EL MOSFET DE POTENCIA

El transistor de Efecto de Campo Metal-xido-Semiconductor Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) Es un dispositivo unipolar: la conduccin slo es debida a un tipo de portador

G
EL MOSFET DE POTENCIA

Canal N

Conduccin debida a electrones

S
D G S
Los ms usados son los MOSFET de canal N
La conduccin es debida a los electrones y por tanto, son ms rpidos Canal P Conduccin debida a huecos

Curvas caractersticas del MOSFET

Referencias normalizadas

Curvas de salida ID [mA]

D
EL MOSFET DE POTENCIA

ID

G + VGS -

+ VDS S -

4
2

VGS = 4,5V

VGS = 4V
VGS = 3,5V
VGS = 3V VGS = 2,5V

VDS [V]

6
VGS < VTH = 2V

Curvas de entrada: No tienen inters (puerta aislada del canal)

Curvas caractersticas del MOSFET

2,5KW
D

ID 4

ID [mA]
VGS = 4,5V VGS = 4V

EL MOSFET DE POTENCIA

+
VGS

+ VDS -

2
10V

VGS = 3,5V
VGS = 3V VGS = 2,5V

12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V

VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V Comportamiento resistivo Comportamiento como fuente de corriente Comportamiento como circuito abierto

Precauciones en el uso de transistores MOSFET

S
N+ P-

D
N+
+

D G S

EL MOSFET DE POTENCIA

Substrato El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos

El xido se puede llegar a perforar por la electricidad esttica de los dedos. A veces se integran diodos zener de proteccin.
Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los MOSFET de enriquecimiento.

Encapsulados de MOSFET

D 61 TO 220

EL MOSFET DE POTENCIA

TO 247

TO 3

Parmetros fundamentales para seleccionar un MOSFET

Tensin de ruptura

Resistencia en conduccin
Corriente mxima

Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales

EL MOSFET DE POTENCIA

Baja tensin 15 V 30 V 45 V 55 V 60 V 80 V

Media tensin 100 V 150 V 200 V 400 V

Alta tensin 500 V

600 V
800 V 1000 V

Resistencia en conduccin (RDSon)

Es el parmetro ms importante en un MOSFET El MOSFET en conduccin se modela utilizando la RDSon

D
G
EL MOSFET DE POTENCIA

RDSon S

Cuanto ms baja es la resistencia, mejor es el transistor Este parmetro est directamente relacionado con la tensin de ruptura y con la capacidad de manejar corriente

VDS ID

RDSon
RDSon

Ejemplos de MOSFETS comerciales

VDS IRF 3205 IRF 1405 IRF 520 55 V 55 V 100 V 100 V 500 V 500 V 1000 V 1000 V

ID 110 A 169 A 10 A 75 A 8A 20 A 3A 6A

RDSon 8 mW 5.3 mW 180 mW 25 mW 850 mW 270 mW 5W 2W

EL MOSFET DE POTENCIA

IRF 3710 IRF 540 IRFP 460 IRFPG 30 IRFPG 50

Caractersticas de puerta
El correcto manejo de la puerta es fundamental para utilizar un MOSFET Hay una tensin mnima para ponerlo en conduccin: tensin umbral

Threshold voltage: VGS(th)

Valores tpicos: 3 5 V

EL MOSFET DE POTENCIA

Hay una tensin mxima de puerta. Por encima de ese valor, se destruye Valores tpicos: 15 V, 20 V El circuito equivalente entre puerta y fuente se modela como un condensador (Ciss)

D G S
Orden de magnitud: nF (Ciss)

Caractersticas de puerta
Cuanto ms alta es la tensin de puerta, menor es la RDSon Interesa manejarlo con la tensin ms alta posible (dentro del margen) Curvas de salida reales de un MOSFET Influencia de la temperatura 25 C 175 C

EL MOSFET DE POTENCIA

Caractersticas de puerta
Para hacer que el MOSFET se abra y se cierre, debemos cargar y descargar el condensador de puerta

D G S
EL MOSFET DE POTENCIA

Energa utilizada en cargarlo:

1 2 Ciss VGS 2

Esa energa se pierde y, por tanto, el hecho de manejar el MOSFET implica prdidas

PG

1 1 2 Ciss VGS 2 T

Caractersticas fundamentales
Resistencia Trmica

j
EL MOSFET DE POTENCIA

RTHjc

RTHca

c
P (W)

Ta

Ta : Temperatura ambiente Los valores dependen fundamentalmente del tipo de encapsulado

Caractersticas dinmicas
La rapidez de las conmutaciones depende en gran medida del modo en que se maneje la puerta

D
El diodo parsito es lento.

