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Slidos Amorfos y Cristalinos

h = Constante de Planck (6.6260755x10


34
Js)
c = velocidad de la luz (2.99792458x10
8
m/s)
= longitud de onda de la radiacin
v = frecuencia angular de la radiacin
v

h
hc
E = =
Radiacin X : Son radiaciones electromagnticas de longitud de onda
aproximada de 1 y que se encuentran en el espectro electromagntico entre
los rayos y los ultravioleta. Se originan cuando particulas cargadas de alta
energia, tales como electrones acelerados mediante una diferencia de
potencial de 30000 voltios, colisionan con la materia.

Espectro continuo : En la colisin de los electrones con la materia se produce
una disminucin de la velocidad o incluso son detenidos. Parte de esa energia
es convertida en radiacin electromagntica, la denominada radiacin blanca
(policromtica) o espectro continuo, caracterizandose por presentar longitudes
de onda superiores a un cierto valor lmite.

Espectro caracterstico : Los rayos X que se utilizan en casi todos los
experimentos de difraccin son radiacin monocromtica y su origen es la
liberacin de energia en forma de radiacin X al producirse la transicin de un
electrn desde un orbital ms externo a un orbital interno, en el que se ha
extraido un electrn al colisionar los electrones acelerados incidentes con la
materia.
Cristal
Slido cuya estructura atmica est ordenada de forma peridica en las
tres direcciones del espacio, es decir, que est formado por la repeticin de
un motivo siempre idntico de tomos, de iones o de molculas
Materiales Cristalinos:
Aquellos materiales slidos cuyos elementos constitutivos se repiten de
manera ordenada y cuya distribucin en el espacio muestra ciertas
relaciones de simetra.


Celda Unidad
Sistemas Cristalinos y Retculos de Bravais
Difraccin en cristales : Interferencia constructiva de un tipo de
radiacin que se dispersa en los tomos de un cristal.

Celda unidad : La unidad de repeticin ms pequea que contiene
la simetria completa de la estructura cristalina. La red en su
conjunto puede considerarse generada mediante traslaciones de la
celda unidad (paraleleppedo) en direcciones paralelas a sus
aristas.

Ejes cristalogrficos : Si tomamos como origen uno de sus vrtices,
la celda unidad queda precisamente descrita por las direcciones y
los mdulos de los vectores unitarios de traslacin, a, b y c, los
cuales definen los ejes cristalogrficos.
Parmetros reticulares : Las longitudes a, b y c, y los angulos , y de
este sistema de ejes son los denominados parmetros de celda unidad
o constantes reticulares.

Sistemas cristalinos : En funcin de las caractersticas especficas de
simetra cualquier cristal puede ser adscrito a uno de los siete sistemas
de ejes cristalogrficos o sistemas cristalinos.

Planos reticulares : En una red cristalina pueden trazarse, en las ms
variadas direcciones, series de infinitos planos paralelos y equidistantes
entre s, conteniendo cada uno de ellos sucesiones de puntos
reticulares. Estos planos que colectivamente contienen todos los puntos
de la red, se dice que son planos racionales o reales.

ndices de Miller : Los nmeros h, k y l, que identifican la posicin y la
orientacin del plano respecto a los ejes cristalogrficos, escribindose
con la notacin (h k l). Se hallan directamente reduciendo a los menores
nmeros enteros los valores inversos de las intersecciones fraccionarias
del plano con los ejes cristalogrficos.

Distancia interplanar : La distancia d entre dos planos consecutivos de
una misma familia, se denomina distancia interplanar, o simplemente
espaciado.
Ley de Bragg : La ecuacin de Bragg expresa las condiciones
limitantes sobre los ngulos a los que se producir la reflexin
(difraccin).

Difraccin de polvo de rayos X : Consiste en la realizacin del
experimento de difraccin sobre una muestra de polvo muy fino, que
idealmente tiene cristales dispuestos al azar en todas las posibles
orientaciones.

Difractometra de polvo : Es la tcnica de difraccin de polvo de rayos
X que utiliza como detector un contador de radiacin difractada. Este
se dispone para barrer un angulo de 2 a una velocidad angular
constante.

