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Soluciones:
2m
k
E
2 2
=
Condiciones de frontera peridicas,
.... 2, 1, n n,
Na
2
n
L
2
k 1
kL i
e = = = =
..
a
2
-
E
k
..
L
2
..
a
2
..
a
4
..
a
4
-
ikx
e A ) ( = + x
( ) ( ) x x L + = + +
EZE
ELECTRONES LIBRES EN 1D
E
k
a
k
ELECTRONES LIBRES EN 1D
Esquema de Zona Reducida
ELECTRONES LIBRES
E
k
Primera banda
Segunda banda
Tercera banda
a
Soluciones:
2m
k
E
2 2
=
( )
3
3
3
3
q
3
4
2
V
q
3
4
2
L
=
|
.
|
\
|
r k
r
i
e A ) (
-
= +
Nmero de modos de vibracin con
vector de onda entre 0 y q :
1
q
L
2t
Condiciones de frontera peridicas
( )
3
3
3
3
k
3
4
2
V
k
3
4
2
L
=
|
.
|
\
|
Nmero de estados con
vector de onda entre 0 y k :
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
q
2
k
1
k
L
2t
L
2t
k
1 e e e
L) i(k L) i(k L) i(k
3 2 1
= = =
( ) p)
L
2
n,
L
2
m,
L
2
( k , k , k
3 2 1
=
( , , ) = ( + L, y + L, z + L) x y z x + +
ENERGA DE FERMI
( )
3
F
3
k
3
4
2
V (2)
N =
3 / 1 2
F
) (3 k n t =
3 / 2 2
2
F
) (3
m 2
E n t
=
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
k
F
E
F
L
2t
L
2t
Densidad de Estados
Nmero de estados con vector de onda entre k y k + dk :
Nmero de estados con vector
de onda entre E y E + dE
2 / 1
2 / 3
2 2
2
2
V
) (E g E
m
|
.
|
\
|
=
t
( )
( ) dk k 4
2
(2)V
dE ) (E g
2
3
t
=
1/2
1/2
2
E
2m
k
|
.
|
\
|
=
dE
2m
dk 2k
2
|
.
|
\
|
=
( )
dk k 4
2
V
dk g(k)
2
3
t
=
F
F
2E
3N
) g(E =
E
g(E)
Teorema de Bloch
Las funciones de onda espaciales de un electrn en un
cristal (potencial peridico) son de la forma:
) ( u e ) (
n
i
n
r r
k
r k
k
-
= +
donde:
) ( u ) ( u
n n
r R r
k k
= +
PRUEBA:
En la ecuacin de Schrodinger
+ = + + + V E
m
) V(
2
2
2
r
R g
g
g
r r R r
-
= = +
i
e V ) ( V ) ( V ) ( V
r q
q
q
r
-
= +
i
e c ) ( CFP
...(1)
...(2)
...(3)
Teorema de Bloch
Reemplazando (2) y (3) en (1) tendremos entonces la ecuacin de
Schrodinger en la forma:
Obsrvese que el trmino ) ( ) V( r r + en la ecuacin (1) ser:
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
= +
q
r . q
q
g
r . g
g
r r
i i
e c e V ) ( ) V(
i( ) i ' i
' ' '
' '
V( ) ( ) Vc e V c e V c e
g q g
g q
+
+ = = =
g q . r q . r q. r
g q g q g
gq g q
r r
{ } 0 c V c E q
2
e
'
' '
2
2
i
= +
|
|
.
|
\
|
g
g q g q
q
r . q
m
\
|
g
g g k g g k
g k
m
0 c V c E ) (
2
'
' '
2
2
= +
|
|
.
|
\
|
g
g k g g g k
g k
m
-
Ecuacin A
MODELO DE ELECTRONES CASI
LIBRES
0 c E ) (
2
2
2
=
|
|
.
|
\
|
g k
g k
m
0 c V c E ) (
2
'
' '
2
2
= +
|
|
.