G S
EL MOSFET DE POTENCIA

Si el diodo est conduciendo, aunque el MOSFET se abra, el diodo puede seguir conduciendo un cierto tiempo

En un MOSFET hay en total tres capacidades parsitas:

Cgs, Cgd y Cds. A partir de ellas se definen las capacidades Ciss, Crss y Coss.
Cgd

D
Cds

G
Cg
s

Valores reales

Caractersticas dinmicas
Las capacidades parsitas influyen fuertemente en las conmutaciones D

VDS Cds VDS

VDSmax
0V

Cgd
G S

VGS

EL MOSFET DE POTENCIA

1 2 Coss VGS 2

VGS

Se necesita una cierta cantidad de energa para cargar los condensadores Efecto Miller Al cargar el condensador de puerta se produce un cambio en la impedancia del condensador Ciss, debido a Crss.

VGS
Forma de onda que genera este cambio de impedancia QGD

Caractersticas dinmicas
Definicin de tiempos de conmutacin

VDS
90%

VGS

10%

EL MOSFET DE POTENCIA

td(on) tF
tR : tiempo de subida
tF : tiempo de bajada

td(off)

tR

td(on) : Retraso de encendido td(off) : Retraso de apagado

Caractersticas dinmicas
Las conmutaciones no son ideales Durante un cierto tiempo conviven tensin y corriente

VGS
VGS(th)

VDS
EL MOSFET DE POTENCIA

ID

PMosfet PRDIDAS

Caractersticas dinmicas
Prdidas de conduccin

ID

G S

RDSon
T

Pconduccin = RDSon Ief2

EL MOSFET DE POTENCIA

Prdidas de conmutacin

PMosfet Clculo del valor medio de la forma de onda

OTROS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

El transistor Bipolar de Puerta Aislada Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Este dispositivo aparece en los aos 80 Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un MOSFET La caracterstica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensin y no por corriente

C EL IGBT DE POTENCIA
MOSFET
Bipolar

G E
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)

Facilidad de manejo (MOSFET)

Menor capacidad de conmutacin (Bipolar) No tiene diodo parsito

Estructura del IGBT

Es similar a la de un MOSFET Slo se diferencia en que se aade un sustrato P bajo el sustrato N Es el dispositivo ms adecuado para tensiones > 1000 V

EL IGBT DE POTENCIA

El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V En los valores intermedios depende de la aplicacin, de la frec.,etc.

El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones: Bajo ciclo de trabajo Baja frecuencia (< 20 kHz) Aplicaciones de alta tensin (>1000 V) Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones tpicas del IGBT

EL IGBT DE POTENCIA

Control de motores
Sistemas de alimentacin ininterrumpida Sistemas de soldadura Iluminacin de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia

Gran capacidad de manejo de corriente

Comparacin IGBT-MOSFET con el mismo rea de semiconductor

El IGBT tiene menor cada de tensin

Menores prdidas en conduccin

Problema:

EL IGBT DE POTENCIA

Coeficiente de temperatura negativo A mayor temperatura, menor cada de tensin Conduce ms corriente

Se calienta ms
Esto es un problema para paralelizar IGBTs

Encapsulados de IGBT

Mdulos de potencia TO 220

MTP TO 247

EL IGBT DE POTENCIA

Parmetros fundamentales para seleccionar un MOSFET

Tensin de ruptura Corriente mxima Tensin colector-emisor en saturacin

EL IGBT DE POTENCIA

Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales Media tensin 250 V 300 V (Poco usuales) Alta tensin 600 V 900 V 1200 V