Difraccin de Rayos X (I)
Experimento de Difraccin
Experimento de Difraccin
ndices de Miller
Los ndices de Miller son utilizados para poder identificar
unvocamente un sistema de planos cristalogrficos . Los ndices de
Miller de un sistema de planos se indican genricamente con las
letras (h k l)
Los ndices de Miller son nmeros enteros, que pueden ser
negativos o positivos, y son primos entre s. El signo negativo de un
ndice de Miller debe ser colocado sobre dicho nmero.
Para identificar los diferentes planos y direcciones en un cristal se
usan los ndices de Miller (para planos (hkl), para direcciones [hkl]).
La orientacin de una superficie de un cristal plano se puede definir
considerando como el plano corta a los ejes cristalogrficos
principales del slido. La aplicacin de un conjunto de reglas conduce
a la asignacin de los ndices de Miller (hkl); un conjunto de nmeros
que cuantifican los cortes y que slo puede usarse para identificar un
plano o una superficie.
Adems, se llaman ndices de Miller, que se suelen denotar
ordinariamente por (h,k,l). Este smbolo tambin indica la familia de
planos, mientras que [h,k,l] precisa una direccin en el cristal.
Un signo - sobre un ndice indica que la interseccin se ha
verificado en el sentido negativo del eje.
Se usan tambin los smbolos:
{h,k,l} para indicar los planos de simetra equivalentes y
<h,k,l> para indicar las direcciones equivalentes.
Por ejemplo <h,k,l> [0,1,0], [0,0,1], [1,0,0].

Planos en la celda unitaria:

Los planos cristalinos son con mayor precisin los lugares por
donde un material facilita su deslizamiento y transformacin fsica;
dichos lugares o planos son en donde existe la mayor posibilidad
de que el elemento sufra una dislocacin. Como se mencion
anteriormente los metales se deforman con mayor facilidad a lo
largo de los planos en los cuales los tomos estn compactados de
manera ms estrecha o cercana en la celda unitaria. Es importante
resaltar la orientacin y forma en la que puede crecer el cristal, para
ello es necesario analizar las tensiones superficiales producidas en
los principales planos de una celda unitaria. Igualmente para una
mejor orientacin en los planos de un material podr existir un mejor
rendimiento y aprovechamiento en las propiedades y usos
mecnicos.

Coordenadas de un sitema
cubica centrado en el cuerpo (I)
(100) (110) (111)
Indices de miller para planos cristalogrficos
Determine los ndices de Miller de los
planos
Indices de miller para planos cristalograficos
Planos cristalograficos paralelos equivalentes
Indices de Miller (hkl)
Direcciones en la celda unitaria:
Existen direcciones y posiciones en una celda
unitaria de gran inters, dichas direcciones son los
denominados ndices De Miller y son particularmente
las posiciones o lugares por donde es ms
susceptible un elemento en sufrir dislocaciones y
movimientos en su interior cristalino.
Para hallar los ndices De Miller de las direcciones se
procede de la siguiente manera:
usar un sistema de ejes coordenados completamente definidos (zonas
positivas y zonas negativas).
Restar las coordenadas de los puntos a direccionar (cabeza menos cola),
generando de esta manera el vector direccin y la cantidad de parmetros de red
recorridos
Eliminar o reducir de la resta de puntos las fracciones hasta su mnima
expresin
Encerrar los nmeros resultantes entre corchetes, sin comas, si el resultado
es negativo en cualquier eje (X, Y, Z) debe situarse una barra o raya encima de
dicho numero, o nmeros.
Ejemplo
Direccin A
Dos puntos son: 1,0,0 y 0,0,0
Se restan ambos puntos, situando en primer lugar el punto que se
desea tener como direccin y sentido (cabeza del vector)
1,0,0 0,0,0 = 1,0,0
No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir: [ 100 ]
Direccin B
Dos puntos son: 1,1,1 y 0,0,0
Se procede de igual manera, se restan ambos puntos 1,1,1 - 0,0,0 = 1,1,1
No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir: [ 111 ]
Direccin C
Dos puntos son: 0,0,1 y ,-1,0
Se procede de igual manera, se restan ambos puntos 0,0,1 - ,-1,0 = - ,-1, 1
Esta vez el resultado debemos llevarlo a una conversin de enteros.
2(- ,-1, 1)=-1,-2,2
Como el resultado es negativo en las direcciones de los ejes X y Y, se sitan con una
barra en la parte superior los valores para dichos ejes.
Difraccin de Rayos X (I)
18000
16000
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
TIOUREA2 data - background
TIOUREA2 peaks
1200
1000
800
600
400
200
0
31-1934 Thiourea
20.0 25.0 30.0 35.0 40.0 45.0 50.0 55.0 60.0
Fuente de RX
D
e
t
e
c
t
o
r

d
e

R
a
y
o
s

X

Esfera de
Ewald
Retculo
Recproco
Esfera de Ewald (I)
Esfera de Ewald
Java
mpg
Difraccin de Rayos X
Difraccin de Rayos X (I)
18000
16000
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
TIOUREA2 data - background
TIOUREA2 peaks
1200
1000
800
600
400
200
0
31-1934 Thiourea
20.0 25.0 30.0 35.0 40.0 45.0 50.0 55.0 60.0
Results by Rietveld and EDS