|
\
|
g
g k g g g k
g k
m
Ecuacin A
Potencial peridico nulo, V
g
= 0
' si , 0 c
si , 1 c
'
g - k q
g - k q
g - k
g - k
= =
= =
2
2
2
2
) 0 (
q
2
E , ) (
2
E , E E
m m
= = = g - k
g - k
q.r
q
r
i
Ae = + ) (
MODELO DE ELECTRONES CASI
LIBRES
( )
=
g
g k g g g k g - k
c V c E E
1 1 1
(0)
( ) ( )
=
1
1 1
'
(0)
' '
(0)
-
E E
c V
E E
c V
c
g g
g - k
g k g g
g - k
g - k g g
g k
Ecuacin A1
Caso no degenerado:
1
si , 0 c y , 1 c
1
g g
g - k g - k
= ~ ~
1
(0) (0)
1
E - E V, >> =
k-g k-g
g g
( )
=
+ =
1
1 1
'
' ' -
(0)
c V c V c E E
g g
g k g g g - k g g g k g - k
Puesto que V es pequeo, esperamos:
( )
) 0(V
E E
c V
c
2
(0)
-
1 1
+
g - k
g - k g g
g k
Ecuacin B
Ecuacin A2
MODELO DE ELECTRONES CASI
LIBRES
Caso no degenerado:
1
(0) (0)
1
E - E V, >> =
k-g k-g
g g
( ) ) V ( 0 c
E E
V V
c E E
3
(0)
(0)
1
1 1
1 1
+
g
g k
g - k
g g g g
g k g - k
) V ( 0
E E
V V
E E
3
(0)
(0) 1 1
1
+
+ =
g
g - k
g g g g
g - k
Reemplazo ecuacin B en ecuacin A:
Los niveles no degenerados no cambian apreciablemente
MODELO DE ELECTRONES CASI
LIBRES
( )
m
m
j j
g g g g
g g g g
g k g g g k g g g k g - k
,... , , c V c V c E E
2 1
,.. , '
' '
m
1 j
(0)
2 1
= + =
=
=
( )
) 0(V c V
E E
1
c
2
1
-
(0)
1 1
+
=
=
m
j
g - k g g
g - k
g k
Ecuacin A1
Ecuacin C
Caso Casi Degenerado:
i j
i
(0) (0)
(0) (0)
1 2 m
E - E V, si i, j 1, m.
E - E V, si , ,...
~ =
>> =
k-g k-g
k-g k-g
g g g g
( ) m ... 2, 1, i , c V c V c E E
,.. ,
m
1 j
(0)
2 1
i i
= + =
=
=
m
i j i j
g g g g
g k g g g k g g g k g - k
Ecuacin A2
MODELO DE ELECTRONES CASI
LIBRES
( ) m ... 2, 1, i , c V c V c E E
,.. ,
m
1 j
(0)
2 1
i i
= + =
=
=
m
i j i j
g g g g
g k g g g k g g g k g - k
( )
) 0(V c V
E E
1
c
2
1
-
(0)
1 1
+
=
=
m
j
g - k g g
g - k
g k
Ecuacin A1
Ecuacin C
Caso Casi Degenerado:
( )
( )
m ... 2, 1, i , ) 0(V )c
E E
V V
( c V c E E
3
,.. ,
(0)
m
1 j
m
1 j
(0)
2 1
j
i i
= +
+ =
=
= =
m
j
i
j i j
g g g g
g k
g - k
g g g g
g k g g g k g - k
Reemplazo la ecuacin C en A1:
MODELO DE ELECTRONES CASI
LIBRES
( ) m ... 2, 1, i , c V c E E
m
1 j
(0)
i i
= =
=
j i j
g k g g g k g - k
Caso Casi Degenerado:
En una aproximacin de primer orden los desplazamientos respecto al potencial
cero se calculan a partir de:
Matricialmente, por ejemplo, para m = 4:
0
c
c
c
c
E E V - V - V -
V - E E V - V -
V - V - E E V -
V - V - V - E E
4
3
2
1
4 4 3 4 2 4 1
3 4 3 3 2 3 1
2 4 2 3 2 2 1
1 4 1 3 1 2 1
-
-
-
-
(0)
(0)
(0)
(0)
=
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
g k
g k
g k
g k
g - k g g g g g g
g g g - k g g g g
g g g g g - k g g
g g g g g g g - k
MODELO DE ELECTRONES CASI
LIBRES
Caso Casi Degenerado:
0
-
c
c
(0)
E E V -
V -
(0)
E E
=
(
(
(
(
(
g k
k
g - k
g
g
k
a
k
E
k
E
g
g
V
(0)
E E =
k
( ) | |
2
V 4
2
E E
E
2
2
0 0
(0) (0)
g k g k
g k k
+
+
+
=
E E
)
a
2
(
V
(0)
E E
t
=
k
)
a
2
(
g
V 2 E
t
=
MODELO DE ELECTRONES CASI
LIBRES
Caso Casi Degenerado:
0
c
c
(0)
E E
2
V -
2
V -
(0)
E E
=
(
(
(
(
(
g k
g k
g k
g
g
g k
a
2g
(0)
V E E =