Caractersticas bsicas

EL IGBT DE POTENCIA

C
En ocasiones, el encapsulado incorpora internamente un diodo

G E

Caractersticas elctricas
Tensin de saturacin colector-emisor (como en bipolares)

Tensin umbral de puerta (como en MOSFETS) Caractersticas trmicas

EL IGBT DE POTENCIA

Caractersticas dinmicas
Circuito equivalente del IGBT
La base del bipolar no del accesible

La circuitera exterior no puede solucionar el problema de la eliminacin de los minoritarios de la base

EL IGBT DE POTENCIA

Esto da lugar a la llamada cola de corriente (current tail) Problema: aumento de prdidas de conmutacin

Cola de corriente

Caractersticas dinmicas
Al contrario que en el MOSFET, los tiempos de conmutacin del IGBT no dan informacin sobre las prdidas de conmutacin Causa: No tienen en cuenta el efecto de cola de corriente Este efecto es muy significativo en el conjunto de prdidas Adems, el tiempo de cada de la tensin VCE no queda definido Este tiempo es muy importante para definir las prdidas

Se hace mediante grficos que proporciona el fabricante

EL IGBT DE POTENCIA

PROTECCIN ELCTRICA DE SEMICONDUCTORES

PROTECCIN ELCTRICA DE SEMICONDUCTORES

Proteccin Elctrica de Semiconductores

Para mejorar la fiabilidad de los circuitos electrnicos, en muchas ocasiones es interesante aadir circuitos de proteccin

Estos circuitos pueden evitar la rotura de un semiconductor por un evento fortuito: sobrecorrientes y sobretensiones

La denominacin inglesa es la que ms se usa: SNUBBER

Aparte de la proteccin, tienen dos utilidades ms:

Distribuir las prdidas en ms de un componente

Facilitar el uso de semiconductores con especificaciones ms ajustadas

PROTECCIN ELCTRICA DE SEMICONDUCTORES

Proteccin Elctrica de Semiconductores

Fundamentalmente hay dos tipos de snubber:

Tensin
Corriente

Los ms usados son los de sobretensin. Dentro de esta categora, existen tambin diversos tipos: Encendido Apagado Sobretensin

En cuanto al tipo de circuito, tambin hay 2 tipos de snubbers:

Disipativos (No aprovechan la energa que utilizan) No Disipativos (La energa que manejan la devuelven al sistema)

Snubber de Tensin. Encendido PROTECCIN ELCTRICA DE SEMICONDUCTORES

Este tipo de snubber no es muy usado Los semiconductores son muy rpidos para entrar en conduccin. Por esta razn, no es crtico el uso de circuitos de proteccin de encendido

DS LS RS

VDS Snubber de encendido

ID

La bobina LS suaviza la pendiente con la que aumenta la corriente La energa almacenada en la bobina se descarga posteriormente en la resistencia. Esta energa se pierde: snubber disipativo

Snubber de Tensin. Apagado PROTECCIN ELCTRICA DE SEMICONDUCTORES

Es un snubber muy utilizado El apagado es crtico en los semiconductores

Snubber de apagado DS Suaviza las formas de onda de tensin en el apagado del transistor RS CS Parte de las prdidas de conmutacin se trasladan al snubber Las prdidas no disminuyen. Simplemente se trasladan a otros componentes La idea bsica es mantener la tensin VDS a cero mientras sube la corriente

Al no utilizar bobinas, este snubber es ms sencillo y ms barato

Snubber de Tensin. Apagado PROTECCIN ELCTRICA DE SEMICONDUCTORES

MOSFET conduciendo: MOSFET cortado:

DS

Inductancias parsitas. Tienen energa cargada

RS CS

El condensador se descarga a travs de la resistencia

El condensador queda en paralelo con el MOSFET

La tensin VDS crece ms lentamente

Para ajustar el snubber, la idea es conseguir que la energa almacenada en la bobina se traslade al condensador y que luego se descargue sobre la resistencia

Snubber de Tensin. Apagado PROTECCIN ELCTRICA DE SEMICONDUCTORES

IM IDf

Formas de onda

Df DS IM

IM

IDf

IM

IDf

IC RS CS VDS

IC

IC

VDS

VDS

C pequeo

C ptimo

C grande

Hasta que la tensin VDS llega a su tope, el MOSFET no se corta El ptimo se consigue cuando se sincronizan el condensador y el MOSFET

Snubber de Tensin. Apagado PROTECCIN ELCTRICA DE SEMICONDUCTORES

Toda la energa almacenada en el condensador se disipa en la resistencia La resistencia es ms fcil de refrigerar que el transistor No se disipa ms energa por el hecho de poner el snubber La corriente de pico que va a manejar el transistor es la misma con o sin snubber En la practica, el ajuste es por prueba y error buscando el condensador ms pequeo Formas de onda reales Sin snubber Con snubber

Oscilaciones

Snubber de Tensin. Sobretensin PROTECCIN ELCTRICA DE SEMICONDUCTORES

Tambin es un snubber muy usado Su cometido es limitar la tensin mxima de las posibles oscilaciones parsitas y evitar que el dispositivo se rompa Su uso puede ayudar a seleccionar un dispositivo de menor tensin Snubber de sobretensin

Vin

El diodo del snubber debe ser rpido La inductancia parsita del circuito provoca oscilaciones indeseadas La energa de las oscilaciones es trasladada al condensador Posteriormente, la energa se descarga a travs de la resistencia

Snubber de Tensin. Sobretensin PROTECCIN ELCTRICA DE SEMICONDUCTORES Vin Vin

Vin

Vin

Vin Vin

El efecto del snubber es el siguiente:

En este caso, interesa tener un condensador grande El ajuste se hace en la resistencia

Otros Snubber PROTECCIN ELCTRICA DE SEMICONDUCTORES

En los diodos se suele utilizar un snubber ms sencillo C R Snubber RC

Su funcin es limitar las oscilaciones en la tensin nodo-ctodo

Este tipo de snubber tambin se usa en las configuraciones en puente

Snubber de Corriente PROTECCIN ELCTRICA DE SEMICONDUCTORES

Se basan en la utilizacin de bobinas para suavizar las pendientes de las formas de onda de corriente Se suelen usar inductancias saturables No son tan comunes por el hecho de usar bobinas, que son elementos no estndar.

Inductancia saturable Toshiba: Spike killer

Snubber no disipativo
Son estructuras ms complejas construidas nicamente con bobinas y condesadores. La energa que utilizan es devuelta posteriormente al sistema. No tienen resistencias, que son elementos disipativos

Fusibles PROTECCIN ELCTRICA DE SEMICONDUCTORES

En algunos casos se pueden utilizar fusibles para proteger semiconductores Se usan fusibles ultrarpidos Arena

Lmina metlica muy fina

Cuando pasa mucha corriente, la lmina metlica se funde. En el proceso de rotura pueden generarse un arco elctrico, que es apagado por la arena Para ajustar el valor de corriente con el que se funde la lmina, se agujerea con un cierto patrn

Fusibles PROTECCIN ELCTRICA DE SEMICONDUCTORES

Cuando se produce el fallo, la corriente aumenta

Esto da lugar a un aumento de temperatura Temperatura

TMAX

I
t Fallo En funcin de cmo sea la evolucin de la corriente, la temperatura aumentar a una velocidad u otra Por tanto, para dimensionar un fusible es necesario tener en cuenta el valor de corriente y el tiempo: I2t

Fusibles PROTECCIN ELCTRICA DE SEMICONDUCTORES

Evolucin de la corriente en el fusible Habr un incremento de temperatura mximo que ser funcin de una integral I2t rea t Trotura Tarco

IF

El fabricante proporciona el I2t del fusible Para que el fusible funcione correctamente, se debe cumplir: I2t del fusible < I2t del semiconductor

Fusibles PROTECCIN ELCTRICA DE SEMICONDUCTORES

Datos que proporciona el fabricante: I2 t Calibre: corriente nominal de trabajo sin fundirse I2 t

Calibre 250 Calibre 200 Calibre 150

VNOMINAL Depende de la tensin nominal porque la parte final del arco depende de la tensin que tiene que soportar

Conociendo la tensin de trabajo y la corriente nominal, podemos elegir el I2t correspondiente