Material MoO
3
(hex) o-MoO
3
(ort)
Atomic ratio
O/Mo (EDS)
MO-1w8h 96.36 3.64 3.1
MO-2w8h 98.00 2.00 3.6
MO-3w8h 98.58 1.42 3.5
MO-4w8h 98.96 1.04 3.1
MO-1w24h 66.08 33.92 3.0
MO-2w24h 84.74 15.26 3.3
MO-3w24h 48.19 51.81 3.3
MO-4w24h 63.73 36.27 2.7
MO-1w2d 0.25 99.75 3.0
MO-1w3d 0.26 99.74 2.7
If t
A
= 4 weeks and t
H
= 8 h, we obtain MoO
3
in
hexagonal phase with nanorods morphology.
Aging time = t
A
; Hydrothermal conditions= t
H

If t
A
= 1 week and t
H
= 2d, we obtain MoO
3
in
orthorhombic phase with nanoribbons morphology.
MoO
3
Selective Synthesis
F. Paraguay, G. Alonso, et al. Nanotechnology 17(2006) 3473
5 m

MoO
3
Nanoribbons MoO
3
Nanorods
Orthorhombic
Hexagonal
o-MoO
3
nanoribbons TEM and diffraction pattern
F. Paraguay, G. Alonso, et al. J. of Nanocience and Nanotechnology. 7, 1-7 (2007).
XRD results

20 30 40 50 60 70
*
(103)
*
*
(110)
(100)
(002)
S1C
S1B
*
* 2H-MoS
2


I
n
t
e
n
s
i
d
a
d

u
.
a
.
2u
S1A
SERIES 1
53
N
2
/H
2

450 C
500 C
550 C
54
10 20 30 40 50 60 70
(110)
(103)
(100)
(002)
*
*
*
S2C
S2B
* 2H-MoS
2
*
S2A



i
n
t
e
n
s
i
d
a
d

u
.
a
.
2u
H
2
S/H
2

SERIES 2
450 C
500 C
550 C
Dif de electrones de capa delgada de Pd
Difracted
Electrons
Dif de electrones de capa delgada de
SnO
2
Peliculas Delgadas SnO
2
:Zn
TEM MoS
2
60
Particle 2
9_3054_L50cm_2
Diffraction rings are close to RuO
2
tetragonal, and the angles are close to simulated
planes. Particle is RuO
2.

2
3
Simulated
61
Particle 3
Both axes zone are not exactly parallel only y. The particle is Pt/RuO
2
[1-1-2]
[-1-23]
62
Particle 1
2
10_3054_L50cm_1
The particle is Pt/Ru
[0-20]
63
Particle 2
The particle is Pt/RuO
2
64
3054_ area 1 and 2 Ru/Pt on MWCNTs
1
2
3
4
5
7
HRTEM at 300 kx
NBD probe
n
0
= 10
4
e
-
/
2
CNT OD = 46 nm
ID = 24 nm
25 to 30 layers
particle d = (3.4 0.4) nm
less than 5,000 atoms
5 nm
6
8
65
Particle 1 (DP)
Ring d () a () (khl) Pt fcc
1 2.16 3.73 (111) 2.2650
2 1.88 3.75 200 1.9616
3 1.33 3.76 220 1.3873
4 1.15 3.80 311 1.1826
5 1.10 3.80 222 1.1325
400 0.9808
6 0.84 3.64 331 0.9000
7 0.78 3.51 420 0.8773
8 0.75 3.66 422 0.8008
Cell
parameter 3.71 3.92
The particle is Pt, but cell parameter is less than bulk
66
Particle 1 (DP and shape)
60
2 n m 2 n m
Icosahedra ??
67
Decahedra Particles Au
Adv. Mater. 2006, 18, 25292534
68
Decahedra Particles Ni
Cryst. Res. Technol. 33 (1998) 1
III. Montado de Cristales
- Loop (Tensin Superficial)
- Capilares
SEM DE (NH
4
)
2
PtCl
6


20 m
Monocristal (NH
4
)
2
PtCl
6

Peso Molecular 443.87
Grupo Espacial Fm-3m
Dimensiones, a, b & c 9.845(10),
, , 90
Volumen 954.22(17)
3

calc.
3.090 mg/m
3

Y. Verde, et al. Catalysis Today vol.107-108 (2005) 826.
International Centre for Diffraction Data
Nmero de Intensidades
Las posiciones de los picos de difraccin depende nicamente
de la celda unidad.

Entonces la cantidad mxima de picos a medir ser funcin
del tamao de la celda unidad y de la longitud de onda
utilizada en el experimento.
3 3
32 . .
33.5
3
Vol Vol
N
t

| | | |
= ~
| |
\ . \ .
1.5418 A
0.7107 A
Cu
Mo

=
=
3
3
400 3657 37340
125000 2 6 1 7
Cu Mo
Cu Mo
V A N N
V A N E N E
= ~ ~
= ~ ~
Retculo Recproco
( )
*
b c
a
a b c

=

( )
*
c a
b
a b c

=

( )
*
a b
c
a b c

=

RD RR