INTRODUCCIN:

Debe su nombre a Resistor de transferencia. Dispositivo electrnico, formado por tres partes de material Semiconductor.

INTRODUCCIN:

Sustrato de Si, con otras partes dopadas. Este tipo de circuitos se utilizan para la construccin de circuitos integrados.

AMPLIFICADOR MOSFET
Caractersticas:

Su estructura es mas simple y por lo tanto su costo de fabrica mas reducido. La tecnologa MOS ha dado importantes pasos hacia la consecucin de transistores de potencia que puedan competir con lo de tecnologa bipolar. En los transistores MOS existe la posibilidad de conectarlos en paralelo, de cara a manejar elevadas corrientes, ya que su conductancia disminuye al aumentar la temperatura, (distribucin homognea de la corriente entre los dispositivos conectados).

AMPLIFICADORES MOSFET

Amplificadores unilaterales: Estos poseen una realimentacin interna, causa que la resistencia de entrada dependa de la resistencia de carga en su totalidad. La realimentacin interna puede causar que la resistencia de salida, dependa del valor de la resistencia de la seal source de alimentacin en el amplificador.

AMPLIFICADORES MOSFET

El amplificador alimenta con una seal de fuente, en abierto, de Voltaje Vsig, y una residencia interna Rsig. stos pueden ser los parmetros de una fuente sealada real o que es lo mismo el equivalente de Thvenin de la salida del circuito de otro amplificador de fase que precede en uno de cascada.

 Los parmetros Ri , Ro , Avo , Ais , y Gm son propios del

amplificador, es decir, no dependen de los valores de Rsig y RL , por el contrario, Rin , Rout , Av , Ai , Gvo, y Gv deben depender de alguno de los dos. Ri = Rin cuando RL =, y Rout = Ro cuando Rsig = 0

 Para amplificadores no unilaterales, Rin debe

depender de RL , y Rout de Rsig. Estas dependencias no se dan en amplificadores unilaterales, por cuanto Ri = Rin y Rout = Ro

La resistencia de entrada Rin determina:

La carga en el amplificador. La corriente ii que traza el amplificador desde la fuente. La proporcin de Vsig aparece en la entrada del amplificador.

GANANCIA EN EL CIRCUITO

La ganancia AV de AVO se evala en RO, debido a que AV se basa en alimentar el amplificador con un voltaje ideal vi.

vi Rin v sig Rin R sig Av Avo RL RL Ro

Avo Gm Ro

La ganancia total de voltaje GV del valor GVO se evala en la resistencia Rout, porque GV se basa en alimentar el amplificador con una seal Vsig que posee una resistencia interna Rsig.

Ejemplo:
Un amplificador de transistor, es alimentado con una seal, teniendo un voltaje de circuito abierto Vsig de 10 mA y una resistencia interna Rsig de 100 k. El voltaje Vi en la entrada del amplificador, y el voltaje de salida Vo , son medidos sin y con una resistencia de carga RL = 10 k conectada a la salida del amplificador Los resultados de las mediciones son los siguientes:

Sin RL Con RL

Vi = 9 mV y Vo = 90 mV Vi = 8 mV y Vo = 70 mV

Sin RL Ganancia de voltaje Resistencia de entrada

Vo 90 A vo 10 Vi 9
Aumento total del voltaje

G vo

Ri Avo R i R sig

G vo

Vo 90 9 Vsig 10

Ri 9 10 R i 100
Ri 900 k

Con la resistencia de carga conectada

Ahora se utilizan los valores de y para determinar :

De manera similar se procede con

El parmetro de transconductancia en corto circuito:

Por ltimo, la ganancia de corriente: