DIODO SEMICONDUCTOR

OBJETIVOS
Describir un diodo y cmo se forma una unin pn Analizar la polarizacin de un diodo

CONCEPTO
Un diodo es un dispositivo que conduce corriente en slo una direccin

CONSTRUCCION
Si se toma un bloque de silicio y se dopa una parte de l con una impureza trivalente y la otra con una impureza pentavalente, se forma un lmite llamado unin pn entre las partes tipo p y tipo n resultantes y se crea un diodo bsico

REGION P
Un material tipo p consta de tomos de silicio y tomos de impureza trivalentes tales como el boro. El tomo de boro agrega un hueco cuando se enlaza con los tomos de silicio. Sin embargo, como el nmero de protones y el nmero de electrones son iguales en todo el material, no existe carga neta en el material y por lo tanto es neutro

REGION N
Un material de silicio tipo n se compone de tomos de silicio y tomos de impureza pentavalentes tales como el antimonio. Como ya se vio, un tomo de impureza libera un electrn cuando se enlaza a cuatro tomos de silicio. Como sigue habiendo un nmero igual de protones y electrones (incluidos los electrones libres) por todo el material, no existe carga neta en el material y por lo tanto es neutro.

Formacin de la regin de empobrecimiento

Los electrones libres en la regin n se mueven aleatoriamente en todas direcciones. En el instante en que se forma la unin pn, los electrones libres que se encuentran cerca de la unin en la regin n comienzan a difundirse a travs de la unin hacia la regin p, donde se combinan con los huecos que se encuentran cerca de la unin, como se muestra en la figura 2.

 Cuando se forma la unin pn, la regin n pierde electrones libres a medida que se difunden a travs de la unin. Esto crea una capa de cargas positivas (iones pentavalentes) cerca de la unin

 A medida que los electrones se mueven a travs de sta, la regin p pierde huecos a medida que los electrones y huecos se combinan. Esto crea una capa de cargas negativas (iones trivalentes) cerca de la unin.

 Estas dos capas de cargas positivas y negativas forman la regin de empobrecimiento. El trmino empobrecimiento se refiere al hecho de que la regin cercana a la unin pn se queda sin portadores de carga (electrones y huecos) debido

 Despus del aumento sbito inicial de electrones libres a travs de la unin pn, la regin de empobrecimiento se expande hasta un punto donde se establece el equilibrio y no hay ms difusin de electrones a travs de la unin.

 En la regin de empobrecimiento existen muchas cargas positivas y muchas cargas negativas en los lados opuestos de la unin pn. Las fuerzas entre las cargas opuestas forman un campo elctrico, como se indica en la figura

 Este campo elctrico es una barrera para los electrones libres en la regin n y se debe consumir energa para mover un electrn a travs del campo elctrico; es decir, se debe aplicar energa externa para hacer que los electrones se muevan a travs de la barrera del campo elctrico en la regin de empobrecimiento.

 La diferencia de potencial del campo elctrico a travs de la regin de empobrecimiento es la cantidad de voltaje requerido para mover electrones a travs del campo elctrico. Esta diferencia de potencial se llama potencial de barrera y se expresa en volts

 El potencial de barrera de una unin pn depende de varios factores, incluido el tipo de material semiconductor, la cantidad de dopado y la temperatura. El potencial de barrera tpico es aproximadamente de 0.7 V para el silicio y de 0.3 V para el germanio a 25C

PREGUNTAS DE REPASO
1. Qu es una unin pn? 2. Describa la regin de empobrecimiento. 4. Explique qu es el potencial de barrera y cmo se crea. 5. Cul es el valor tpico del potencial de barrera para un diodo de silicio? 6. Cul es el valor tpico del potencial de barrera para un diodo de germanio?