g k
)
a
4
(
(0)
V E E
t
=
g k
E
k
Gap 2
k
MODELO DE ELECTRONES CASI LIBRES
k
Interpretacin de Bragg
Cerca de la frontera de zona de Brillouin:
2a =
n 2dsen =
x
a
Cos B ) (
t
= +
+
x
x
a
BSen ) (
t
= +
x
La superposicin de ondas incidentes y reflejadas produce ondas
estacionarias seno y coseno con diferentes valores de energa
MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
( )
2 1
2
1
| | = +
( )
2 1
2
1
| | + = +
+
La molcula :
+
2
H
Niveles de energa
+
+
-
N ncleos y un solo electrn
+
-
+ + + + + + + +
N funciones de onda para
un solo nivel de energa
N funciones de onda para N
niveles de energa
MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
Cuando hay N iones y un solo electrn cada nivel atmico da
lugar a N niveles de energa, los cuales constituyen una banda
de energa.
MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
a) Potencial peridico
b) Funciones de onda atmicas
c) Funciones de onda atmicas multiplicadas por onda plana
MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
) X (x ) X (x e (x)
j j
kX i
k
j
~ ~ + | |
=
= +
N
1 j
j
) X - x k( i -
1/2
k
) X (x e
N
1
(x)
j
|
ikx
e
=
= +
N
1 j
j
kX i
1/2
k
) X (x e
N
1
(x)
j
|
Satisface el teorema de Bloch
Cerca del j-simo ion se comporta como un orbital atmico:
Escojamos una funcin de onda que satisfaga el teorema de Bloch y que
se reduzca a una funcin de onda atmica para valores de x cerca de cada ion
Ec (1)
Ec (1a)
Ec (1b)
MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
k k
H E(k) =
) X (x ) X (x e
1
(k)
' ,
j j '
) k(X i
'
j
=
j j
X
H
N
E
j
| |
Clculo de la energa
dx H E(k)
k
*
k
}
=
Ec (2)
) X (x (x) e (k)
2
1
2
j
X k i
j
=
=
=
N
j
N
j
H E | |
Ec (3)
Reemplazando Ec (1) en Ec (2):
MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
) X (x H (x) e (x) H (x) (k)
j
j
X k i
j
'
+ = | | | | E
V(x)
dx
d
m 2
-
2
2
0
2
+ =
H
) X - (x v V(x)
j
j
=
Clculo de la energa
) X (x (x) e (k)
2
1
2
j
X k i
j
=
=
=
N
j
N
j
H E | |
Ec (3)
Ec (4)
(x) V' v(x) V(x) + =
MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
}
= (x) ) ( ' V (x) -
*
| |
v
x
(x) ) ( ' V (x) (x) ) ( v
2
(x) (x) H (x)
2
2
0
2
| | | | | | x x
dx
d
m
+
(
+ =
Primer trmino de la ecuacin (4)
| | |
v
= E (x) H (x)
Ec (4a)
MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
}
= a) - (x ) ( ' V (x) -
*
| |
v
a x
(x) ) ( ' V (x) a) - (x ) ( v
2
(x) a) - (x H (x)
2
2
0
2
| | | | | | a x a x
dx
d
m
+
(
+ =
Segundo trmino de la ecuacin (4), considerando slo vecinos ms cercanos
Ec (5)
a) (x H (x) e a) (x H (x) e ) X (x H (x) e
ika -
ika
j
j
X k i
j
'
+ + =
| | | | | |
Integral de traslape
ka Cos k E |
v
2 E ) ( =
MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
|
v
2 E
0
= E
)
2
( sen 4 E ) (
2
0
ka
k E + =
2 2
0 k
k a E E =
MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
= =
) (
2
a
) (
2
a
) (
2
a
y ) k , k , (k k
0 z y x
k i
j k
j i
R
-
=
cercanos ms vecinos j ,
i
s s
0j
e - E (k) E
R k
|
(
|
.
