa dbil, regin agotada reducida, pero no eliminada


Al aumentar la polarizacin directa, la zona agotada y su barrera de potencial interna asociada han sido neutralizadas

+ o--

--o -

zona P

zona N

A la tensin externa que anula la barrera de potencial de la unin y la deja preparada para el paso de los respectivos portadores mayoritarios, se le denomina tensin Umbral. Se la representa po Vu y sus valores prcticos son: Para el Silicio Vu = 0,4 - 0,5 voltios Para el Germanio Vu = 0,05 - 0,06 voltios En esta situacin, al aplicar un aumento en la tensin exterior, los electrones se sentirn atrados por el polo positivo de la pila y los huecos por el negativo de la misma. No hay dificultad para atravesar la unin y por tanto aparecer una corriente de mayoritarios a travs del circuito. A partir de aqui, cualquier aumento de tensin provoca un aumento de la corriente.

Polarizar directamente es como se muestra en la figura

Puede observarse que la polarizacin directa provoc una disminucin del ancho de la barrera de potencial de la zona de agotamiento. El lado p tiene una diferencia de potencial positiva respecto al lado n. Los electrones y huecos tienen ahora mayor facilidad para cruzar la barrera. La corriente de difusin aumenta y la de deriva disminuye, teniendo as una corriente neta en el diodo que circula desde el lado p hacia el lado n

Polarizacin inversa

El polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera.

POLO POSITIVO DE LA BATERIA

Los cuales salen del cristal n

Atraen electrones libres de la zona n

A medida que abandonan la zona n

Se introducen en el conductor Se desplazan hasta llegar a la batera

Los tomos pentavalentes antes llamados neutros

Se convierte en iones positivos

de +Tienen 8 electrones de valencia en una carga neta 1

Al desprenderse de
su electrn en orbital de conduccin adquieren estabilidad

POLO NEGATIVO DE LA BATERIA Cede electrones libres en los tomos trivalentes de la zona p Solo tienen 3 electrones de valencia Al formar los enlaces covalentes con los tomos de silicio Siendo el electrn que falta el denominado hueco

Se convierten en iones negativos Tiene una carga elctrica neta de -1


Cuenta con 8 electrones en su orbita de valencia Caen dentro de estos
huecos los cuales los tomos trivalentes adquieren estabilidad

Tienen solamente 7 electrones de valencia

Cuando los electrones libres cedidos entran a la zona p

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

P R O C E S O S

El diodo NO debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco.

En ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente se denomina corriente inversa de saturacin. Corriente superficial de fugas: conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; porque, los tomos de silicio NO estn rodeados de suficientes tomos para realizar los 4 enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad.

Fenmeno de ruptura por multiplicacin o avalancha


Fenmeno que ocurre con tensiones inversas elevadas en una unin p-n, los electrones libres se aceleran a velocidades tan altas que son capaces de desalojar a los electrones de valencia. Cuando se produce esta situacin, los electrones de valencia se convierten en electrones libres que desalojan a otros electrones de valencia.

Ruptura Zener
Se basa en la aplicacin de tensiones inversas, debido a su caracterstica constituimos fuertes campos elctricos que causan la ruptura de enlaces entre los tomos dejando as electrones libres capaces de establecer su conduccin.

Diodo Zener
Hemos visto que un diodo semiconductor normal puede estar polarizado tanto en directa como inversamente. En directa se comporta como una pequea resistencia. En inversa se comporta como una gran resistencia. Veremos ahora un diodo de especiales caractersticas que recibe el nombre de diodo zener El diodo zener trabaja exclusivamente en la zona de caracterstica inversa y, en particular, en la zona del punto de ruptura de su caracterstica inversa Esta tensin de ruptura depende de las caractersticas de construccin del diodo, se fabrican desde 2 a 200 voltios. Polarizado en directa acta como un diodo normal y por tanto no se utiliza en dicho estado

El smbolo del diodo zener es:

y su polarizacin es siempre en inversa, es decir

Cuando un diodo normal se polariza inversamente, circula a travs de el la corriente inversa de saturacin, cuyo valor es prcticamente constante. Sin embargo, cuando la tensin inversa aplicada aumenta y alcanza cierto valor, la curva del diodo presenta un cambio brusco y entra en la zona de ruptura, producindose un aumento de la corriente. En la zona de ruptura se dan simultneamente grandes valores de tensin y corriente, lo cual origina unas potencias de valor elevado que aumentan la temperatura de la unin pn.