|
\
|
|
.
|
\
|
+
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
|
.
|
\
|
=
2
a k
Cos
2
a k
Cos
2
a k
Cos
2
a k
Cos
2
a k
Cos
2
a k
Cos 4 E ) ( E
x z z
y y
x
s s
| k
Caso 3 dimensional: banda s de un slido con estructura fcc monoatmica
2 2
s s
a k 12 E ) ( E + = | k
MODELO KRONIG PENNEY
| |
| |
+ =
e
e
=
a) n V(x V(x)
a b, x si ,
0
V -
b 0, x si , 0
V(x)
v
x
a
c
b
a
0
-V
+ = + +
+
E V(x)
2
dx
2
d
m 2
2
-
| | b 0, x si , 0
2
2
dx
2
d
e = + +
+
o
| | a b, x si , 0
2
2
dx
2
d
e = + +
+
|
1/2
2
E m 2
|
|
.
|
\
|
=
1/2
2
)
0
V (E m 2
|
|
.
|
\
|
+
=
2
(k
dx
du
k i 2
2
dx
u
2
d
1
1 1
e = +
| | a b, x si , 0 u )
2
2
(k
dx
du
k i 2
2
dx
u
2
d
2
2 2
e = +
(x)
2k
u
ikx
e (x)
k
=
ikx
k 1k
(x) e u (x) =
(x)
k
u
ikx
e (x)
k
=
MODELO KRONIG PENNEY
| | b 0, x si , 0 u )
2
2
(k
dx
du
k i 2
2
dx
u
2
d
1
1 1
e = +
Caso 1: Si E>0
| | a b, x si , 0 u )
2
2
(k
dx
du
k i 2
2
dx
u
2
d
2
2 2
e = +
| |
i(-k)x -i( k)x
2
u (x) C e D e , si x b,a
+
= + e
| | b 0, x si ,
k)x -i(
e B
k)x - i(
e A (x)
1
u e
+
+ =
MODELO KRONIG PENNEY
Usando como condiciones de frontera la continuidad de la funcin y
su derivada en x = 0 y en x = b
0 D C B A = +
0
k)c i(
De
k)c - -i(
e C
k)b -i(
e B
k)b - i(
e A =
+
+
+
( ) ( ) ( ) ( ) 0
k)c i(
De k i
k)c - -i(
e C k - i
k)b -i(
e B k i
k)b - i(
e A k - i =
+
+ +
+
+
( ) ( ) ( ) ( ) 0 D k i C k - i B k i A k - i = + + +
MODELO KRONIG PENNEY
Los coeficientes A,B, C y D se encuentran resolviendo estas ecuaciones
simultneas y la solucin existe slo si el determinante de sus
coeficientes es nulo, lo cual implica:
1) (Sol. c) (b k Cos c Cos b Cos c Sen b Sen
2
2
+ = +
|
.
|
\
|
+
| o
MODELO KRONIG PENNEY
Caso 2: -V
0
< E < 0
El procedimiento es igual pero es imaginario y podemos escribirlo as:
= +
|
.
|
\
|
i =
Senh x i x) (i Sen y h x Cos x) (i Cos = =
MODELO KRONIG PENNEY
Ambas, Solucin 1 y Solucin 2 son de la forma:
Esto significa que dado un valor de k podemos hallar el correspondiente E
Para ver cualitativamente la existencia de bandas prohibidas y permitidas
reescribimos ambas soluciones en las formas:
a k Cos (E) f =
a k Cos ) - c ( Cos b Sen
4
) (
1
1
1/2
2
2 2
2 2
=
(
+
a k Cos )
2
- c ( Cos
1/2
b
2
Senh
2
2
4
)
2
2
(
1 =
(
(
+
+
MODELO KRONIG PENNEY
Donde:
0 E V - si , b Tanh
2
- Tan
0
2 2
2
< <
+
=
0 E si , b Tan
2
- Tan
2 2
1
>
+
=
MODELO KRONIG PENNEY
a k Cos )
1
- c ( Cos
1/2
b
2
Sen
2
2
4
)
2
2
(
1 =
(
(
+
E
f(E)
f(E) =
E = - V
0
E = 0
0 E si , >
a k Cos ) - c ( Cos b Senh
4
) (
1
2
1/2
2
2 2
2 2
=
(
+
+
0 E V - si
0
< <
a
k =
a
k =
a
2
k =
a
2
k =
a
3
k =
MODELO KRONIG PENNEY
Para resolver exactamente E vs k puede procederse del siguiente modo:
1) Asegurarse de tener los datos V
0
(en eV), a y c (en angstron) .
2) Tomar 2000 valores de energa E en el intervalo (- V
0
, V
0
)
y para
cada
uno de
ellos escribir los valores de y ( ) .
3) Reemplazar y ( ), as como a, b y c en la solucin (1) o
solucin (2). De este modo se obtiene f (E).
4) Para los valores de f(E) en el intervalo (-1,1) tome arco cos f ( E ) y
as podr obtener k. Con lo cual habr obtenido un punto de la relacin de
Dispersin E vs k).
MODELO KRONIG PENNEY
Otros mtodos de clculo de bandas
El mtodo celular
El mtodo de ondas planas aumentadas
El mtodo del seudo potencial
EL MTODO CELULAR
Resuelve la ecuacin de schrodinger en una zona de Brillouin con
Condiciones de frontera:
R) (r ) ( e - (r) ). (
-ik.R
+ + + = + V R r n r n
En la publicacin original para calcular el estado de ms
baja energa de la banda 3s del sodio se aproxim la celda
WS a una esfera y se resolvi el problema como si fuera un
problema atmico pero con condiciones de frontera :
R) (r e (r)
-ik.R
+ + = +
0 ) (r
0
,
0
= _
SUPERFICIES DE FERMI
La superficie de Fermi es definida como la superficie en el espacio k dentro de la
cual todos los estados estn ocupados por electrones de valencia a 0K. Todos los
estados fuera de la esfera de Fermi estn vacos.
SUPERFICIES DE FERMI
Mtodo de Harrison: Una tcnica para construir superficies de Fermi de metales.
En primera aproximacin consideramos que los electrones son libres. Las superficies
De Fermi son esferas. Si salen de la PZB usamos dos o mas bandas.
SUPERFICIES DE FERMI
1ZB
2ZB
3ZB
SUPERFICIES DE FERMI
SUPERFICIES DE FERMI
Cmo puede pasarse de las superficies de Fermi para electrones libres a
las de electrones casi libres?
(c) La interaccin del electrn con el potencial peridico del cristal
origina la aparicin de bandas prohibidas en los lmites de la zona.
(b) La mayor parte de las superficies de Fermi cortan perpendicularmente
a los lmites de la zona.
d) El volumen total encerrado por la superficie de Fermi depende
solamente de la concentracin electrnica y es independiente de los
detalles de la interaccin con la red.
a) El potencial del cristal redondea las esquinas afiladas de las
superficies de Fermi.
CONDICIN DE LAUE
k
g g/2
frontera de zona
de Brillouin
A diferencia de los experimentos de
DRX con un haz monocromtico,
todos los electrones estn expuestos a
experimentar una reflexin de Bragg,
pero slo la experimentarn aquellos
que satisfacen la condicin de Laue.
Estos son los que estn en las
fronteras de las ZB. La difraccin de
Bragg, a su vez, origina la aparicin de
bandas prohibidas
2 2 2
k k g 2 . = + k g
2
2 . g = k g
1
.
2
=
g
k g
g
SUPERFICIES DE FERMI
Problema 5.14 de Omar:
3 / 1 2
F
) (3 k n t =
Recordando que para un gas de electrones libres:
a) Cuando la concentracin de electrones aumenta, la esfera de Fermi se expande.
Demostrar que esta esfera empieza a tocar las caras de la PZB en una red fcc cuando
La relacin entre concentracin de electrones y de tomos es n/n
a
= 1,36
b) Suponga que algunos de los tomos en un cristal de cobre que tiene estructura
fcc monoatmica son gradualmente reemplazados por tomos de zinc.
Considerando que el zinc es divalente y el cobre monovalente, calcular la
razn de
tomos de cobre a tomos de zinc en una aleacin CuZn (bronce) a la cual la
esfera de Fermi toca las caras de la zona. ( El bronce experimenta un cambio
estructural a esta razn de concentraciones)
SUPERFICIES DE FERMI
3
a
n
3
t
=
3 / 1 2
F
) (3 k n t =
Problema 5.14 de Omar: Recordando que para un gas de electrones libres:
a) Cuando la concentracin de electrones aumenta, la esfera de Fermi se expande.
Demostrar que esta esfera empieza a tocar las caras de la PZB en una red fcc cuando
La relacin entre concentracin de electrones y de tomos es n/n
a
= 1,36
b) Suponga que algunos de los tomos en un cristal de cobre que tiene estructura
fcc monoatmica son gradualmente reemplazados por tomos de zinc.
Considerando que el zinc es divalente y el cobre monovalente, calcular la
razn de
tomos de cobre a tomos de zinc en una aleacin CuZn (bronce) a la cual la
esfera de Fermi toca las caras de la zona. ( El bronce experimenta un cambio
estructural a esta razn de concentraciones)
Solucin:
La esfera comienza a tocar a la PZB cuando
Reemplazando este valor en la frmula del enunciado se obtiene:
3
a
k
F
t
=
Mientras que n
a
= 4/a
3
SUPERFICIES DE FERMI DE ALGUNOS
METALES
Ver tabla de superficies de Fermi en archivo de internet
FUNCIONES DE DISTRIBUCIN
En el estado fundamental, es decir a OK los
N electrones en un cristal ocupan los N
estados de energa ms baja, pero qu pasa
a una temperatura T ?
La Distribucin Maxwell Boltzmann
(*)
Dado un sistema de N partculas como las molculas de un gas en un
recipiente, el nmero de partculas en un nivel de energa E
i,
con
degeneracin g
i
es:
T /K E -
i
B i
e g A N =
i
donde A es una constante de normalizacin y K
B
es la constante de Boltzmann
Si la densidad de estados es g(E), entonces:
}
= dE g(E) e A N
T -E/K
B
}
= dE g(E) e E A E
T -E/K
B
total
Nmero total de partculas
Energa total del sistema de partculas
Es vlida para N partculas distinguibles que no obedecen principio de exclusin de
Pauli
(*) Ver: Solid -State and Semiconductor Physics por J.P. McKelvey
Estadstica Fermi Dirac
La probabilidad de que un estado de energa E sea ocupado por un
electrn a una temperatura T es:
1 e
1
(E) f
T )/K - (E
B
+
=
donde es el potencial qumico (depende de cada material) y K
B
la constante
universal de Boltzmann.
c
c
+ =
0
0
0
dE
E
f
H(E) f(E) H(E) dE h(E) f(E)
c
c
+ =
}
E
B
E
h T K
6
) (
) H( dE h(E) f(E)
2 2
0
c
c
+ =
c
c
}
E
B
E
H T K
2
2 2 2
0
6
) (
) H( )dE
E
f
(- H(E)
}
=
E
0
h(E)dE ) (E H
) ( ) (
2
1
) H( ) - (E ) H( ) (
2
H E E H + + =
Dinmica Semiclsica de los electrones
en un cristal
Cmo se comportan los electrones de un slido
cristalino en presencia de campos externos?
1. Permanecen en su banda, n es constante
E
1
k
v V =
v =
v se puede interpretar como la velocidad de grupo de un paquete de
funciones de onda con k en el intervalo
k k A
Dinmica Semiclsica de los electrones
en un cristal
k v m =
) ( v - ) (- v k k =
E
1
k
v V =
k
e =
dt
d
=
-
m
Dinmica Semiclsica de los electrones
en un cristal
F
2
2
dk
E d 1
= a
dt
dv
a =
dt
dk
dk
dv
= a
Masa efectiva de un electrn en un
cristal
2
2
2
dk
E d
=
-
m
TENSOR MASA EFECTIVA
( )
|
|
|
|
|
|
|
|
.
|
\
|
c
c
c c
c
c c
c
c c
c
c
c
c c
c
c
c
c c
c
c
c
=
-
2
z
2
y z
2
z x
2
y z
2
2
y
2
y x
2
z x
2
y x
2
2
X
2
1
1
k
E
k k
E
k k
E
k k
E
k
E
k k
E
dk k
E
k k
E
k
E
2
m
E
k
V = =
1
g
v v
|
dt
dk
k dt
dk
k dt
dk
k
z
z
y
y
x
x
c
c
+
c
c
+
c
c
=
x x x x
v v v
dt
dv
x x x
x x
y y y y y
z z
z z z
v v v
dv dk
dt dt
dv v v v dk
dt dt
dv dk
v v v
dt dt
x y z
x y z
x y z
k k k
k k k
k k k
( c c c
( (
(
( ( c c c
(
( (
(
c c c
( (
( =
( (
c c c
(
( (
(
( ( c c c
(
( (
( c c c
CONCEPTO DE HUECO
Es una seudopartcula cuyas propiedades fsicas son equivalentes a las de
todos los electrones de una banda con todos los estados ocupados
excepto uno.
La velocidad del hueco es:
La energa del hueco es:
La masa efectiva del hueco es:
La carga elctrica del hueco es: q
h
= e
h h e e
(k ) (k ) = v v
) k ( E ) k ( E
e e h h
=
* *
h e e
m (k ) m (k )
h
=
e h
k k =
El vector de onda del hueco es :
CONCEPTO DE HUECO
E
e
E
h
K
e
K
h
E
h
(k
h
)
E
e
(k
e
)
k
e
k
h
e h
k k =
) k ( E ) k ( E
e e h h
=
h h e e
(k ) (k ) = v v
( )
e
*
e h
*
k m ) k ( m =
h
CONCEPTO DE HUECO
dt
d
dt
d
= =
k k
e
e h
E
e
E
h
k
e
k
h
La carga elctrica del hueco es positiva
Conductores, semicondutores y aislantes
BV
Conductores
semicondutores
aislantes
gap
gap
BV
BC
BC
BV
E
Conductores semicondutores y aislantes
Conductores semicondutores y aislantes
(a) aislantes, (b) metal o semimetal, (c) metal
Concentracin de portadores en
semiconductores intrnsecos
*
h
2 2
v
2m
k
) k ( E
=
*
e
2 2
g c
2m
k
E ) k ( E
+ =
( )
2 / 1
g
3/2
2
e
2
e
E E
2m
2
1
(E) g
|
.
|
\
|
=
( )
2 / 1
3/2
2
h
2
h
E
2m
2
1
(E) g
|
.
|
\
|
=
E(electrones)
E(huecos)
Concentracin de portadores en
semiconductores intrnsecos
}
=
C2
C1
E
E
dE g(E) (E) f n
}
=
2
1
dE (E) g (E) f p
h h
V
V
E
E
Concentracin de portadores en
semiconductores intrnsecos
1/2
1/ 2
0
2
x
x e dx
t
=
}
( ) dE e E E e
2m
2
1
n
g
B B F
E
T E/K
2 / 1
g
T /K E
3/2
2
e
2 }
|
.
|
\
|
=
T /K E
T /K E
3/2
2
B e B g
B F
e e
2
T k m
2 n
|
.
|
\
|
=
Concentracin de portadores en
semiconductores intrnsecos
}
=
0
h h
dE (E) g (E) f p
( )
T E/K - T /K E
T E)/K (E T /K E - E -
h
B B F
B F B F
e e
1 e
1
1 e
1
- 1 (-E) f 1 f
+
~
+
=
+
= =
( )
2 / 1
3/2
2
h
2
h
E
2m
2
1
(E) g
|
.
|
\
|
=
T /K E -
3/2
2
B e B F
e
2
T k m
2 p
|
.
|
\
|
=
Concentracin de portadores en
semiconductores intrnsecos
p n =
|
|
.
|
\
|
+ =
e
h
B g F
m
m
Ln T K
4
3
E
2
1
E
( )
T /2K E 3/4
h e
3/2
2
B
i
B g
e m m
2
T k
2 n
|
.
|
\
|
=
1/T
Estados de Impurezas
r 4
e
V(r)
0 r
2
=
(
|
|
.
|
\
|
=
2
0
4
0
0
e
2
r
d
) 2(4
e m -
m
m
1
E
0,01eV E
d
~
2 , 0
m
m
, 0 1
0
e
r
= ~
Estados de Impurezas
Ordenes de magnitud:
(
|
|
.
|
\
|
=
2
0
4
0
0
h
2
r
a
) 2(4
e m -
m
m
1
E
eV 0,01 E
a
=
Concentracin de portadores en
semiconductores extrnsecos
2
i
n p n =
( )
T /K E 3/2
h e
3
2
B B g
e m m
2
T k
4 p n
|
.
|
\
|
=
d
2
i
d
N
n
p N n = =
semiconductores extrnsecos tipo n
semiconductores extrnsecos tipo p
2
i
a
a
n
p N n
N
= =
Concentracin de portadores en
semiconductores extrnsecos